LM614四运算放大器和可调参考
1998年5月
LM614
四路运算放大器和可调参考
概述
该LM614由四个运算放大器和可编程
电压基准，采用16引脚封装。运算放大器
外执行大多数单电源运算放大器提供
更高的速度和随着低电源电流带宽。
该设备是专门设计来降低成本，
在换能器，测试，测量电路板空间要求
和数据采集系统。
结合稳定的参考电压有四个宽输出
摆动运算放大器，使LM614非常适用于单电源
传感器，信号调节和驱动桥的地方
大共模信号是共同的。该电压基准
erence由一个可靠的带隙设计，维护
低动态输出阻抗（ 1Ω典型值） ，优异的初始
容差（ 0.6 ％ ） ，并且能够从编程
通过两个外部电阻在1.2V至6.3V 。该参考电压进行
驱动较大的容性负载，即使ENCE是非常稳定的，
因为在CMOS数据采集常见的
系统。
随着国家新的超级块中的一员
家族的
LM614是节省空间的单片替代多芯片
解决方案，提供了高集成水平，而不会牺牲
性能。
特点
运算放大器
n
低工作电流： 300 μA
n
宽电源电压范围： 4V至36V
n
宽共模范围： V
到（Ⅴ
+
1.8V)
n
宽差分输入电压：
±
36V
n
可在塑料包装额定军事
工作温度范围
参考
n
可调输出电压： 1.2V至6.3V
n
可紧张的初始容差：
±
0.6%
n
宽工作电流范围： 17 μA至20 mA
n
宽容负载电容的
应用
n
n
n
n
换能器电桥驱动器和信号处理
工艺和质量流量控制系统
电源电压监视
用于A / D的缓冲电压基准
接线图
DS009326-1
订购信息
参考
宽容& V
OS
温度范围
军事
55C
≤
T
A
≤
+125C
LM614AMN
LM614AMJ/883
（注13 ）
LM614MN
—
产业
40C
≤
T
A
≤
+85C
LM614AIN
—
LM614BIN
LM614WM
广告
0C
≤
T
A
≤
+70C
—
—
LM614CN
LM614CWM
16-pin
模压DIP
16-pin
陶瓷DIP
16-pin
模压DIP
16引脚宽
表面贴装
超级块
是美国国家半导体公司的商标。
包
NSC
制图
N16E
J16A
N16E
M16B
±
0.6%
@
80 PPM / C（最大值）
V
OS
≤
3.5毫伏最大
±
2.0%
@
150 PPM / C（最大值）
V
OS
≤
5.0毫伏
1999美国国家半导体公司
DS009326
www.national.com
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
在任一引脚除了V电压
R
（简称V
针）
（注2 ）
（注3）
电流通过任何输入引脚&
V
R
针
差分输入电压
军事和工业
广告
存储温度范围
36V （最大值）
-0.3V （最小值）
最高结温
热阻，结到环境（注4 ）
N包装
WM套餐
焊接信息（焊接， 10秒）
N包装
WM套餐
ESD容差（注5 ）
150C
100C
150C
260C
220C
±
1kV
±
20毫安
±
36V
±
32V
65C
≤
T
J
≤
+150C
工作温度范围
LM614AI ， LM614I ， LM614BI
LM614AM ， LM614M
LM614C
40C
≤
T
J
≤
+85C
55C
≤
T
J
≤
+125C
0C
≤
T
J
≤
+70C
电气特性
这些规范适用于V
= GND = 0V ，V
+
= 5V, V
CM
= V
OUT
= 2.5V ，我
R
= 100 μA ，反馈引脚短接至GND ，
除非另有规定。在标准字体限为T
J
= 25 ;在限额
黑体字
申请过
操作
温度范围
.
符号
参数
条件
典型
（注6 ）
LM614AM
LM614AI
范围
（注7 ）
LM614M
LM614BI
LM614I
LM614C
范围
（注7 ）
I
S
V
S
总供给
当前
电源电压范围
R
负载
=
∞
,
4V
≤
V
≤
36V （ 32V为LM614C ）
+
单位
450
550
2.2
2.9
46
43
940
1000
2.8
3
36
36
3.5
6.0
3.5
6.0
1000
1070
2.8
3
32
32
5.0
7.0
5.0
7.0
μA（最大值）
μA（最大值）
V分钟
V分钟
V最大
V最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
μV/°C
最大
运算放大器连接器
V
OS1
V
OS2
V
OS
在供应
V
OS
在V
CM
平均V
OS
漂移
I
B
I
OS
输入偏置电流
输入失调电流
平均偏移
漂移电流
R
IN
C
IN
e
n
I
n
CMRR
输入阻抗
输入电容
电压噪声
电流噪声
共模
抑制比
迪FF erential
共模
共模输入
F = 100赫兹，输入参考
F = 100赫兹，输入参考
V
+
= 30V, 0V
≤
V
CM
≤
(V
+
1.8V),
CMRR = 20日志（ ΔV
CM
/V
OS
)
4V
≤
V
+
≤
36V
(4V
≤
V
≤
32V的LM614C ）
V
CM
=通过V 0V
CM
=
+
1.5
2.0
1.0
1.5
15
10
11
0.2
0.3
4
1800
3800
5.7
74
58
95
90
(V
+
1.8V), V
+
= 30V
（注7 ）
25
30
4
5
35
40
4
5
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
PA / ℃，
M
M
pF
80
75
75
70
分贝分钟
分贝分钟
www.national.com
2
电气特性
（续）
这些规范适用于V
= GND = 0V ，V
+
= 5V, V
CM
= V
OUT
= 2.5V ，我
R
= 100 μA ，反馈引脚短接至GND ，
除非另有规定。在标准字体限为T
J
= 25 ;在限额
黑体字
申请过
操作
温度范围
.
符号
参数
条件
典型
（注6 ）
LM614AM
LM614AI
范围
（注7 ）
LM614M
LM614BI
LM614I
LM614C
范围
（注7 ）
参考电压
V
R
更改与
V变更
+
单位
V
R（ V + = 5V ）
V
R（ V + = 36V ）
(V
+
= 32V的LM614C ）
V
R（ V +
= 5V)
0.1
0.1
0.01
0.01
22
29
30
1.2
1.3
1
1.5
35
40
1.2
1.3
1
1.5
50
55
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
nA的最大
nA的最大
V
RMS
V
R（ V +
= 3V)
I
FB
e
n
反馈偏置
当前
电压噪声
V
阳极
≤
V
FB
≤
5.06V
BW = 10赫兹到10千赫兹，
V
RO
= V
R
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。操作DE-当电气规格不适用
副超出其额定工作条件。
注2 ：
输入电压高于V
+
是允许的。
注3 ：
更准确的说，这是过电流，用过量导致发热，限制电压上的所有引脚。当任何引脚被拉低一个二极管压降低于
V
，寄生NPN晶体管导通。由于目前通过该引脚仍低于最大额定值，也不会发生闩锁现象为长。操作是未定义
和不可预测的，当任何寄生二极管或晶体管导通。
注4 ：
结温可以使用T为计算
J
= T
A
+ P
D
θ
jA
。给出的热阻为最坏情况下的插座包在静止空气中。对于包
从一个比较器或参考输出晶体管，标称焊接到铜包覆板与散热
θ
jA
对于N个包，包的WM 90C /瓦。
注5 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注6 ：
在标准字体的典型值是对于T
J
= 25 ;价值观
黑体字
适用于整个工作温度范围内。这些值表示
最可能的参数指标。
注7 ：
所有参数都保证在室温（标准型面），或在操作温度极限
（粗体字脸） 。
注8 ：
压摆率是衡量一个电压跟随器配置的运算放大器。为上升的压摆率，输入电压从5V驱动到25V ，输出电压
过渡采样和10V
@
20V 。对于下降沿的转换速率，输入电压从25V驱动到5V ，输出电压过渡进行采样， 20V和10V。
注9 ：
V
R
是阴极反馈电压，标称1.244V 。
注10 ：
平均基准漂移是从在25℃时的参考电压的测量，并在极端温度下进行计算。漂移，以ppm /℃ ，是
10
6
V
R
/(V
R[25C]
T
J
），其中
V
R
是最低的值中减去从最高，V
R[25C]
是在25℃时的值，并
T
J
是这样的温度范围内。此参数
通过设计和样品测试保证。
注11 ：
迟滞是V的变化
R
引起的T中的变化
J
之后，参考已经被“ dehysterized ” 。要dehysterize参考;这是尽量减少
滞后的典型值，它的周期结点温度以下方式，向25℃在不断上升： 25℃ ， 85℃ ， -40℃， 70℃ 0℃， 25℃。
注12 ：
低接触电阻，需要进行精确测量。
注13 ：
军事RETSLM614AMX电气测试规格可根据要求提供。该LM614AMJ / 883也可作为采购标准军事绘图。
简化原理图
运算放大器
DS009326-2
www.national.com
4
QQ：2881677436 复制
