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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第811页 > LMBT5551LT1
乐山无线电公司, LTD 。
高电压晶体管
特征
无铅封装。
设备标记和订购信息
设备
LMBT5550LT1
LMBT5550LT1G
(无铅)
LMBT5551LT1
LMBT5551LT1G
(无铅)
记号
M1F
M1F
G1
G1
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
LMBT5550LT1
LMBT5551LT1
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
140
160
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
SOT–23
3
集热器
I
C
BASE
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
辐射源
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0)
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
发射Cuto FF电流
( V
BE
= 4.0Vdc ,我
C
= 0)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2.0 % 。
I
CBO
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
I
EBO
100
50
100
50
50
NADC
μAdc
NADC
LMBT5550
LMBT5551
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
140
160
V
( BR ) CBO
160
180
6.0
VDC
LMBT5550
LMBT5551
VDC
VDC
LMBT5550LT1–1/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
电气特性
( T A = 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
h
FE
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
V
CE ( SAT )
这两种类型
LMBT5550
LMBT5551
V
这两种类型
LMBT5550
LMBT5551
BE ( SAT )
最大
单位
––
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 5.0VDC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
60
80
60
80
20
30
250
250
VDC
0.15
0.25
0.20
VDC
1.0
1.2
1.0
LMBT5550LT1–2/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
h
FE
,直流电流增益(标准化)
500
300
200
T
J
= +125°C
+25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
100
–55°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
I
C
,集电极电流(毫安)
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图15.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
0.6
10毫安
30毫安
百毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
B
,基极电流(毫安)
图16.集电极饱和区
10
1
1.0
V
CE
= 30 V
10
0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
,集电极电流( μA )
10
–1
T
J
= 125°C
I
C
= I
CES
75°C
反向
25°C
前锋
V,电压(V )
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
10
–2
0.4
10
–3
10
–4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
10
–5
–0.4 –0.3
0
–0.2
–0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
V
BE
,基极发射极电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.集电极截止区
图4. “开”电压
LMBT5550LT1–3/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
,温度系数(毫伏/ ° C)
2.5
2
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0.1
t
r
, t
f
小于10纳秒
占空比= 1.0 %
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
显示的值是我
C
@ 10毫安
10毫秒
0.25 μF的
10.2 V
T
J
-55°C至+ 135°C的
θ
VC
对于V
CE ( SAT )
V
in
V
BB
–8.8 V
100
R
B
V
CC
3.0 k
30 V
R
C
θ
VB
对于V
BE ( SAT )
输入脉冲
5.1 k
V
in
100
1N914
V
OUT
θ
V
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.温度系数
图6.开关时间测试电路
100
70
50
30
1000
T
J
= 25°C
500
300
200
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
C,电容(pF )
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
0.7 0.5 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
T, TIME ( NS )
C
IBO
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
C
敖包
V
R
,反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7的电容图
8.开启时间
5000
t
f
@ V
CC
= 120 V
3000
2000
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 30 V
1000
500
300
200
T, TIME ( NS )
t
s
@ V
CC
= 120 V
100
50
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
图9.开启,关闭时间
LMBT5550LT1–4/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
SOT-23
注意事项:
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
LMBT5550LT1-5/5
乐山无线电公司, LTD 。
高电压晶体管
特征
无铅封装。
设备标记和订购信息
设备
LMBT5550LT1
LMBT5550LT1G
(无铅)
LMBT5551LT1
LMBT5551LT1G
(无铅)
记号
M1F
M1F
G1
G1
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
LMBT5550LT1
LMBT5551LT1
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
140
160
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
SOT–23
3
集热器
I
C
BASE
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
辐射源
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0)
( V
CB
= 100V直流,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
发射Cuto FF电流
( V
BE
= 4.0Vdc ,我
C
= 0)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2.0 % 。
I
CBO
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
I
EBO
100
50
100
50
50
NADC
μAdc
NADC
LMBT5550
LMBT5551
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
140
160
V
( BR ) CBO
160
180
6.0
VDC
LMBT5550
LMBT5551
VDC
VDC
LMBT5550LT1–1/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
电气特性
( T A = 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
h
FE
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
V
CE ( SAT )
这两种类型
LMBT5550
LMBT5551
V
这两种类型
LMBT5550
LMBT5551
BE ( SAT )
最大
单位
––
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 5.0VDC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
60
80
60
80
20
30
250
250
VDC
0.15
0.25
0.20
VDC
1.0
1.2
1.0
LMBT5550LT1–2/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
h
FE
,直流电流增益(标准化)
500
300
200
T
J
= +125°C
+25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
100
–55°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
I
C
,集电极电流(毫安)
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图15.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
0.6
10毫安
30毫安
百毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
B
,基极电流(毫安)
图16.集电极饱和区
10
1
1.0
V
CE
= 30 V
10
0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
,集电极电流( μA )
10
–1
T
J
= 125°C
I
C
= I
CES
75°C
反向
25°C
前锋
V,电压(V )
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
10
–2
0.4
10
–3
10
–4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
10
–5
–0.4 –0.3
0
–0.2
–0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
V
BE
,基极发射极电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.集电极截止区
图4. “开”电压
LMBT5550LT1–3/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
,温度系数(毫伏/ ° C)
2.5
2
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0.1
t
r
, t
f
小于10纳秒
占空比= 1.0 %
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
显示的值是我
C
@ 10毫安
10毫秒
0.25 μF的
10.2 V
T
J
-55°C至+ 135°C的
θ
VC
对于V
CE ( SAT )
V
in
V
BB
–8.8 V
100
R
B
V
CC
3.0 k
30 V
R
C
θ
VB
对于V
BE ( SAT )
输入脉冲
5.1 k
V
in
100
1N914
V
OUT
θ
V
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.温度系数
图6.开关时间测试电路
100
70
50
30
1000
T
J
= 25°C
500
300
200
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
C,电容(pF )
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
0.7 0.5 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
T, TIME ( NS )
C
IBO
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
C
敖包
V
R
,反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7的电容图
8.开启时间
5000
t
f
@ V
CC
= 120 V
3000
2000
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 30 V
1000
500
300
200
T, TIME ( NS )
t
s
@ V
CC
= 120 V
100
50
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
图9.开启,关闭时间
LMBT5550LT1–4/5
乐山无线电公司, LTD 。
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
SOT-23
注意事项:
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
LMBT5550LT1-5/5
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    -
    -
    -
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LRC
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5200
SOT-23
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