LM5111
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SNVS300F - 2004年7月 - 修订2011年5月
LM5111双通道5A复合门驱动器
检查样品：
LM5111
1
特点
独立驱动两个N沟道
MOSFET的
复方CMOS和双极输出减少
输出电流的变化
汇5A / 3A源电流能力
两个通道可以并行连接到
双倍的驱动电流
独立输入（ TTL兼容）
快速传播时间（ 25 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 14纳秒/ 12 ns上升/下降
与2 nF的负载）
可在双非反相，双反相
和组合配置
电源轨欠压锁定保护
（ UVLO ）
LM5111-4 UVLO配置为驱动PFET
穿过OUT_B OUT_A和NFET
引脚兼容工业标准门
DRIVERS
描述
该LM5111双栅极驱动器替代产业
改进的峰值输出标准栅极驱动器
电流和效率。每一个“复合型”输出驱动器
阶段包括MOS和双极型晶体管工作
并联一起下沉超过5A峰值从
电容式
负载。
结合
该
独特
MOS的特性和双极型器件降低
驱动电流的变化与电压和温度。
欠压锁定保护也被提供。
该驱动器可与输入并联运行
连接输出增加一倍的驱动电流
能力。该设备是在SOIC两种封装
封装或耐热增强型封装VSSOP 。
2
典型应用
同步整流器栅极驱动器
开关模式电源闸极驱动器
电磁阀和电机驱动器
套餐
SOIC
耐热增强型VSSOP
接线图
NC
1
8
NC
IN_A
2
7
OUT A
VEE
3
6
VCC
IN_B
4
5
OUT_B
图1. 8引脚SOIC或VSSOP
见D或DGN0008A套餐
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2004-2011 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
IN_A
VEE
IN_B
OUT_B
VCC
OUT_A 。
NC
名字
无连接
“A”端控制输入
两个输入的参考地和
输出
'B'端控制输入
输出为' B'侧驱动器。
正输出电源
输出为'A'侧驱动器。
无连接
EP （ VSSOP包）
所以建议上的底部露出焊盘
包被焊接到接地平面上的印刷电路板，以帮助
热耗散。
TTL兼容阈值。
连接到电源地。
TTL兼容阈值。
此输出电压摆幅为VCC至VEE 。输出
现阶段可输出3A和5A下沉的。
本地去耦至VEE
.
此输出电压摆幅为VCC至VEE 。输出
现阶段可输出3A和5A下沉的。
描述
应用信息
配置表
产品型号
LM5111-1M/-1MX/-1MY/-1MYX
LM5111-2M/-2MX/-2MY/-2MYX
LM5111-3M/-3MX/-3MY/-3MYX
LM5111-4M/-4MX/-4MY/-4MYX
“A”输出配置
非反相（在低UVLO ）
反相（低中UVLO ）
反相（低中UVLO ）
反相（高UVLO ）
“B”输出配置
非反相（在低UVLO ）
反相（低中UVLO ）
非反相（在低UVLO ）
非反相（在低UVLO ）
包
SOIC ， VSSOP
SOIC ， VSSOP
SOIC ， VSSOP
SOIC ， VSSOP
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
V
CC
到V
EE
IN至V
EE
存储温度范围， （T
英镑
)
最高结温， （T
J
（最大值） ）
工作结温
ESD额定值
(1)
(2)
0.3V
至15V
0.3V
至15V
55°C
至+ 150°C
+150°C
+125°C
2kV
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是在什么条件下
在装置的操作旨在是功能。关于规范保证和测试环境，请参阅
电气特性。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
2
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电气特性
T
J
=
40°C
至+ 125°C ，V
CC
= 12V, V
EE
= 0V时，就OUT_A或OUT_B无负载，除非另有规定。
符号
V
CCR
V
CCH
I
CC
V
CC
电源电流（I
CC
)
控制输入
V
IH
V
IL
V
THH
V
THL
HYS
I
IL
I
IH
输入电流高
逻辑高
逻辑低
高门槛
低门槛
输入滞后
输入电流低
IN_A = IN_B = V
CC
(5111-1-2-3)
IN_B = V
CC
(5111-3)
IN_A = IN_B = V
CC
(5111-2)
IN_A = IN_B = V
CC
(5111-1)
IN_A = V
CC
(5111-3)
输出驱动器
R
OH
R
OL
I
来源
I
SINK
输出电阻高
输出电阻低
峰源电流
峰值灌电流
I
OUT
=
10
mA
(1)
I
OUT
= + 10毫安
(1)
OUTA / OUTB = V
CC
/2,
200纳秒脉冲电流
OUTA / OUTB = V
CC
/2,
200纳秒脉冲电流
C
负载
= 2 nF的
SEE
图2
和
科幻gure 3
C
负载
= 2 nF的
SEE
图2
和
科幻gure 3
C
负载
= 2 nF的
SEE
图2
和
科幻gure 3
C
负载
= 2 nF的
SEE
图2
和
科幻gure 3
T
J
= 150°C
SOIC封装
VSSOP包装
SOIC封装
VSSOP包装
30
1.4
3
5
50
2.5
Ω
Ω
A
A
1
10
1
10
-1
1.3
0.8
1.75
1.35
400
0.1
18
0.1
18
0.1
1
25
1
25
1
A
2.2
0.8
2.2
2.0
V
V
V
V
mV
参数
V
CC
工作范围
V
CC
欠压锁定
迟滞
IN_A IN_B = = 0V （ 5111-1 ）
IN_A = IN_B = V
CC
(5111-2)
IN_A = V
CC
， IN_B = 0V （ 5111-3 ）
V
CC
V
EE
V
CC
欠压锁定（上升）V
CC
V
EE
条件
民
3.5
2.3
2.9
230
1
1
1
2
2
2
mA
典型值
最大
14
3.5
单位
V
V
mV
开关特性
td1
td2
t
r
t
f
传播延迟时间从低到
高，瑞星（IN与OUT ）
传播延迟时间高到
低，在属于（IN与OUT ）
上升时间
下降时间
25
25
14
12
40
40
25
25
ns
ns
ns
ns
闭锁保护
AEC - Q100 ，方法004
热阻
θ
JA
θ
JC
结到环境，
0 LFPM空气流量
结到外壳
170
60
70
4.7
° C / W
° C / W
500
mA
(1)
输出电阻规格仅适用于MOS器件。总的输出电流的能力是在MOS的总和与
双极型器件。
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时序波形
50%
输入
50%
输入
50%
50%
产量
t
D1
t
D2
90%
t
D1
90%
t
D2
产量
10%
10%
t
f
t
r
t
r
t
f
图2.反相
图3.非反相
4
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典型性能特性
电源电流与频率
100
V
CC
= 15V
1000
T
A
= 25°
C
V
CC
= 12V
供应电流与容性负载
电源电流（mA ）
电源电流（mA ）
F = 500kHz的
100
10
V
CC
= 10V
10
F = 100KHz的
1
V
CC
= 5V
1
F = 10kHz的
0.1
100
T
A
= 25°
C
C
L
= 2200pF
0.1
1
10
100
1000
1k
容性负载（PF ）
10k
频率（kHz ）
图4中。
上升和下降时间与电源电压
20
T
A
= 25°
C
C
L
= 2200pF
18
18
20
V
CC
= 12V
C
L
= 2200pF
图5中。
上升和下降时间与温度
t
r
时间（纳秒）
t
r
14
时间（纳秒）
16
16
14
t
f
12
t
f
12
10
4
5 6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
10
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175
电源电压（ V）
温度（ δ
C)
图6 。
上升和下降时间与容性负载
50
T
A
= 25°
C
V
CC
= 12V
40
30
27.5
32.5
T
A
= 25°
C
C
L
= 2200pF
图7 。
延迟时间与电源电压
时间（纳秒）
30
t
r
20
t
f
时间（纳秒）
t
D2
25
22.5
t
D1
20
17.5
10
0
100
1k
容性负载（PF ）
10k
4
6
8
10
12
14
16
电源电压（ V）
网络连接gure 8 。
图9 。
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