LM5119
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
名字
VCC1
LO1
PGND1
CSG1
CS1
RAMP1
描述
偏置电源引脚。在本地使用低ESR / ESL电容尽量靠近去耦至PGND1
控制器越好。
低边MOSFET栅极驱动输出。连接至通道低边同步的门
MOSFET通过一条短而低电感的路径。
电源接地返回引脚的低边MOSFET栅极驱动器。直接连接到的偏低
通道1电流检测电阻。
开尔文接地连接到外部电流检测电阻。直接连接到低压侧
通道1电流检测电阻。
电流检测放大器的输入端。连接至通道电流检测电阻的高边。
PWM斜坡信号。外部电阻及电容器连接在SW1销之间,所述RAMP1
引脚和AGND引脚设置通道1的PWM斜坡斜率。适当选择元件值的
生产的仿真降压电感中的电流RAMP1信号。
外部电容和内部10μA电流源设置通道1误差的升温速率
放大器的参考。 SS1引脚保持低电平时, VCC1或VCC2 < 4.9V , UVLO < 1.25V或在热
关机。
可选的输入禁用内部VCC稳压器,当外部偏置供应。如果VCCDIS
>1.25V ,内部VCC稳压器被禁用。外部提供的偏压应联接到
在VCC管脚通过一个二极管。 VCCDIS有一个500kΩ的下拉电阻接地,以使VCC
监管部门当引脚悬空。下拉电阻可以通过拉VCCDIS被覆盖
1.25V以上,用一个电阻分压器连接到外部偏置电源。
反馈输入通道1内部误差放大器的反相输入端。从一个电阻分压器
通道1输出到该引脚设置输出电压电平。在FB1引脚的调节阈值
0.8V.
输出通道1内部误差放大器。环路补偿网络应连接
之间的引脚和FB1引脚。
如果EN2引脚为低电平时,通道将被禁用。通道1和所有其他功能仍然有效。该
EN2有一个50kΩ的上拉电阻,使通道2时,该引脚悬空。
模拟地。返回的内部0.8V参考电压电路和模拟电路。
内部振荡器设置与RT和AGND之间的一个电阻。推荐
的最大振荡频率是对应于最大开关频率1.5MHz的
为750kHz的任一通道。内部振荡器可以通过同步至一个外部时钟
通过一个小耦合电容连接的正脉冲到室温。
重启定时器引脚的外部电容可配置打嗝模式电流限制。一
电容上的RES引脚决定时,控制器将保持关闭前自动
重新启动在打嗝模式。两个稳压器通道独立运行。一个可能渠道
工作在正常模式,而另一种是在打嗝模式过载保护。打嗝模式
开始时,任一通道经历256个连续PWM周期,逐周期
电流限制。在此之后,一个10μA电流源充电RES引脚电容为1.25V
门槛重启重载通道。
输出通道2内部误差放大器。环路补偿网络应连接
之间的引脚和FB2引脚。
反馈输入通道2内部误差放大器的反相输入端。从一个电阻分压器
通道2输出到该引脚设置输出电压电平。在FB2引脚的调节阈值
0.8V.
逻辑输入,使二极管仿真时,在低状态。在二极管仿真模式,低
侧MOSFET被锁断的PWM周期的剩余部分时,降压电感电流
反转方向(电流的流动从输出到接地)。当DEMB为高电平时,二极管仿真是
禁用允许电流在两个方向上通过低侧MOSFET的流动。一个50kΩ的上拉下来
电阻器内部的LM5119保持DEMB引脚为低电平,并启用二极管仿真,如果该引脚
浮动。
外部电容和内部10μA电流源设置通道2误差的升温速率
放大器的参考。在SS2引脚保持低电平时, VCC1或VCC2 < 4.9V , UVLO < 1.25V或在热
关机。
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SS1
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VCCDIS
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FB1
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12
13
COMP1
EN2
AGND
RT
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水库
15
16
COMP2
FB2
17
DEMB
18
SS2