LM8335
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SNVS840 - 2012年6月
ADR输入引脚
ADR引脚的状态决定了MIPI RFFE USID如上表所述。这使得2
器件可以在同一RFFE总线从而倍增在系统中可用的GPO数量上（见
双RFFE从应用框图） 。
默认GPO_x引脚配置
上电后的所有GPO将默认的基础上， CFG引脚的状态。
CFG输入PIN = GND
该CFG0模式是一种自动初始化模式。它允许主机没有先配置任何寄存器
写GPO_OUT_DATA前寄存器来设置的GPO的高或低。在这种模式下，将GPO将默认为
高阻带弱上拉下拉电阻使能， GPO_OUT_DATA将被屏蔽。当主机写入
在GPO_OUT_DATA寄存器，下拉电阻疲软将被禁用。输出驱动器将立即
启用和将驱动高或低的基础上写入GPO_OUT_DATA寄存器的值。在配置
模式CFG0 GPO中的数据屏蔽功能可用，但GPO拉电阻，以及高-Z功能无法
改变了。写入GPO_PULL_DIR ， GPO_PULL_ENABLE和GPO_OUT_HIGH_CFG寄存器将有
没有影响。如果需要该GPO拉电阻或输出配置的控制则CFG1模式必须
使用。
该CFG1模式是一种更通用的模式，其中的输出必须先初始化期间配置
以使用。在这种模式下，将GPO将默认为高红移使能内部下拉电阻器和
GPO_OUT_DATA将被掩蔽。在初始化过程中，主机必须先写入GPO_OUT_DATA寄存器
（注：这将转换所有GPO高-Z带内部上拉下来全缓冲驱动为低电平，内部
下拉）写入到GPO_OUT_DATA寄存器的值而不管。主机必须接着写
GPO_PULL_DIR ， GPO_PULL_ENABLE ， & GPO_OUT_HIGH_CFG寄存器来配置每个GPO到
期望的输出配置。一旦完成，然后主机写入GPO_DATA_MASK和
GPO_OUT_DATA寄存器来设置输出GPO中的理想状态。请参阅
网络连接gure 8 。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
RFFE电源电压（ VIO ）
内核电源电压（ VDD ）
GPO电源电压（ VDDIO ）
(1) (2)
0.3V
到2.2V
0.3V
到2.2V
0.3V
到4.0V
0.3V
以（ VIO + 0.3V ）
0.3V
到（Ⅴ
DD
+0.3V)
0.3V
到（Ⅴ
DDIO
+0.3V)
40°C
至+ 125°C
0°C
至+ 85°C
260°C
直流输入电压SCLK & SDATA引脚
直流输入电压为ADR & CFG引脚
直流输出电压的GPO引脚
存储温度范围
工作环境温度（TA ）
焊接温度（TL ）
（焊接， 10秒）
ESD额定值
（ CZAP = 120 pF的， RZAP = 1500Ω ）
人体模型
(3)
1000V
250V
充电设备型号：
(1)
(2)
(3)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但没有指定特定的性能。为规范和测试环境，请参阅
电气特性表。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF的
电容直接排入每个引脚。
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CFG输入引脚VDD =
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