LM611运算放大器和可调参考
1998年5月
LM611
运算放大器和可调参考
概述
该LM611由单电源运算放大器和一对亲
在一个空间可编程电压参考节省8针
封装。运算放大器外执行大多数单电源
运算放大器通过提供更高的速度和带宽沿
低电源电流。该设备是专门DE-
签约的传输降低成本和电路板空间要求
能器的测试,测量和数据采集系统。
结合稳定的参考电压与宽输出
摆动运算放大器,使LM611非常适用于单电源
传感器,信号调节和驱动桥的地方
大的共模信号是共同的。该参考电压进行
EnCE的由一个可靠的带隙设计,维护
低动态输出阻抗( 1Ω典型值) ,优异的初始
容差( 0.6 % ) ,并且能够从编程
通过两个外部电阻在1.2V至6.3V 。该参考电压进行
驱动较大的容性负载,即使ENCE是非常稳定的,
因为在CMOS数据采集常见的
系统。
正如美国国家超级块中的一员
家庭中, LM611
是节省空间的单片替代的多芯片解决方案
化,提供了高集成水平,而不会牺牲
性能。
特点
运算放大器
n
低工作电流: 300 μA (运放)
n
宽电源电压范围: 4V至36V
n
宽共模范围: V
到(Ⅴ
+
1.8V)
n
宽差分输入电压:
±
36V
n
可提供低成本的8引脚DIP
n
可在塑料包装额定军事
工作温度范围
参考
n
可调输出电压: 1.2V至6.3V
n
可紧张的初始容差:
±
0.6%
n
宽工作电流范围: 17 μA至20 mA
n
参考漂浮在地面上
n
宽容负载电容的
应用
n
n
n
n
传感器桥式驱动器
工艺和质量流量控制系统
电源电压监视
用于A / D的缓冲电压基准
连接图
DS009221-1
DS009221-2
超级块
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS009221
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绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
在任一引脚除了V电压
R
(简称V
针)
(注2 )
电流通过任何输入引脚和
V
R
针
差分输入电压
军事和工业
广告
存储温度范围
最高结温
36V (最大值)
-0.3V (最小值)
热阻,结到环境(注3 )
N包装
100C/W
男包
150C/W
焊接信息焊接( 10秒)
N包装
260C
男包
220C
±
1千伏
ESD容差(注4 )
±
20毫安
±
36V
±
32V
65C≤T
J
≤+150C
150C
工作温度范围
LM611AI , LM611I , LM611BI
LM611AM , LM611M
LM611C
40C≤T
J
≤+85C
55C≤T
J
≤+125C
0C≤T
J
≤70C
电气特性
这些规范适用于V
= GND = 0V ,V
+
= 5V, V
CM
= V
OUT
= 2.5V ,我
R
= 100 μA ,反馈引脚短接至GND ,
除非另有规定。在标准字体限为T
J
= 25 ;在限额
黑体字
申请过
操作
温度范围。
LM611M
LM611AM
符号
参数
条件
典型
(注5 )
LM611AI
范围
(注6 )
I
S
V
S
总电源电流
电源电压范围
R
负载
=
∞
,
4V
≤
V
≤
36V ( 32V为LM611C )
+
LM611BI
LM611I
LM611C
范围
(注6 )
350
370
2.8
3
32
32
5.0
7.0
5.0
7.0
μA(最大值)
μA(最大值)
V分钟
V分钟
V最大
V最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
μV/°C
最大
单位
210
221
2.2
2.9
46
43
300
320
2.8
3
36
36
3.5
6.0
3.5
6.0
运算放大器连接器
V
OS1
V
OS2
V
OS
在供应
V
OS
在V
CM
平均V
OS
漂移
I
B
I
OS
输入偏置电流
输入失调电流
平均失调漂移
当前
R
IN
C
IN
e
n
I
n
CMRR
输入阻抗
输入电容
电压噪声
电流噪声
共模
抑制比
迪FF erential
共模
共模
F = 100赫兹,
输入参考
F = 100赫兹,
输入参考
V
+
= 30V, 0V
≤
V
CM
≤
(V
+
1.8V)
CMRR = 20日志( ΔV
CM
/V
OS
)
4V
≤
V
+
≤
36V
(4V
≤
V
≤
32V的LM611C )
V
CM
=通过V 0V
CM
=
+
1.5
2.0
1.0
1.5
15
10
11
0.2
0.3
4
1800
3800
5.7
74
58
95
90
(V
+
1.8V), V
+
= 30V, V
= 0V
(注6 )
25
30
4
5
35
40
4
5
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
PA / ℃,
M
M
pF
80
75
75
70
分贝分钟
分贝分钟
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2
电气特性
(续)
这些规范适用于V
= GND = 0V ,V
+
= 5V, V
CM
= V
OUT
= 2.5V ,我
R
= 100 μA ,反馈引脚短接至GND ,
除非另有规定。在标准字体限为T
J
= 25 ;在限额
黑体字
申请过
操作
温度范围。
LM611M
LM611AM
符号
参数
条件
典型
(注5 )
LM611AI
范围
(注6 )
运算放大器连接器
PSRR
A
V
SR
GBW
V
O1
V
O2
I
OUT
I
SINK
I
短
电源
抑制比
开环
电压增益
压摆率
增益带宽
输出电压
摆动高
输出电压
摆动低点
输出源
当前
输出灌
当前
短路电流
4V
≤
V
+
≤
30V, V
CM
= V
+
/2,
PSRR = 20日志( ΔV
+
/V
OS
)
R
L
= 10 kΩ到GND ,V
+
= 30V,
5V
≤
V
OUT
≤
25V
V
+
= 30V (注7 )
C
L
= 50 pF的
R
L
= 10 kΩ到GND
V
+
= 36V ( 32V为LM611C )
R
L
= 10 kΩ到V
+
V
+
= 36V ( 32V为LM611C )
V
OUT
= 2.5V, V
+ IN
= 0V,
V
In
= 0.3V
V
OUT
= 1.6V, V
+ IN
= 0V,
V
In
= 0.3V
V
OUT
= 0V, V
+ IN
= 3V,
V
In
= 2V ,源
V
OUT
= 5V, V
+ IN
= 2V,
V
In
= 3V ,水槽
参考电压
V
R
参考电压
(注8)
1.244
1.2365
1.2515
(
±
0.6%)
平均气温
漂移
迟滞
(注9 )
10
HYST = ( VRO ' - VRO ) / ΔT
J
(注10 )
V
R( 100 μA )
V
R( 17 μA )
V
R( 10毫安)
V
R( 100 μA )
(注11 )
R
阻力
V
R
更改与
高V
RO
V
R
更改与
V变更
+
LM611BI
LM611I
LM611C
范围
(注6 )
单位
110
100
500
50
0.70
0.65
0.80
0.50
V 1.4
V 1.6
V
+ 0.8
V + 0.9
25
15
17
9
30
40
30
32
+
+
80
75
100
40
0.55
0.45
75
70
94
40
0.50
0.45
分贝分钟
分贝分钟
V / MV
民
V / μs的
兆赫
V
+
1.7
V 1.9
V
+ 0.9
V + 1.0
20
13
14
8
50
60
60
80
+
V
+
1.8
V
+
1.9
V
+ 0.95
V + 1.0
16
13
13
8
50
60
70
90
1.2191
1.2689
(
±
2.0%)
150
V分钟
V分钟
V最大
V最大
毫安分钟
毫安分钟
毫安分钟
毫安分钟
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
V分钟
V最大
PPM /°C的
最大
μV/°C
80
3.2
0.05
0.1
1.5
2.0
0.2
0.6
2.5
2.8
0.1
0.1
0.01
0.01
1
1.1
5
5.5
0.56
13
7
10
1.2
1.3
1
1.5
1
1.1
5
5.5
0.56
13
7
10
1.2
1.3
1
1.5
V
R
变化
与当前
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
最大
最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
毫伏最大
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V
R(10
→
0.1毫安)
/9.9毫安
V
R(100
→
17 A)
/83 A
V
R( VRO
= VR)
V
R( VRO
= 6.3V)
阳极之间( 5.06V
反馈)
V
R( V + = 5V )
V
R( V + = 36V )
(V
+
= 32V的LM611C )
V
R( V +
= 5V)
V
R( V +
= 3V)
3
电气特性
(续)
这些规范适用于V
= GND = 0V ,V
+
= 5V, V
CM
= V
OUT
= 2.5V ,我
R
= 100 μA ,反馈引脚短接至GND ,
除非另有规定。在标准字体限为T
J
= 25 ;在限额
黑体字
申请过
操作
温度范围。
LM611M
LM611AM
符号
参数
条件
典型
(注5 )
LM611AI
范围
(注6 )
参考电压
V
R
更改与
V
阳极
变化
I
FB
e
n
反馈偏置
当前
V
R
噪音
10赫兹到10000赫兹,V
RO
= V
R
V
+
= V
+
最大,
V
R
= V
R
(
@
V
阳极
= V
= GND ) - V
R
(
@
V
阳极
= V
+
1.0V)
I
FB
; V
阳极
≤
V
FB
≤
5.06V
0.7
3.3
22
29
30
1.5
3.0
35
40
1.6
3.0
50
55
毫伏最大
毫伏最大
nA的最大
nA的最大
V
RMS
LM611BI
LM611I
LM611C
范围
(注6 )
单位
注1 :
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。操作DE-当电气规格不适用
副超出其额定工作条件。
注2 :
更准确的说,这是过电流,用过量导致发热,限制电压上的所有引脚。当任何引脚被拉低一个二极管压降低于
V
,寄生NPN晶体管导通。由于目前通过该引脚仍低于最大额定值,也不会发生闩锁现象为长。操作是未定义
和不可预测的,当任何寄生二极管或晶体管导通。
注3 :
结温可以使用T为计算
J
= T
A
+ P
D
θ
JA
。给出的热阻为最坏情况下的插座包在静止空气中。对于包
从一个运算放大器或参考输出晶体管,标称焊接到铜包覆板与散热
θ
JA
为N个包和135C / W为M个封装90C / W的
年龄。
注4 :
人体模型, 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注5 :
在标准字体的典型值是对于T
J
= 25 ;价值观
黑体字
适用于整个工作温度范围内。这些值表示
最可能的参数指标。
注6 :
所有参数都保证在室温(标准型面),或在操作温度极限
(粗体型) 。
注7 :
压摆率是衡量一个电压跟随器配置的运算放大器。为上升的压摆率,输入电压从5V驱动到25V ,输出电压
过渡采样, 10V和20V 。对于下降沿的转换速率,输入电压从25V驱动到5V,而输出电压过渡进行采样, 20V和10V。
注8 :
V
R
是阴极反馈电压,标称1.244V 。
注9 :
平均基准漂移是从在25℃时的参考电压的测量,并在极端温度下进行计算。漂移,以ppm /℃ ,是
10
6
V
R
/(V
R[25C]
T
J
),其中
V
R
是最低的值中减去从最高,V
R[25C]
是在25℃时的值,并
T
J
是这样的温度范围内。此参数
通过设计和样品测试保证。
注10 :
迟滞是V的变化
R
引起的T中的变化
J
之后,参考已经被“ dehysterized ” 。要dehysterize参考;这是尽量减少
滞后的典型值,它的结温应在循环以下方式,向25℃在不断上升: 25℃ , 85℃ , -40℃, 70℃ 0℃, 25℃。
注11 :
低接触电阻,需要进行精确测量。
注12 :
军事RETS 611AMX电气测试规格可根据要求提供。该LM611AMJ / 883也可作为采购标准军事绘图。
简化原理图
运算放大器
DS009221-3
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