LM612双通道比较器和参考
1995年2月
LM612
双通道比较器和参考
概述
双通道比较器由两个单独的
具有延伸的输入电压范围比较
下降到负电源电压V
b
常见
集电极开路输出可驱动为低电平的任何一半
LM612此配置使得LM612理想地使用
作为一个窗口比较器的compara-的输入级
器具有横向PNP输入晶体管，以维持低
输入电流为大差分输入电压和秋千
上述V
a
1 2V电压基准提到的V
b
终端是一个
两端并联型带隙类似于LM185-1 2
系列的电压精度
g
可用0 6％为参考
ENCE具有操作超过17的分流电流范围
mA
到20 mA的低动态阻抗和电容广阔
负载范围
正如美国国家超级块中的一员
TM
家庭
LM612是节省空间的单片替代的多
芯片解决方案，提供了高集成水平而不SAC-
rificing性能
特点
比较
Y
低工作电流
Y
宽电源电压范围
Y
集电极开路输出
Y
输入共模范围
Y
宽差分输入电压
参考
Y
固定输出电压
Y
可紧张的初始容差
Y
宽工作电流范围
Y
宽容负载电容的
300
mA
4V至36V
V
b
到（Ⅴ
a
b
1 8V)
g
36V
1 24V
g
0 6% (25 C)
17
mA
到20毫安
应用
Y
Y
Y
电压窗口比较器
电源电压监视
双通道故障监测器
接线图
TL 11058 - 1
顶视图
订购信息
有关信息表面贴装此设备的包装，请联系模拟产品营销组
美国国家半导体公司总部
温度范围
军事
b
55 C
s
T
J
s
a
125 C
g
在25℃， 0 6 ％
80 ppm的C最大值
参考
公差
产业
b
40 C
s
T
J
a
85 C
包
NSC
包
数
N08E
J08A
N08E
M08A
LM612AMN
LM612AMJ 883
（注13 ）
LM612AIN
8-Pin
模压DIP
8-Pin
陶瓷DIP
g
在25 C 2 0 ％
150 ppm的C最大值
LM612MN
LM612IN
LM612IM
8-Pin
模压DIP
8引脚窄
表面贴装
超级块
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 11058
RRD - B30M115印制在U S A
电气特性
这些规范适用于V
b
e
GND
e
0V V
a
e
5V V
CM
e
V
OUT
e
V
a
2
I
R
e
100
mA
除非在标准字体另有规定的限制为T
J
e
在25℃的限制
黑体字
申请过
工作温度范围
（续）
符号
参数
条件
典型
（注7 ）
LM612AM
LM612AI
范围
（注8）
LM612M
LM612I
范围
（注8）
单位
参考电压
（注9 ）
V
R
参考电压
1 244
1 2365
1 2515
(
g
0 6%)
80
1 2191
1 2689
(
g
2%)
150
V分钟
V最大
PPM
最大
PPM的kH
PPM的kH
mV
C
1
11
5
55
0 56
13
12
13
1
15
1
11
5
55
0 56
13
12
13
1
15
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
X
最大
X
最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
mV
RMS
DV
R
DT
DV
R
kH
DV
R
DT
J
DV
R
DI
R
平均漂移
温度
平均漂移
时间
迟滞
V
R
更改与
当前
（注10 ）
T
J
e
40 C
T
J
e
150 C
（注11 ）
V
R 100
mA
b
V
R 17
mA
V
10毫安
b
V
R 100
mA
（注12 ）
18
400
1000
32
0 05
01
15
20
02
06
01
01
0 01
0 01
30
R
DV
R
DV
a
阻力
V
R
更改与
V
a
变化
DV
R 10 mA至0 1毫安
9 9毫安
DV
R 100
mA
至17日
mA
83
mA
V
诉
a
V
诉
a
e
5V
b
V
诉
a
V
诉
a
e
36V
e
5V
b
e
3V
e
n
电压噪声
BW
e
10赫兹到10千赫兹
注1
绝对最大额定值指示超出其损坏部件可能发生电气规格限制操作时不适用
设备超过其额定工作条件
注2
输入电压高于V
a
不允许一个人只要输入引脚电压保持内部的共模电压范围的比较将提供正确的
产量
注3
更准确的是过电流与产生过量的热限制在所有引脚上的电压，当任何引脚被拉低一个二极管压降低于
V
b
一个寄生NPN晶体管导通无闩锁效应发生，只要电流流过该引脚保持低于最大额定值操作是未定义
和不可预测的，当任何寄生二极管或晶体管导通
注4
短路输出到V
b
不会造成功耗，因此它可能是连续的但是短路输出到更多的正电压（包括
V
a
）将导致80毫安（典型值），并通过输出晶体管，该电流乘以所施加的电压被绘制在输出晶体管中的功率耗散
如果这个总功率使结温超过150℃降解可靠性的设备或破坏，可能会出现要确定的结温
见注5
注5
结温可以使用T为计算
J
e
T
A
a
P
D
i
JA
给出的热阻为最坏情况下包的插座在静止空气中
包从一个比较器或参考输出晶体管标称焊接到铜包覆板与散热
i
JA
为N个包90 C宽
注6
人体模型100 pF的通过1 5的kX电阻放电
注7：
在标准字体的典型值是对于T
J
e
在25 C值
黑体字
适用于整个工作温度范围内，这些数值代表
最可能的参数指标
注8
所有参数均保证对于T
J
e
25℃ （标准型面） ，或在整个工作温度范围内
（粗体字脸）
注9
V
R
为参考的输出电压标称值为24V 1
注10
平均基准漂移是从在25℃和在该温度下的基准电压的测量计算出的极端ppm的C中的漂移是
10
6
DV
R
V
R 25
DT
J
哪里
DV
R
是最低的值中减去从所述上位V
R 25
是在25℃下的值，并
DT
J
是这样的温度范围，则此
参数由设计和样品测试保证
注11
迟滞是V的变化
R
引起的T中的变化
J
之后，参考了'' dehysterized ''要dehysterize的基准，尽量减少
滞后的典型值的结点温度应在以下模式对25螺旋式上升用C 25℃ 85℃进行循环
b
40 C 70 C 0 C 25 C
注12
低接触电阻，需要精确测量
注13
军事RETS 612AMX电气测试规格可根据要求提供军事筛选部分也可以作为采购标准军事
制图
3
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