LM5112
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SNVS234B - 2004年9月 - 修订2006年4月
LM5112微小7A MOSFET栅极驱动器
检查样品：
LM5112
1
特点
复方CMOS和双极输出减少
输出电流的变化
7A片/ 3A电源电流
快速传播时间（ 25 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 14纳秒/ 12 ns上升/下降
与2 nF的负载）
反相和非反相输入提供
无论是配置一台设备
电源轨欠压锁定保护
专用输入接地（ IN_REF ）的拆分
电源或单电源供电
功率增强型6引脚WSON封装（ 3.0毫米
X 3.0毫米）或耐热增强型MSOP-
PowerPAD封装
输出摆幅FROM V
CC
到V
EE
其可以是
消极与输入地
描述
该LM5112 MOSFET栅极驱动器可提供高峰值
在微小的WSON -6封装的栅极驱动电流（ SOT-
23相当于足迹）或8引脚裸露焊盘
MSOP封装，具有完善的功耗
所需的高频操作。该化合物
输出驱动器级包括MOS和双极
并行工作的晶体管，它们一起下沉
比容性负载7A峰值更多。结合
MOS和双极的独特性
设备减少了驱动电流的变化与电压
和温度。欠压锁定保护
设置以防止损坏到MOSFET因
门不足的导通电压。该LM5112
同时提供了反相和非反相输入端
满足反相和非反相的要求
门驱动器与一个单一的设备类型。
2
框图
V
CC
UVLO
IN
水平
移
OUT
INB
IN_REF
V
EE
图1. LM5112的原理框图
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2004-2006 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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销刀豆网络gurations
IN
6
INB
IN_REF
1
8
N / C
1
INB
2
7
OUT
VEE
2
IN_REF
5
VEE
3
6
VCC
IN
4
5
N / C
VCC
3
4
OUT
图2. WSON - 6
引脚说明
针
WSON-6
1
2
3
4
5
MSOP-8
4
3
6
7
1
IN
VEE
VCC
OUT
IN_REF
非反相输入端子
电源接地的驱动器输出
正电源电压输入
栅极驱动输出
为控制输入的参考地
名字
描述
图3. MSOP - PowerPAD的- 8
应用信息
TTL兼容阈值。上拉至VCC时不使用。
连接至电源接地或负栅极驱动器
供应为正或负的电压摆幅。
本地去耦至VEE 。去耦电容应
位于靠近芯片。
可灌3A和7A沉没的。的电压摆幅
这个输出是从VEE至VCC。
连接到电源地（ VEE ）为标准正只
输出电压摆幅。连接到系统逻辑地时
VEE连接到一个负的栅极驱动电源。
TTL兼容阈值。当连接到IN_REF不
使用。
内部键合到管芯基板。连接到VEE
接地引脚为低的热阻抗。
6
---
---
2
5, 8
---
INB
N / C
裸露
PAD
相输入引脚
没有内部连接
裸露焊盘，封装的底部
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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绝对最大额定值
(1) (2)
V
CC
到V
EE
V
CC
到IN_REF
IN / INB为IN_REF
IN_REF到V
EE
存储温度范围
最高结温
工作结温
ESD额定值
(1)
(2)
0.3V
至15V
0.3V
至15V
0.3V
至15V
0.3V
至5V
55°C
至+ 150°C
+150°C
40°C+125°C
2kV
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是在什么条件下
在装置的操作旨在是功能。为保证规范和测试环境，请参阅电气特性。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
电气特性
T
J
=
40°C
至+ 125°C ，V
CC
= 12V ， INB = IN_REF = V
EE
= 0V时，就输出无负载，除非另有规定。
符号
供应
V
CC
UVLO
V
CCH
I
CC
V
IH
V
IL
V
THH
V
THL
HYS
I
IL
I
IH
R
OH
R
OL
I
来源
I
SINK
(1)
V
CC
工作范围
V
CC
欠压锁定（上升）
V
CC
欠压滞后
V
CC
电源电流
逻辑高
逻辑低
高门槛
低门槛
输入滞后
输入电流低
输入电流高
输出电阻高
输出电阻低
峰源电流
峰值灌电流
IN = INB = 0V
IN = INB = V
CC
I
OUT
= -10mA
(1)
I
OUT
= 10毫安
(1)
参数
条件
V
CC
- IN_REF和V
CC
- V
EE
V
CC
- IN_REF
民
3.5
2.4
典型值
最大
14
单位
V
V
mV
mA
V
3.0
230
1.0
3.5
2.0
控制输入
2.3
0.8
1.3
0.8
-1
-1
1.75
1.35
400
0.1
0.1
30
1.4
3
7
1
1
50
2.5
2.3
2.0
V
V
V
mV
A
A
A
A
输出驱动器
OUT = V
CC
/ 2 ， 200ns的脉冲电流
OUT = V
CC
/ 2 ， 200ns的脉冲电流
输出电阻规格仅适用于MOS器件。总的输出电流的能力是在MOS的总和与
双极型器件。
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电气特性（续）
T
J
=
40°C
至+ 125°C ，V
CC
= 12V ， INB = IN_REF = V
EE
= 0V时，就输出无负载，除非另有规定。
符号
td1
td2
tr
tf
参数
传播延迟时间从低到高，
IN / INB上升（IN与OUT ）
传播延迟时间高后低，
IN / INB下降（IN与OUT ）
上升时间
下降时间
条件
C
负载
= 2 nF的，看
图4
和
图5
C
负载
= 2 nF的，看
图4
和
图5
C
负载
= 2 nF的，看
图4
和
图5
C
负载
= 2 nF的，看
图4
和
图5
T
J
= 150°C
WSON -6封装
MSOP- PowerPAD封装
WSON -6封装
MSOP- PowerPAD封装
民
典型值
25
25
14
12
最大
40
40
单位
ns
ns
ns
ns
开关特性
闭锁保护
AEC -Q100 ，方法004
热阻
θ
JA
θ
JC
结到环境，
0 LFPM空气流量
结到外壳
40
60
7.5
4.7
° C / W
° C / W
500
mA
时序波形
50%
INB
50%
IN
50%
50%
t
D1
产量
t
D2
90%
t
D1
90%
t
D2
产量
10%
10%
t
f
t
r
t
r
t
f
图4.反相
图5.非反相
4
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典型性能特性
电源电流
vs
频率
100
V
CC
= 15V
F = 500kHz的
100
电源电流
vs
容性负载
电源电流（mA ）
10
V
CC
= 10V
电源电流（mA ）
10
F = 100KHz的
1
F = 10kHz的
T
A
= 25°
C
V
CC
= 12V
0.1
1
V
CC
= 5V
T
A
= 25°
C
0.1
1
C
L
= 2200pF
10
100
1000
100
1k
容性负载（PF ）
10k
频率（kHz ）
图6 。
上升和下降时间
vs
电源电压
20
T
A
= 25°
C
18
C
L
= 2200pF
图7 。
上升和下降时间
vs
温度
18
V
CC
= 12V
16
C
L
= 2200pF
t
r
时间（纳秒）
时间（纳秒）
16
t
r
14
t
f
12
14
t
f
12
10
10
4
5 6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
电源电压（ V）
8
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175
温度（ δ
C)
网络连接gure 8 。
上升和下降时间
vs
容性负载
32.5
图9 。
延迟时间
vs
电源电压
50
T
A
= 25°
C
40
V
CC
= 12V
30
t
D2
27.5
时间（纳秒）
t
r
20
t
f
10
时间（纳秒）
30
25
t
D1
22.5
20
17.5
T
A
= 25°
C
C
L
= 2200pF
0
100
1k
容性负载（PF ）
10k
4
6
8
10
12
14
16
电源电压（ V）
网络连接gure 10 。
图11 。
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5
QQ：2881677436 复制
