LM78LXX系列三端稳压器正
2000年1月
LM78LXX系列
三端稳压器正
概述
该LM78LXX系列三端稳压器正面是
可提供多种固定输出电压使其
有用在广泛的应用范围。当作为一个齐纳用于
二极管/电阻器组合替代，该LM78LXX usu-
同盟结果中的有效输出阻抗的改善
两个数量级，并降低静态电流。这些
监管机构可以提供当地的卡规，消除
用单点稳压关联的分配问题
化。可用的电压允许在要使用的LM78LXX
逻辑系统，仪器仪表，音响和其他固态
电子设备。
该LM78LXX是在塑料TO- 92 （ Z）封装，
塑料SO- 8 （ M）封装，芯片尺寸封装
（ 8焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的micro SMD封装
技术。有了足够的散热，调节DE-可以
肝百毫安输出电流。电流限制被包括到
限制峰值输出电流到一个安全值。安全区亲
tection为输出晶体管被提供来限制内部
功耗。如果内部功耗变得太
高所提供的散热，热关断税务局局长
CUIT接管防止IC过热。
特点
n
LM78L05的micro SMD封装
n
输出电压容差
±
在温度5％
范围
n
100mA的输出电流
n
内部过热保护
n
输出晶体管安全区保护
n
内部短路电流限制
n
可在塑料TO- 92和塑料SO- 8低姿态
套餐
n
无需外部元件
n
5.0V ， 6.2V ， 8.2V ， 9.0V的输出电压， 12V ， 15V
连接图
SO- 8塑料（M ）
（窄体）
(TO-92)
塑料包装（ Z）
DS007744-3
DS007744-2
顶视图
8焊球micro SMD
底部视图
微型SMD标记定位
DS007744-24
顶视图
（ BUMP面朝下）
DS007744-33
顶视图
2000美国国家半导体公司
DS007744
www.national.com
LM78LXX系列
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
功率耗散（注5 ）
输入电压
储存温度
内部限制
35V
-65 ° C至+ 150°C
工作结温
SO-8
微型SMD
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
ESD易感性（注2 ）
0 ° C至125°C
-40 ° C至85°C
235C
260C （交货期）
1kV
LM78LXX电气特性
在标准字体限为T
J
= 25C,
粗体字AP-
层数在0°C至125°C的SO- 8封装， -40℃至85℃的micro SMD封装。
限制由生产保障
化试验或使用标准的统计质量控制（ SQC）方法的相关技术。除另有规定外：我
O
= 40毫安，C
I
= 0.33 μF ，C
O
= 0.1 F.
LM78L05
除非另有规定ED ，V
IN
= 10V
符号
V
O
输出电压
7V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
（注3）
1毫安
≤
I
O
≤
70毫安
（注3）
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
θ
JA
输入电压的最小值
必须保持线路调整
热阻
（ 8焊球micro SMD ）
I
O
= 5毫安
8V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
（注4 ）
F = 120赫兹
8V
≤
V
IN
≤
16V
7V
≤
V
IN
≤
20V
8V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
百毫安
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
参数
条件
民
4.8
4.75
典型值
5
最大
5.2
5.25
单位
V
4.75
18
10
20
5
3
5.25
75
54
60
30
5
1.0
0.1
40
V
dB
mA
毫伏/°C的
7
V
° C / W
mA
mV
47
62
140
0.65
6.7
230.9
LM78L62AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 12V
符号
V
O
输出电压
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
（注3）
1毫安
≤
I
O
≤
70毫安
（注3）
V
O
V
O
线路调整
负载调整率
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
9V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
百毫安
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
www.national.com
2
参数
条件
民
5.95
5.9
典型值
6.2
最大
6.45
6.5
单位
V
5.9
65
55
13
6
6.5
175
125
80
40
mV
LM78LXX系列
LM78L15AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 23V
符号
V
O
输出电压
17.5V
≤
V
IN
≤
30V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
（注3）
1毫安
≤
I
O
≤
70毫安
（注3）
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
输入电压的最小值
必须保持线路调整
I
O
= 5毫安
F = 120赫兹
18.5V
≤
V
IN
≤
28.5V
37
20V
≤
V
IN
≤
30V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
90
51
140
1.3
16.7
17.5
17.5V
≤
V
IN
≤
30V
20V
≤
V
IN
≤
30V
1毫安
≤
I
O
≤
百毫安
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
参数
条件
民
14.4
14.25
典型值
15.0
最大
15.6
15.75
单位
V
14.25
37
25
35
12
3
15.75
250
140
150
75
5
1
0.1
V
dB
mA
毫伏/°C的
V
mA
mV
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
外，其既定的工作条件。
注2 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注3 ：
功耗
≤
0.75W.
注4 ：
0.01 μF推荐的最小负载电容，以限制高频噪声。
注5 ：
典型的热电阻值的包：
Z
包装：
θ
JC
= 60℃ / W ， =
θ
JA
= 230℃ / W
M
包装：
θ
JA
= 180℃ / W
微型SMD
包装：
θ
JA
= 230.9C / W
5
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LM78LXX系列三端稳压器正
2005年2月
LM78LXX系列
三端稳压器正
概述
该LM78LXX系列三端稳压器正面是
可提供多种固定输出电压使其
有用在广泛的应用范围。当作为一个齐纳用于
二极管/电阻器组合替代，该LM78LXX usu-
同盟结果中的有效输出阻抗的改善
两个数量级，并降低静态电流。这些
监管机构可以提供当地的卡规，消除
用单点稳压关联的分配问题
分页。可用的电压允许使用的LM78LXX
在逻辑系统，仪器仪表，音响和其他固态
电子设备。
该LM78LXX是在塑料TO- 92 （ Z）封装，
塑料SO- 8 （ M）封装，芯片尺寸封装
（ 8焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的micro SMD封装
技术。有足够的散热调节器能
提供100mA输出电流。电流限制被包括到
限制峰值输出电流到一个安全值。安全区
保护输出晶体管被设置为限制跨
纳尔功耗。如果内部功耗变
过高所提供的散热，热关断
电路接管防止IC过热。
特点
n
LM78L05的micro SMD封装
n
输出电压容差
±
在温度5％
范围
n
为100mA输出电流
n
内部过热保护
n
输出晶体管安全区保护
n
内部短路电流限制
n
可在塑料TO- 92和塑料SO- 8低姿态
套餐
n
无需外部元件
n
5.0V ， 6.2V ， 8.2V ， 9.0V的输出电压， 12V ， 15V
n
见AN- 1112微型SMD考虑
连接图
SO- 8塑料（M ）
（窄体）
(TO-92)
塑料包装（ Z）
00774403
00774402
顶视图
8焊球micro SMD
底部视图
微型SMD标记定位
00774424
顶视图
（ BUMP面朝下）
00774433
顶视图
2005美国国家半导体公司
DS007744
www.national.com
LM78LXX系列
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
功率耗散（注5 ）
输入电压
储存温度
ESD易感性（注2 ）
内部限制
35V
-65 ° C至+ 150°C
1kV
工作结温
SO-8 ，TO- 92
微型SMD
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
235C
260C （交货期）
0 ° C至125°C
-40 ° C至85°C
在标准字体限为T
J
= 25C,
粗体
适用于在0°C至125°C的SO -8和TO- 92封装，以及-40℃至85℃的micro SMD封装。
限制瓜拉尼
通过使用标准的统计质量控制（ SQC）方法生产测试或相关技术开球。除非另外
明智的指定：我
O
= 40毫安，C
I
= 0.33μF ，C
O
= 0.1F.
LM78LXX电气特性
LM78L05
除非另有规定ED ，V
IN
= 10V
符号
V
O
输出电压
7V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
（注3）
1mA
≤
I
O
≤
70mA
（注3）
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
8V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
F = 10赫兹至100千赫兹
（注4 ）
F = 120赫兹
8V
≤
V
IN
≤
16V
47
40
62
140
I
O
= 5毫安
0.65
6.7
230.9
7
7V
≤
V
IN
≤
20V
8V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
参数
条件
民
4.8
4.75
典型值
5
最大
5.2
5.25
单位
V
4.75
18
10
20
5
3
5.25
75
54
60
30
5
1.0
0.1
V
dB
mA
毫伏/°C的
V
° C / W
mA
mV
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
θ
JA
输入电压的最小值
必须保持线路调整
热阻
（ 8焊球micro SMD ）
LM78L62AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 12V
符号
V
O
输出电压
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
（注3）
1mA
≤
I
O
≤
70mA
（注3）
参数
条件
民
5.95
5.9
典型值
6.2
最大
6.45
6.5
单位
V
5.9
6.5
3
www.national.com
LM78LXX系列
LM78LXX电气特性
在标准字体限为T
J
= 25C,
粗体
适用于在0°C至125°C的SO -8和TO- 92封装，以及-40℃至85℃的micro SMD封装。
限制是
通过使用标准的统计质量控制（ SQC）方法生产测试或相关技术保障。除非
特别说明：我
O
= 40毫安，C
I
= 0.33μF ，C
O
= 0.1μF 。 （续）
LM78L62AC
符号
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
（续）
除非另有规定ED ，V
IN
= 12V
参数
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
8V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
F = 10赫兹至100千赫兹
（注4 ）
F = 120赫兹
10V
≤
V
IN
≤
20V
40
50
46
140
I
O
= 5毫安
0.75
7.9
条件
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
9V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
民
典型值
65
55
13
6
2
最大
175
125
80
40
5.5
1.5
0.1
V
dB
mA
毫伏/°C的
V
mA
mV
单位
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
输入电压的最小值
必须保持线路调整
LM78L82AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 14V
符号
V
O
输出电压
11V
≤
V
IN
≤
23V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
（注3）
1mA
≤
I
O
≤
70mA
（注3）
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
12V
≤
V
IN
≤
23V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
F = 10赫兹至100千赫兹
（注4 ）
F = 120赫兹
12V
≤
V
IN
≤
22V
39
60
45
140
I
O
= 5毫安
0.8
9.9
11V
≤
V
IN
≤
23V
12V
≤
V
IN
≤
23V
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
参数
条件
民
7.87
7.8
典型值
8.2
最大
8.53
8.6
单位
V
7.8
80
70
15
8
2
8.6
175
125
80
40
5.5
1.5
0.1
V
dB
mA
毫伏/°C的
V
mA
mV
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
输入电压的最小值
必须保持线路调整
www.national.com
4
LM78LXX系列
LM78LXX电气特性
在标准字体限为T
J
= 25C,
粗体
适用于在0°C至125°C的SO -8和TO- 92封装，以及-40℃至85℃的micro SMD封装。
限制是
通过使用标准的统计质量控制（ SQC）方法生产测试或相关技术保障。除非
特别说明：我
O
= 40毫安，C
I
= 0.33μF ，C
O
= 0.1μF 。 （续）
LM78L09AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 15V
符号
V
O
输出电压
11.5V
≤
V
IN
≤
24V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
（注3）
1mA
≤
I
O
≤
70mA
（注3）
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
F = 120赫兹
15V
≤
V
IN
≤
25V
38
11.5V
≤
V
IN
≤
24V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
70
44
140
I
O
= 5毫安
0.9
10.7
11.5V
≤
V
IN
≤
24V
13V
≤
V
IN
≤
24V
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
参数
条件
民
8.64
8.55
典型值
9.0
最大
9.36
9.45
单位
V
8.55
100
90
20
10
2
9.45
200
150
90
45
5.5
1.5
0.1
V
dB
mA
毫伏/°C的
V
mA
mV
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
输入电压的最小值
必须保持线路调整
LM78L12AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 19V
符号
V
O
输出电压
14.5V
≤
V
IN
≤
27V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
（注3）
1mA
≤
I
O
≤
70mA
（注3）
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
F = 120赫兹
15V
≤
V
IN
≤
25
40
16V
≤
V
IN
≤
27V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
80
54
140
I
O
= 5毫安
1.0
14.5V
≤
V
IN
≤
27V
16V
≤
V
IN
≤
27V
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
参数
条件
民
11.5
11.4
典型值
12
最大
12.5
12.6
单位
V
11.4
30
20
30
10
3
12.6
180
110
100
50
5
1
0.1
V
dB
mA
毫伏/°C的
mA
mV
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
5
www.national.com
LM78LXX系列三端稳压器正
2000年1月
LM78LXX系列
三端稳压器正
概述
该LM78LXX系列三端稳压器正面是
可提供多种固定输出电压使其
有用在广泛的应用范围。当作为一个齐纳用于
二极管/电阻器组合替代，该LM78LXX usu-
同盟结果中的有效输出阻抗的改善
两个数量级，并降低静态电流。这些
监管机构可以提供当地的卡规，消除
用单点稳压关联的分配问题
化。可用的电压允许在要使用的LM78LXX
逻辑系统，仪器仪表，音响和其他固态
电子设备。
该LM78LXX是在塑料TO- 92 （ Z）封装，
塑料SO- 8 （ M）封装，芯片尺寸封装
（ 8焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的micro SMD封装
技术。有了足够的散热，调节DE-可以
肝百毫安输出电流。电流限制被包括到
限制峰值输出电流到一个安全值。安全区亲
tection为输出晶体管被提供来限制内部
功耗。如果内部功耗变得太
高所提供的散热，热关断税务局局长
CUIT接管防止IC过热。
特点
n
LM78L05的micro SMD封装
n
输出电压容差
±
在温度5％
范围
n
100mA的输出电流
n
内部过热保护
n
输出晶体管安全区保护
n
内部短路电流限制
n
可在塑料TO- 92和塑料SO- 8低姿态
套餐
n
无需外部元件
n
5.0V ， 6.2V ， 8.2V ， 9.0V的输出电压， 12V ， 15V
连接图
SO- 8塑料（M ）
（窄体）
(TO-92)
塑料包装（ Z）
DS007744-3
DS007744-2
顶视图
8焊球micro SMD
底部视图
微型SMD标记定位
DS007744-24
顶视图
（ BUMP面朝下）
DS007744-33
顶视图
2000美国国家半导体公司
DS007744
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LM78LXX系列
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
功率耗散（注5 ）
输入电压
储存温度
内部限制
35V
-65 ° C至+ 150°C
工作结温
SO-8
微型SMD
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
ESD易感性（注2 ）
0 ° C至125°C
-40 ° C至85°C
235C
260C （交货期）
1kV
LM78LXX电气特性
在标准字体限为T
J
= 25C,
粗体字AP-
层数在0°C至125°C的SO- 8封装， -40℃至85℃的micro SMD封装。
限制由生产保障
化试验或使用标准的统计质量控制（ SQC）方法的相关技术。除另有规定外：我
O
= 40毫安，C
I
= 0.33 μF ，C
O
= 0.1 F.
LM78L05
除非另有规定ED ，V
IN
= 10V
符号
V
O
输出电压
7V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
（注3）
1毫安
≤
I
O
≤
70毫安
（注3）
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
θ
JA
输入电压的最小值
必须保持线路调整
热阻
（ 8焊球micro SMD ）
I
O
= 5毫安
8V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
（注4 ）
F = 120赫兹
8V
≤
V
IN
≤
16V
7V
≤
V
IN
≤
20V
8V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
百毫安
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
参数
条件
民
4.8
4.75
典型值
5
最大
5.2
5.25
单位
V
4.75
18
10
20
5
3
5.25
75
54
60
30
5
1.0
0.1
40
V
dB
mA
毫伏/°C的
7
V
° C / W
mA
mV
47
62
140
0.65
6.7
230.9
LM78L62AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 12V
符号
V
O
输出电压
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
（注3）
1毫安
≤
I
O
≤
70毫安
（注3）
V
O
V
O
线路调整
负载调整率
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
9V
≤
V
IN
≤
20V
1毫安
≤
I
O
≤
百毫安
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
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2
参数
条件
民
5.95
5.9
典型值
6.2
最大
6.45
6.5
单位
V
5.9
65
55
13
6
6.5
175
125
80
40
mV
LM78LXX系列
LM78L15AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 23V
符号
V
O
输出电压
17.5V
≤
V
IN
≤
30V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
（注3）
1毫安
≤
I
O
≤
70毫安
（注3）
V
O
V
O
I
Q
I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
输入电压的最小值
必须保持线路调整
I
O
= 5毫安
F = 120赫兹
18.5V
≤
V
IN
≤
28.5V
37
20V
≤
V
IN
≤
30V
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
90
51
140
1.3
16.7
17.5
17.5V
≤
V
IN
≤
30V
20V
≤
V
IN
≤
30V
1毫安
≤
I
O
≤
百毫安
1毫安
≤
I
O
≤
40毫安
参数
条件
民
14.4
14.25
典型值
15.0
最大
15.6
15.75
单位
V
14.25
37
25
35
12
3
15.75
250
140
150
75
5
1
0.1
V
dB
mA
毫伏/°C的
V
mA
mV
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
外，其既定的工作条件。
注2 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注3 ：
功耗
≤
0.75W.
注4 ：
0.01 μF推荐的最小负载电容，以限制高频噪声。
注5 ：
典型的热电阻值的包：
Z
包装：
θ
JC
= 60℃ / W ， =
θ
JA
= 230℃ / W
M
包装：
θ
JA
= 180℃ / W
微型SMD
包装：
θ
JA
= 230.9C / W
5
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