LM5105 100V半桥栅极驱动器，具有可编程死区时间
2005年2月
LM5105
100V半桥栅极驱动器，具有可编程
死区时间
概述
该LM5105是专为驱动高电压栅极驱动器
无论是高边和低边N沟道MOSFET的一个
同步降压或半桥结构。浮动
高侧驱动器能够与铁路电压高达努力的
100V 。单一的控制输入与TTL信号兼容
水平和一个外部电阻设置开关
过渡死区时间通过严格匹配的导通延迟
电路。高电压二极管提供收费高
侧栅极驱动器自举电容。强劲的电平转换
科技工作在高转速，而功耗低
电力，并提供清晰的输出转变。欠压
闭锁禁用栅极驱动器时，无论是低侧或
自举高侧电源电压了选购以下
展业务的门槛。该LM5105提供了热
增强型10引脚的LLP封装胶。
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
1.8A峰值栅极驱动电流
自举电源电压范围达到118V DC
集成自举二极管
单TTL兼容的输入
可编程导通延迟（死区时间）
使能输入引脚
快速关断传播延迟（约为26ns典型值）
驱动1000pF的有15ns的上升和下降时间
电源轨欠压锁定
低功耗
典型应用
n
固态电机驱动器
n
半桥和全桥电源转换器
n
两个开关正激电源转换器
特点
n
驱动器都包含一个高边和低边N沟道
MOSFET
包
n
LLP- 10 （直径4 mm ×4mm）所
简化的框图
20137502
图1 。
2005美国国家半导体公司
DS201375
www.national.com
LM5105
接线图
20137501
10引脚LLP
见NS数SDC10A
订购信息
订购数量
LM5105SD
LM5105SDX
套餐类型
LLP-10
LLP-10
NSC封装图
SDC10A
SDC10A
供货方式
1000年出货量为&带卷
4500运胶带&卷轴
引脚说明
针
1
2
名字
V
DD
HB
描述
正栅极驱动电源
高侧栅极驱动器
引导轨
高侧栅极驱动器
产量
高边MOSFET的源极
连接
没有连接
死区时间编程引脚
从RDT电阻到VSS方案的同时导通延迟
高和低边MOSFET 。该电阻应放置在靠近
该IC以减少来自邻近PCB走线噪声耦合。
TTL兼容阈值与迟滞。 LO和HO都在举行
低状态时， EN为低。
TTL兼容阈值与迟滞。高边MOSFET
导通和低侧MOSFET的关断时， IN为高。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧N型MOS器件的栅极与一个短，低
电感的路径。
应用信息
使用低ESR / ESL电容去耦VDD到VSS ，如摆放
靠近IC越好。
自举电容器的正端连接到HB引脚
和负极端子连接到HS 。自举电容
应尽可能靠近IC越好。
通过短连接到高侧N型MOS器件的栅极，
低电感的路径。
连接到bootststrap电容器和与负极端子
高侧N型MOS器件的源极。
3
4
5
6
HO
HS
NC
RDT
7
8
9
10
EN
IN
V
SS
LO
用于驱动逻辑输入
禁用/启用
为栅极驱动器逻辑输入
返回地
低侧栅极驱动器输出
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2
LM5105
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
到V
SS
HB到HS
IN和EN到V
SS
LO到V
SS
何为V
SS
HS到V
SS
（注6 ）
HB到V
SS
RDT到V
SS
结温
-0.3V至+ 18V
-0.3V至+ 18V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
HS - 0.3V至HB + 0.3V
-5V到+ 100V
118V
-0.3V至5V
+150C
存储温度范围
ESD额定值HBM
（注2 ）
-55 ° C至+ 150°C
2千伏
推荐工作
条件
V
DD
HS （注6 ）
HB
HS摆率
结温
+ 8V至+ 14V
-1V至100V
HS + 8V至HS + 14V
＆ LT ;
50V/ns
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
粗体
TYPE
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= HB = 12V ，V
SS
= HS =
0V ， EN = 5V 。在LO或豪无负载。 RDT = 100kΩ的（注4 ） 。
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
V
IL
V
IH
R
pd
VRDT
IRDT
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
V
DL
V
DH
R
D
V
OLL
V
OHL
I
OHL
I
OLL
V
OLH
V
OHH
I
OHH
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
目前，静态
HB到V
SS
目前，工作
低电平输入电压阈值
高电平输入电压阈值
输入下拉电阻引脚和EN
额定电压在RDT
RDT引脚电流限制
V
DD
阈值上升
V
DD
阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100毫安
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100毫安，
V
OHL
= V
DD
– V
LO
LO = 0V
LO = 12V
I
HO
= 100毫安
I
HO
= -100毫安，
V
OHH
= HB - HO
HO = 0V
5.7
RDT = 0V
100
2.7
0.75
6.0
IN = EN = 0V
F = 500千赫
IN = EN = 0V
F = 500千赫
HS = HB = 100V
F = 500千赫
0.8
0.34
1.65
0.06
1.3
0.05
0.1
1.8
1.8
200
3
1.5
6.9
0.5
6.6
0.4
0.6
0.85
0.8
0.25
0.35
1.8
1.6
0.25
0.35
1.8
0.4
0.55
0.9
1.1
1.5
0.4
0.55
7.1
2.2
500
3.3
2.25
7.4
0.6
3
0.2
3
10
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
V
k
V
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
V
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
输入IN和EN
死区时间控件
欠压保护
自举二极管
LO栅极驱动器
何栅极驱动器
3
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LM5105
电气特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= HB = 12V ，V
SS
= HS = 0V ， EN
= 5V 。在LO或豪无负载。 RDT = 100kΩ的（注4 ） 。 （续）
符号
I
OLH
θ
JA
热阻
结到环境
（注3 ） （注5 ）
40
° C / W
参数
峰值下拉电流
条件
HO = 12V
民
典型值
1.6
最大
单位
A
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
粗体
TYPE
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= HB = 12V ，V
SS
= HS =
0V ，在LO和HO （注4 ）无负载。
符号
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
LPLH
t
HPLH
t
en
, t
sd
DT1 ， DT2
MDT
t
R
, t
F
t
BS
参数
低关断传播延迟
上关断传播延迟
低导通传播延迟
上部导通传播延迟
低导通传播延迟
上部导通传播延迟
开启和关闭传播延迟
死区时间LO OFF到濠&何关
到LO ON
死区时间匹配
无论是输出上升/下降时间
自举二极管导通或关断时间
RDT = 10万
RDT = 10K
RDT = 10万
C
L
= 1000pF的
I
F
= 20 mA时，我
R
= 200毫安
RDT = 10万
RDT = 10万
RDT = 10K
RDT = 10K
485
485
75
75
条件
民
典型值
26
26
595
595
105
105
28
570
80
50
15
50
ns
最大
56
56
705
705
150
150
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
开关特性
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。引脚2 ，引脚3和引脚4的额定电压为500V 。
注3 ：
4层电路板用铜成品厚度1.5 / 1.0 / 1.0 / 1.5盎司最大模具尺寸使用。铜迹线在PCB顶部5倍车身长度。 50 ×50毫米接地和电源
平面嵌入PCB 。请参阅应用笔记AN- 1187 。
注4 ：
最小和最大限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计数据得以保证
质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注5 ：
该
θ
JA
不是恒定的包，并依赖于印刷电路板的设计和操作条件。
注6 ：
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS电压一般不超过-1V 。
然而在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定的电压瞬时。
如果发生在HS负瞬变，房协电压不得大于V更负
DD
- 15V 。例如，若V
DD
= 10V ，在HS负瞬变不得
超过-5V 。
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