LM5115A次级侧后稳压器/ DC -DC转换器上电/掉电
跟踪
2007年1月
LM5115A
次级侧后稳压器/ DC -DC转换器
上电/断电跟踪
概述
该LM5115A控制器包含了所有的功能neces-
萨利使用辅助产生多个跟踪输出
侧后调节（ SSPR ）技术。该SSPR技
NIQUE开发高效，管理良好的辅助
从异的二次侧开关波形输出
迟来的功率转换器。 LM5115A也可以用作
独立的DC / DC同步降压控制器（参见
to
同步降压部分） 。
辅助调节
输出电压由上升沿脉冲宽度来实现MOD-
ulation主通道占空比（PWM）。前沿
调制是采用电流模式或电压兼容
模式控制主输出。该LM5115A驱动器克斯特
配置纳尔高侧和低侧NMOS功率开关
作为一个同步降压稳压器。电流检测放大器
提供过载保护，工作在较宽的COM
共模输入范围。其他功能还包括一个低
差（LDO ）稳压器偏置，误差放大器，精度为参考
单一模式，在栅极信号的自适应死区时间控制和
热关断。
特点
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上电/断电跟踪
自同步到主通道输出
上升沿脉冲宽度调制
谷值电流模式控制
独立的DC / DC同步降压模式
从AC或DC输入工作频率高达75V
宽4.5V至30V偏置电源电压范围
宽0.75V至13.5V的输出范围。
顶部和底部栅极驱动器下沉2.5A峰值
自适应栅极驱动器死区时间控制
宽带误差放大器（ 4MHz时）
可编程软启动
热关断保护
TSSOP -16封装
典型应用电路
20207101
图1.简化多输出电源转换器利用技术SSPR
2007美国国家半导体公司
202071
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LM5115A
针
9
名字
SYNC
描述
同步输入
应用信息
低阻抗电流输入引脚。目前进入该引脚套
的斜坡电容器充电电流和一个频率
内部振荡器提供时钟的自由运行（直流输入）
模式。
直接连接到模拟地引脚（ AGND ） 。
连接至低边同步MOSFET的栅极
通过一条短低电感的路径。
从内部偏置LDO稳压器的输出额定7V 。当地
分离使用低ESR / ESL电容位置以PGND
靠近控制器可能。
连接到自举电容器与所述的负极端子
高边MOSFET的源极。
通过一个短的低连接到高侧MOSFET的栅极
电感的路径。
连接到自举二极管和正的阴极
自举电容的终端。自举电容
提供电流为高侧MOSFET的栅极充电，并且应
尽可能地靠近到控制器越好。
输入偏置LDO稳压器和电流检测放大器
权力内部模块。 VBIAS的输入电压范围为4.5V至30V 。
10
11
12
保护地
LO
VCC
电源地
低侧栅极驱动器输出
偏置稳压器的输出
13
14
15
HS
HO
HB
高边MOSFET源极连接
高侧栅极驱动器输出
高侧栅极驱动器引导轨
16
VBIAS
电源输入偏置
3
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LM5115A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
VBIAS和GND
VCC和GND
HS到GND
VOUT ， CS到GND
其他所有输入到GND
存储温度范围
-0.3V至32V
-0.3V至9V
- 1V至76V
- 0.3V至15V
-0.3V至7.0V
-55 ° C至+ 150°C
结温
ESD额定值
HBM的（注2）
+150°C
2千伏
工作额定值
VBIAS电源电压
VCC电源电压
HS电压
HB电压
工作结温
5V至30V
5V至7.5V
0V至75V
VCC + HS
-40 ° C至+ 125°C
典型工作条件
参数
电源电压， VBIAS
电源电压VCC
电源电压旁路，平CVbias
基准旁路电容， CVCC
HB- HS自举电容
SYNC电流范围（ VCC = 4.5V ）
RAMP锯齿波幅度
VOUT调节电压（ VBIAS分钟= 3V + VOUT ）
民
4.5
4.5
0.1
0.1
0.047
50
1
0.75
150
1.75
13.5
1
1
10
典型值
最大
30
7
单位
V
V
F
F
F
A
V
V
电气特性
在LO或议员。
符号
VBIAS供应
IBIAS
VCCREG
VBIAS电源电流
VCC法规
Vcc的电流限制
VCC欠压滞后
TRACK /软启动
SS拉源
SS放电阻抗
参数
（注3）
除非另有规定，T
J
= -40 ° C至+ 125°C ， VBIAS = 12V ，无负载
条件
民
典型值
最大
4
6.65
4
0.2
10
0.25
15
140
7
40
4.5
0.3
20
7.15
单位
mA
V
mA
V
V
A
.763
0.5
V
A
A
dB
兆赫
mV
V
V
F
SYNC
= 200kHz的
VCC开路。输出不切换
（注4 ）
VCC低压差稳压偏置
VCC欠压锁定电压正向VCC
误差放大器和反馈基准
VREF
FB参考电压
FB输入偏置电流
COMP源电流
开环电压增益
GBW
VIO
增益带宽积
输入失调电压
COMP补偿
斜坡补偿
电流检测放大器
电流检测放大器的裕量
电流检测放大器的增益
输出直流偏置
扩增fi er带宽
净空= V
BIAS
- Vout的
V
BIAS
= 4.5 V和VOUT = 1.5 V
3
16
1.27
500
V
V/V
V
千赫
门槛V
HO
=高RAMP = CS =
VOUT = 0V
门槛V
HO
=高COMP = 1.5V ，
CS = VOUT = 0V
测量FB引脚
FB = 2V
.737
.750
0.2
300
60
4
22
2
1.0
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4
LM5115A
符号
电流限制
参数
慢ILIMIT跨导放大器
整体跨导
慢ILIMIT阈值
慢ILIMIT折返
快ILIMIT下拉电流
快ILIMIT门槛
条件
民
典型值
5
90
最大
单位
毫安/ V
毫安/ V
V
CL
= V
CS
- V
VOUT
VOUT = 6V和CO / COMP = 1.5V
V
CL
= V
CS
- V
VOUT
VOUT = 0V和CO / COMP = 1.5V
VDS = 2V
VOUT = 6V
V
CL
= V
CS
- V
VOUT
造成LO至关闭
39
34
45
39
45
60
-17
51
46
mV
mV
mA
mV
mV
V
CLNEG
负电流限制
CO钳位电压
ICO上拉电流
5.5
6
15
2.5
6.5
V
A
k
A
斜坡发生器
SYNC输入阻抗
同步阈值
自由运行模式下峰值门限
电流镜增益
放电阻抗
低侧栅极驱动器
V
OLL
V
OHL
LO低态输出电压
LO高态输出电压
LO上升时间
LO下降时间
I
OHL
I
OLL
V
OLH
V
OHH
山顶LO源电流
山顶LO灌电流
何低态输出电压
HO高态输出电压
HO上升时间
何高侧下降时间
I
OHH
I
OLH
何峰源电流
山顶何灌电流
LO下降至HO上升延迟
HO下降至LO上升延迟
SYNC秋季何秋延迟
SYNC上升到LO下降延迟
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100mA ，V
OHL
= V
CC
-V
LO
C
负载
= 1000pF的
C
负载
= 1000pF的
V
LO
= 0V
V
LO
= 12V
I
HO
= 100毫安
I
HO
= -100mA ，V
OHH
= V
HB
–V
HO
C
负载
= 1000pF的
C
负载
= 1000pF的
V
HO
= 0V
V
HO
= 12V
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
C
负载
= 0
0.15
0.35
15
12
2
2.5
0.15
0.35
15
12
2
2.5
40
50
120
80
0.5
0.8
0.5
0.8
V
V
ns
ns
A
A
V
V
ns
ns
A
A
ns
ns
ns
ns
循环检测阈值完
RAMP峰值电压与直流电流
适用于同步。
RAMP比充电电流到SYNC
输入电流。
2.7
100
20
2.35
3.3
V
A/A
高边栅极驱动器
开关Characterisitcs
5
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