LM5112微小7A MOSFET栅极驱动器
2004年10月
LM5112
微小7A MOSFET栅极驱动器
概述
该LM5112 MOSFET栅极驱动器可提供高的峰值门
驱动电流，在很小的LLP -6封装（ SOT23相当于
足迹）与改进的封装功耗要求
对于高频操作。复合输出驱动器
阶段包括MOS和经营双极晶体管
并联一起比电容7A峰值更沉
负载。 MOS相结合的独特的特点和
双极型器件降低了驱动电流的变化与电压
和温度。欠压锁定保护是亲
单元提供了防止损伤的MOSFET由于没有足够的
栅极导通电压。该LM5112提供了反相
及非反相输入端，以满足用于反相要求
及非反相栅极驱动器的单个设备类型。
特点
n
复方CMOS和双极输出减少产量
电流变化
n
7A片/ 3A电源电流
n
快速传播时间（ 25 ns典型）
n
快速的上升和下降时间（ 14纳秒/ 12 ns上升/下降与2 nF的
负载）
n
反相和非反相输入端可观看
用单个设备配置
n
电源轨欠压锁定保护
n
专用输入地（ IN_REF ）的分离电源或
单电源供电
n
功率增强型6引脚LLP封装（ 3.0毫米X 3.0毫米）
n
输出摆幅FROM V
CC
到V
EE
其可以是负
相对于输入地
框图
20066801
LM5112的原理框图
2004美国国家半导体公司
DS200668
www.national.com
LM5112
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
到V
EE
V
CC
到IN_REF
IN / INB为IN_REF
-0.3V至15V
-0.3V至15V
-0.3V至15V
IN_REF到V
EE
存储温度范围
最高结温
工作结温
ESD额定值
-0.3V至5V
-55 ° C至+ 150°C
+150C
40C+125C
2kV
电气特性
放，除非另有规定。
符号
供应
V
CC
UVLO
V
CCH
I
CC
V
IH
V
IL
HYS
I
IL
I
IH
R
OH
R
OL
I
来源
I
SINK
V
CC
工作范围
参数
T
J
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CC
= 12V ， INB = IN_REF = V
EE
= 0V ，在输出空载
条件
V
CC
- IN_REF和V
CC
- V
EE
V
CC
- IN_REF
民
3.5
2.4
3.0
230
1.0
1.75
0.8
IN = INB = 0V
IN = INB = V
CC
I
OUT
= -10mA
I
OUT
= 10毫安
OUT = V
CC
/ 2 ， 200ns的脉冲
当前
OUT = V
CC
/ 2 ， 200ns的脉冲
当前
C
负载
= 2 nF的，看
科幻gure 3
-1
-1
1.35
400
0.1
0.1
30
1.4
3
7
1
1
50
2.5
2.0
2.3
典型值
最大
14
3.5
单位
V
V
mV
mA
V
V
mV
A
A
A
A
V
CC
欠压锁定（上升）
V
CC
欠压滞后
V
CC
电源电流
逻辑高
逻辑低
输入滞后
输入电流低
输入电流高
输出电阻高
输出电阻低
峰源电流
峰值灌电流
控制输入
输出驱动器
开关特性
td1
传播延迟时间从低到
高，
IN / INB上升（IN与OUT ）
传播延迟时间高到
低，
IN / INB下降（IN与OUT ）
上升时间
下降时间
AEC -Q100 ，方法004
25
40
ns
td2
C
负载
= 2 nF的，看
科幻gure 3
25
40
ns
tr
tf
C
负载
= 2 nF的，看
科幻gure 3
C
负载
= 2 nF的，看
科幻gure 3
T
J
= 150C
14
12
500
ns
ns
mA
闭锁保护
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据该装置的操作条件
旨在是功能性。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
3
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LM5112微小7A MOSFET栅极驱动器
2004年10月
LM5112
微小7A MOSFET栅极驱动器
概述
该LM5112 MOSFET栅极驱动器可提供高的峰值门
驱动电流，在很小的LLP -6封装（ SOT23相当于
足迹）与改进的封装功耗要求
对于高频操作。复合输出驱动器
阶段包括MOS和经营双极晶体管
并联一起比电容7A峰值更沉
负载。 MOS相结合的独特的特点和
双极型器件降低了驱动电流的变化与电压
和温度。欠压锁定保护是亲
单元提供了防止损伤的MOSFET由于没有足够的
栅极导通电压。该LM5112提供了反相
及非反相输入端，以满足用于反相要求
及非反相栅极驱动器的单个设备类型。
特点
n
复方CMOS和双极输出减少产量
电流变化
n
7A片/ 3A电源电流
n
快速传播时间（ 25 ns典型）
n
快速的上升和下降时间（ 14纳秒/ 12 ns上升/下降与2 nF的
负载）
n
反相和非反相输入端可观看
用单个设备配置
n
电源轨欠压锁定保护
n
专用输入地（ IN_REF ）的分离电源或
单电源供电
n
功率增强型6引脚LLP封装（ 3.0毫米X 3.0毫米）
n
输出摆幅FROM V
CC
到V
EE
其可以是负
相对于输入地
框图
20066801
LM5112的原理框图
2004美国国家半导体公司
DS200668
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LM5112
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
到V
EE
V
CC
到IN_REF
IN / INB为IN_REF
-0.3V至15V
-0.3V至15V
-0.3V至15V
IN_REF到V
EE
存储温度范围
最高结温
工作结温
ESD额定值
-0.3V至5V
-55 ° C至+ 150°C
+150C
40C+125C
2kV
电气特性
放，除非另有规定。
符号
供应
V
CC
UVLO
V
CCH
I
CC
V
IH
V
IL
HYS
I
IL
I
IH
R
OH
R
OL
I
来源
I
SINK
V
CC
工作范围
参数
T
J
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CC
= 12V ， INB = IN_REF = V
EE
= 0V ，在输出空载
条件
V
CC
- IN_REF和V
CC
- V
EE
V
CC
- IN_REF
民
3.5
2.4
3.0
230
1.0
1.75
0.8
IN = INB = 0V
IN = INB = V
CC
I
OUT
= -10mA
I
OUT
= 10毫安
OUT = V
CC
/ 2 ， 200ns的脉冲
当前
OUT = V
CC
/ 2 ， 200ns的脉冲
当前
C
负载
= 2 nF的，看
科幻gure 3
-1
-1
1.35
400
0.1
0.1
30
1.4
3
7
1
1
50
2.5
2.0
2.3
典型值
最大
14
3.5
单位
V
V
mV
mA
V
V
mV
A
A
A
A
V
CC
欠压锁定（上升）
V
CC
欠压滞后
V
CC
电源电流
逻辑高
逻辑低
输入滞后
输入电流低
输入电流高
输出电阻高
输出电阻低
峰源电流
峰值灌电流
控制输入
输出驱动器
开关特性
td1
传播延迟时间从低到
高，
IN / INB上升（IN与OUT ）
传播延迟时间高到
低，
IN / INB下降（IN与OUT ）
上升时间
下降时间
AEC -Q100 ，方法004
25
40
ns
td2
C
负载
= 2 nF的，看
科幻gure 3
25
40
ns
tr
tf
C
负载
= 2 nF的，看
科幻gure 3
C
负载
= 2 nF的，看
科幻gure 3
T
J
= 150C
14
12
500
ns
ns
mA
闭锁保护
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据该装置的操作条件
旨在是功能性。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
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