LM5110双通道5A复合门驱动器，提供负输出电压能力
2003年10月
LM5110
双通道5A复合门驱动器，负输出
电压能力
概述
该LM5110双栅极驱动器取代行业标准
具有改善的峰值输出电流，并艾菲栅极驱动器
效率。每个“化合物”输出驱动级包括MOS
和双极型晶体管并联运行，它们一起下沉
比容性负载5A峰值更多。结合
的MOS和双极型器件降低了独有的特色
驱动电流的变化与电压和温度。另行
速率的输入和输出接地引脚提供负驱动
能力允许用户以驱动MOSFET的栅极与
正和负的VGS电压。栅极驱动器控制
输入被引用到一个专用的输入地（ IN_REF ） 。
从V栅极驱动器输出摆幅
CC
到输出接地
V
EE
其可以是负的相对于IN_REF 。该
与负电压VGS持有MOSFET栅极关能力
驱动低阈值电压时的年龄降低损失
的MOSFET通常用作同步整流器。当driv-
荷兰国际集团与常规正只栅极电压时， IN_REF
和V
EE
管脚连接在一起，并参照一个
共同点。欠压锁定保护和
关断输入引脚还提供。这些驱动器可
并行操作与连接到输入和输出
双倍的驱动电流能力。此设备可
采用SOIC - 8和耐热增强型LLP - 10封装。
n
汇5A / 3A源电流能力
n
两个通道可以并行两倍的连接
驱动电流
n
独立输入（ TTL兼容）
n
快速传播时间（ 25 ns典型）
n
快速的上升和下降时间（ 14纳秒/ 12 ns上升/下降与2 nF的
负载）
n
专用输入接地引脚（ IN_REF ）的分离电源或
单电源供电
n
输出摆幅从V
CC
到V
EE
其可以是负
相对于输入地
n
可在双非反相，双反相和
组合配置
n
关断输入提供低功耗模式
n
电源轨欠压锁定保护
n
引脚输出行业标准栅极驱动器兼容
典型应用
n
n
n
n
同步整流器栅极驱动器
开关模式电源闸极驱动器
电磁阀和电机驱动器
电源电平转换器
特点
n
独立驱动两个N沟道MOSFET
n
复方CMOS和双极输出减少产量
电流变化
包
n
SOIC-8
n
LLP- 10 （直径4 mm ×4mm）所
订购信息
订单号
LM5110-1 / 2/ 3米
LM5110-1 / 2/3 MX
LM5110-1 / 2/3 SD
LM5110-1 / 2/3 SDX
套餐类型
SOIC-8
SOIC-8
LLP-10
LLP-10
NSC封装图
M08A
M08A
SDC10A
SDC10A
供货方式
运防静电台
2500运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
4500运胶带&卷轴
2003美国国家半导体公司
DS200792
www.national.com
LM5110
绝对最大额定值
（注1 ）
IN_REF到V
EE
存储温度范围， （T
英镑
)
最高结温，
(T
J
（最大值） ）
工作结温
ESD额定值
-0.3V至5V
-55 ° C至+ 150°C
+150C
+125C
2kV
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
到V
EE
V
CC
到IN_REF
IN至IN_REF ， nSHDN到IN_REF
-0.3V至15V
-0.3V至15V
-0.3V至15V
电气特性
T
J
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CC
= 12V, V
EE
IN_REF = = 0V ， nSHDN = V
CC
上OUT_A或OUT_B空载，除非另有
指定的。
符号
V
CCR
V
CCH
I
CC
参数
V
CC
工作范围
V
CC
欠压锁定
（上升）
V
CC
欠压锁定
迟滞
V
CC
电源电流（I
CC
)
IN_A IN_B = = 0V （ 5110-1 ）
IN_A = IN_B = V
CC
(5110-2)
IN_A = V
CC
， IN_B = 0V
(5110-3)
I
CCSD
V
IH
V
IL
HYS
I
IL
I
IH
V
CC
关断电流（I
CC
)
逻辑高
逻辑低
输入滞后
输入电流低
输入电流高
IN_A = IN_B = V
CC
(5110-1-2-3)
IN_A = IN_B = V
CC
(5110-1)
IN_A = IN_B = V
CC
(5110-2)
IN_A = V
CC
(5110-3)
IN_B = V
CC
(5110-3)
关断输入
ISD
VSDR
VSDH
R
OH
R
OL
I
来源
I
SINK
上拉电流
关断阈值
关机迟滞
输出电阻高
输出电阻低
峰源电流
峰值灌电流
I
OUT
= -10毫安
I
OUT
= + 10毫安
OUTA / OUTB = V
CC
/2,
200纳秒脉冲电流
OUTA / OUTB = V
CC
/2,
200纳秒脉冲电流
nSHDN = 0 V
nSHDN上升
0.8
18
1.5
165
30
1.4
3
5
50
2.5
25
2.2
A
V
mV
A
A
1
10
1
-1
10
0.8
nSHDN = 0V
控制输入
1.75
1.35
400
0.1
18
0.1
0.1
18
1
25
1
1
25
A
2.2
V
V
mV
条件
V
CC
-IN_REF和V
CC
V
EE
V
CC
-IN_REF
民
3.5
2.3
2.9
230
1
1
1
18
2
2
2
25
A
mA
典型值
最大
14
3.5
单位
V
V
mV
输出驱动器
5
www.national.com
LM5110
www.ti.com
SNVS255A - 2004年5月 - 修订2004年5月
LM5110双通道5A复合门驱动器，提供负输出电压能力
检查样品：
LM5110
1
特点
独立驱动两个N沟道
MOSFET的
复方CMOS和双极输出减少
输出电流的变化
汇5A / 3A源电流能力
两个通道可以并行连接到
双倍的驱动电流
独立输入（ TTL兼容）
快速传播时间（ 25 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 14纳秒/ 12 ns上升/下降
与2 nF的负载）
专用输入接地引脚（ IN_REF ）的拆分
电源或单电源供电
输出摆幅从V
CC
到V
EE
其可以是
消极与输入地
可在双非反相，双反相
和组合配置
关断输入提供低功耗模式
电源轨欠压锁定保护
引脚输出兼容行业标准
栅极驱动器
包
SOIC-8
WSON -10 （直径4 mm ×4mm）所
2
描述
该LM5110双栅极驱动器替代产业
改进的峰值输出标准栅极驱动器
电流和效率。每一个“复合型”输出驱动器
阶段包括MOS和双极型晶体管工作
并联一起下沉超过5A峰值从
电容式
负载。
结合
该
独特
MOS的特性和双极型器件降低
驱动电流的变化与电压和温度。
独立的输入和输出接地引脚提供
负驱动能力，允许用户以驱动
MOSFET栅极具有正面和负面的VGS
电压。栅极驱动器的控制输入是
引用到一个专用的输入地（ IN_REF ） 。
从V栅极驱动器输出摆幅
CC
到输出
地面V
EE
其可以是负的相对于
IN_REF 。用一个抱MOSFET栅极关的能力
驾驶时负VGS电压降低损失
低阈值电压的MOSFET通常用作
同步
整流器。
当
主动
同
常规正只栅极电压时， IN_REF
和V
EE
管脚连接在一起，并引用
一个共同点。欠压锁定
保护和关断输入引脚也
提供的。该驱动器可并行工作与
输入和输出连接至驱动器的两倍
电流的能力。此装置是在现有的
SOIC- 8和热增强WSON -10
包。
典型应用
同步整流器栅极驱动器
开关模式电源闸极驱动器
电磁阀和电机驱动器
电源电平转换器
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM5110
SNVS255A - 2004年5月 - 修订2004年5月
www.ti.com
销刀豆网络gurations
IN_REF
1
8
SHDN
1
10
IN_REF
SHDN
2
IN_A
7
IN_A
OUT A
V
EE
2
9
OUT A
3
8
V
CC
V
EE
3
6
V
CC
IN_B
4
7
OUT_B
IN_B
4
5
5
OUT_B
NC
6
NC
图1. SOIC-8
图2. WSON - 10
NC - 不连接
框图
V
CC
18A
UVLO
IN_REF
SHDN
OUT_A
IN_A
水平
移
V
EE
V
CC
IN_B
水平
移
IN_REF
OUT_B
V
EE
图3 LM5110的原理框图
2
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LM5110
版权所有 2004年，德州仪器
LM5110
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SNVS255A - 2004年5月 - 修订2004年5月
典型用途
V
IN
V
OUT
+10V
V
CC
+5V
LM5110-1
V
CC
LM5110-1
LM5025
调节器
OUT_A
IN_A
IN_REF
V
EE
OUT_B
IN_B
OUT_B
IN_REF
V
EE
FB
OUT_B
IN_B
OUT_A
IN_A
OUT_A
V
EE
V
EE
-3V
单电源
&并联输入
和产出
双电源
利用负
输出电压
DRIVE
图4.简化的电源转换器采用同步整流
负关断栅极电压
引脚说明
针
描述
SOIC-8
1
WSON-10
1
IN_REF
为控制地面参考
输入
“A”端控制输入
该驱动程序的电源地
输出
'B'端控制输入
输出为' B'侧驱动器。
正电源
输出为'A'侧驱动器。
关断输入引脚
连接到V
EE
标准只有正输出电压
摆动。连接到系统逻辑接地参考
正，负输出电压摆幅。
TTL兼容阈值。
连接至电源接地或负栅极驱动器
供应量。
TTL兼容阈值。
可灌3A和5A沉没的。的电压摆幅
这个输出是从V
CC
到V
EE
.
本地去耦到V
EE
和IN_REF 。
可灌3A和5A沉没的。的电压摆幅
这个输出是从V
CC
到V
EE
.
低于1.5V拉来激活低功耗关断模式。
名字
描述
应用信息
2
3
4
5
6
7
8
2
3
4
7
8
9
10
IN_A
V
EE
IN_B
OUT_B
V
CC
OUT_A 。
nShDn
版权所有 2004年，德州仪器
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LM5110
3
LM5110
SNVS255A - 2004年5月 - 修订2004年5月
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配置表
产品型号
LM5110-1M
LM5110-2M
LM5110-3M
LM5110-1SD
LM5110-2SD
LM5110-3SD
“A”输出配置
非反相
反相
反相
非反相
反相
反相
“B”输出配置
非反相
反相
非反相
非反相
反相
非反相
SOIC- 8
SOIC- 8
SOIC- 8
WSON-10
WSON-10
WSON-10
包
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
V
CC
到V
EE
V
CC
到IN_REF
IN至IN_REF ， nSHDN到IN_REF
IN_REF到V
EE
存储温度范围，T
英镑
最高结温，T
J
（最大）
工作结温
ESD额定值
(1)
(2)
0.3V
至15V
0.3V
至15V
0.3V
至15V
0.3V
至5V
55°C
至+ 150°C
+150°C
+125°C
2kV
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是在什么条件下
在装置的操作旨在是功能。为保证规范和测试环境，请参阅电气特性。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
电气特性
T
J
=
40°C
至+ 125°C ，V
CC
= 12V, V
EE
IN_REF = = 0V ， nSHDN = V
CC
上OUT_A或OUT_B空载，除非另有
指定的。
符号
V
CCR
V
CCH
I
CC
参数
V
CC
工作范围
V
CC
欠压锁定
迟滞
V
CC
电源电流（I
CC
)
IN_A IN_B = = 0V （ 5110-1 ）
IN_A = IN_B = V
CC
(5110-2)
IN_A = V
CC
， IN_B = 0V
(5110-3)
I
CCSD
V
IH
V
IL
HYS
I
IL
I
IH
V
CC
关断电流（I
CC
)
逻辑高
逻辑低
输入滞后
输入电流低
输入电流高
IN_A = IN_B = V
CC
(5110-1-2-3)
IN_A = IN_B = V
CC
(5110-1)
IN_A = IN_B = V
CC
(5110-2)
IN_A = V
CC
(5110-3)
IN_B = V
CC
(5110-3)
关断输入
ISD
4
上拉电流
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产品文件夹链接：
LM5110
nSHDN = 0 V
18
25
A
1
10
1
-1
10
0.8
nSHDN = 0V
控制输入
1.75
1.35
400
0.1
18
0.1
0.1
18
1
25
1
1
25
A
2.2
V
V
mV
条件
V
CC
-IN_REF
和V
CC
V
EE
民
3.5
2.3
2.9
230
1
1
1
18
2
2
2
25
A
mA
典型值
最大
14
3.5
单位
V
V
mV
V
CC
欠压锁定（上升）V
CC
-IN_REF
版权所有 2004年，德州仪器
LM5110
www.ti.com
SNVS255A - 2004年5月 - 修订2004年5月
电气特性（续）
T
J
=
40°C
至+ 125°C ，V
CC
= 12V, V
EE
IN_REF = = 0V ， nSHDN = V
CC
上OUT_A或OUT_B空载，除非另有
指定的。
符号
VSDR
VSDH
R
OH
R
OL
I
来源
I
SINK
参数
关断阈值
关机迟滞
输出电阻高
输出电阻低
峰源电流
峰值灌电流
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= + 10毫安
OUTA / OUTB = V
CC
/2,
200纳秒脉冲电流
OUTA / OUTB = V
CC
/2,
200纳秒脉冲电流
C
负载
= 2 nF的，看
图6
C
负载
= 2 nF的，看
图6
C
负载
= 2.0 nF的，看
图6
C
负载
= 2 nF的，看
图6
T
J
= 150°C
条件
nSHDN上升
民
0.8
典型值
1.5
165
30
1.4
3
5
50
2.5
最大
2.2
单位
V
mV
Ω
Ω
A
A
输出驱动器
开关特性
td1
td2
t
r
t
f
传播延迟时间从低到
高，瑞星（IN与OUT ）
传播延迟时间高到
低，在属于（IN与OUT ）
上升时间
下降时间
AEC - Q100 ，方法004
25
25
14
12
500
40
40
25
25
ns
ns
ns
ns
mA
闭锁保护
时序波形
50%
输入
50%
输入
50%
50%
产量
t
D1
t
D2
90%
t
D1
90%
t
D2
产量
10%
10%
t
f
t
r
t
r
t
f
(a)
(b)
图5.反相时序波形
图6.非反相时序波形
版权所有 2004年，德州仪器
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LM5110
5
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