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LM5119宽输入范围双同步降压控制器
2010年9月28日
LM5119
宽输入范围双同步降压控制器
概述
该LM5119是一款双通道同步降压控制器意
对于降压型稳压器应用的高电压或
各种输入电源。该控制方法是基于向上
在电流模式控制利用仿真电流斜坡。
电流模式控制提供前馈固有的线,赛扬
CLE逐周期电流限制和简化环路补偿。
使用仿真控制斜坡可降低噪音敏感度
脉冲宽度调制电路,从而允许可靠地控制
在高输入电压AP-需要非常小的占空比
并发症。开关频率是可编程的,从
在50kHz至750kHz 。该LM5119驱动外部高边和
低侧NMOS功率开关管与自适应死区时间CON-
控制。用户可选的二极管仿真模式可实现断开
在轻负载时的效率提高了连续的操作模式
条件。高电压偏置稳压器具有自动
切换至外部偏置进一步提高效率。 AD-
ditional功能包括热关断,频率同步
chronization ,逐周期和打嗝模式电流限制
和可调输入欠压锁定。该设备是可用
能够在动力增强的无引线LLP- 32封装为特色
裸露模片固定垫,以帮助散热。
特点
模拟的峰值电流模式控制
宽工作电压范围从5.5V至65V
双输出或交错单易于配置
产量
强大的3.3A峰值栅极驱动器
开关频率可编程至750kHz
可选的二极管仿真模式
从0.8V可编程输出
精密1.5 %电压基准
可编程电流限制
打嗝模式过载保护
可编程软启动
可编程输入欠压锁定
自动切换至外部偏置电源
通道2使能逻辑输入
热关断
无铅LLP32 (采用5mm x 5mm )封装
典型用途
30124001
2010美国国家半导体公司
301240
www.national.com
LM5119
接线图
30124002
顶视图
32引脚LLP
订单号
LM5119PSQ
LM5119PSQX
LM5119PSQE
套餐类型
LLP-32
LLP-32
LLP-32
NSC封装
制图
SQA32A
SQA32A
SQA32A
供货方式
1000个单位
磁带和卷轴
4500个单位
磁带和卷轴
250台磁带上
和卷轴
www.national.com
2
LM5119
引脚说明
1
2
3
4
5
6
名字
VCC1
LO1
PGND1
CSG1
CS1
RAMP1
描述
偏置电源引脚。在本地使用低ESR / ESL电容尽量靠近去耦至PGND1
控制器越好。
低边MOSFET栅极驱动输出。连接至通道低边同步的门
MOSFET通过一条短而低电感的路径。
电源接地返回引脚的低边MOSFET栅极驱动器。直接连接到的偏低
通道1电流检测电阻。
开尔文接地连接到外部电流检测电阻。直接连接到低压侧
通道1电流检测电阻。
电流检测放大器的输入端。连接至通道电流检测电阻的高边。
PWM斜坡信号。外部电阻及电容器连接在SW1销之间,所述RAMP1
引脚和AGND引脚设置通道1的PWM斜坡斜率。适当选择元件值的
生产的仿真降压电感中的电流RAMP1信号。
外部电容和内部10μA电流源设置通道1误差的升温速率
放大器的参考。 SS1引脚保持低电平时, VCC1或VCC2 < 4.9V , UVLO < 1.25V或在热
关机。
可选的输入禁用内部VCC稳压器,当外部偏置供应。如果VCCDIS
>1.25V ,内部VCC稳压器被禁用。外部提供的偏压应联接到
在VCC管脚通过一个二极管。 VCCDIS有一个500kΩ的下拉电阻接地,以使VCC
监管部门当引脚悬空。下拉电阻可以通过拉VCCDIS被覆盖
1.25V以上,用一个电阻分压器连接到外部偏置电源。
反馈输入通道1内部误差放大器的反相输入端。从一个电阻分压器
通道1输出到该引脚设置输出电压电平。在FB1引脚的调节阈值
0.8V.
输出通道1内部误差放大器。环路补偿网络应连接
之间的引脚和FB1引脚。
如果EN2引脚为低电平时,通道将被禁用。通道1和所有其他功能仍然有效。该
EN2有一个50kΩ的上拉电阻,使通道2时,该引脚悬空。
模拟地。返回的内部0.8V参考电压电路和模拟电路。
内部振荡器设置与RT和AGND之间的一个电阻。推荐
的最大振荡频率是对应于最大开关频率1.5MHz的
为750kHz的任一通道。内部振荡器可以通过同步至一个外部时钟
通过一个小耦合电容连接的正脉冲到室温。
重启定时器引脚的外部电容可配置打嗝模式电流限制。一
电容上的RES引脚决定时,控制器将保持关闭前自动
重新启动在打嗝模式。两个稳压器通道独立运行。一个可能渠道
工作在正常模式,而另一种是在打嗝模式过载保护。打嗝模式
开始时,任一通道经历256个连续PWM周期,逐周期
电流限制。在此之后,一个10μA电流源充电RES引脚电容为1.25V
门槛重启重载通道。
输出通道2内部误差放大器。环路补偿网络应连接
之间的引脚和FB2引脚。
反馈输入通道2内部误差放大器的反相输入端。从一个电阻分压器
通道2输出到该引脚设置输出电压电平。在FB2引脚的调节阈值
0.8V.
逻辑输入,使二极管仿真时,在低状态。在二极管仿真模式,低
侧MOSFET被锁断的PWM周期的剩余部分时,降压电感电流
反转方向(电流的流动从输出到接地)。当DEMB为高电平时,二极管仿真是
禁用允许电流在两个方向上通过低侧MOSFET的流动。一个50kΩ的上拉下来
电阻器内部的LM5119保持DEMB引脚为低电平,并启用二极管仿真,如果该引脚
浮动。
外部电容和内部10μA电流源设置通道2误差的升温速率
放大器的参考。在SS2引脚保持低电平时, VCC1或VCC2 < 4.9V , UVLO < 1.25V或在热
关机。
3
www.national.com
7
SS1
8
VCCDIS
9
FB1
10
11
12
13
COMP1
EN2
AGND
RT
14
水库
15
16
COMP2
FB2
17
DEMB
18
SS2
LM5119
19
名字
RAMP2
描述
PWM斜坡信号。一个外部电阻器和电容器,连接在SW2引脚之间的RAMP2
引脚和AGND引脚设置通道2 PWM斜坡斜率。适当选择元件值的
生产的仿真降压电感中的电流RAMP2信号。
电流检测放大器的输入端。连接至通道电流检测电阻的高边。
开尔文接地连接到外部电流检测电阻。直接连接到低压侧
通道2电流检测电阻。
电源接地返回引脚的低边MOSFET栅极驱动器。直接连接到的偏低
通道2电流检测电阻。
低边MOSFET栅极驱动输出。连接至通道低边同步的门
MOSFET通过一条短而低电感的路径。
偏置电源引脚。在本地使用低ESR / ESL电容尽量靠近去耦至PGND2
控制器越好。
开关降压稳压器的节点。连接到通道2自举电容,源极端子
的高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极端子。
高边MOSFET栅极驱动输出。连接至通道高边MOSFET的栅极
通过一条短而低电感的路径。
高边驱动器电源的自举栅极驱动。连接到外部的通道2的阴极
自举二极管和自举电容。自举电容提供电流充电
高边MOSFET的栅极,应尽可能靠近控制器成为可能。
欠压锁定编程引脚。如果UVLO引脚电压低于0.4V时,稳压器将在
关断模式,所有功能被禁用。如果UVLO引脚大于0.4V和1.25V以下时,
监管机构将在待机模式下, VCC稳压器运行后, SS引脚接地,无
在HO和LO输出开关。如果UVLO引脚电压高于1.25V时, SS引脚允许
斜坡和脉冲宽度调制栅极驱动信号传递的LO和HO引脚。一个20μA
当UVLO超过1.25V,且流经外部UVLO电阻电流源被启用
以提供迟滞。
电源电压输入源VCC稳压器。
高边驱动器电源的自举栅极驱动。连接到外部的通道1的阴极
自举二极管和自举电容。自举电容提供电流充电
高边MOSFET的栅极,应尽可能靠近控制器可能。
高边MOSFET栅极驱动输出。连接至通道高边MOSFET的栅极
通过一条短而低电感的路径。
开关降压稳压器的节点。连接到通道1自举电容,源极端子
的高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极端子。
LLP封装的裸露焊盘。没有内部电气连接。焊接到接地平面,以减少
热阻。
20
21
22
23
24
25
26
27
CS2
CSG2
PGND2
LO2
VCC2
SW2
HO2
HB2
28
UVLO
29
30
VIN
HB1
31
32
EP
HO1
SW1
EP
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4
LM5119
绝对最大额定值
(注
1)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
VIN至AGND
SW1 , SW2至AGND
HB1到SW1 , HB2到SW2
VCC1 , VCC2至AGND
(注
2)
FB1 , FB2 , DEMB , RES ,
VCCDIS , UVLO至AGND
HO1到SW1 , HO2到SW2
LO1 , LO2至AGND
SS1 , SS2至AGND
EN2 , RT到AGND
-0.3 75V
-3.0至75V
-0.3 15V
-0.3 15V
-0.3 15V
-0.3 HB + 0.3V
-0.3 VCC + 0.3V
-0.3至7V
-0.3至7V
CS1,CS2, CSG1 , CSG2到
AGND
PGND到AGND
ESD额定值HBM (注
3)
储存温度
结温
-0.3V至0.3V
-0.3V至0.3V
2kV
-55 ° C至+ 150°C
+150°C
(注
1)
5.5V至65V
5.5V至14V
5.5V至14V
-40°C至+ 125°C
工作额定值
VIN
VCC
HB和SW
结温
注: COMP1 , COMP2 , RAMP1 , RAMP2和输出引脚。因此,它们
未指定到外部施加的电压。
电气特性
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;以黑体字限额适用于
结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。除另有规定外,适用下列条件: VIN = 36V , VCC = 8V ,
VCCDIS = 0V , EN2 = 5V ,R
T
= 25kΩ的上LO和HO空载。电气特性是每个通道适用。看
(注
4)
和(注
5).
参数
VIN工作电流
VCC1工作电流
VCC2工作电流
条件
SS1 = SS2 = 0V
VCCDIS = 2V , SS1 = SS2 = 0V
I
VCC
VCCDIS = 2V , SS1 = SS2 = 0V
VCCDIS = 2V , SS1 = SS2 = 0V
UVLO = 0V , SS1 = SS2 = 0V
6.77
VIN = 6V ,没有外部负载
VCC = 0V
VCCDIS上升
VCCDIS = 0V
正向VCC
4.7
5.9
25
1.19
典型值
6
400
3.9
1.4
18
7.6
5.95
40
1.25
0.07
-20
4.9
0.2
2.0
2.9
2.5
50
UVLO上升
UVLO = 1.4V
1.20
15
1.25
20
0.4
0.1
SS = 0V
7
10
10
13
1.29
25
1.5
5.2
1.29
最大
7.3
550
4.5
2.0
50
8.34
单位
mA
A
mA
mA
A
V
V
mA
V
V
nA
V
V
V
V
k
V
A
V
V
A
符号
VIN电源
I
BIAS
I
关闭
VIN关断电流
VCC稳压器
(注
6)
V
CC ( REG )
VCC法规
VCC法规
VCC采购电流限制
VCCDIS开关阈值
VCCDIS切换滞后
VCCDIS输入电流
VCC欠压阈值
VCC欠压滞后
EN2输入
V
IL
V
IH
UVLO
UVLO阈值
UVLO滞回电流
UVLO关断阈值
UVLO滞回关断电压
软启动
SS电流源
SS下拉
DSON
EN2输入低阈值
EN2输入高门槛
EN2输入上拉电阻
5
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联系人:刘经理
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