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LM5642 , LM5642X
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SNVS219K - 2003年6月 - 修订2013年4月
LM5642 / LM5642X高电压,双通道同步降压转换器与振荡器
同步
检查样品:
LM5642 , LM5642X
1
特点
两个同步降压型稳压器
180异相操作
200 kHz固定标称频率: LM5642
375 kHz固定标称频率: LM5642X
150可同步开关频率
kHz到250 kHz的为LM5642及200 kHz至
500千赫的LM5642X
4.5V至36V输入电压范围
50 μA关断电流
从1.3V可调输出至VIN的90%
0.04 % (典型值),线路和负载调节
准确性
具有或不具有检测电流模式控制
电阻器
独立的使能/软启动引脚允许
简单的顺序启动配置。
可配置为单路输出并联
操作。 (见
图4)
可调逐周期电流限制
输入欠压锁定
输出过压闭锁保护
输出欠压保护,延时
热关断
输出电容的自放电时
稳压器关闭时
TSSOP和HTSSOP (裸露焊盘)封装
描述
该LM5642系列包括两个电流模式
同步降压稳压器控制器的操作
180 °的相位差彼此在一个正常的
在200kHz的开关频率为LM5642和
375kHz的LM5642X 。
异相工作降低输入RMS纹波
电流,从而显著降低所需
输入电容。开关频率可以是
同步到150千赫之间的外部时钟
250千赫的LM5642和200 kHz之间的
和500千赫的LM5642X 。这两个开关
稳压器输出可以并联,以作为
双相单输出稳压器。
每个通道的输出可以是独立地
从1.3V至90% Vin的调整。内部5V电源
也可从外部驱动的自举
电路。
电流模式反馈控制,保证出色的线路
和负载调整率和宽环路带宽
出色的响应快速负载瞬态。电流
在顶部FET要么核销或感测
通过一个外部电流检测电阻连接
串联在顶端FET的漏极。
该LM5642具有模拟软启动电路,是
独立的输出负载和输出的
电容使得软启动特性更
可预测的和可控制的,比传统的软启动
电路。
过电压保护器适用于两路输出。
紫外延时引脚也可允许的延迟关闭
断欠压的输出在时间为IC
事件。
2
应用
嵌入式计算机系统
导航系统
电信系统
机顶盒
WebPAD
的负载电源架构点
典型应用电路
V
IN
4.5V - 36V
uv_delay
Vout1
1.3V-0.9V
IN
SYNC
LM5642/LM5642X
SS/ON1
SS/ON2
Vout2
1.3V-0.9V
IN
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2003-2013 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM5642 , LM5642X
SNVS219K - 2003年6月 - 修订2013年4月
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接线图
KS1
ILIM1
COMP1
FB1
SYNC
UVDelay
VLIN5
SGND
ON/SS1
ON/SS2
FB2
COMP2
ILIM2
KS2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
RSNS1
SW1
HDRV1
CBOOT1
VDD1
LDRV1
VIN
保护地
LDRV2
VDD2
CBOOT2
HDRV2
SW2
RSNS2
KS1
ILIM1
COMP1
FB1
SYNC
UVDelay
VLIN5
SGND
ON/SS1
ON/SS2
FB2
COMP2
ILIM2
KS2
1
2
3
4
5
6
7
DAP
8
9
10
11
12
13
14
21
20
19
18
17
16
15
28
27
26
25
24
23
22
RSNS1
SW1
HDRV1
CBOOT1
VDD1
LDRV1
VIN
保护地
LDRV2
VDD2
CBOOT2
HDRV2
SW2
RSNS2
图1.顶视图
引脚说明
KS1 (引脚1 )
图2.顶视图
阳性( + )开尔文意义的通道1.使用一个单独的跟踪到内部电流检测放大器
该引脚连接到电流检测点。它应连接到VIN尽可能接近至电流
检流电阻。当没有电流检测电阻时,连接尽可能接近到的漏极节点
上MOSFET 。
电流限制阈值设置为1信道下沉9.9 μA的恒定电流,该电流转换成电压
对面这个引脚连接VIN的电阻。电阻器两端的电压只与在V相
DS
高端MOSFET或穿过外部电流检测电阻的电压,以确定是否过电流
情况发生在通道1 。
补偿引脚通道1.这是内部跨导误差放大器的输出。循环
补偿网络应连接在此引脚和信号地, SGND (引脚8 )之间。
反馈输入通道1连接到通过分压器VOUT设定通道1的输出电压。
该LM5642的开关频率可同步至一个外部时钟。
SYNC = LOW :
在200千赫LM5642自由运行,并在375kHz的LM5642X 。通道是180°
阶段。
SYNC = HIGH :
等待外部时钟
SYNC =下降沿:
通道1 HDRV引脚变为高电平。通道2 HDRV引脚变为2.5后微秒的延迟高。该
最大SYNC脉冲宽度必须大于100纳秒。
对于SYNC =低的操作,连接这个引脚通过一个220 kΩ电阻信号地。
此引脚与地之间的电容设置为UVP延迟时间。该电容器是由5 μA电流充电
源。当UV_DELAY充电至2.3V (典型值) ,系统立即闭锁。此引脚连接到
地面将禁止输出欠压保护。
从VIN衍生内部5V LDO稳压器的输出。它提供内部偏置为芯片和权力
自举电路的栅极驱动。绕过这个引脚信号地与一个至少为4.7 μF的陶瓷电容。
接地连接的信号电平的电路。它应连接到该系统的接地轨。
通道1的使能引脚。该引脚在内部上拉至上方VLIN5一个二极管压降。要将这个引脚1.2V以下
(集电极开路型)关闭通道1,如果两个ON / SS1和ON / SS2引脚拉至低于1.2V ,整个芯片
进入
关断模式。
增加一个电容器该引脚提供了软启动功能,可最大限度地减少浪涌
电流和输出电压的过冲。
通道2的使能引脚。请参见引脚9的描述,ON / SS1 。可被连接到ON / SS1用于同时
启动或并联运行。
反馈输入通道2连接到通过分压器VOUT设定通道2的输出电压。
ILIM1 (引脚2 )
COMP1 (引脚3 )
FB1 (引脚4 )
SYNC (引脚5)
UV_DELAY (引脚6 )
VLIN5 (引脚7 )
SGND (引脚8 )
ON / SS1 (引脚9 )
ON / SS2 (引脚10 )
FB2 (引脚11 )
2
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LM5642 LM5642X
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LM5642 , LM5642X
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引脚说明(续)
COMP2 (引脚12 )
ILIM2 (引脚13 )
KS2 (引脚14 )
RSNS2 (引脚15 )
补偿引脚为通道2这是内部跨导误差放大器的输出。循环
补偿网络应连接在此引脚和信号地SGND (引脚8 )之间。
电流限制阈值设置为通道2见ILIM1 (引脚2 ) 。
阳性( + )开尔文检测通道2.见KS1的内部电流检测放大器(引脚1 ) 。
负( - )开尔文检测通道2.连接的内部电流检测放大器这个引脚偏低
电流检测电阻器被放置在VIN和高端MOSFET的漏极之间的。当的的导通电阻Rds
高端MOSFET用于电流检测时,此引脚连接到顶部MOSFET的源极。始终使用
单独的跟踪,形成Kelvin连接到该引脚。
第2通道,它连接到信道2。它的顶部MOSFET的源开关节点连接
作为负电源轨的顶侧栅极驱动器, HDRV2 。
通道2 HDRV顶侧栅极驱动输出是一个浮动驱动输出一个加载在相应的
开关节点电压。
自举电容连接。它作为正电源轨为通道2顶侧栅极驱动器。连
这个引脚VDD2 (引脚19 )通过一个二极管和自举电容的低压侧连接到SW2 (引脚16 ) 。
该电源轨的通道2低侧栅极驱动器。通过4.7Ω电阻连接到VLIN5 (引脚7 )和
旁路到电源地与至少1μF的陶瓷电容。此引脚与VDD1 (引脚24 ) 。
低侧栅极驱动输出通道2 。
电源接地连接两个通道。连接到系统的接地轨。
电源输入引脚的芯片。连接到系统的正(+)输入轨。该引脚必须连接
到相同的电压轨的顶部FET的漏极(或使用时,电流感测电阻器) 。
低侧栅极驱动输出通道1 。
该电源轨通道1的低侧栅极驱动器。此引脚与VDD2 (引脚19 ) 。
自举电容连接。该引脚作为正电源轨的通道1顶侧栅极驱动器。
见CBOOT2 (引脚18 ) 。
顶侧栅极驱动输出通道1.见HDRV2 (引脚17 ) 。
通道1.见SW2 (引脚16 )开关节点连接。
负( - )开尔文检测通道1.见RSNS2的内部电流检测放大器(引脚15 ) 。
电源接地连接两个通道。连接到系统的接地轨。使用多个过孔的
内部接地层或接地层有助于消除由输出功率产生的热量。
SW2 (引脚16 )
HDRV2 (引脚17 )
CBOOT2 (引脚18 )
VDD2 (引脚19 )
LDRV2 (引脚20 )
PGND (引脚21 )
VIN (引脚22 )
LDRV1 (引脚23 )
VDD1 (引脚24 )
CBOOT1 (引脚25 )
HDRV1 (引脚26 )
SW1 (引脚27 )
RSNS1 (引脚28 )
保护地线( DAP )
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LM5642 LM5642X
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LM5642 , LM5642X
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
从指定的引脚SGND /地线电压:
VIN , ILIM1 , ILIM2 , KS1 , KS2
SW1,SW2 RSNS1 , RSNS2
FB1 , FB2 , VDD1 , VDD2
SYNC , COMP1 , COMP2 , UV延迟
开/ SS1,开/ SS2
(3)
0.3V
至38V
0.3
到(Ⅴ
IN
+ 0.3)V
0.3V
至6V
0.3V
以( VLIN5 +0.3 )V
0.3V
以( VLIN5 +0.6 )V
43V
0.3V
至7V
0.3V
到(VDD + 0.3 )V
0.3V
+0.3V
1.1W
3.4W
65°C
至+ 150°C
WAVE
红外线
气相
4秒, 260C
10秒, 240℃
75秒, 219C
2kV
CBOOT1 , CBOOT2
CBOOT1到SW1 , CBOOT2到SW2
LDRV1 , LDRV2
HDRV1到SW1 , HDRV2到SW2
HDRV1到CBOOT1 , HDRV2到CBOOT2
功率耗散(T
A
= 25°C)
TSSOP
HTSSOP
环境储存温度。范围
焊接停留时间,温度。
(5)
(4)
ESD额定值
(1)
(6)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围内的条件
该装置旨在是功能性的,但并不能保证特定性能极限。为保证规范和测试
条件,请参阅电气特性。所确保的规范仅适用于测试条件。一些性能
特性可能会降低,当设备未列出的测试条件下操作。
如果是用于军事/航空专用设备,请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
ON / SS1和ON / SS2被内部上拉至上方VLIN5一个二极管压降。不要一个外部上拉电压施加到这些引脚。它
可能会导致损坏IC 。
最大允许功耗是通过使用P计算
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/θ
JA
,其中t
JMAX
是最大结
温度T
A
是在环境温度和
θ
JA
是指定包的结点至环境热阻。电源
使用125°C , 25 ° C,而对于T 90.6 ° C / W耗散额定值结果
JMAX
, T
A
θ
JA
分别。一
θ
JA
90.6C的/ W表示该
28引脚TSSOP封装的无散热的最坏情况。该HTSSOP封装具有
θ
JA
29 ° C / W 。该HTSSOP封装
来自IC的热的评分结果,被用相同的温度条件下作为安装在一个4层JEDEC标准板
TSSOP封装上面。如果温度超过器件的最高结温时就会发生热关断。
SEE
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用于焊接塑料小外形封装等方法。
为了进行测试, ESD是使用人体模型,一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ的电阻放电应用。
(1)
工作额定值
VIN ( VLIN5接至VIN )
VIN ( VIN和VLIN5分开)
结温
(1)
4.5V至5.5V
5.5V至36V
40°C
至+ 125°C
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围内的条件
该装置旨在是功能性的,但并不能保证特定性能极限。为保证规范和测试
条件,请参阅电气特性。所确保的规范仅适用于测试条件。一些性能
特性可能会降低,当设备未列出的测试条件下操作。
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LM5642 LM5642X
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LM5642 , LM5642X
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电气特性
除非另有规定ED ,V
IN
= 28V , GND地线= = 0V , VLIN5 = VDD1 = VDD2 。出现在极限
粗体
适用类型
在规定的工作结温范围( -40 ° C至+ 125°C ,除非另有规定) 。产品规格
出现在平原型都使用低占空比脉冲测试和T测
A
= 25°C
(1)
,
(2)
。最小/最大限制由指定
设计,测试或统计分析。
符号
系统
ΔV
OUT
/V
OUT
V
FB1_FB2
I
VIN
负载调整率
线路调整
反馈电压
输入电源电流
VIN = 28V ,V
COMPX
= 0.5V至1.5V
5.5V
VIN
36V, V
COMPX
=1.25V
5.5V
VIN
36V
-20 ° C至85°C
V
ON_SSx
& GT ; 2V
5.5V
VIN
36V
关闭
(3)
V
ON_SS1
= V
ON_SS2
= 0V
VLIN5
V
CLOS
I
CL
I
ss_SC1
,
I
ss_SC2
I
ss_SK1
,
I
ss_SK2
V
ON_SS1
,
V
ON_SS2
V
SSTO
I
sc_uvdelay
I
sk_uvdelay
V
UVDelay
V
UVP
VLIN5输出电压
电流限制比较
偏移量( VILIMX
-VRSNSX )
限流灌电流
软启动电流源
软启动灌电流
软启动阈值
软启动超时
门槛
UV_DELAY源电流
UV_DELAY灌电流
UV_DELAY门槛
电压
FB1 , FB2 ,欠压
保护锁存阈值
迟滞
V
OVP
S
wx_R
(1)
(2)
(3)
(4)
V
OUT
过压
锁存关断阈值
SW1 , SW2导通电阻
截至V测得的百分比
FB1
, V
FB2
V
SW1
= V
SW2
= 0.4V
107
420
作为额定输出电压的百分比
(下降沿)
75
(4)
参数
条件
典型值
0.04
0.04
最大
单位
%
%
1.2154
1.2179
1.2364
1.2364
1.1
50
1.2574
1.2549
2.0
110
5.30
±7.0
11.4
5.0
10
1.4
V
mA
A
V
mV
A
A
A
V
V
IVLIN5 = 0 25mA电流,
5.5V
VIN
36V
V
IN
= 6V
4.70
5
±2
8.4
V
ON_ss1
= V
ON_ss2
= 1.5V (上)
V
ON_ss1
= V
ON_ss2
= 1.5V
0.5
2
0.7
9.9
2.4
5.5
1.12
3.4
UV- DELAY = 2V
UV- DELAY = 0.4V
2
0.2
5
0.48
2.3
80.7
3.7
114
487
9
1.2
A
mA
V
86
%
%
122
560
%
一个典型的特征是数据在T测量低占空比脉冲tsting中心
A
= 25°C 。标准被定不能保证。
所有的限制规定。具有室温的限制,但电特性的生产和T中进行测试
A
= T
J
= 25°C 。所有
冷热极限值均通过与电气特性的工艺和温度变化及统计指定
过程控制。
两个开关控制器关闭。线性调节器VLIN5保持接通。
当SS1和SS2引脚带电高于此电压并输出电压在VOUT1或Vout2的是仍然低于规
限,欠压保护功能被初始化。
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    LM5642XMHX/NOPB
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    -
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