LM5113
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SNVS725E - 2011年6月 - 修订2012年1月
LM5113 5A ， 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的
检查样品：
LM5113
1
特点
独立的高侧和低侧的TTL逻辑
输入
1.2A / 5A峰值源出/吸入电流
高侧浮动偏置电压轨运行起来
到100VDC
内部自举电源电压钳位
为可调的导通/关断裂输出
实力
0.6Ω/2.1Ω下拉/上拉电阻
快速传播时间（ 28ns典型值）
2
优秀的传播延迟匹配（ 1.5ns
典型）
电源轨欠压锁定
低功耗
典型应用
目前美联储推挽转换器
半桥和全桥转换器
同步降压转换器
双开关正激转换器
推进有源钳位转换器
描述
的LM5113设计用于驱动两高侧和低侧增强型氮化镓（ GaN）的
场效应晶体管在一个同步降压或半桥式结构。浮动高边驱动器能够驱动一对
高端增强型GaN FET工作高达100V 。使用时产生的高压侧的偏置电压
自举技术，并在内部被钳位在5.2V ，这防止了栅极电压超过
增强型GaN FET的最大栅极 - 源极电压额定值。该LM5113的输入是TTL逻辑
兼容，并能承受输入电压高达14V无论VDD电压。该LM5113已经分裂
门输出，提供了灵活调整的导通和关断的力量独立完成。
此外， LM5113的强吸收能力保持在低位状态下门，防止意外
导通开关期间。该LM5113可运行在高达几MHz 。的LM5113是在一个标准的可
LLP - 10引脚封装和12焊球micro SMD封装。该LLP - 10引脚封装中包含一个裸露焊盘
辅助散热。微型SMD封装提供了一个紧凑的占板面积和最小封装电感。
套餐
LLP- 10 （直径4 mm ×4mm）所
微型贴片（2毫米× 2mm）的
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2011-2012 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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典型用途
HB
UVLO
&钳
HOH
水平
移
HOL
HS
HI
VDD
UVLO
陆
大声笑
LI
VSS
图1 。
表1.真值表
HI
L
L
H
H
LI
L
H
L
H
HOH
开放
开放
H
H
HOL
L
L
开放
开放
陆
开放
H
开放
H
大声笑
L
开放
L
开放
接线图
VDD
HB
HOH
HOL
HS
1
2
3
4
5
10
9
陆
大声笑
VSS
LI
HI
LLP-10
8
7
6
裸露焊盘
2
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A
大声笑
VSS
VDD
LI
LI
VDD
VSS
大声笑
A
B
C
D
陆
HI
HI
陆
B
C
D
HS
VDD
VDD
HS
HOL
HOH
HB
HS
HS
HB
HOH
HOL
1
2
3
4
4
3
2
1
顶视图
凹凸面
图2.微型SMD
表2.引脚说明
引脚数
微型SMD
A3 ， C4
D3
(1)
名字
LLP-10
1
2
VDD
HB
描述
正5V栅极驱动电源
高侧栅极驱动器引导
轨
应用信息
本地使用低ESR / ESL去耦到VSS
电容尽可能靠近IC放置。
连接的自举的正端
电容11B和负极端子到的HS 。
自举电容应尽可能
靠近IC越好。
连接到高侧的GaN FET的栅极
总之，低电感的路径。栅极电阻可
用于调节导通速度。
连接到高侧的GaN FET的栅极
总之，低电感的路径。栅极电阻可
用于调节关断速度。
连接至自举电容的负
终端和高侧GaN构成的源
FET 。
该LM5113输入具有TTL类型的阈值。
未使用的输入应连接到地面，而不是
敞开。
该LM5113输入具有TTL类型的阈值。
未使用的输入应连接到地面，而不是
敞开。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧的GaN FET的与栅
一条短而低电感的路径。可以在栅极电阻
被用来调节所述关断速度。
连接到高侧的GaN FET的栅极
总之，低电感的路径。栅极电阻可
用于调节导通速度。
我们建议在裸露焊盘
包的底部被焊到接地
在PC板上平面以帮助散热。
D2
3
HOH
高侧栅极驱动器导通
产量
高侧栅极驱动器关断
产量
高侧FET的GaN源
连接
高侧驱动器的控制输入
D1
4
HOL
C1 ， D4
(2)
5
HS
B4
6
HI
A4
7
LI
低侧驱动器控制输入
A2
A1
8
9
VSS
大声笑
返回地
低侧栅极驱动器吸收电流
产量
低侧栅极驱动源 -
电流输出
裸露焊盘
B1
10
陆
EP
(1)
(2)
A3和C4 ， C1和D4的内部连接。
A3和C4 ， C1和D4的内部连接。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
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(1)
绝对最大额定值
VDD到VSS
HB到HS
李或HI输入
陆恭蕙， LOL输出
HOH ， HOL输出
HS到VSS
HB到VSS
HB到VDD
结温
存储温度范围
ESD额定值HBM
(1)
0.3V
至7V
0.3V
至7V
0.3V
至15V
0.3V
至VDD + 0.3V
V
HS
0.3V
到V
HB
+0.3V
5V
到+ 100V
0至107V
0至100V
+150°C
55°C
至+ 150°C
2千伏
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是在一定条件下
该装置的该操作被保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证
性能限制和相关的测试环境，请参阅电气特性表。
推荐工作条件
VDD
李或HI输入
HS
HB
HS摆率
结温
+ 4.5V至+ 5.5V
0V至+ 14V
5V
以100V
V
HS
+ 4V至V
HS
+5.5V
<50 V / ns的
40°C
至+ 125°C
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电气特性
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围为-40°C
至+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计数据得以保证。典型值
代表最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有
指定，V
DD
= V
HB
= 5V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LOL和HOL或HOH和HOL空载
(1)
.
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
V
IR
V
IF
V
IHYS
R
I
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
V
DL
V
DH
R
D
VDD静态电流
VDD工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到VSS电流，静态
HB到VSS电流，工作
输入电压阈值
输入电压阈值
输入电压滞后
输入下拉电阻
VDD上升阈值
VDD阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻
HB- HS钳
LOW &高边栅极驱动器
V
OL
V
OH
I
OHL
I
OLL
I
OHLK
I
OLLK
θ
JA
低电平输出电压
高电平输出电压
V
OH
= VDD - 陆或V
OH
= HB - HOH
峰源电流
峰值灌电流
高电平输出漏电流
低电平输出漏电流
结到环境
(2)
参数
条件
李= HI = 0V
F = 500千赫
李= HI = 0V
F = 500千赫
HS = HB = 100V
F = 500千赫
上升沿
下降沿
民
典型值
0.07
2.0
0.08
1.5
0.1
0.4
最大
0.1
3.0
0.1
2.5
8
1.0
2.18
1.76
300
4.5
3.9
单位
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
V
mV
k
V
V
V
V
输入引脚
1.89
1.48
100
3.2
2.5
2.06
1.66
400
200
3.8
0.2
3.2
0.2
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100毫安
调节电压
I
HOL
= I
大声笑
= 100毫安
I
HOH
= I
陆
= 100毫安
HOH ， LOH = 0V
HOL ， LOL = 5V
HOH ， LOH = 0V
HOL ， LOL = 5V
LLP-10
12焊球micro SMD
(1)
(2)
40
80
4.7
0.45
0.90
1.85
5.2
0.06
0.21
1.2
5
1.5
1.5
0.65
1.00
3.60
5.45
0.10
0.31
欠压保护
自举二极管
V
V
V
V
V
A
A
A
A
° C / W
° C / W
热阻
最小和最大限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过关联担保
利用统计质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
四层板与铜成品厚度为1.5 / 1/1 / 1.5盎司最大模具尺寸使用。铜迹线在PCB顶部5倍车身长度。 50 ×50毫米
接地和电源层嵌在PCB上。请参阅应用笔记AN- 1187 。
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