LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C 3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器
2006年11月
LM5100A/B/C
LM5101A/B/C
3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧
栅极驱动器
概述
该LM5100A / B / C和LM5101A / B / C高压栅极
驱动器可同时驱动高侧和
低边N沟道MOSFET同步降压或
半桥式配置。浮动高侧驱动器是钙
与供应工作的pable电压高达100V 。在“A”
版本提供栅极驱动器的完整3A ，而“B”和“C”的
版本分别为2A和1A 。的输出是
与CMOS输入阈值独立控制
（ LM5100A / B / C）或TTL输入阈值（ LM5101A / B / C ） 。一
集成高电压二极管被提供给高充
侧栅极驱动器自举电容。一个强大的电平转换器
以高速操作，同时消耗低功率，并
提供清洁级跃迁从控制逻辑的
高侧栅极驱动器。欠压锁定功能，提供对
两个低侧和高侧电源轨。这些描述
恶习在标准SOIC封装 - 8引脚和律师事务所
- 10引脚封装。
特点
n
驱动两高侧和低侧N沟道
MOSFET的
n
独立高和低驱动逻辑输入
n
自举电源电压高达118V DC
n
快速传播时间（ 25 ns典型）
n
驱动1000 pF负载8 ns上升时间和下降时间
n
优秀的传播延迟匹配（ 3纳秒典型值）
n
电源轨欠压锁定
n
低功耗
n
引脚兼容于HIP2100 / HIP2101
典型应用
n
n
n
n
n
目前美联储推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
同步降压转换器
两个开关正激电源转换器
推进有源钳位转换器
包
n
SOIC-8
n
LLP- 10 （直径4 mm ×4mm）所
简化的框图
20203103
图1 。
2006美国国家半导体公司
DS202031
www.national.com
LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C
输入/输出选项
产品型号
LM5100A
LM5101A
LM5100B
LM5101B
LM5100C
LM5101C
输入阈值
CMOS
TTL
CMOS
TTL
CMOS
TTL
峰值输出电流
3A
3A
2A
2A
1A
1A
连接图
20203101
20203102
图2中。
订购信息
订购数量
LM5100A / LM5101A M
LM5100A / LM5101A MX
LM5100A / LM5101A SD
LM5100A / LM5101A SDX
LM5100B / LM5101B MA
LM5100B / LM5101B MAX
LM5100B / SD LM5101B
LM5100B / LM5101B SDX
LM5100C / LM5101C MA
LM5100C / LM5101C MAX
LM5100C / LM5101C SD
LM5100C / LM5101C SDX
套餐类型
SOIC 8
SOIC 8
律师事务所10
律师事务所10
SOIC 8
SOIC 8
律师事务所10
律师事务所10
SOIC 8
SOIC 8
律师事务所10
律师事务所10
NSC封装图
M08A
M08A
SDC 10A
SDC 10A
M08A
M08A
SDC 10A
SDC 10A
M08A
M08A
SDC 10A
SDC 10A
供货方式
95台的出货量在防静电导轨
2500运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
4500运胶带&卷轴
95台的出货量在防静电导轨
2500运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
4500运胶带&卷轴
95台的出货量在防静电导轨
2500运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
4500运胶带&卷轴
www.national.com
2
LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C
引脚说明
针＃
SO-8
1
2
LLP-10
1
2
名字
VDD
HB
描述
正栅极驱动电源
高边栅极驱动器
引导轨
高侧栅极驱动器输出
高边MOSFET的源极
连接
高侧驱动器的控制输入
应用信息
本地使用低ESR / ESL电容去耦到VSS
尽可能靠近IC放置。
连接的自举电容11B的正端
和负极端子到的HS 。自举电容
应尽可能靠近IC越好。
连接到高侧MOSFET的栅极与一个短，低
电感的路径。
连接到所述自举电容器的负端子与
源高边MOSFET的。
该LM5100A / B / C输入具有CMOS型阈值。该
LM5101A / B / C输入有TTL型阈值。未使用
输入端应该连接到地面，而不是悬空。
该LM5100A / B / C输入具有CMOS型阈值。该
LM5101A / B / C输入有TTL型阈值。未使用
输入端应该连接到地面，而不是悬空。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧MOSFET的栅极与一个短，低
电感的路径。
3
4
5
3
4
7
HO
HS
HI
6
8
LI
低侧驱动器控制输入
7
8
9
10
VSS
LO
返回地
低侧栅极驱动器输出
注意：对于LLP -10封装，所以建议在封装的底面露出的焊盘焊接到接地平面上的印刷电路板，而
接地平面应该从集成电路的下面伸出来帮助散热。引脚5和6没有任何联系。
3
www.national.com
LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
VDD到VSS
HB到HS
李或HI输入
LO输出
HO输出
HS到VSS （注6 ）
HB到VSS
结温
-0.3V至+ 18V
-0.3V至+ 18V
-0.3V到V
DD
+0.3V
-0.3V到V
DD
+0.3V
V
HS
-0.3V到V
HB
+0.3V
-5V到+ 100V
118V
+150C
存储温度范围
ESD额定值HBM （注2 ）
-55 ° C至+ 150°C
2千伏
推荐工作
条件
VDD
HS
HB
HS摆率
结温
+ 9V至+ 14V
-1V至100V
V
HS
+ 8V至V
HS
+14V
＆ LT ;
50 V / ns的
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围-40℃至
+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计数据得以保证。典型值
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有规定，V
DD
=
V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO （注4 ）无负载。
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
V
IL
V
IL
V
IHYS
V
IHYS
R
I
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
V
DL
V
DH
R
D
VDD静态电流， LM5100A / B / C
VDD静态电流， LM5101A / B / C
VDD工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到VSS电流，静态
HB到VSS电流，工作
输入电压阈值LM5100A / B / C
输入电压阈值LM5101A / B / C
输入电压迟滞LM5100A / B / C
输入电压迟滞LM5101A / B / C
输入下拉电阻
VDD上升阈值
VDD阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻LM5100A / B / C ，
LM5101A/B/C
低电平输出电压
LM5100A/LM5101A
低电平输出电压
LM5100B/LM5101B
低电平输出电压
LM5100C/LM5101C
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100毫安
5.7
100
6.0
李= HI = 0V
李= HI = 0V
F = 500千赫
李= HI = 0V
F = 500千赫
HS = HB = 100V
F = 500千赫
上升沿
上升沿
4.5
1.3
0.1
0.25
2.0
0.06
1.6
0.1
0.4
5.4
1.8
500
50
200
6.9
0.5
6.6
0.4
0.52
0.8
1.0
0.85
1
1.65
7.1
400
7.4
6.3
2.3
0.2
0.4
3
0.2
3
10
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
V
mV
mV
k
V
V
V
V
V
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
输入引脚
欠压保护
自举二极管
LO &何栅极驱动器
V
OL
I
HO
= I
LO
= 100毫安
0.12
0.16
0.28
0.25
0.4
0.65
V
www.national.com
4
LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C
电气特性
（续）
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围-40℃至
+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计数据得以保证。典型值
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有规定，V
DD
=
V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO （注4 ）无负载。
参数
高电平输出电压
LM5100A/LM5101A
高电平输出电压
LM5100B/LM5101B
高电平输出电压
LM5100C/LM5101C
条件
I
HO
= I
LO
= 100毫安
V
OH
= VDD- LO或
V
OH
= HB - HO
民
典型值
最大
单位
符号
LO &何栅极驱动器
V
OH
0.24
0.28
0.60
0.45
0.60
1.10
V
I
OHL
山顶上拉电流LM5100A / LM5101A
山顶上拉电流LM5100B / LM5101B
山顶上拉电流LM5100C / LM5101C
HO ， LO = 0V
3
2
1
A
I
OLL
峰值下拉电流LM5100A / LM5101A
峰值下拉电流LM5100B / LM5101B
峰值下拉电流LM5100C / LM5101C
HO ， LO = 12V
3
2
1
A
热阻
θ
JA
结到环境
SOIC-8
LLP- 10 （注3）
170
40
° C / W
开关特性
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围-40℃至
+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计数据得以保证。典型值
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有规定，V
DD
=
V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO （注4 ）无负载。
符号
t
LPHL
参数
LO关断传播延迟
LM5100A/B/C
LO关断传播延迟
LM5101A/B/C
t
LPLH
LO开通传输延迟
LM5100A/B/C
LO开通传输延迟
LM5101A/B/C
t
HPHL
何关断传播延迟
LM5100A/B/C
何关断传播延迟
LM5101A/B/C
t
HPLH
LO开通传输延迟
LM5100A/B/C
LO开通传输延迟
LM5101A/B/C
t
MON
延迟匹配： LO的&何关
LM5100A/B/C
延迟匹配： LO的&何关
LM5101A/B/C
t
MOFF
延迟匹配：劳关&何上
LM5100A/B/C
延迟匹配： LO的&何关
LM5101A/B/C
t
RC
, t
FC
无论是输出上升/下降时间
C
L
= 1000 pF的
HI瑞星瑞星HO
HI落何落
李瑞星瑞星LO
条件
李下降到LO下降
民
典型值
20
22
20
26
20
22
20
26
1
4
1
4
8
最大
45
ns
56
45
ns
56
45
ns
56
45
ns
56
10
10
10
ns
10
ns
ns
单位
5
www.national.com
LM5100A,LM5100B,LM5100C,LM5101A,LM5101B,
LM5101C
LM5100A / B / C LM5101A / B / C 3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧
栅极驱动器
文献编号： SNOSAW2M
LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C 3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器
LM5100A/B/C
LM5101A/B/C
2011年8月20日
3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧栅极
DRIVERS
概述
该LM5100A / B / C和LM5101A / B / C高压栅极
驱动器设计用于驱动两个高侧和低
侧N沟道MOSFET同步降压或半
桥配置。浮动高侧驱动器能够
经营与电源电压高达100V 。在“A”版本
提供栅极驱动，而“B”和“C”版本的完整3A
分别为2A和1A 。输出是indepen-
dently控制， CMOS输入阈值（ LM5100A / B / C ）
或TTL输入阈值（ LM5101A / B / C ） 。一个集成的高
电压二极管被提供给高侧栅极驱动器充
自举电容器。一个强大的电平转换器工作在高
速度，同时消耗低功耗和提供清洁级
转换从控制逻辑向高侧栅极驱动器。
欠压锁定被设置在两个低侧和
高侧电源轨。这些器件可在
标准的SOIC - 8引脚， PSOP- 8引脚和LLP - 10封装引脚
老少皆宜。该LM5100C和LM5101C也可用
eMSOP - 8封装。该LM5101A也可以在LLP- 8
引脚封装。
■
■
■
■
■
■
■
自举电源电压高达118V DC
快速传播时间（ 25 ns典型）
驱动1000 pF负载8 ns上升时间和下降时间
优秀的传播延迟匹配（ 3纳秒典型值）
电源轨欠压锁定
低功耗
引脚兼容于HIP2100 / HIP2101
典型应用
■
■
■
■
■
目前美联储推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
同步降压转换器
两个开关正激电源转换器
推进有源钳位转换器
包
■
■
■
■
■
SOIC-8
PSOP-8
LLP- 8 （直径4 mm ×4mm）所
LLP- 10 （直径4 mm ×4mm）所
eMSOP-8
特点
■
驱动两高侧和低侧N沟道
MOSFET的
■
独立高和低驱动逻辑输入
简化的框图
20203103
图1 。
2011美国国家半导体公司
202031
www.national.com
LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C
输入/输出选项
产品型号
LM5100A
LM5101A
LM5100B
LM5101B
LM5100C
LM5101C
输入阈值
CMOS
TTL
CMOS
TTL
CMOS
TTL
峰值输出电流
3A
3A
2A
2A
1A
1A
连接图
20203101
20203137
20203102
20203135
20203136
www.national.com
2
LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C
订购信息
订购数量
LM5100A/LM5101AM
LM5100A/LM5101AMX
LM5100A/LM5101AMR
LM5100A/LM5101AMRX
LM5100A / LM5101ASD
LM5100A/LM5101ASDX
LM5100B/LM5101BMA
LM5100B/LM5101BMAX
LM5100B/LM5101BSD
LM5100B/LM5101BSDX
LM5100C/LM5101CMA
LM5100C/LM5101CMAX
LM5100C / LM5101CSD
LM5100C/LM5101CSDX
LM5100C/LM5101CMYE
LM5100C/LM5101CMY
LM5100C/LM5101CMYX
LM5101ASD-1
LM5101ASDX-1
套餐类型
SOIC 8
SOIC 8
PSOP 8
PSOP 8
律师事务所10
律师事务所10
SOIC 8
SOIC 8
律师事务所10
律师事务所10
SOIC 8
SOIC 8
律师事务所10
律师事务所10
eMSOP-8
eMSOP-8
eMSOP-8
LLP 8
LLP 8
NSC封装图
M08A
M08A
MRA08A
MRA08A
SDC10A
SDC10A
M08A
M08A
SDC10A
SDC10A
M08A
M08A
SDC10A
SDC10A
MUY08A
MUY08A
MUY08A
SDC08A
SDC08A
供货方式
95台的出货量在防静电导轨
2500运胶带&卷轴
95台的出货量在防静电导轨
2500运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
4500运胶带&卷轴
95台的出货量在防静电导轨
2500运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
4500运胶带&卷轴
95台的出货量在防静电导轨
2500运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
4500运胶带&卷轴
250运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
3500运胶带&卷轴
1000运胶带&卷轴
4500运胶带&卷轴
3
www.national.com
LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C
引脚说明
针＃
SOIC-8
1
PSOP-8
1
LLP-8
1
LLP-10
1
eMSOP-8
1
名字
VDD
描述
正栅极驱动器
供应
高边栅极驱动器
引导轨
应用信息
本地去耦用低VSS
ESR / ESL电容尽可能靠近
到IC越好。
连接的正极
自举电容HB和
负端为HS 。该
自举电容应放置
尽可能靠近集成电路越好。
连接到高压侧的栅极
MOSFET，具有一个短的，低
电感的路径。
连接至自举电容
负极端子和源
高边MOSFET 。
该LM5100A / B / C输入有
CMOS型阈值。该
LM5101A / B / C输入有TTL型
阈值。未使用的输入应
连接到地，而不是保持打开状态。
该LM5100A / B / C输入有
CMOS型阈值。该
LM5101A / B / C输入有TTL型
阈值。未使用的输入应
连接到地，而不是保持打开状态。
所有的信号都参考这个
地面上。
连接到低侧栅极
MOSFET，具有一个短的，低
电感的路径。
焊料在地平面
集成电路，以帮助散热。
2
2
2
2
2
HB
3
3
3
3
3
HO
高边栅极驱动器
产量
高边MOSFET
源连接
高侧驱动器
控制输入
4
4
4
4
4
HS
5
5
5
7
5
HI
6
6
6
8
6
LI
低侧驱动器
控制输入
7
8
7
8
7
8
9
10
7
8
VSS
LO
返回地
低侧栅极驱动器
产量
EP
EP
EP
EP
EP （ LLP与PSOP和eMSOP
包）
注意：对于LLP -8， LLP- 10和eMSOP -8封装，所以建议在封装的底面露出的焊盘焊接到接地平面
在PC板上，并且该接地平面应该从集成电路的下面伸出来帮助散热。对于LLP -10封装，管脚5和6没有
连接。
www.national.com
4
QQ：2881677436 复制
