LM5115
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SNVS343E - 2005年3月 - 修订2013年3月
LM5115次级侧后稳压器/同步降压控制器
检查样品：
LM5115
1
特点
自同步到主通道输出
独立的DC / DC同步降压模式
上升沿脉冲宽度调制
与电流注入电压模式控制
和输入线电压前馈
从AC或DC输入工作频率高达75V
宽4.5V至30V偏置电源电压范围
宽0.75V至13.5V的输出范围。
顶部和底部栅极驱动器下沉2.5A峰值
自适应栅极驱动器死区时间控制
宽带误差放大器（ 4MHz时）
可编程软启动
热关断保护
TSSOP -16或耐热增强型WSON -16
套餐
描述
该LM5115是一款多功能的开关稳压器
控制器。它有两个主要的应用程序配置。
第一种是利用二次侧邮
条例（ SSPR ）技术来实现多个
输出的功率转换器。在第二配置中，
它可以作为一个独立的同步降压
调节器
（请
SEE
STANDALONE
直流/直流
同步降压模式
有关详细信息） 。该
SSPR技术，开发出高效率，以及
从次级侧调节的辅助输出
切换的分离的功率变换器的波形。
实现该辅助输出电压的调节
由前沿的脉冲宽度调制（PWM）
主通道的占空比。前沿调制
无论是与电流模式或电压模式兼容
控制主输出。该LM5115驱动器
外部高侧和低侧NMOS功率
交换机配置为同步降压稳压器。
电流检测放大器可提供过载保护
保护和工作在很宽的共模
输入范围。其他功能还包括一个低压差
（ LDO ）稳压器偏置，误差放大器，精密
门的参考，自适应死区时间控制
信号和热关断。
2
典型应用电路
相位信号
主
产量
3.3V
反馈
输入
主变流器
PWM控制器
+12V
V
CC
SYNC
HB
HO
HS
LO
R
S
辅
产量
2.0V
LM5115
V
BIAS
坡道
SS
CO
COMP
FB
PGND AGND
CS
V
OUT
图1.简化多输出电源转换器利用技术SSPR
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2005-2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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接线图
CS 1
1
2
3
4
5
6
7
8
CS
V
OUT
AGND
CO
COMP
FB
SS
坡道
VBIAS
HB
HO
HS
V
CC
LO
保护地
SYNC
16
15
14
13
12
11
10
9
V
OUT
2
AGND 3
CO 4
COMP 5
6 FB
SS 7
RAMP 8
16 VBIAS
15 HB
14何
13 HS
12 VCC
11 LO
10 PGND
9 SYNC
EP
图3. 16引脚WSON
包号NHQ0016A
图2. 16引脚TSSOP
包号PW0016A
引脚说明
针
1
名字
CS
描述
电流检测放大器的正输入端
应用信息
低电感电流检测电阻连接CS之间
和VOUT 。电流限制发生的差分电压时，
CS和VOUT之间超过45mV （典型值） 。
直接连接到输出电压。电流检测
放大器工作在电压范围为0V至13.5V的
VOUT引脚。
直接连接到电源接地引脚（ PGND ） 。
对于正常的限流操作，连接CO端子的
COMP引脚。离开这个引脚开路禁用限流功能。
COMP引脚的上拉是由内部300uA电流源提供。
通过反馈电阻连接到稳定的输出
分压器和补偿元件。的非反相输入
误差放大器的内部连接到SS引脚。
一个外部电容器和一个内部的等效阻抗
电阻分压器连接到所述带隙电压基准设定
软启动时间。 SS引脚的稳态工作电压
等于0.75V （典型值） 。
连接到这个引脚上的外部电容设置坡道坡度
电压模式PWM 。斜坡电容充电用
电流成比例的电流流入SYNC引脚。该
电容器是由一个内部喷出，在每个周期的结束
MOSFET。
低阻抗电流输入引脚。目前进入该引脚设置
斜坡电容器充电电流和一个内部的频率
振荡器，提供了自由运行（直流输入）模式的时钟。
直接连接到模拟地引脚（ AGND ） 。
连接到低侧MOSFET的同步的，通过栅极
很短的低电感的路径。
从内部偏置LDO稳压器的输出额定7V 。当地
分离使用低ESR / ESL电容位置以PGND
靠近控制器可能。
连接到自举电容器与所述的负极端子
高边MOSFET的源极。
通过短接低到高边MOSFET的栅极
电感的路径。
连接到自举二极管和正的阴极
自举电容的终端。自举电容
提供电流为高边MOSFET栅极充电，应
尽可能地靠近到控制器越好。
2
VOUT
电流检测放大器ER阴性输入
3
4
5
6
AGND
CO
COMP
FB
模拟地
限流输出
补偿。误差放大器的输出
反馈。误差放大器的反相输入端
7
SS
软启动控制
8
坡道
PWM斜坡信号
9
SYNC
同步输入
10
11
12
保护地
LO
VCC
电源地
低侧栅极驱动器输出
偏置稳压器的输出
13
14
15
HS
HO
HB
高边MOSFET的源极连接
高侧栅极驱动器输出
高侧栅极驱动器引导轨
2
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引脚说明（续）
针
16
-
名字
VBIAS
描述
电源输入偏置
应用信息
输入偏置LDO稳压器和电流检测放大器
权力内部模块。 VBIAS的输入电压范围为4.5V至30V 。
内部键合到管芯基板。连接到系统接地
对低的热阻抗。
裸露焊盘裸露焊盘， WSON封装的底面
（ WSON
包
只）
框图
VBIAS
7V LDO
调节器
V
CC
逻辑
热
极限
V
CC
UVLO
7V
SYNC
I
SYNC
2.5k
2.5k
V
CC
I
SYNC
x 3
坡道
卜FF器
CLK
0.7V
75k
CRMIX
100k
V
CC
误差放大器
（汇只）
FB
0.75V
SS
175k
启用
COMP
电流检测放大器
增益= 16
VBIAS
120k
1.27V
40k
V
CC
15
PA
CLK
R
HB
Q
水平
移
HO
司机
S
Q
HS
自适应
死区时间
延迟
V
CC
PWM
比较
LO
司机
300
PA
1V
负
当前
探测器
保护地
AGND
CV
ILIMIT AMP
克= 16毫安/ V
（汇只）
CS
V
OUT
CO
1.27V
2V
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
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3
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(1) (2)
绝对最大额定值
VBIAS和GND
VCC和GND
HS到GND
VOUT ， CS到GND
其他所有输入到GND
存储温度范围
结温
ESD额定值
HBM
(3)
(1)
(2)
(3)
-0.3V至32V
-0.3V至9V
- 1V至76V
- 0.3V至15V
0.3V
到7.0V
-55 ° C至+ 150°C
+150°C
2千伏
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是在一定条件下
该装置的该操作被保证。工作额定值并不意味着确保的性能极限。为了确保的性能极限
和相关的测试环境，请参阅电气特性表。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
工作额定值
VBIAS电源电压
VCC电源电压
HS电压
HB电压
工作结温
5V至30V
5V至7.5V
0V至75V
VCC + HS
-40 ° C至+ 125°C
表1.典型工作条件
参数
电源电压， VBIAS
电源电压VCC
电源电压旁路，平CVbias
基准旁路电容， CVCC
HB- HS自举电容
SYNC电流范围（ VCC = 4.5V ）
RAMP锯齿波幅度
VOUT调节电压（ VBIAS分钟= 3V + VOUT ）
民
4.5
4.5
0.1
0.1
0.047
50
1
0.75
150
1.75
13.5
1
1
10
典型值
最大
30
7
单位
V
V
F
F
F
A
V
V
电气特性
除非另有规定，T
J
= -40 ° C至+ 125°C ， VBIAS = 12V ，在LO和HO空载。
符号
VBIAS供应
IBIAS
VCCREG
VBIAS电源电流
VCC法规
Vcc的电流限制
VCC欠压锁定电压
VCC欠压滞后
软启动
SS信号源阻抗
SS放电阻抗
误差放大器和反馈基准
VREF
(1)
4
FB参考电压
测量FB引脚
0.737
0.75
0.763
V
43
60
100
77
k
F
SYNC
= 200kHz的
VCC开路。输出不切换
SEE
(1)
参数
条件
民
典型值
最大
4
单位
mA
V
mA
V
V
VCC低压差稳压偏置
6.65
4
0.2
0.25
7
40
4.5
0.3
7.15
正向VCC
设备热限制可能会限制使用范围。
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电气特性（续）
除非另有规定，T
J
= -40 ° C至+ 125°C ， VBIAS = 12V ，在LO和HO空载。
符号
参数
FB输入偏置电流
COMP源电流
开环电压增益
GBW
VIO
增益带宽积
输入失调电压
COMP补偿
斜坡补偿
电流检测放大器
电流检测放大器的增益
输出直流偏置
扩增fi er带宽
电流限制
ILIMIT跨导放大器
整体跨导
正电流限制
正电流限制折返
VCLneg
负电流限制
V
CL
= V
CS
- V
VOUT
VOUT = 6V和CO / COMP = 1.5V
V
CL
= V
CS
- V
VOUT
VOUT = 0V和CO / COMP = 1.5V
VOUT = 6V
V
CL
= V
CS
- V
VOUT
造成LO至
关闭
37
31
16
237
45
38
-17
53
45
毫安/ V
毫安/ V
mV
mV
mV
16
1.27
500
V/V
V
千赫
门槛V
HO
=高RAMP = CS =
VOUT = 0V
门槛V
HO
=高COMP = 1.5V ，
CS = VOUT = 0V
-7
FB = 2V
条件
民
典型值
0.2
300
60
4
0
2
1.1
7
最大
0.5
单位
A
A
dB
兆赫
mV
V
V
斜坡发生器
SYNC输入阻抗
同步阈值
自由运行模式下峰值门限
电流镜增益
放电阻抗
低侧栅极驱动器
V
OLL
V
OHL
LO低态输出电压
LO高态输出电压
LO上升时间
LO下降时间
I
OHL
I
OLL
V
OLH
V
OHH
山顶LO源电流
山顶LO灌电流
何低态输出电压
HO高态输出电压
HO上升时间
何高压侧下降时间
I
OHH
I
OLH
何峰源电流
山顶何灌电流
LO下降至HO上升延迟
HO下降至LO上升延迟
SYNC秋季何秋延迟
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2.5
循环检测阈值完
RAMP峰值电压与直流电流
适用于同步。
RAMP比充电电流到SYNC
输入电流。
2.7
100
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100mA ，V
OHL
= V
CC
-V
LO
C
负载
= 1000pF的
C
负载
= 1000pF的
V
LO
= 0V
V
LO
= 12V
I
HO
= 100毫安
I
HO
= -100mA ，V
OHH
= V
HB
–V
HO
C
负载
= 1000pF的
C
负载
= 1000pF的
V
HO
= 0V
V
HO
= 12V
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
0.2
0.4
15
12
2
2.5
0.2
0.4
15
12
2
2.5
70
50
120
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0.5
0.8
0.5
0.8
15
2.3
3.3
k
A
V
A/A
V
V
ns
ns
A
A
V
V
ns
ns
A
A
ns
ns
ns
5
高侧栅极驱动器
开关Characterisitcs
QQ：2881677436 复制
