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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第617页 > LMBT5551LT1G
乐山无线电公司, LTD 。
高电压晶体管
特征
无铅封装。
设备标记和订购信息
设备
LMBT5550LT1
LMBT5550LT1G
(无铅)
LMBT5551LT1
LMBT5551LT1G
(无铅)
记号
M1F
M1F
G1
G1
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
LMBT5550LT1
LMBT5551LT1
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
140
160
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
SOT–23
3
集热器
I
C
BASE
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
辐射源
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0)
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
发射Cuto FF电流
( V
BE
= 4.0Vdc ,我
C
= 0)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2.0 % 。
I
CBO
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
I
EBO
100
50
100
50
50
NADC
μAdc
NADC
LMBT5550
LMBT5551
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
140
160
V
( BR ) CBO
160
180
6.0
VDC
LMBT5550
LMBT5551
VDC
VDC
LMBT5550LT1–1/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
电气特性
( T A = 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
h
FE
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
V
CE ( SAT )
这两种类型
LMBT5550
LMBT5551
V
这两种类型
LMBT5550
LMBT5551
BE ( SAT )
最大
单位
––
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 5.0VDC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
60
80
60
80
20
30
250
250
VDC
0.15
0.25
0.20
VDC
1.0
1.2
1.0
LMBT5550LT1–2/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
h
FE
,直流电流增益(标准化)
500
300
200
T
J
= +125°C
+25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
100
–55°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
I
C
,集电极电流(毫安)
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图15.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
0.6
10毫安
30毫安
百毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
B
,基极电流(毫安)
图16.集电极饱和区
10
1
1.0
V
CE
= 30 V
10
0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
,集电极电流( μA )
10
–1
T
J
= 125°C
I
C
= I
CES
75°C
反向
25°C
前锋
V,电压(V )
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
10
–2
0.4
10
–3
10
–4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
10
–5
–0.4 –0.3
0
–0.2
–0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
V
BE
,基极发射极电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.集电极截止区
图4. “开”电压
LMBT5550LT1–3/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
,温度系数(毫伏/ ° C)
2.5
2
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0.1
t
r
, t
f
小于10纳秒
占空比= 1.0 %
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
显示的值是我
C
@ 10毫安
10毫秒
0.25 μF的
10.2 V
T
J
-55°C至+ 135°C的
θ
VC
对于V
CE ( SAT )
V
in
V
BB
–8.8 V
100
R
B
V
CC
3.0 k
30 V
R
C
θ
VB
对于V
BE ( SAT )
输入脉冲
5.1 k
V
in
100
1N914
V
OUT
θ
V
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.温度系数
图6.开关时间测试电路
100
70
50
30
1000
T
J
= 25°C
500
300
200
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
C,电容(pF )
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
0.7 0.5 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
T, TIME ( NS )
C
IBO
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
C
敖包
V
R
,反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7的电容图
8.开启时间
5000
t
f
@ V
CC
= 120 V
3000
2000
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 30 V
1000
500
300
200
T, TIME ( NS )
t
s
@ V
CC
= 120 V
100
50
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
图9.开启,关闭时间
LMBT5550LT1–4/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
SOT-23
注意事项:
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
LMBT5550LT1-5/5
乐山无线电公司, LTD 。
高电压晶体管
特征
无铅封装。
设备标记和订购信息
设备
LMBT5550LT1
LMBT5550LT1G
(无铅)
LMBT5551LT1
LMBT5551LT1G
(无铅)
记号
M1F
M1F
G1
G1
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
LMBT5550LT1
LMBT5551LT1
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
140
160
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
SOT–23
3
集热器
I
C
BASE
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
辐射源
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0)
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
发射Cuto FF电流
( V
BE
= 4.0Vdc ,我
C
= 0)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2.0 % 。
I
CBO
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
I
EBO
100
50
100
50
50
NADC
μAdc
NADC
LMBT5550
LMBT5551
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
140
160
V
( BR ) CBO
160
180
6.0
VDC
LMBT5550
LMBT5551
VDC
VDC
LMBT5550LT1–1/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
电气特性
( T A = 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
h
FE
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
V
CE ( SAT )
这两种类型
LMBT5550
LMBT5551
V
这两种类型
LMBT5550
LMBT5551
BE ( SAT )
最大
单位
––
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 5.0VDC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
60
80
60
80
20
30
250
250
VDC
0.15
0.25
0.20
VDC
1.0
1.2
1.0
LMBT5550LT1–2/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
h
FE
,直流电流增益(标准化)
500
300
200
T
J
= +125°C
+25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
100
–55°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
I
C
,集电极电流(毫安)
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图15.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
0.6
10毫安
30毫安
百毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
B
,基极电流(毫安)
图16.集电极饱和区
10
1
1.0
V
CE
= 30 V
10
0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
,集电极电流( μA )
10
–1
T
J
= 125°C
I
C
= I
CES
75°C
反向
25°C
前锋
V,电压(V )
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
10
–2
0.4
10
–3
10
–4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
10
–5
–0.4 –0.3
0
–0.2
–0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
V
BE
,基极发射极电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.集电极截止区
图4. “开”电压
LMBT5550LT1–3/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
,温度系数(毫伏/ ° C)
2.5
2
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0.1
t
r
, t
f
小于10纳秒
占空比= 1.0 %
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
显示的值是我
C
@ 10毫安
10毫秒
0.25 μF的
10.2 V
T
J
-55°C至+ 135°C的
θ
VC
对于V
CE ( SAT )
V
in
V
BB
–8.8 V
100
R
B
V
CC
3.0 k
30 V
R
C
θ
VB
对于V
BE ( SAT )
输入脉冲
5.1 k
V
in
100
1N914
V
OUT
θ
V
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.温度系数
图6.开关时间测试电路
100
70
50
30
1000
T
J
= 25°C
500
300
200
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
C,电容(pF )
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
0.7 0.5 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
T, TIME ( NS )
C
IBO
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
C
敖包
V
R
,反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7的电容图
8.开启时间
5000
t
f
@ V
CC
= 120 V
3000
2000
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 30 V
1000
500
300
200
T, TIME ( NS )
t
s
@ V
CC
= 120 V
100
50
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
图9.开启,关闭时间
LMBT5550LT1–4/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
SOT-23
注意事项:
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
LMBT5550LT1-5/5
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数量
封装
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LMBT5551LT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
LMBT5551LT1G
LRC(乐山无线电)
24+
7800
SOT-23(SOT-23-3)
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
LMBT5551LT1G
LRC
21+
252000
SOT-23
只做原装实单申请
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
LMBT5551LT1G
房间现货特价
2126+
45000
SOT-23
只做原装实单申请
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
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LRC
360000
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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电话:18929336553
联系人:陈先生\陈小姐
地址:深圳市龙华区大浪街道龙平社区腾龙路淘金地电子商务孵化基地展滔商业广场E座512
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LRC
21+
60000
SOT-23
只做原装正品,深圳现货
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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
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LRC/乐山
20+
1175
SOT-23
原装进口低价实单必成
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LMBT5551LT1G
LRC
21+
18600
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
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电话:17876146278/15814081976
联系人:梁小姐
地址:华强广场B座7楼001室
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LRC/乐山无线电
22+
10000
N/A
原装正品 现货库存 价钱优势 联系电话:15814081976(同微信)梁小姐
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电话:19129493510
联系人:李
地址:福田区上步工业区101栋4楼
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LRC
22+
252000
SOT-23
原装正品
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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
LMBT5551LT1G
LRC★★★中国元器件优质供应商★★★
22+
1200000███★★(保证原装)★★
SOT23
原装正品样品可售长期货源
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