LM5050-2
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SNVS679B - 2010年11月 - 修订2013年3月
LM5050-2高端的OR-ing FET控制器
检查样品：
LM5050-2
1
特点
宽工作输入电压范围： + 6V至
+75V
100伏的瞬态能力
电荷泵栅极驱动器为外置N-
沟道MOSFET
MOSFET诊断测试模式
50ns的快速响应电流逆转
2A峰值门极可关断电流
最小V
DS
夹具快速关断
封装形式：SOT - 6 （薄型SOT23-6 ）
描述
该LM5050-2高端的OR-ing FET控制器
协同操作与外部MOSFET作为
串联连接时，一个理想二极管整流器
动力源。这的OR-ing控制器允许
MOSFET，以取代在功率二极管整流器
分销网络从而降低两者的功率损耗
和电压下降。
该LM5050-2控制器提供电荷泵门
用于驱动一个外部N沟道MOSFET和一个快速
响应比较器来关闭场效应晶体管时
电流流动的方向相反。该LM5050-2
可以连接电源电压范围为+ 6V至
+ 75V ，可承受瞬态高达+ 100V 。
该LM5050-2还提供了一种场效应晶体管测试诊断
模式，它允许系统控制器来测试
短路的MOSFET。
2
应用
活跃的OR-ing的冗余（N + 1 ）电源
耗材
典型应用电路
V
IN
V
逻辑
+ 6V至+ 75V
V
OUT
R
引体向上
低= OK ，高=故障
IN
nFGD
门
OUT
状态
LM5050-2
关闭
低= FET导通，高= FET关闭
关闭
GND
GND
GND
图1.全面应用与MOSFET的诊断
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2010-2013 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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PS1
IN
走出门
LM5050-2
GND
C
负载
R
负载
PS2
IN
走出门
LM5050-2
GND
图2.典型的冗余电源配置
接线图
nFGD 1
6 OUT
LM5050MK-2
GND 2
5门
关闭3
4 IN
图3. LM5050MK - 2
SOT - 6封装（顶视图）
引脚说明
针＃
名字
功能
开漏输出场效应管的测试电路。状态引脚用于
与关测试模式管脚相结合。当OFF引脚在
逻辑高状态时，上nFGD低电平有效状态表示向前
电压外部MOSFET的（从源极到漏极）大于
350毫伏。该nFGD引脚需要一个外部上拉电阻的电压
不高于5.5V 。
接地回路控制器
FET测试模式控制输入。在OFF引脚的逻辑低电平或打开状态
将停用FET测试模式。逻辑高电平状态，在OFF引脚将
拉GATE引脚为低电平，关闭外部MOSFET 。如果主体
MOSFET的二极管的正向电压（由源极到漏极）大于
超过350mV的时候OFF引脚处于高状态时， nFGD销会
表明，在MOSFET不被拉动到所述有源低短路
状态。
电压感测连接到外部MOSFET源极引脚
供给输入到内部的电荷泵。
连接到外部MOSFET栅极。
电压感测连接到外部MOSFET漏极引脚与
电源引脚用于偏置内部控制电路。
1
nFGD
2
GND
3
关闭
4
5
6
IN
门
OUT
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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(1) (2)
绝对最大额定值
IN，OUT引脚接地
GATE引脚接地
OFF引脚接地
nFGD引脚接地（关）
存储温度范围
ESD
HBM
(4)
MM
(5)
峰值回流焊温度
(1)
(2)
(6)
(3)
(3)
-0.3V至100V
-0.3V至100V
-0.3V至7V
-0.3V至7V
65°C
至150℃
2千伏
150V
260 ° C， 30秒
(3)
(4)
(5)
(6)
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制，包括在可操作性和退化
设备的可靠性和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值的功能操作或
超越那些在推荐工作条件表示其他条件是不是暗示。经营范围条件表示
的条件，在其中装置是功能和设备不应该超出这样的条件下操作。为规范和
条件见
电气特性。
GATE引脚电压通常为12V以上的IN引脚的电压时， LM5050-2启用（即OFF引脚为开或低，和V
IN
＆ GT ;
V
OUT
） 。因此，绝对最大额定值为IN引脚的电压只适用于当LM5050-2被禁用（即OFF引脚为逻辑
高） ，或瞬间浪涌，因为绝对最大额定值为GATE引脚电压也是100V
人体模型（ HBM ）是一个100 pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。适用的测试标准
JESD-22-A114-C.
机器模型（ MM ）是一个200 pF电容通过一个0Ω电阻器（即直接）向每个引脚放电。适用的测试标准
JESD-A115-A.
焊接规格的访问
www.ti.com 。
(1)
工作额定值
IN，OUT引脚
OFF引脚电压
nFGD电压（关）
nFGD灌电流（安）
+ 6.0V至+ 75V
0.0V至5.5V
0.0V至5.5V
0 mA至1毫安
40°C
至+ 125°C
结温范围（T
J
)
(1)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制，包括在可操作性和退化
设备的可靠性和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值的功能操作或
超越那些在推荐工作条件表示其他条件是不是暗示。经营范围条件表示
的条件，在其中装置是功能和设备不应该超出这样的条件下操作。为规范和
条件见
电气特性。
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3
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电气特性
在标准型限为T
J
= 25只;在限额
黑体字
适用于整个工作结温（T
J
)
范围为-40 ° C至+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计相关规定。典型
值代表最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非
另有规定的下列条件： V
IN
= 12.0V, V
OUT
= 12.0V, V
关闭
= 0.0V ，C
门
= 47 nF的，并且T
J
= 25°C.
符号
IN引脚
V
IN
工作电压范围
V
IN
= 6.0V
GATE =打开
V
OUT
= V
IN
- 100毫伏
I
IN
IN引脚的电流
V
IN
= 12.0V
GATE =打开
V
OUT
= V
IN
- 100毫伏
V
IN
= 75.0V
GATE =打开
V
OUT
= V
IN
- 100毫伏
OUT引脚
V
IN
= 6.0V
V
OUT
= V
IN
- 100毫伏
I
OUT
OUT引脚电流
V
IN
= 12.0V
V
OUT
= V
IN
- 100毫伏
V
IN
= 75.0V
V
OUT
= V
IN
- 100毫伏
GATE引脚
I
门（ON）的
GATE引脚源电流
V
IN
= 6.0V至75V
V
门
= V
IN
V
OUT
= V
IN
- 175毫伏
V
IN
= 6.0V
V
OUT
= V
IN
- 175毫伏
V
GS
V
门
- V
IN
在正向操作
(1)
参数
条件
民
6.0
180
典型值
-
240
最大
75.0
300
单位
V
262
350
440
μA
275
355
460
74
70
35
95
110
125
115
160
265
uA
18.0
6.0
8.0
8.0
-
32.
6.8
11.5
11
27
61
205
450
45.0
7.4
14.7
14.5
100
-
425
-
uA
V
IN
= 12.0V
V
OUT
= V
IN
- 175毫伏
V
IN
= 75.0V
V
OUT
= V
IN
- 175毫伏
V
t
GATE （ REV ）
栅极电容放电时间
转发到反向转换
SEE
图4
栅极电容DischargeTime在
OFF引脚低到高的转变
SEE
图5
GATE引脚吸收电流
倒V
SD
门槛
V
IN
＆ LT ; V
OUT
倒V
SD
迟滞
监管的正向V
SD
门槛
V
IN
＆ GT ; V
OUT
C
门
= 0
(2)
(2)
(2)
C
门
- 10 nF的
C
门
- 47 nF的
C
门
- 47 nF的
-
-
-
ns
t
门（OFF）的
(3)
ns
I
门（OFF）的
V
SD （ REV ）
ΔV
SD （ REV ）
V
门
= V
IN
+ 3V
V
OUT
＆ GT ; V
IN
+ 100毫伏
t
≤
10ms
V
IN
- V
OUT
1.9
-37
-
2.8
-27
10
20
16
-
-17
-
33
A
mV
mV
V
SD （ REG ）
V
IN
= 6.0V
V
IN
- V
OUT
V
IN
= 12.0V
V
IN
- V
OUT
6
2
mV
31
(1)
(2)
(3)
V测量
GS
电压（即V
门
- V
IN
）包括1 MΩ与C并联
门
从V时代
IN
-V
OUT
从200mV的电压转换为-500mV ，直到GATE引脚电压下降到V
IN
+ 1V 。看
图4
从V时代
关闭
从0.0V电压转换为5.0V ，直到GATE引脚电压下降到V
IN
+ 1V 。看
图5
4
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电气特性（续）
在标准型限为T
J
= 25只;在限额
黑体字
适用于整个工作结温（T
J
)
范围为-40 ° C至+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计相关规定。典型
值代表最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非
另有规定的下列条件： V
IN
= 12.0V, V
OUT
= 12.0V, V
关闭
= 0.0V ，C
门
= 47 nF的，并且T
J
= 25°C.
符号
OFF引脚
V
关（ 1H）
V
关（ IL）的
ΔV
关闭
I
关闭
nFGD引脚
V
SD （TST）
ΔV
SD （TST）
nFGD
VOL
nFGD
IOL
FET测试阈值电压
V
IN
＆ LT ; V
OUT
FET测试阈值电压迟滞
nFGD输出低电压
nFGD输出=开
nFGD输出漏电流
nFGD输出=关闭
V
关闭
= 5V
I
nFGD
= 1毫安沉没
V
关闭
= 0V
V
nFGD
= 5.5V
V
关闭
= 5V
V
OUT
= 12V
V
IN
从12V下降
250
-
-
-
350
95
630
0.001
450
-
850
0.7
mV
mV
mV
A
OFF输入高阈值电压
OFF输入低阈值电压
断阈值电压迟滞
OFF引脚内部下拉
V
OUT
= V
IN
-500 mV的
V
关闭
升起
V
OUT
= V
IN
- 500毫伏
V
关闭
落下
V
关（ 1H）
- V
关（ IL）的
V
关闭
= 5.0V
-
1.09
-
2.0
1.55
1.41
160
5
1.73
V
-
-
8.0
mV
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
200毫伏
V
IN
- V
OUT
V
SD （ REG ）
0毫伏
V
SD （ REV ）
-500 mV的
V
IN
＆ GT ; V
OUT
V
IN
＆ LT ; V
OUT
t
门（OFF）的
V
门
- V
IN
V
门
1.0V
0.0V
图4.门关时序转发给反向转换
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