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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第798页 > LMBTH10LT1
乐山无线电公司, LTD 。
甚高频/超高频晶体管
3
集热器
LMBTH10LT1
3
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
1
2
价值
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
SOT–23
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
LMBTH10LT1 = 3EM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0 )
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc
, I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc
, I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 25VDC ,我
E
= 0 )
发射Cuto FF电流
( V
EB
= 2.0Vdc ,我
C
= 0 )
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
30
3.0
100
100
VDC
VDC
NADC
NADC
V
( BR ) CEO
25
VDC
LMBTH10LT1–1/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBTH10LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 4.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 4.0mAdc ,我
B
= 0.4 MADC )
基射极电压ON
(I
C
= 4.0mAdc ,V
CE
= 10V直流)
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
60
0.5
0.95
-
VDC
VDC
小信号特性
电流增益带宽积
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 4.0mAdc中,f = 100MHz时)
集电极基极电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
集电极基极反馈电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
集电极基时间常数
( I
C
= 4.0mAdc ,V
CB
= 10 VDC , F = 31.8兆赫)
f
T
C
cb
C
rb
650
0.7
0.65
9.0
兆赫
pF
pF
ps
RB 'C
C
LMBTH10LT1–2/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBTH10LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC , I C = 4.0 MADC ,T
A
= 25°C)
yib ,输入导纳
80
70
0
y
ib
,输入导纳(毫姆欧)
g
ib
–10
60
–b
ib
40
30
20
10
0
100
jb
ib
(毫姆欧)
50
–20
1000MHz
–30
–40
700
400
200
100
–50
200
300
400
500
700
1000
–60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
男,频率(MHz)
g
ib
(毫姆欧)
图1.矩形表
图2.极地表
FB ,FORWARD转移导纳
y
ib
,正向转移导纳(毫姆欧)
70
60
50
40
30
20
10
0
–10
–20
–30
100
200
300
400
500
700
1000
60
b
fb
200
50
400
600
700
100
–g
fb
jb
fb
(毫姆欧)
40
30
1000MHz
20
10
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
男,频率(MHz)
g
fb
(毫姆欧)
图3.矩形表
图4.极地表
LMBTH10LT1–3/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBTH10LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC ,我
C
= 4.0 MADC ,T
A
= 25°C)
y
rb
,反向传输导纳(毫姆欧)
y
rb
,反向传输导纳
5.0
0
100
4.0
–1.0
200
MPS H11
jb
rb
(毫姆欧)
3.0
–2.0
400
–b
rb
2.0
–b
rb
MPS H1
–g
rb
–3.0
700
–4.0
1.0
1000MHz
–5.0
700
1000
2.0
1.8
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
100
200
300
400
500
男,频率(MHz)
g
rb
(毫姆欧)
图5.直角坐标形式
图6.极地表
y
ob
,输出导纳
y
ob
,输出导纳(毫姆欧)
10
9.0
8.0
10
1000MHz
8.0
6.0
5.0
4.0
3.0
jb
ob
(毫姆欧)
7.0
700
6.0
b
ob
4.0
400
200
2.0
1.0
0
100
200
300
400
500
700
1000
2.0
g
ob
0
0
100
2.0
4.0
6.0
8.0
10
男,频率(MHz)
g
ob
(毫姆欧)
图7.直角坐标形式
图8.极地表
LMBTH10LT1–4/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBTH10LT1
SOT-23
注意事项:
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
LMBTH10LT1–5/5
乐山无线电公司, LTD 。
甚高频/超高频晶体管
3
集热器
LMBTH10LT1
3
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
1
2
价值
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
SOT–23
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
LMBTH10LT1 = 3EM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0 )
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc
, I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc
, I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 25VDC ,我
E
= 0 )
发射Cuto FF电流
( V
EB
= 2.0Vdc ,我
C
= 0 )
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
30
3.0
100
100
VDC
VDC
NADC
NADC
V
( BR ) CEO
25
VDC
LMBTH10LT1–1/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBTH10LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 4.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 4.0mAdc ,我
B
= 0.4 MADC )
基射极电压ON
(I
C
= 4.0mAdc ,V
CE
= 10V直流)
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
60
0.5
0.95
-
VDC
VDC
小信号特性
电流增益带宽积
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 4.0mAdc中,f = 100MHz时)
集电极基极电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
集电极基极反馈电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
集电极基时间常数
( I
C
= 4.0mAdc ,V
CB
= 10 VDC , F = 31.8兆赫)
f
T
C
cb
C
rb
650
0.7
0.65
9.0
兆赫
pF
pF
ps
RB 'C
C
LMBTH10LT1–2/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBTH10LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC , I C = 4.0 MADC ,T
A
= 25°C)
yib ,输入导纳
80
70
0
y
ib
,输入导纳(毫姆欧)
g
ib
–10
60
–b
ib
40
30
20
10
0
100
jb
ib
(毫姆欧)
50
–20
1000MHz
–30
–40
700
400
200
100
–50
200
300
400
500
700
1000
–60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
男,频率(MHz)
g
ib
(毫姆欧)
图1.矩形表
图2.极地表
FB ,FORWARD转移导纳
y
ib
,正向转移导纳(毫姆欧)
70
60
50
40
30
20
10
0
–10
–20
–30
100
200
300
400
500
700
1000
60
b
fb
200
50
400
600
700
100
–g
fb
jb
fb
(毫姆欧)
40
30
1000MHz
20
10
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
男,频率(MHz)
g
fb
(毫姆欧)
图3.矩形表
图4.极地表
LMBTH10LT1–3/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBTH10LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC ,我
C
= 4.0 MADC ,T
A
= 25°C)
y
rb
,反向传输导纳(毫姆欧)
y
rb
,反向传输导纳
5.0
0
100
4.0
–1.0
200
MPS H11
jb
rb
(毫姆欧)
3.0
–2.0
400
–b
rb
2.0
–b
rb
MPS H1
–g
rb
–3.0
700
–4.0
1.0
1000MHz
–5.0
700
1000
2.0
1.8
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
100
200
300
400
500
男,频率(MHz)
g
rb
(毫姆欧)
图5.直角坐标形式
图6.极地表
y
ob
,输出导纳
y
ob
,输出导纳(毫姆欧)
10
9.0
8.0
10
1000MHz
8.0
6.0
5.0
4.0
3.0
jb
ob
(毫姆欧)
7.0
700
6.0
b
ob
4.0
400
200
2.0
1.0
0
100
200
300
400
500
700
1000
2.0
g
ob
0
0
100
2.0
4.0
6.0
8.0
10
男,频率(MHz)
g
ob
(毫姆欧)
图7.直角坐标形式
图8.极地表
LMBTH10LT1–4/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBTH10LT1
SOT-23
注意事项:
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
LMBTH10LT1–5/5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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联系人:林先生
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联系人:刘先生
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联系人:刘经理
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联系人:刘先生
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联系人:李小姐
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