LM4990 2瓦音频功率放大器可选择的关断逻辑电平
2004年1月
LM4990
2瓦音频功率放大器可选择关机
逻辑电平
概述
该LM4990的音频功率放大器主要设计
为要求苛刻的移动电话和其他por-应用
台通信设备的应用程序。它能够
提供1.25瓦特连续平均功率为一个8Ω
连续功率的BTL负载和2瓦（ LD和
MH只），以一个4Ω桥式连接负载小于1％的失真
（ THD + N + N）从5V
DC
电源。
的Boomer音频功率放大器是专为
提供高品质的输出功率与最小量的
的外部元件。该LM4990不需要输出
耦合电容或自举电容，因此就是
非常适用于移动电话和其他低电压应用程序
的阳离子，其中最小的功率消耗是一个主再
quirement 。
该LM4990设有低功耗的停机
模式。为了推动这项工作，关机可以由被启用
逻辑高电平或低电平，取决于模式选择。驱动
关断模式引脚为高电平或低电平使能关机
引脚驱动的同样方式来实现关机。
该LM4990包含高级弹出&点击电路，
消除导通期间，否则会产生噪声
和关断的过渡。
该LM4990是单位增益稳定，可以通过配置
外部增益设置电阻。
关键的特定连接的阳离子
j
在217Hz & 1KHz的提高PSRR
j
功率输出为5.0V ， 1 ％
62dB
THD + N，
4Ω （ LD和MH只）
j
功率输出为5.0V ， 1 ％ THD + N， 8Ω
j
功率输出在3.0V ， 1 ％ THD + N， 4Ω
j
功率输出在3.0V ， 1 ％ THD + N， 8Ω
j
关断电流
2W （典型值）
1.25W （典型值）
的600mW （典型值）
425MW （典型值）
0.1μA （典型值）
特点
n
提供节省空间的封装： LLP ，裸露-DAP
TSSOP ， MSOP ， ITL和
n
超低电流关断模式
n
改进弹出&点击电路消除噪音时
导通和关断的过渡
n
2.2 - 5.5V工作电压
n
无输出耦合电容，缓冲网络或
所需的自举电容
n
单位增益稳定
n
外部增益配置能力
n
用户可选择关闭高或低逻辑电平
应用
n
手机
n
掌上电脑
n
便携式电子设备
连接图
微型小外形封装（ MSOP ）封装
MSOP标记
20051071
200510B9
顶视图
订单号LM4990MM
见NS包装数MUA08A
顶视图
- 植物码
X - 日期代码
TT - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
A5 - LM4990MM
布玛
是美国国家半导体公司的注册商标。
2004美国国家半导体公司
DS200510
www.national.com
LM4990
连接图
LLP封装
（续）
LLP标记
200510B4
200510B3
顶视图
订单号LM4990LD
见NS包装数LDA10B
裸露的DAP TSSOP封装
顶视图
- 植物码
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
底线 - 零部件号
20051096
顶视图
订单号LM4990MH
见NS包装数MXF10A
9焊球micro SMD
9焊球micro SMD标
200510C1
200510C0
顶视图
X =日期代码
牛逼 - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
D2 - LM4990ITL
顶视图
订单号LM4990ITL ， LM4990ITLX
见NS包装数TLA09ZZA
www.national.com
2
LM4990
包
关断模式
典型输出功率为5V ，
1 ％ THD + N
LD
可选
2W
(R
L
= 4)
MH
可选
2W
(R
L
= 4)
MM
低
1.25W
(R
L
= 8)
ITL
低
1.25W
(R
L
= 8)
.
一个SD_MODE选择引脚确定了LD和MH包关机状态下，无论是置为高电平或低电平器件，激活
关机。
.
该SD_MODE选择引脚不可用的MM和ITL封装器件。关机时只能用低断言。
典型用途
20051001
注： MM和ITL封装器件仅低电平有效;关断模式引脚在内部连接到GND 。
图1.典型的音频放大器应用电路（ LD和MH ）
3
www.national.com
LM4990
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（注11 ）
储存温度
输入电压
功率耗散（注3 ， 12 ）
ESD易感性（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
结温
热阻
θ
JC
（ MSOP ）
56C/W
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2000V
200V
150C
θ
JA
（ MSOP ）
θ
JA
（ 9焊球micro SMD ） （注15 ）
θ
JA
（ LLP ）
θ
JC
（ LLP ）
焊接信息
见AN- 1187 "Leadless
引线框架封装（ LLP ） 0."
190C/W
180C/W
63C / W（注13 ）
12℃/ W（注13 ）
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
40C
≤
T
A
≤
85C
2.2V
≤
V
DD
≤
5.5V
电气特性V
DD
= 5V
（注1,2 ）
下面的参数适用于图1中示出，除非另有说明，所述电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4990
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，空载
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ， 8Ω负载
V
SD
= V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
模式
模式
模式
模式
模式
典型
（注6 ）
3
4
0.1
1.5
1.3
1.5
1.3
7
8.5
极限
（注7,9）
7
10
2.0
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
V
V
V
V
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
R
OUT
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出电阻到GND （注10 ）
输出功率（ 8Ω ）
（ 4Ω ） （注13 ， 14 ）
唤醒时间
（注8）
= V
DD
= V
DD
= GND
= GND
50
9.7
7.0
0.9
毫伏（最大）
千欧（最大值）
千欧（分钟）
W（分钟）
W
ms
%
P
o
T
WU
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
P
o
= 0.5Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
输入端接10Ω
1.25
2
100
0.2
60 (f =
217Hz)
64 （ F = 1kHz时）
THD + N + N总谐波失真+噪声
PSRR
电源抑制比
55
分贝（分钟）
电气特性V
DD
= 3V
（注1,2 ）
下面的参数适用于图1中示出，除非另有说明，所述电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4990
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，空载
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ， 8Ω负载
V
SD
= V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
模式
模式
模式
模式
模式
典型
（注6 ）
2
3
0.1
1.1
0.9
1.3
1.0
7
8.5
极限
（注7,9）
7
9
2.0
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
V
V
V
V
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
R
OUT
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出电阻到GND （注10 ）
（注8）
= V
DD
= V
DD
= GND
= GND
50
9.7
7.0
毫伏（最大）
千欧（最大值）
千欧（分钟）
www.national.com
4
LM4990
电气特性V
DD
= 3V
（注1,2 ）
下面的参数适用于图1中示出，除非另有说明，所述电路。限制适用对于T
A
=
25℃。 （续）
LM4990
符号
参数
输出功率（ 8Ω ）
(4)
唤醒时间
P
o
= 0.25Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
输入端接10Ω
条件
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
典型
（注6 ）
P
o
T
WU
425
600
75
0.1
62 (f =
217Hz)
68 （ F = 1kHz时）
55
极限
（注7,9）
单位
（限量）
mW
mW
ms
%
分贝（分钟）
THD + N + N总谐波失真+噪声
PSRR
电源抑制比
（注1,2 ）
下面的参数适用于图1中示出，除非另有说明，所述电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4990
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，空载
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ， 8Ω负载
V
SD
= V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
模式
模式
模式
模式
模式
电气特性V
DD
= 2.6V
典型
（注6 ）
2.0
3.0
0.1
1.0
0.9
1.2
1.0
5
8.5
极限
（注7,9）
单位
（限量）
mA
mA
A
V
V
V
V
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
R
OUT
P
o
T
WU
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出电阻到GND （注10 ）
输出功率（ 8Ω ）
( 4 )
唤醒时间
（注8）
= V
DD
= V
DD
= GND
= GND
50
9.7
7.0
毫伏（最大）
千欧（最大值）
千欧（分钟）
mW
ms
%
dB
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
P
o
= 0.15Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
输入端接10Ω
300
400
70
0.1
51 (f =
217Hz)
51 （ F = 1kHz时）
THD + N + N总谐波失真+噪声
PSRR
电源抑制比
注1 ：
所有电压都相对于该接地引脚测量，除非另有规定。
注2 ：
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备是条件
功能，但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流的试验条件下的电气规范其
保证特定的性能限制。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证在没有极限参数
给出，然而，典型的值是设备性能的良好指示。
注3 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度T
A
。最大
允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
–T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。对于LM4990 ，看功率降额
曲线的附加信息。
注4 ：
人体模型， 100pF电容通过1.5kΩ电阻。
注5 ：
机器型号， 220PF - 240pF通过排出所有引脚。
注6 ：
标准被定在25℃下测得的参数标准。
注7 ：
限制是保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注8 ：
对于只有微型SMD ，关断电流测量在正常的室温环境。阳光直接照射会增加我
SD
由最大2μA的。
注9 ：
数据表的最小/最大规格限制由设计，测试或统计分析保证。
注10 ：
R
大败
从输出引脚接地测量。此值表示的10kΩ的电阻输出和两个20kΩ的电阻的并联组合。
注11 ：
如果产品处于关断模式和V
DD
超过6V （到最大8V的V
DD
），那么大部分过量的电流将流过ESD保护电路。
如果源阻抗的电流限制到最大为10mA ，则该设备将受到保护。如果该设备时启用V
DD
大于5.5V且小于
6.5V ，则不会发生破损，虽然操作寿命将减少。操作6.5V以上，没有电流限制就会造成永久性损坏。
注12 ：
在设备最大功耗（P
DMAX
）发生在显著低于满输出功率的输出功率电平。 P
DMAX
可用下式计算
在所示的式（1）
应用信息
部分。它也可从功率耗散图获得。
5
www.national.com
深圳市芯美电子科技有限公司
LM4990 2瓦音频功率放大器可选择的关断逻辑电平
2004年10月
LM4990
2瓦音频功率放大器可选择关机
逻辑电平
概述
该LM4990的音频功率放大器主要设计
为要求苛刻的移动电话和其他por-应用
台通信设备的应用程序。它能够
提供1.25瓦特连续平均功率为一个8Ω
连续功率的BTL负载和2瓦（ LD和
MH只），以一个4Ω桥式连接负载小于1％的失真
（ THD + N + N）从5V
DC
电源。
的Boomer音频功率放大器是专为
提供高品质的输出功率与最小量的
的外部元件。该LM4990不需要输出
耦合电容或自举电容，因此就是
非常适用于移动电话和其他低电压应用程序
的阳离子，其中最小的功率消耗是一个主再
quirement 。
该LM4990设有低功耗的停机
模式。为了推动这项工作，关机可以由被启用
逻辑高电平或低电平，取决于模式选择。驱动
关断模式引脚为高电平或低电平使能关机
引脚驱动的同样方式来实现关机。
该LM4990包含高级弹出&点击电路，
消除导通期间，否则会产生噪声
和关断的过渡。
该LM4990是单位增益稳定，可以通过配置
外部增益设置电阻。
关键的特定连接的阳离子
j
在217Hz & 1KHz的提高PSRR
j
功率输出为5.0V ， 1 ％
62dB
THD + N，
4Ω （ LD和MH只）
j
功率输出为5.0V ， 1 ％ THD + N， 8Ω
j
功率输出在3.0V ， 1 ％ THD + N， 4Ω
j
功率输出在3.0V ， 1 ％ THD + N， 8Ω
j
关断电流
2W （典型值）
1.25W （典型值）
的600mW （典型值）
425MW （典型值）
0.1μA （典型值）
特点
n
提供节省空间的封装： LLP ，裸露-DAP
TSSOP ， MSOP ， ITL和
n
超低电流关断模式
n
改进弹出&点击电路消除噪音时
导通和关断的过渡
n
2.2 - 5.5V工作电压
n
无输出耦合电容，缓冲网络或
所需的自举电容
n
单位增益稳定
n
外部增益配置能力
n
用户可选择关闭高或低逻辑电平
应用
n
手机
n
掌上电脑
n
便携式电子设备
连接图
微型小外形封装（ MSOP ）封装
MSOP标记
20051071
200510B9
顶视图
订单号LM4990MM
见NS包装数MUA08A
顶视图
- 植物码
X - 日期代码
TT - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
A5 - LM4990MM
布玛
是美国国家半导体公司的注册商标。
2004美国国家半导体公司
DS200510
www.national.com
联系电话：１５９９９６４４５７９ ８３１５１７１５
深圳市芯美电子科技有限公司
LM4990
连接图
LLP封装
（续）
LLP标记
200510B4
200510B3
顶视图
- 植物码
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
底线 - 零部件号
顶视图
订单号LM4990LD
见NS包装数LDA10B
裸露的DAP TSSOP封装
20051096
顶视图
订单号LM4990MH
见NS包装数MXF10A
9焊球micro SMD
9焊球micro SMD标
200510C1
200510C0
顶视图
X =日期代码
牛逼 - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
D2 - LM4990ITL
顶视图
订单号LM4990ITL ， LM4990ITLX
见NS包装数TLA09ZZA
www.national.com
2
联系电话：１５９９９６４４５７９ ８３１５１７１５
深圳市芯美电子科技有限公司
LM4990
包
关断模式
典型输出功率为5V ，
1 ％ THD + N
LD
可选
2W
(R
L
= 4)
MH
可选
2W
(R
L
= 4)
MM
低
1.25W
(R
L
= 8)
ITL
低
1.25W
(R
L
= 8)
.
一个SD_MODE选择引脚确定了LD和MH包关机状态下，无论是置为高电平或低电平器件，激活
关机。
.
该SD_MODE选择引脚不可用的MM和ITL封装器件。关机时只能用低断言。
典型用途
20051001
注： MM和ITL封装器件仅低电平有效;关断模式引脚在内部连接到GND 。
图1.典型的音频放大器应用电路（ LD和MH ）
200510C4
图2.典型的音频放大器应用电路（ ITL和MM ）
3
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联系电话：１５９９９６４４５７９ ８３１５１７１５
深圳市芯美电子科技有限公司
LM4990
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（注11 ）
储存温度
输入电压
功率耗散（注3 ， 12 ）
ESD易感性（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
结温
热阻
θ
JC
（ MSOP ）
56C/W
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2000V
200V
150C
θ
JA
（ MSOP ）
θ
JA
（ 9焊球micro SMD ） （注15 ）
θ
JA
（ LLP ）
θ
JC
（ LLP ）
焊接信息
见AN- 1187 "Leadless
引线框架封装（ LLP ） 0."
190C/W
180C/W
63C / W（注13 ）
12℃/ W（注13 ）
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
40C
≤
T
A
≤
85C
2.2V
≤
V
DD
≤
5.5V
电气特性V
DD
= 5V
（注1,2 ）
下面的参数适用于图1中示出，除非另有说明，所述电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4990
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，空载
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ， 8Ω负载
V
SD
= V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
模式
模式
模式
模式
模式
典型
（注6 ）
3
4
0.1
1.5
1.3
1.5
1.3
7
8.5
极限
（注7,9）
7
10
2.0
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
V
V
V
V
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
R
OUT
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出电阻到GND （注10 ）
输出功率（ 8Ω ）
（ 4Ω ） （注13 ， 14 ）
唤醒时间
（注8）
= V
DD
= V
DD
= GND
= GND
50
9.7
7.0
0.9
毫伏（最大）
千欧（最大值）
千欧（分钟）
W（分钟）
W
ms
%
P
o
T
WU
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
P
o
= 0.5Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
输入端接10Ω
1.25
2
100
0.2
60 (f =
217Hz)
64 （ F = 1kHz时）
THD + N + N总谐波失真+噪声
PSRR
电源抑制比
55
分贝（分钟）
电气特性V
DD
= 3V
（注1,2 ）
下面的参数适用于图1中示出，除非另有说明，所述电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4990
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，空载
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ， 8Ω负载
V
SD
= V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
模式
模式
模式
模式
模式
典型
（注6 ）
2
3
0.1
1.1
0.9
1.3
1.0
7
8.5
极限
（注7,9）
7
9
2.0
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
V
V
V
V
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
R
OUT
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出电阻到GND （注10 ）
（注8）
= V
DD
= V
DD
= GND
= GND
50
9.7
7.0
毫伏（最大）
千欧（最大值）
千欧（分钟）
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深圳市芯美电子科技有限公司
LM4990
电气特性V
DD
= 3V
（注1,2 ）
下面的参数适用于图1中示出，除非另有说明，所述电路。限制适用对于T
A
=
25℃。 （续）
LM4990
符号
参数
输出功率（ 8Ω ）
(4)
唤醒时间
P
o
= 0.25Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
输入端接10Ω
条件
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
典型
（注6 ）
P
o
T
WU
425
600
75
0.1
62 (f =
217Hz)
68 （ F = 1kHz时）
55
极限
（注7,9）
单位
（限量）
mW
mW
ms
%
分贝（分钟）
THD + N + N总谐波失真+噪声
PSRR
电源抑制比
（注1,2 ）
下面的参数适用于图1中示出，除非另有说明，所述电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4990
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，空载
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ， 8Ω负载
V
SD
= V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
V
SD
模式
模式
模式
模式
模式
电气特性V
DD
= 2.6V
典型
（注6 ）
2.0
3.0
0.1
1.0
0.9
1.2
1.0
5
8.5
极限
（注7,9）
单位
（限量）
mA
mA
A
V
V
V
V
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
R
OUT
P
o
T
WU
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出电阻到GND （注10 ）
输出功率（ 8Ω ）
( 4 )
唤醒时间
（注8）
= V
DD
= V
DD
= GND
= GND
50
9.7
7.0
毫伏（最大）
千欧（最大值）
千欧（分钟）
mW
ms
%
dB
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
P
o
= 0.15Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
输入端接10Ω
300
400
70
0.1
51 (f =
217Hz)
51 （ F = 1kHz时）
THD + N + N总谐波失真+噪声
PSRR
电源抑制比
注1 ：
所有电压都相对于该接地引脚测量，除非另有规定。
注2 ：
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备是条件
功能，但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流的试验条件下的电气规范其
保证特定的性能限制。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证在没有极限参数
给出，然而，典型的值是设备性能的良好指示。
注3 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度T
A
。最大
允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
–T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。对于LM4990 ，看功率降额
曲线的附加信息。
注4 ：
人体模型， 100pF电容通过1.5kΩ电阻。
注5 ：
机器型号， 220PF - 240pF通过排出所有引脚。
注6 ：
标准被定在25℃下测得的参数标准。
注7 ：
限制是保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注8 ：
对于只有微型SMD ，关断电流测量在正常的室温环境。阳光直接照射会增加我
SD
由最大2μA的。
注9 ：
数据表的最小/最大规格限制由设计，测试或统计分析保证。
注10 ：
R
大败
从输出引脚接地测量。此值表示的10kΩ的电阻输出和两个20kΩ的电阻的并联组合。
注11 ：
如果产品处于关断模式和V
DD
超过6V （到最大8V的V
DD
），那么大部分过量的电流将流过ESD保护电路。
如果源阻抗的电流限制到最大为10mA ，则该设备将受到保护。如果该设备时启用V
DD
大于5.5V且小于
6.5V ，则不会发生破损，虽然操作寿命将减少。操作6.5V以上，没有电流限制就会造成永久性损坏。
注12 ：
在设备最大功耗（P
DMAX
）发生在显著低于满输出功率的输出功率电平。 P
DMAX
可用下式计算
在所示的式（1）
应用信息
部分。它也可从功率耗散图获得。
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