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LM6121 / LM6221 / LM6321高速缓存
2004年3月
LM6121/LM6221/LM6321
高速缓存
概述
这些高速单位增益缓冲器杀800 V / μs到
具有50 MHz的小信号带宽,而驾驶一个50Ω
负载。他们能驱动
±
300毫安高峰,不振荡
而驱动较大的容性负载。该LM6121系列是
单片集成电路它提供性能类似于
LH0002具有电流限制的附加功能和
热关断。
这些缓冲区建有国家的贵宾
(垂直Integration公司
磨碎PNP)的过程,提供快速PNP晶体管
这是真正的补充到已经快NPN器件。
这种先进的结隔离工艺提供高速
而不需要复杂和昂贵的性能
介电隔离。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
高压摆率: 800 V / μs的
高带宽: 50MHz的
压摆率和带宽的100%测试
峰值输出电流:
±
300毫安
高输入阻抗: 5 MΩ
LH0002H引脚兼容
无振荡电容负载
5V至
±
15V操作保证
电流和热限制
完全指定的驱动50Ω线路
应用
n
线驱动
n
雷达
n
声纳
简化的原理图
00922301
()内的数字是8引脚n DIP 。
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS009223
www.national.com
LM6121/LM6221/LM6321
连接图
塑料DIP
00922302
*散热引脚。查看散热要求的应用部分。
订单编号LM6221N ,
LM6321N或LM6121J / 883
见NS包装
编号J08A或N08E
金属罐
00922303
注意:
6脚连接情况。
顶视图
订单号LM6221H或
LM6121H/883
见NS包装
数H08C
塑料SOIC
00922307
*引脚3必须连接到负电源。
**散热引脚。查看散热要求的应用部分。
这些引脚在V
势。
订单编号LM6321M
见NS包装数M14A
www.national.com
2
LM6121/LM6221/LM6321
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
输入至输出电压(注2 )
输入电压
输出短路到GND
(注3)
存储温度范围
焊接温度
(焊接, 10秒)
功耗
ESD容差(注8)
结温(T
J(下最大)
)
260C
(注10 )
-65 ° C至+ 150°C
36V (
±
18)
工作额定值
工作温度范围
LM6121H/883
LM6221
LM6321
工作电压范围
热阻( θ
JA
) (注4 )
H封装
N包装
男包
热阻( θ
JC
), H
150C/W
47C/W
69C/W
17C/W
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
4.75
±
16V
±
7V
±
V供电
连续
±
2000V
+150C
DC电气特性
下列规范适用于电源电压=
±
15V, V
CM
= 0, R
L
100千欧和R
S
= 50Ω ,除非另有说明。
粗体
限制适用对于T
A
= T
J
= T
给T
最大
;所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C.
符号
参数
条件
典型值
LM6121
极限
(注5,9 )
A
V1
A
V2
A
V3
V
OS
I
B
R
IN
C
IN
R
O
I
S1
I
S2
V
O1
V
O2
V
O3
V
O4
PSSR
电压增益1
电压增益2
电压增益3
(注6 )
失调电压
输入偏置电流
输入阻抗
输入电容
输出电阻
电源电流1
电源电流2
输出摆幅1
输出摆幅2
输出摆幅3
输出摆幅4
电源
抑制比
I
OUT
=
±
10毫安
R
L
=
R
L
=
, V = 5V
+
LM6221
极限
(注5 )
0.980
0.950
0.860
0.820
0.780
0.700
30
60
4
7
LM6321
极限
(注5 )
0.970
0.950
0.850
0.820
0.750
0.700
50
100
5
7
单位
R
L
= 1千欧,V
IN
=
±
10V
R
L
= 50, V
IN
=
±
10V
R
L
= 50,
R
L
= 1 k
R
L
= 1千欧,R
S
= 10 k
R
L
= 50
V = 5V
+
0.990
0.900
0.840
15
1
5
3.5
3
15
14
13.5
12.7
12
0.980
0.970
0.860
0.800
0.780
0.750
30
50
4
7
V/V
V
IN
= 2 V
pp
(1.5 V
pp
)
mV
最大
A
最大
M
pF
5
10
18
20
16
18
13.3
13
11.5
10
11
9
1.6
1.3
60
55
5
10
18
20
16
18
13.3
13
11.5
10
11
9
1.6
1.4
60
50
5
6
20
22
18
20
13.2
13
11
10
10
9
1.6
1.5
60
50
最大
mA
最大
R
L
= 1k
R
L
= 100
R
L
= 50
R
L
= 50,
(注6 )
V =
±
5V至
±
15V
±
±
V
V
+
= 5V
1.8
70
V
PP
dB
3
www.national.com
LM6121/LM6221/LM6321
AC电气特性
下列规范适用于电源电压=
±
15V, V
CM
= 0, R
L
100千欧和R
S
= 50Ω ,除非另有说明。
粗体
限制适用对于T
A
= T
J
= T
给T
最大
;所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C.
符号
参数
条件
典型值
LM6121
极限
(注5 )
SR
1
SR
2
SR
3
BW
t
r
, t
f
t
pd
O
S
压摆率1
压摆率2
压摆率3
-3 dB带宽
上升时间
下降时间
传播
延迟时间
V
IN
=
±
11V ,R
L
= 1 k
V
IN
=
±
11V ,R
L
= 50
(注7 )
V
IN
= 2 V
PP
, R
L
= 50
V = 5V (注6)
V
IN
=
±
100毫伏
PP
, R
L
= 50
C
L
10 pF的
R
L
= 50, C
L
10 pF的
V
O
= 100 mV的
PP
R
L
= 50, C
L
10 pF的
V
O
= 100 mV的
PP
R
L
= 50, C
L
10 pF的
V
O
= 100 mV的
PP
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时,直流和交流电气规格不适用
该装置超过其额定工作条件。
注2 :
在电流限制和热限制,如果输入到输出的差分电压超过8V输入电流将增加。为输入,输出差分电压
在过量8V的输入电流应限制在
±
20毫安。
注3 :
该LM6121系列缓冲器包含电流限制和热关断,以防止故障情况。
注4 :
热敏电阻
θ
JA
该设备在N个包时,直接焊接到印刷电路板被测量,并且所述散热引脚(引脚
1 , 4,5和8 )被连接到2平方英寸的2盎司铜。当安装在插座中,热电阻
θ
JA
N个包是84℃ / W 。热
阻力
θ
JA
该装置在M包时,直接焊接到印刷电路板被测量,并且所述散热的引脚(引脚1 , 2 ,6,7 ,8,9 ,13, 14)的
被连接到2盎司1平方英寸。铜。
注5 :
限制由测试或相关保证。
注6 :
的输入被偏置到2.5V和V
IN
摆动V
PP
关于此值。输入摆幅为2 V
PP
除为A所有温度
V
3试验在-55℃的地方
减小到1.5伏
PP
.
注7 :
压摆率是衡量一个
±
11V输入脉冲和50Ω的源阻抗在25℃。由于电压增益通常是0.9驱动50Ω负载,输出摆幅
将约为
±
10V 。压摆率的计算之间的转换
±
5V电平的上升沿和下降沿。高转速的测量是为了
最大限度地减少了器件发热。对于压摆率与结温见典型性能曲线。输入脉冲振幅应减少到
±
10V的
测量在极端温度。对于精确测量,输入转换速率应至少为1700伏/微秒。
注8 :
测试电路由120 pF的串联与1500Ω的人体模型的。
注9 :
对于在整个军用温度范围规格限制,请参见RETS6121X 。
注10 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
=
(T
J(下最大)
–T
A
)/θ
JA
.
+
LM6221
极限
(注5 )
550
550
550
30
LM6321
极限
(注5 )
550
550
550
30
单位
1200
800
50
50
7.0
4.0
10
550
550
550
30
V / μs的
兆赫
ns
ns
%
www.national.com
4
LM6121/LM6221/LM6321
典型性能特性
T
J
= 25℃ ,除非另有说明
频率响应
频率响应
00922311
00922312
压摆率与温度
冲VS容性负载
00922313
00922314
大信号响应
R
L
= 1 k
大信号响应
R
L
= 50
00922315
00922316
5
www.national.com
LM6121 / LM6221 / LM6321高速缓存
1998年5月
LM6121/LM6221/LM6321
高速缓存
概述
这些高速单位增益缓冲器杀800 V / μs到
具有50 MHz的小信号带宽,而驾驶一个50Ω
负载。他们能驱动
±
300毫安高峰,不振荡
而驱动较大的容性负载。该LM6121系列是
单片集成电路它提供性能类似于
LH0002具有电流限制和热敏的附加功能
发作停止。
这些缓冲区建有国家的贵宾
(垂直Integration公司
磨碎PNP)的过程,提供快速PNP晶体管
这是真正的补充到已经快NPN器件。
这种先进的结隔离工艺提供高速
而不需要复杂和昂贵的二 - 性能
电气隔离。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
高压摆率: 800 V / μs的
高带宽: 50MHz的
压摆率和带宽的100%测试
峰值输出电流:
±
300毫安
高输入阻抗: 5 MΩ
LH0002H引脚兼容
无振荡电容负载
5V至
±
15V操作保证
电流和热限制
完全指定的驱动50Ω线路
应用
n
线驱动
n
雷达
n
声纳
简化的原理图
DS009223-1
()内的数字是8引脚n DIP 。
要人
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS009223
www.national.com
连接图
塑料DIP
DS009223-2
*散热引脚。查看散热要求的应用部分。
订单编号LM6221N ,
LM6321N或LM6121J / 883
见NS包装
编号J08A或N08E
金属罐
DS009223-3
注意:
6脚连接情况。
顶视图
订单号LM6221H或
LM6121H/883
见NS包装
数H08C
塑料SO
DS009223-7
*引脚3必须连接到负电源。
**散热引脚。查看散热要求的应用部分。
这些引脚在V
势。
订单编号LM6321M
见NS包装数M14A
www.national.com
2
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
输入至输出电压(注2 )
输入电压
输出短路到GND
(注3)
存储温度范围
焊接温度
(焊接, 10秒)
功耗
ESD容差(注8)
36V (
±
18)
±
7V
±
V供电
连续
-65 ° C至+ 150°C
260C
(注10 )
±
2000V
结温(T
J(下最大)
)
150C
工作额定值
工作温度范围
LM6121H/883
LM6221
LM6321
工作电压范围
热阻( θ
JA
) (注4 )
H封装
N包装
男包
热阻( θ
JC
) ,H包
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
4.75
±
16V
150C/W
47C/W
69C/W
17C/W
DC电气特性
下列规范适用于电源电压=
±
15V, V
CM
= 0, R
L
100千欧和R
S
= 50Ω ,除非另有说明。
粗体
限制适用对于T
A
= T
J
= T
给T
最大
;所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C.
符号
参数
条件
典型值
LM6121
极限
(注5,9 )
A
V1
A
V2
A
V3
V
OS
I
B
R
IN
C
IN
R
O
I
S1
I
S2
V
O1
V
O2
V
O3
V
O4
PSSR
电压增益1
电压增益2
电压增益3
(注6 )
失调电压
输入偏置电流
输入阻抗
输入电容
输出电阻
电源电流1
电源电流2
输出摆幅1
输出摆幅2
输出摆幅3
输出摆幅4
电源
抑制比
I
OUT
=
±
10毫安
R
L
= 1千欧,V
IN
=
±
10V
R
L
= 50, V
IN
=
±
10V
R
L
= 50, V = 5V
V
IN
= 2 V
pp
(1.5 V
pp
)
R
L
= 1 k
R
L
= 1千欧,R
S
= 10 k
R
L
= 50
+
LM6221
极限
(注5 )
0.980
0.950
0.860
0.820
0.780
0.700
30
60
4
7
LM6321
极限
(注5 )
0.970
0.950
0.850
0.820
0.750
0.700
50
100
5
7
单位
0.990
0.900
0.840
15
1
5
3.5
3
15
0.980
0.970
0.860
0.800
0.780
0.750
30
50
4
7
V/V
mV
最大
A
最大
M
pF
5
10
18
20
16
18
13.3
13
11.5
10
11
9
1.6
1.3
60
55
5
10
18
20
16
18
13.3
13
11.5
10
11
9
1.6
1.4
60
50
5
6
20
22
18
20
13.2
13
11
10
10
9
1.6
1.5
60
50
最大
mA
最大
R
L
=
R
L
=
, V = 5V
+
14
13.5
12.7
12
1.8
70
R
L
= 1k
R
L
= 100
R
L
= 50
R
L
= 50, V
+
= 5V
(注6 )
V
±
=
±
5V至
±
15V
±
V
V
PP
dB
3
www.national.com
AC电气特性
下列规范适用于电源电压=
±
15V, V
CM
= 0, R
L
100千欧和R
S
= 50Ω ,除非另有说明。
粗体
限制适用对于T
A
= T
J
= T
给T
最大
;所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C.
符号
参数
条件
典型值
LM6121
极限
(注5 )
SR
1
SR
2
SR
3
BW
t
r
, t
f
t
pd
O
S
压摆率1
压摆率2
压摆率3
-3 dB带宽
上升时间
下降时间
传播
延迟时间
V
IN
=
±
11V ,R
L
= 1 k
V
IN
=
±
11V ,R
L
= 50
(注7 )
V
IN
= 2 V
PP
, R
L
= 50
V
+
= 5V (注6)
V
IN
=
±
100毫伏
PP
, R
L
= 50
C
L
10 pF的
R
L
= 50, C
L
10 pF的
V
O
= 100 mV的
PP
R
L
= 50, C
L
10 pF的
V
O
= 100 mV的
PP
R
L
= 50, C
L
10 pF的
V
O
= 100 mV的
PP
1200
800
50
50
7.0
4.0
10
550
550
550
30
LM6221
极限
(注5 )
550
550
550
30
LM6321
极限
(注5 )
550
550
550
30
兆赫
ns
ns
%
V / μs的
单位
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时,直流和交流电气规格不适用
该装置超过其额定工作条件。
注2 :
在电流限制和热限制,如果输入到输出的差分电压超过8V输入电流将增加。为输入,输出差分电压
在过量8V的输入电流应限制在
±
20毫安。
注3 :
该LM6121系列缓冲器包含电流限制和热关断,以防止故障情况。
注4 :
热敏电阻
θ
JA
的时候,直接焊接到印刷电路板上的设备中的N个包中被测量,并且所述散热的引脚(引脚1 ,
4,5和8 )被连接到2平方英寸的2盎司铜。当安装在插座中,热电阻
θ
JA
N个包是84℃ / W 。热重
sistance
θ
JA
该装置在M包时,直接焊接到印刷电路板被测量,并且所述散热的引脚(引脚1 , 2 ,6,7 ,8,9 ,13,14 )是
连接到2盎司1平方英寸。铜。
注5 :
限制由测试或相关保证。
注6 :
的输入被偏置到2.5V和V
IN
摆动V
pp
关于此值。输入摆幅为2 V
pp
除为A所有温度
V
3试验在-55℃它在哪里
减小到1.5伏
pp
.
注7 :
压摆率是衡量一个
±
11V输入脉冲和50Ω的源阻抗在25℃。由于电压增益通常是0.9驱动50Ω负载,输出摆幅
将约为
±
10V 。压摆率的计算之间的转换
±
5V电平的上升沿和下降沿。高转速测量做是为了尽量减少
器件发热。对于压摆率与结温见典型性能曲线。输入脉冲振幅应减少到
±
10V的测量
在极端温度。对于精确测量,输入转换速率应至少为1700伏/微秒。
注8 :
测试电路由120 pF的串联与1500Ω的人体模型的。
注9 :
对于在整个军用温度范围规格限制,请参见RETS6121X 。
注10 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
=
(T
J(下最大)
–T
A
)/θ
JA
.
典型性能特性
频率响应
T
J
= 25℃ ,除非另有说明
压摆率与温度
频率响应
DS009223-11
DS009223-12
DS009223-13
www.national.com
4
典型性能特性
冲VS容性负载
T
J
= 25°C ,除非另有说明(续)
大信号响应
R
L
= 50
大信号响应
R
L
= 1 k
DS009223-14
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-3 dB带宽
压摆率
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DS009223-18
DS009223-19
压摆率
功率带宽
输入反射增益( S11 )
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DS009223-21
DS009223-22
正向传输
增益(S12),
电流限制
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