LM9140精密微功耗并联型电压基准
1998年4月
LM9140
精密微功耗并联型电压基准
概述
该LM9140的反向击穿电压的温度coef-
中，盐湖
±
25 PPM / C理想用于精密应用。
该LM9140先进的设计省去了一
外部稳定电容，同时确保与任何稳定
电容性负载，从而使LM9140使用方便。进一
疗法减少设计工作量是几个固定的可用性
反向击穿电压： 2.500V ， 4.096V ， 5.000V ，而
10.000V 。从最小工作电流增大
60 μA的LM9140-2.5为100 μA的LM9140-10.0 。所有
版本可有15毫安的最大工作电流。
该LM9140采用熔断器和齐纳ZAP反向击穿
晶片筛选过程中电压调节，保证了主要部分
有优于精度
±
0.5 ％ （ B级） ，在25℃。
带隙基准源的温度漂移曲率校正
低动态阻抗确保稳定的反向突破性
下电压精度在很宽的范围内操作的温
peratures和电流。
n
容忍容性负载
n
2.500V的固定反向击穿电压， 4.096V ，
5.000V ，并10.000V
关键的特定连接的阳离子
(LM9140-2.5)
n
温度COEF网络cient ：
±
为25ppm /℃ （最大值）
n
输出电压容差：
±
0.5 ％（最大值）
n
低输出噪声（ 10 Hz至10 kHz时） ： 35 μV
RMS
（典型值）
n
宽工作电流范围： 60 μA至15毫安
n
工业温度范围： -40 ° C至+ 85°C
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
便携式，电池供电设备
数据采集系统
仪器仪表
过程控制
能源管理
产品测试
汽车
Precision音频组件
特点
n
n
n
n
保证的温度系数
±
为25ppm /°C的
反向击穿电压容差
±
0.5%
小型封装： TO- 92
无需输出电容
接线图
TO-92
DS011393-2
底部视图
见NS包装数Z03A
订购信息
反向击穿
在25℃电压容差
和平均反向击穿
电压温度系数
0.5 ％ ， 25 PPM / C（最大值）
LM9140BYZ-2.5,
LM9140BYZ-4.1,
LM9140BYZ-5.0,
LM9140BYZ-10.0
Z（ TO- 92 ）
1998美国国家半导体公司
DS011393
www.national.com
电气特性
符号
V
R
参数
反向击穿电压
长期稳定性
（续）
黑体字限额适用于对于T
A
= T
J
= T
民
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C
条件
T = 1000小时
中T = 25℃
±
0.1C
I
R
= 100 A
典型
（注4 ）
120
范围
（注5 ）
单位
（限）
PPM
LM9140BYZ-10.0
电气特性
黑体字限额适用于对于T
A
= T
J
= T
民
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C
符号
V
R
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
公差（注6 ）
I
RMIN
最小工作电流
75
100
103
V
R
/T
平均反向击穿
电压温度
系数（注7 ）
V
R
/I
R
反向击穿电压
更改与工作
电流变化
1毫安
≤
I
R
≤
15毫安
8.0
12.0
23.0
Z
R
e
N
V
R
反向动态阻抗
宽带噪声
反向击穿电压
长期稳定性
I
R
= 1毫安， F = 120赫兹，
I
AC
= 0.1 I
R
I
R
= 150 A
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
T = 1000小时
中T = 25℃
±
0.1C
I
R
= 150 A
120
PPM
0.7
1.7
180
I
R
= 10毫安
I
R
= 1毫安
I
R
= 150 A
I
RMIN
≤
I
R
≤
1毫安
条件
I
R
= 150 A
I
R
= 100 A
典型
（注4 ）
10.00
范围
（注5 ）
单位
（限）
V
毫伏（最大）
毫伏（最大）
A
μA（最大值）
μA（最大值）
PPM /°C的
PPM / C （最大值）
PPM /°C的
mV
1.6
3.5
毫伏（最大）
毫伏（最大）
mV
毫伏（最大）
毫伏（最大）
Ω （最大值）
V
RMS
±
50.0
±
66.3
±
10
±
10
±
10
0.8
±
25
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备是功能条件
tional ，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。保证试样
fications仅适用于测试环境，请参阅电气特性。保证规格仅适用于列出的测试条件。有些perfor-
曼斯特性可能会降低，当设备未列出的测试条件下操作。
注2 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
（最大结温）
θ
JA
（结点到上午
关环境热电阻） ，和T
A
（环境温度） 。在任何温度下的最大允许功耗为PD
最大
= (T
JMAX
T
A
)/θ
JA
或数
在绝对最大额定值，以较低者为准给出。对于LM9140 ，T
JMAX
= 125℃ ，且了典型热阻（ θ
JA
） ，板装的时候，是
170℃ / W与0.125"引线长度为TO- 92封装。
注3 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。本机模式是一个200 pF电容放电二
rectly到每个引脚。
注4 ：
标准被定在T
J
= 25 ，代表最可能的参数指标。
注5 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。极限超温是通过使用统计质量控制（ SQC）方法。该
限制是用来计算美国国家半导体的AOQL 。
注6 ：
粗体（超温）限制反向击穿电压容差定义为一个房间termperature反向击穿电压容差
±
[V
R
/ ΔT ） （ 65℃） （V
R
)].
V
R
/ΔT是V
R
温度系数， 65°C的温度范围从-40℃至25℃时的参考点，而V
R
是反向
击穿电压。总过温耐性的用于不同等级如下所示：
B级：
±
0.66% =
±
0.5%
±
25 PPM / C X 65°C
因此，作为一个例子，在B级LM9140-2.5具有过热反向击穿电压公差
±
2.5V X 0.66 ％ =
±
16.6毫伏。
注7 ：
平均温度系数被定义为参考电压的最大偏差在操作时间之间的所有测得的温度
最大
和T
民
，除以T
最大
T
民
。测得的温度是-55℃ ， -40℃ ， 0℃， 25℃ ，70C ，85C和125C 。
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