LM5104高电压半桥栅极驱动器的自适应延迟
2004年1月
LM5104
高压半桥门极驱动器，具有自适应
延迟
概述
该LM5104高电压栅极驱动器设计用于驱动
无论是高边和低边N沟道MOSFET
同步降压配置。浮动高边
驱动程序能够与电源电压工作到100V的。
高侧和低侧栅极驱动器正在从控制
单个输入。在每个状态变化被控制在一个适配
略去地防止直通问题。此外
自适应转换定时，一个额外的延迟时间可
被添加，正比于外部设定电阻。一
集成的高电压二极管提供给高端充电
栅极驱动的自举电容。一个强大的电平移位器
在高速时消耗功率低，并提供
从控制逻辑洁净级别过渡到偏多
栅极驱动器。欠压锁定功能被设置在两个
低侧和高侧电源轨。此设备是可用
能够在标准的SOIC - 8引脚和LLP - 10封装引脚
老少皆宜。
n
自适应带可编程的上升沿和下降沿
额外延迟时间
n
单输入控制
n
自举电源电压范围达到118V DC
n
快速关断传播延迟（ 25 ns典型）
n
驱动1000pF的负载， 15 ns上升时间和下降时间
n
电源轨欠压锁定
典型应用
n
n
n
n
目前美联储推挽功率转换器
高电压降压稳压器
有源钳位正激电源转换器
半桥和全桥转换器
包
n
SOIC-8
n
LLP- 10 （直径4 mm ×4mm）所
特点
n
驱动器都包含一个高边和低边N沟道
MOSFET
简化的框图
20089003
图1 。
2004美国国家半导体公司
DS200890
www.national.com
LM5104
接线图
20089001
8引脚SOIC
见NS包装数M08A
20089002
10引脚LLP
见NS包装数SDC10A
图2中。
订购信息
订购数量
LM5104M
LM5104MX
LM5104SD
LM5104SDX
套餐类型
SOIC-8
SOIC-8
LLP-10
LLP-10
NSC封装图
M08A
M08A
SDC10A
SDC10A
供货方式
随防静电的Rails
2500运胶带&卷轴
1000年出货量为&带卷
4500运胶带&卷轴
引脚说明
针
SOIC-8
1
2
LLP-10
1
2
名字
V
DD
HB
描述
应用信息
正栅极驱动电源本地去耦到V
SS
使用低ESR / ESL电容，定位为
靠近IC越好。
高侧栅极驱动器
引导轨
高侧栅极驱动器
产量
高边MOSFET
源连接
死区时间编程
针
控制输入
返回地
低侧栅极驱动器
产量
自举电容器的正端连接到HB引脚
和负极端子连接到HS 。自举电容应
置于尽可能靠近IC越好。
连接到高边MOSFET栅极短低电感
路径。
连接到引导高电容负端和源
侧MOSFET 。
从电阻RT地计划的高之间的死区时间
低端transitions.The电阻应靠近
IC以尽量减少相邻道噪声耦合。
逻辑1等于高侧和低侧关。逻辑0等于
高压侧断，低侧。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧MOSFET的栅极与短低
电感的路径。
3
4
5
3
4
7
HO
HS
RT
6
7
8
8
9
10
IN
V
SS
LO
注意： LLP -10封装，则建议对LM5100 / LM5101的底部露出焊盘焊接到接地平面上的PC板，
和接地平面应该从集成电路的下面伸出来帮助散热。引脚5和6没有任何联系。
www.national.com
2
LM5104
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
到V
SS
V
HB
到V
HS
IN至V
SS
LO输出
HO输出
V
HS
到V
SS
V
HB
到V
SS
RT到V
SS
结温
-0.3V至+ 18V
-0.3V至+ 18V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
V
HS
- 0.3V至V
HB
+ 0.3V
-1V到+ 100V
118V
-0.3V至5V
+150C
存储温度范围
ESD额定值HBM
（注2 ）
-55 ° C至+ 150°C
2千伏
推荐工作
条件
V
DD
HS
HB
HS摆率
结温
+ 9V至+ 14V
-1V至100V
V
HS
+ 8V至V
HS
+ 14V
＆ LT ;
50V/ns
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
粗体
TYPE
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
=
0V， RT = 100kΩ的。无负载的LO或议员。
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
输入引脚
V
IL
V
IH
R
I
V
RT
I
RT
T
D1
T
D2
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
V
DL
V
DH
R
D
V
OLL
V
OHL
I
OHL
I
OLL
V
OLH
低电平输入电压阈值
高电平输入电压阈值
输入下拉电阻
额定电压在室温
RT引脚电流限制
延时定时器， RT = 10 kΩ的
延时定时器， RT = 100 kΩ的
V
DD
阈值上升
V
DD
阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
低电平输出电压
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100毫安
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100毫安
V
OHL
= V
DD
– V
LO
V
LO
= 0V
V
LO
= 12V
I
HO
= 100毫安
5.7
RT = 0V
100
2.7
0.75
58
140
6.0
0.8
1.8
1.8
200
3
1.5
90
200
6.9
0.5
6.6
0.4
0.60
0.85
0.8
0.25
0.35
1.6
1.8
0.25
0.4
0.9
1.1
1.5
0.4
0.55
7.1
2.2
500
3.3
2.25
130
270
7.4
V
V
k
V
mA
ns
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
目前，静态
HB到V
SS
目前，工作
李= HI = 0V
F = 500千赫
李= HI = 0V
F = 500千赫
V
HS
= V
HB
= 100V
F = 500千赫
0.4
1.9
0.06
1.3
0.05
0.08
0.6
3
0.2
3
10
mA
mA
mA
mA
A
mA
参数
条件
民
典型值
最大
单位
时延CONTROLS
欠压保护
自举二极管
LO栅极驱动器
何栅极驱动器
3
www.national.com
LM5104
电气特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V,
RT = 100kΩ的。无负载的LO或议员。 （续）
符号
V
OHH
I
OHH
I
OLH
θ
JA
参数
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
结到环境
条件
I
HO
= -100毫安，
V
OHH
= V
HB
– V
HO
V
HO
= 0V
V
HO
= 12V
SOIC-8
LLP- 10 （注3）
民
典型值
0.35
1.6
1.8
170
40
最大
0.55
单位
V
A
A
° C / W
热阻
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
粗体
TYPE
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
=
0V ，在LO HO或无负载。
符号
t
LPHL
t
HPHL
t
RC
, t
FC
t
R
, t
F
t
BS
参数
低关断传播延迟（以
瑞星LO下降）
上关断传播延迟（以
下降到HO下降）
无论是输出上升/下降时间
无论是输出上升/下降时间
（ 3V至9V ）
自举二极管关断时间
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 0.1 F
I
F
= 20 mA时，我
R
= 200毫安
条件
民
典型值
25
25
15
0.6
50
最大
56
56
单位
ns
ns
ns
s
ns
开关特性
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 2千伏的除外引脚2 ，引脚3和4的所有引脚都
额定电压为500V 。
注3 ：
4层基板与铜成品厚度为1.5 / 1/1 / 1.5盎司最大模具尺寸使用。铜迹线在PCB顶部5倍车身长度。 50 ×50毫米接地和电源
平面嵌入PCB 。请参阅应用笔记AN- 1187 。
注4 ：
最小和最大限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计数据得以保证
质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注5 ：
该
θ
JA
是不是一个给定的恒定的包和依赖于所述印刷电路板的设计和操作环境。
www.national.com
4
LM5104高电压半桥栅极驱动器的自适应延迟
2004年1月
LM5104
高压半桥门极驱动器，具有自适应
延迟
概述
该LM5104高电压栅极驱动器设计用于驱动
无论是高边和低边N沟道MOSFET
同步降压配置。浮动高边
驱动程序能够与电源电压工作到100V的。
高侧和低侧栅极驱动器正在从控制
单个输入。在每个状态变化被控制在一个适配
略去地防止直通问题。此外
自适应转换定时，一个额外的延迟时间可
被添加，正比于外部设定电阻。一
集成的高电压二极管提供给高端充电
栅极驱动的自举电容。一个强大的电平移位器
在高速时消耗功率低，并提供
从控制逻辑洁净级别过渡到偏多
栅极驱动器。欠压锁定功能被设置在两个
低侧和高侧电源轨。此设备是可用
能够在标准的SOIC - 8引脚和LLP - 10封装引脚
老少皆宜。
n
自适应带可编程的上升沿和下降沿
额外延迟时间
n
单输入控制
n
自举电源电压范围达到118V DC
n
快速关断传播延迟（ 25 ns典型）
n
驱动1000pF的负载， 15 ns上升时间和下降时间
n
电源轨欠压锁定
典型应用
n
n
n
n
目前美联储推挽功率转换器
高电压降压稳压器
有源钳位正激电源转换器
半桥和全桥转换器
包
n
SOIC-8
n
LLP- 10 （直径4 mm ×4mm）所
特点
n
驱动器都包含一个高边和低边N沟道
MOSFET
简化的框图
20089003
图1 。
2004美国国家半导体公司
DS200890
www.national.com
LM5104
接线图
20089001
8引脚SOIC
见NS包装数M08A
20089002
10引脚LLP
见NS包装数SDC10A
图2中。
订购信息
订购数量
LM5104M
LM5104MX
LM5104SD
LM5104SDX
套餐类型
SOIC-8
SOIC-8
LLP-10
LLP-10
NSC封装图
M08A
M08A
SDC10A
SDC10A
供货方式
随防静电的Rails
2500运胶带&卷轴
1000年出货量为&带卷
4500运胶带&卷轴
引脚说明
针
SOIC-8
1
2
LLP-10
1
2
名字
V
DD
HB
描述
应用信息
正栅极驱动电源本地去耦到V
SS
使用低ESR / ESL电容，定位为
靠近IC越好。
高侧栅极驱动器
引导轨
高侧栅极驱动器
产量
高边MOSFET
源连接
死区时间编程
针
控制输入
返回地
低侧栅极驱动器
产量
自举电容器的正端连接到HB引脚
和负极端子连接到HS 。自举电容应
置于尽可能靠近IC越好。
连接到高边MOSFET栅极短低电感
路径。
连接到引导高电容负端和源
侧MOSFET 。
从电阻RT地计划的高之间的死区时间
低端transitions.The电阻应靠近
IC以尽量减少相邻道噪声耦合。
逻辑1等于高侧和低侧关。逻辑0等于
高压侧断，低侧。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧MOSFET的栅极与短低
电感的路径。
3
4
5
3
4
7
HO
HS
RT
6
7
8
8
9
10
IN
V
SS
LO
注意： LLP -10封装，则建议对LM5100 / LM5101的底部露出焊盘焊接到接地平面上的PC板，
和接地平面应该从集成电路的下面伸出来帮助散热。引脚5和6没有任何联系。
www.national.com
2
LM5104
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
到V
SS
V
HB
到V
HS
IN至V
SS
LO输出
HO输出
V
HS
到V
SS
V
HB
到V
SS
RT到V
SS
结温
-0.3V至+ 18V
-0.3V至+ 18V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
V
HS
- 0.3V至V
HB
+ 0.3V
-1V到+ 100V
118V
-0.3V至5V
+150C
存储温度范围
ESD额定值HBM
（注2 ）
-55 ° C至+ 150°C
2千伏
推荐工作
条件
V
DD
HS
HB
HS摆率
结温
+ 9V至+ 14V
-1V至100V
V
HS
+ 8V至V
HS
+ 14V
＆ LT ;
50V/ns
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
粗体
TYPE
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
=
0V， RT = 100kΩ的。无负载的LO或议员。
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
输入引脚
V
IL
V
IH
R
I
V
RT
I
RT
T
D1
T
D2
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
V
DL
V
DH
R
D
V
OLL
V
OHL
I
OHL
I
OLL
V
OLH
低电平输入电压阈值
高电平输入电压阈值
输入下拉电阻
额定电压在室温
RT引脚电流限制
延时定时器， RT = 10 kΩ的
延时定时器， RT = 100 kΩ的
V
DD
阈值上升
V
DD
阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
低电平输出电压
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100毫安
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100毫安
V
OHL
= V
DD
– V
LO
V
LO
= 0V
V
LO
= 12V
I
HO
= 100毫安
5.7
RT = 0V
100
2.7
0.75
58
140
6.0
0.8
1.8
1.8
200
3
1.5
90
200
6.9
0.5
6.6
0.4
0.60
0.85
0.8
0.25
0.35
1.6
1.8
0.25
0.4
0.9
1.1
1.5
0.4
0.55
7.1
2.2
500
3.3
2.25
130
270
7.4
V
V
k
V
mA
ns
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
目前，静态
HB到V
SS
目前，工作
李= HI = 0V
F = 500千赫
李= HI = 0V
F = 500千赫
V
HS
= V
HB
= 100V
F = 500千赫
0.4
1.9
0.06
1.3
0.05
0.08
0.6
3
0.2
3
10
mA
mA
mA
mA
A
mA
参数
条件
民
典型值
最大
单位
时延CONTROLS
欠压保护
自举二极管
LO栅极驱动器
何栅极驱动器
3
www.national.com
LM5104
电气特性
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
黑体字
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V,
RT = 100kΩ的。无负载的LO或议员。 （续）
符号
V
OHH
I
OHH
I
OLH
θ
JA
参数
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
结到环境
条件
I
HO
= -100毫安，
V
OHH
= V
HB
– V
HO
V
HO
= 0V
V
HO
= 12V
SOIC-8
LLP- 10 （注3）
民
典型值
0.35
1.6
1.8
170
40
最大
0.55
单位
V
A
A
° C / W
热阻
规格标准字体为T
J
= + 25°C ，和那些在
粗体
TYPE
适用于整个
工作结温范围内。
除非另有规定ED ，V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
=
0V ，在LO HO或无负载。
符号
t
LPHL
t
HPHL
t
RC
, t
FC
t
R
, t
F
t
BS
参数
低关断传播延迟（以
瑞星LO下降）
上关断传播延迟（以
下降到HO下降）
无论是输出上升/下降时间
无论是输出上升/下降时间
（ 3V至9V ）
自举二极管关断时间
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 0.1 F
I
F
= 20 mA时，我
R
= 200毫安
条件
民
典型值
25
25
15
0.6
50
最大
56
56
单位
ns
ns
ns
s
ns
开关特性
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 2千伏的除外引脚2 ，引脚3和4的所有引脚都
额定电压为500V 。
注3 ：
4层基板与铜成品厚度为1.5 / 1/1 / 1.5盎司最大模具尺寸使用。铜迹线在PCB顶部5倍车身长度。 50 ×50毫米接地和电源
平面嵌入PCB 。请参阅应用笔记AN- 1187 。
注4 ：
最小和最大限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计数据得以保证
质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注5 ：
该
θ
JA
是不是一个给定的恒定的包和依赖于所述印刷电路板的设计和操作环境。
www.national.com
4
QQ：2881677436 复制
