LM5116-HT
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SLVSBS8A - 2013年10月 - 修订2013年10月
引脚功能
引脚说明
针
1
2
名字
VIN
UVLO
描述
芯片的电源电压，输入电压监控器和输入到VCC调节器。
如果UVLO引脚低于1.215 V，稳压器将处于待机模式（ VCC稳压器运行时，开关稳压器
禁用）。如果UVLO引脚电压高于1.215 V，稳压器工作正常。外部分压器可
用于设置欠压关断阈值。有一个固定的5 μA上拉电流该引脚，当EN为高电平。
UVLO被拉至接地的电流限制条件存在256个时钟周期事件。
内部振荡器设置这个引脚和AGND引脚之间的一个电阻。建议的频率
范围是50kHz到1MHz 。内部振荡器可以由AC耦合的正被同步至外部时钟
边到这个节点。
如果EN引脚低于0.5V，稳压器将处于低功耗状态，从VIN绘图低于10 μA 。 EN必须
上述3.3 V被拉正常运行。最大EN过渡时间为正确的操作是一个开关周期。
斜坡控制信号。连接在这个引脚和AGND引脚之间的外部电容设置使用的坡道坡度
用于电流模式控制。
模拟地。连接到PGND通过LM5116下裸露焊盘接地连接。
外部电容和内部10 μA电流源设定软启动时间常数误差放大器的崛起
参考。 SS引脚VCC < 4.5 V时保持低电平时， UVLO < 1.215 V， EN输入为低电平或热关断。
从稳压输出反馈信号。该引脚被连接到内部误差放大器的反相输入端。
的调节阈值为1.215 V.
输出内部误差放大器。环路补偿网络应连接在此引脚和之间
FB引脚。
输出监视器。直接连接到输出电压。
低边MOSFET的源极电压监视器二极管仿真。对于启动进入预偏置负载，此引脚为
地面上的CSG连接。对于完全同步操作，使用DEMB之间的外部串联电阻
地提高了二极管仿真阈值以上的电压的低侧西南。
电流检测放大器的输入端。连接到电流检测电阻器的顶端或如果低双面MOSFET的漏极
R
DS （ ON）
电流检测用。
电流检测放大器的输入端。连接到检测电阻器的底部或低侧MOSFET的源极，如果
R
DS （ ON）
电流检测用。
电源地。连接到AGND通过LM5116下裸露焊盘接地连接。
通过一条短而低电感的路径连接至低边同步MOSFET的栅极。
本地去耦使用低ESR / ESL电容尽量靠近控制器尽可能地PGND 。
可选的输入，用于从外部供给的VCC 。如果VCCX > 4.5 V ， VCCX内部连接到VCC和内部
VCC稳压器被禁用。如果VCCX是未使用的，它应该连接到地。
高边驱动器电源的自举栅极驱动。连接到自举二极管和正的阴极
自举电容的终端。自举电容器提供电流到高侧MOSFET的栅极进行充电
并且应尽可能地接近所述控制器越好。
通过一条短而低电感的路径连接至高压侧同步MOSFET的栅极
开关节点。连接到所述自举电容器的负极端子与高侧的源极端子
MOSFET。
3
RT /同步
4
5
6
7
8
9
10
11
EN
坡道
AGND
SS
FB
COMP
VOUT
DEMB
12
13
14
15
16
17
18
CS
CSG
保护地
LO
VCC
VCCX
HB
19
20
HO
SW
版权所有 2013年，德州仪器
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