LM5114
单7.6A峰值电流低侧栅极驱动器
概述
该LM5114是专为驱动低端MOSFET的升压
键入配置或驱动次级同步MOSFET导
场效应管的隔离拓扑。凭借雄厚的灌电流capabil-
性，在LM5114可以并行驱动多个场效应管。该
LM5114也有必要以驱动低侧烯的特征
hancement模式氮化镓（ GaN）的场效应晶体管。该LM5114
提供反相和非反相输入端，以满足要求一
ments用于在一个单一的反相和非反相栅极驱动器
设备类型。该LM5114的输入是TTL / CMOS逻辑
兼容并承受输入电压高达14V重新
gardless的VDD电压。该LM5114具有分裂门
输出，提供了灵活地调整导通和关断
独立的力量。该LM5114具有快速开关
速度和最小化传播延迟，有利于高
频率工作。该LM5114可在SOT- 23 6
带裸露焊盘的封装与引脚LLP -6封装，以帮助
热耗散。
特点
●
对于可控崛起的独立源和汇的输出
和下降时间
●
+ 4V至+ 12.6V单电源供电
●
7.6A / 1.3A峰值吸入/源出电流驱动器
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
0.23
漏极开路下拉沉输出
2
开漏上拉源输出
为12ns （典型值）传播延迟
匹配的反相和非反相之间的延迟时间
输入
TTL / CMOS逻辑输入
0.68V的输入迟滞
高达+ 14V的逻辑输入（无论VDD电压）
低输入电容： 2.5pF的（典型值）
-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围
引脚对引脚与MAX5048兼容
典型应用
●
●
●
●
升压转换器
反激式和正激转换器
次级同步FET的驱动在隔离拓扑
电机控制
包
●
SOT-23-6
●
LLP - 6 （采用3mm x 3mm ）
框图
30180403
图1 。
生产数据信息，作为
出版日期。产品符合每规格
德州仪器标准保修条款。
生产加工并不包括
所有测试参数。
301804 SNVS790D
版权所有1999-2012 ，德州仪器
LM5114
引脚说明
PIN号
SOT-23-6
1
2
3
4
5
6
LLP-6
1
2
3
4
5
6
EP
名字
VDD
P_OUT
N_OUT
VSS
INB
IN
描述
栅极驱动电源
源电流
产量
灌电流输出
地
非反相逻辑
输入
应用信息
本地使用低ESR / ESL电容定位为去耦到VSS
关闭尽可能到IC 。
连接到MOSFET的栅极与一个短，低电感
路径。栅极电阻器可用于调整导通速度。
连接到MOSFET的栅极与一个短，低电感
路径。栅极电阻器可用于调整的关断速度。
所有的信号都参考这个理由。
反相逻辑输入连接到VSS时不使用。
连接到VDD时不使用。
因此建议在封装的底面露出的焊盘焊接到接地平面
PC板来辅助散热。
版权所有1999-2012 ，德州仪器
3
LM5114
绝对最大额定值
（注
1)
VDD到VSS
IN， INB到VSS
N_OUT到VSS
P_OUT到VSS
结温
存储温度范围
ESD额定值HBM
-0.3 14V
-0.3 14V
-0.3 VDD + 0.3V
-0.3 VDD + 0.3V
+150°C
-55到+ 150°C
2kV
推荐工作条件
VDD
结温
+4.0至12.6V
-40至+ 125°C
电气特性
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围-40℃至
+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计数据得以保证。典型值代表
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有规定，V
DD
= +12V
（注
2).
符号
电源
V
DD
UVLO
VDD工作电压
VDD欠压锁定
VDD欠压闭锁滞后
VDD欠压锁定到输出
延迟时间
I
DD
VDD静态电流
正声道输出
R
ON -N
驱动器输出电阻 - 下拉
(SOT-23-6)
VDD = 4.5V ，
I
N-二OUT
= -100mA
R
ON -N
(LLP-6)
VDD = 10V ，
I
N-二OUT
= -100mA
VDD = 4.5V ，
I
N-二OUT
= -100mA
VDD = 10V ，
I
N-二OUT
= -100mA
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
T
J
= +25°C
TJ = + 125°C
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
0.23
0.38
0.24
0.40
0.31
0.46
0.32
0.48
3.3
0.85
6.85
7.6
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
2.00
2.85
2.20
3.10
2.08
2.93
2.28
3.18
0.001
1.3
3.00
4.30
3.30
4.70
3.08
4.38
3.38
4.78
10
0.26
0.43
0.28
0.47
0.34
0.51
0.36
0.55
10
1.0
20
V
A
A
uA
A
VDD上升
IN = INB = VDD
VDD上升
4.0
3.25
3.6
0.4
300
0.95
1.9
12.6
4.00
V
V
V
ns
mA
参数
条件
民
典型值
最大
单位
驱动器输出电阻 - 下拉
断电拉下拉电阻
断电下拉钳位电压
I
LK -N
I
PK -N
输出漏电流
峰值灌电流
VDD = 0V ，我
N-二OUT
= -10mA
VDD = 0V ，我
N-二OUT
= -10mA
N_OUT = VDD
C
L
= 10,000pF
VDD = 10V ，
I
P- OUT
= 50毫安
VDD = 4.5V ，
I
P- OUT
= 50毫安
VDD = 10V ，
I
P- OUT
= 50毫安
VDD = 4.5V ，
I
P- OUT
= 50毫安
P_OUT = 0
CL = 10,000pF
P沟道输出
R
ON -P
驱动器输出电阻 - 拉
(SOT-23-6)
R
ON -P
(LLP-6)
I
LK -P
I
PK -P
驱动器输出电阻 - 拉
输出漏电流
峰源电流
逻辑输入
4
版权所有1999-2012 ，德州仪器
LM5114
符号
V
IH
参数
逻辑1输入电压
LM5114A
LM5114B
条件
民
0.67X
VDD
2.4
典型值
最大
单位
V
V
V
IL
逻辑0输入电压
LM5114A
LM5114B
0.33X
VDD
0.8
1.6
0.68
0.001
2.5
10
V
V
V
V
uA
pF
° C / W
° C / W
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
HYS
逻辑输入滞后
逻辑输入电流
LM5114A
LM5114B
INB = VDD或0
C
IN
输入电容
SOT-23-6
LLP-6
C
L
= 1000pF的
热阻
θ
JA
结到环境
90
60
8
45
82
3.2
7.5
12.5
LM5114A
LM5114B
LM5114A
LM5114B
5
6
5
6
12
12
12
12
2.5
C
L
= 1000pF的
t
R
上升时间
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
t
F
下降时间
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
t
D- ON
t
D- OFF
导通传播延迟
关断传播延迟
先开后合式时间
C
L
= 1000pF的
C
L
= 1000pF的
LM5114A
LM5114B
LM5114A
LM5114B
5
8
5
8
12
41
74
3.0
7.0
11.3
17
14
17
14
4.2
36
27
36
27
30
25
30
25
开关特性于VDD = + 10V
t
R
上升时间
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
t
F
下降时间
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
t
D- ON
t
D- OFF
导通传播延迟
关断传播延迟
先开后合式时间
开关特性于VDD = + 4.5V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 1000pF的
C
L
= 1000pF的
ns
ns
ns
ns
ns
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但并不保证特定性能极限。关于规范保证和条件，请参阅电气特性。
注2 ：
最小和最大限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计数据得以保证
质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
版权所有1999-2012 ，德州仪器
5
QQ：2881677436 复制
