LM5107 100V / 1.4A峰值半桥栅极驱动器
2005年2月
LM5107
100V / 1.4A峰值半桥栅极驱动器
概述
该LM5107是一款低成本，高电压栅极驱动器，设计
来驱动高侧和低侧N沟道
MOSFET的同步降压或半桥的配置
化。浮动高边驱动器能够与工作
铁路电压高达100V 。的输出是独立地
控制与TTL兼容的输入阈值。在英特
磨碎的芯片上的高电压二极管被提供给充电
高边栅极驱动器自举电容。一个强大的电平转换器
科技工作在高转速，而功耗低
功率和提供清洁电平转换与控制
输入逻辑的高侧栅极驱动器。欠压锁定
被设置在两个低侧和高侧功率
轨。该器件可在SOIC - 8和热
增强LLP - 8封装。
n
n
n
n
n
n
n
n
集成自举二极管
自举电源电压118V DC
快速传播时间（ 27 ns典型）
驱动1000pF的负载15ns的上升和下降时间
优秀的传播延迟匹配（ 2 ns典型）
电源轨欠压锁定
低功耗
引脚兼容ISL6700
典型应用
n
n
n
n
目前美联储推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
两个开关正激电源转换器
特点
n
驱动器都包含一个高边和低边N沟道
MOSFET
n
高的峰值输出电流（ 1.4A片/ 1.3A源）
n
独立的TTL兼容的输入
包
n
SOIC-8
n
LLP- 8 （直径4 mm ×4mm）所
简化的框图
20130001
图1 。
2005美国国家半导体公司
DS201300
www.national.com
LM5107
连接图
20130002
20130003
图2中。
订购信息
订购数量
LM5107MA
LM5107MAX
LM5107SD
LM5107SDX
套餐类型
SOIC-8
SOIC-8
LLP-8
LLP-8
NSC封装图
M08A
M08A
SDC08A
SDC08A
供货方式
运防静电导轨
2500运胶带&卷轴
1000年出货量为&带卷
4500运胶带&卷轴
引脚说明
针＃
SO-8
1
2
3
4
5
6
7
8
LLP-8
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DD
HI
LI
V
SS
LO
HS
HO
HB
描述
正栅极驱动电源
高端控制输入
低压侧控制输入
接地参考
低侧栅极驱动器输出
高边源连接
高侧栅极驱动器输出
高侧栅极驱动器正面
电源轨
应用信息
本地去耦到V
SS
使用低ESR / ESL电容位于
尽可能靠近集成电路越好。
该LM5107 HI输入与TTL输入阈值兼容。
未使用的HI输入应连接到地面，而不是悬空
该LM5107 LI输入与TTL输入阈值兼容。
李未使用的输入应连接到地面，而不是悬空。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧N型MOS器件的栅极。
连接到所述自举电容器的负极端子
和高侧N型MOS器件的源极。
连接到低侧N型MOS器件的栅极。
连接的自举电容11B的正端
和自举电容的HS的负端。
自举电容应尽可能靠近IC的
可能。
注： LLP -8封装，建议在LM5107底部的裸露焊盘焊接到地平面上的PCB板和
接地平面应该从封装提高散热下方延伸出来。
www.national.com
2
LM5107
电气特性
符号
何栅极驱动器
热阻
θ
JA
结到环境
参数
（续）
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结温
温度范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载。
条件
民
典型值
最大
单位
SOIC-8
LLP - 8 （注3 ）
160
40
° C / W
开关特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结温
温度范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载。
符号
LM5100A
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
MON
t
MOFF
t
RC
, t
FC
t
PW
t
BS
低关断传播延迟（LI
下降到LO下降）
上关断传播延迟（ HI
下降到HO下降）
低导通传播延迟（LI
瑞星LO瑞星）
上部导通传播延迟（ HI
瑞星何晟）
延迟匹配：低导通和
上部导通关
延迟匹配：低导通和关
上开启
无论是输出上升/下降时间
最小输入脉冲宽度
改变输出
自举二极管关断时间
I
F
= 100毫安，
I
R
= 100毫安
C
L
= 1000 pF的
27
27
29
29
2
2
15
50
105
56
56
56
56
15
15
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
条件
民
典型值
最大
单位
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 6脚，引脚7和引脚8的额定电压为500V 。
注3 ：
4层基板与铜成品厚度为1.5 / 1/1 / 1.5盎司最大模具尺寸使用。铜迹线在PCB顶部5倍车身长度。 50 ×50毫米接地和电源
平面嵌入PCB 。请参阅应用笔记AN- 1187 。
注4 ：
最小和最大限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计数据得以保证
质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注5 ：
该
θ
JA
不是恒定的包，并依赖于印刷电路板的设计和操作条件。
注6 ：
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS电压一般不超过-1V 。
然而在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定的电压瞬时。
如果发生在HS负瞬变，房协电压不得大于V更负
DD
- 15V 。例如，若V
DD
= 10V ，在HS负瞬变不得
超过-5V 。
www.national.com
4
LM5107 100V / 1.4A峰值半桥栅极驱动器
2005年2月
LM5107
100V / 1.4A峰值半桥栅极驱动器
概述
该LM5107是一款低成本，高电压栅极驱动器，设计
来驱动高侧和低侧N沟道
MOSFET的同步降压或半桥的配置
化。浮动高边驱动器能够与工作
铁路电压高达100V 。的输出是独立地
控制与TTL兼容的输入阈值。在英特
磨碎的芯片上的高电压二极管被提供给充电
高边栅极驱动器自举电容。一个强大的电平转换器
科技工作在高转速，而功耗低
功率和提供清洁电平转换与控制
输入逻辑的高侧栅极驱动器。欠压锁定
被设置在两个低侧和高侧功率
轨。该器件可在SOIC - 8和热
增强LLP - 8封装。
n
n
n
n
n
n
n
n
集成自举二极管
自举电源电压118V DC
快速传播时间（ 27 ns典型）
驱动1000pF的负载15ns的上升和下降时间
优秀的传播延迟匹配（ 2 ns典型）
电源轨欠压锁定
低功耗
引脚兼容ISL6700
典型应用
n
n
n
n
目前美联储推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
两个开关正激电源转换器
特点
n
驱动器都包含一个高边和低边N沟道
MOSFET
n
高的峰值输出电流（ 1.4A片/ 1.3A源）
n
独立的TTL兼容的输入
包
n
SOIC-8
n
LLP- 8 （直径4 mm ×4mm）所
简化的框图
20130001
图1 。
2005美国国家半导体公司
DS201300
www.national.com
LM5107
连接图
20130002
20130003
图2中。
订购信息
订购数量
LM5107MA
LM5107MAX
LM5107SD
LM5107SDX
套餐类型
SOIC-8
SOIC-8
LLP-8
LLP-8
NSC封装图
M08A
M08A
SDC08A
SDC08A
供货方式
运防静电导轨
2500运胶带&卷轴
1000年出货量为&带卷
4500运胶带&卷轴
引脚说明
针＃
SO-8
1
2
3
4
5
6
7
8
LLP-8
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DD
HI
LI
V
SS
LO
HS
HO
HB
描述
正栅极驱动电源
高端控制输入
低压侧控制输入
接地参考
低侧栅极驱动器输出
高边源连接
高侧栅极驱动器输出
高侧栅极驱动器正面
电源轨
应用信息
本地去耦到V
SS
使用低ESR / ESL电容位于
尽可能靠近集成电路越好。
该LM5107 HI输入与TTL输入阈值兼容。
未使用的HI输入应连接到地面，而不是悬空
该LM5107 LI输入与TTL输入阈值兼容。
李未使用的输入应连接到地面，而不是悬空。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧N型MOS器件的栅极。
连接到所述自举电容器的负极端子
和高侧N型MOS器件的源极。
连接到低侧N型MOS器件的栅极。
连接的自举电容11B的正端
和自举电容的HS的负端。
自举电容应尽可能靠近IC的
可能。
注： LLP -8封装，建议在LM5107底部的裸露焊盘焊接到地平面上的PCB板和
接地平面应该从封装提高散热下方延伸出来。
www.national.com
2
LM5107
电气特性
符号
何栅极驱动器
热阻
θ
JA
结到环境
参数
（续）
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结温
温度范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载。
条件
民
典型值
最大
单位
SOIC-8
LLP - 8 （注3 ）
160
40
° C / W
开关特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结温
温度范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载。
符号
LM5100A
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
MON
t
MOFF
t
RC
, t
FC
t
PW
t
BS
低关断传播延迟（LI
下降到LO下降）
上关断传播延迟（ HI
下降到HO下降）
低导通传播延迟（LI
瑞星LO瑞星）
上部导通传播延迟（ HI
瑞星何晟）
延迟匹配：低导通和
上部导通关
延迟匹配：低导通和关
上开启
无论是输出上升/下降时间
最小输入脉冲宽度
改变输出
自举二极管关断时间
I
F
= 100毫安，
I
R
= 100毫安
C
L
= 1000 pF的
27
27
29
29
2
2
15
50
105
56
56
56
56
15
15
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
条件
民
典型值
最大
单位
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 6脚，引脚7和引脚8的额定电压为500V 。
注3 ：
4层基板与铜成品厚度为1.5 / 1/1 / 1.5盎司最大模具尺寸使用。铜迹线在PCB顶部5倍车身长度。 50 ×50毫米接地和电源
平面嵌入PCB 。请参阅应用笔记AN- 1187 。
注4 ：
最小和最大限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计数据得以保证
质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注5 ：
该
θ
JA
不是恒定的包，并依赖于印刷电路板的设计和操作条件。
注6 ：
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS电压一般不超过-1V 。
然而在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定的电压瞬时。
如果发生在HS负瞬变，房协电压不得大于V更负
DD
- 15V 。例如，若V
DD
= 10V ，在HS负瞬变不得
超过-5V 。
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4
LM5107
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SNVS333D - 2004年11月 - 修订2013年3月
LM5107 100V / 1.4A峰值半桥栅极驱动器
检查样品：
LM5107
1
特点
同时驱动高侧和低侧N-
沟道MOSFET
高峰值输出电流（ 1.4A吸入/ 1.3A
源）
独立的TTL兼容的输入
集成自举二极管
自举电源电压118V DC
快速传播时间（ 27 ns典型）
驱动1000 pF负载15ns的上升和下降
时
出色的传输延时匹配（ 2纳秒
典型）
电源轨欠压锁定
低功耗
引脚兼容ISL6700
描述
该LM5107是一款低成本，高电压栅极驱动器，
设计用于驱动两高侧和低侧
N沟道MOSFET同步降压或
半桥配置。浮动高侧驱动器
能够与铁路工作电压高达100V的。
输出被独立地控制TTL
兼容的输入阈值。集成的片上
高电压二极管被提供给高侧充
栅极驱动的自举电容。一个强大的电平转换器
科技工作在高转速，而功耗
低功耗，并提供从洁净级跃迁
控制输入逻辑高侧栅极驱动器。
欠压锁定功能，提供两个低
侧和高侧电源轨。该装置是
在SOIC封装和热增强型
WSON封装。
包
SOIC
WSON （直径4 mm ×4mm）所
典型应用
目前美联储推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
两个开关正激电源转换器
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2013年，德州仪器
LM5107
SNVS333D - 2004年11月 - 修订2013年3月
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简化的框图
HV
HB
HO
UVLO
水平
移
司机
HS
HI
V
DD
UVLO
LO
司机
LI
V
SS
连接图
V
DD
HI
LI
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
HB
HO
HS
LO
V
DD
HI
LI
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
HB
HO
HS
LO
图1. 8引脚SOIC
见教包
引脚说明
(1)
针＃
SOIC
1
2
3
4
5
6
7
8
(1)
WSON
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DD
HI
LI
V
SS
LO
HS
HO
HB
描述
正栅极驱动电源
高端控制输入
低压侧控制输入
接地参考
低侧栅极驱动器输出
高边源连接
高侧栅极驱动器输出
高侧栅极驱动器正面
电源轨
图2. 8引脚WSON
见NGT0008A套餐
应用信息
本地去耦到V
SS
使用低ESR / ESL电容的位置
靠近IC越好。
该LM5107 HI输入与TTL输入阈值兼容。
未使用的HI输入应连接到地面，而不是悬空
该LM5107 LI输入与TTL输入阈值兼容。未使用
李的输入应连接到地面，而不是悬空。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧N型MOS器件的栅极。
连接到自举电容的和向负极端子
源高侧N型MOS器件。
连接到低侧N型MOS器件的栅极。
自举电容器的正端连接到11B和
自举电容器与HS的负端。引导
电容应尽量靠近芯片越好。
为WSON包，建议在LM5107的底部露出焊盘焊接到接地平面在PCB上
板和接地平面应该从封装提高散热下方延伸出来。
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LM5107
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LM5107
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SNVS333D - 2004年11月 - 修订2013年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
V
DD
到V
SS
HB到HS
李或HI到V
SS
LO到V
SS
何为V
SS
HS到V
SS (3)
HB到V
SS
结温
存储温度范围
ESD额定值HBM
(1)
(2)
(3)
(4)
-0.3V至18V
0.3V
至18V
0.3V
到V
DD
+0.3V
0.3V
到V
DD
+0.3V
V
HS
0.3V
到V
HB
+0.3V
5V
以100V
118V
-40 ° C至+ 150°C
55°C
至+ 150°C
2千伏
(4)
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是在一定条件下
被指定的设备的哪些操作。工作额定值并不意味着性能的限制。由于性能的限制和相关测试
条件，请参阅
电气特性
.
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS电压一般会
不超过-1V 。然而在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定
瞬时电压。如果发生在HS负瞬变，房协电压不得大于V更负
DD
- 15V 。例如，若V
DD
= 10V ，在HS负的瞬态电流不得超过-5V 。
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 6脚，引脚7和引脚8的额定电压为
500V.
推荐工作条件
V
DD
HS
HB
HS摆率
结温
(1)
(1)
8V至14V
1V
以100V
V
HS
+ 8V至V
HS
+14V
< 50 V / ns的
40°C
至+ 125°C
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS电压一般会
不超过-1V 。然而在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定
瞬时电压。如果发生在HS负瞬变，房协电压不得大于V更负
DD
- 15V 。例如，若V
DD
= 10V ，在HS负的瞬态电流不得超过-5V 。
版权所有 2004-2013年，德州仪器
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LM5107
SNVS333D - 2004年11月 - 修订2013年3月
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电气特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结
温度范围。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载。
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
V
IL
V
IH
R
I
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
V
DL
V
DH
R
D
V
OLL
V
OHL
I
OHL
I
OLL
V
OLH
V
OHH
I
OHH
I
OLH
θ
JA （2）
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
目前，静态
HB到V
SS
目前，工作
低电平输入电压阈值
高电平输入电压阈值
输入下拉电阻
V
DD
阈值上升
V
DD
阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
I
VDD -HB
= 100 A
V
DL
= V
DD
- V
HB
I
VDD -HB
= 100毫安
V
DH
= V
DD
- V
HB
I
VDD -HB
= 100毫安
I
LO
= 100毫安
V
OHL
= V
LO
– V
SS
I
LO
=
100
毫安，
V
OHL
= V
DD
– V
LO
V
LO
= 0V
V
LO
= 12V
I
HO
= 100毫安
V
OLH
= V
HO
– V
HS
I
HO
=
100
mA
V
OHH
= V
HB
– V
HO
V
HO
= 0V
V
HO
= 12V
SOIC
WSON
(3)
V
HBR
= V
HB
- V
HS
5.7
V
DDR
= V
DD
- V
SS
100
6.0
李= HI = 0V
F = 500千赫
李= HI = 0V
F = 500千赫
V
HS
= V
HB
= 100V
F = 500千赫
0.8
0.3
2.1
0.06
1.6
0.1
0.5
1.8
1.8
180
6.9
0.5
6.6
0.4
7.1
2.2
500
7.4
0.6
3.4
0.2
3.0
10
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
V
k
V
V
V
V
参数
条件
民
(1)
典型值
最大
(1)
单位
输入引脚李和HI
欠压保护
自举二极管
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻
0.58
0.82
0.8
0.9
1.1
1.5
V
V
LO栅极驱动器
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
0.28
0.45
1.3
1.4
0.45
0.75
V
V
A
A
何栅极驱动器
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
0.28
0.45
1.3
1.4
160
40
0.45
0.75
V
V
A
A
热阻
结到环境
° C / W
(1)
(2)
(3)
最小和最大限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过关联指定
利用统计质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
该
θ
JA
不是恒定的包，并依赖于印刷电路板的设计和操作条件。
4层基板与铜成品厚度为1.5 / 1/1 / 1.5盎司最大模具尺寸使用。铜迹线在PCB顶部5倍车身长度。 50 ×50毫米
接地和电源层嵌在PCB上。请参阅应用笔记AN- 1187 。
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LM5107
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SNVS333D - 2004年11月 - 修订2013年3月
开关特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结
温度范围。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载。
符号
LM5100A
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
MON
t
MOFF
t
RC
, t
FC
t
PW
t
BS
(1)
低关断传播延迟
（LI下降到LO下降）
上关断传播延迟
（ HI下降到HO下降）
低导通传播延迟
（LI上升到LO上升）
上部导通传播延迟
（ HI上升到HO上升）
延迟匹配：低导通和上
打开-O FF
延迟匹配：低关断和上
开启
无论是输出上升/下降时间
最小输入脉冲宽度的变化
输出
自举二极管关断时间
I
F
= 100毫安，我
R
= 100毫安
C
L
= 1000 pF的
27
27
29
29
2
2
15
50
105
56
56
56
56
15
15
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
条件
民
(1)
典型值
最大
(1)
单位
最小和最大限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过关联指定
利用统计质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
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