LM4892 1瓦音频功率放大器耳机检测
2002年10月
LM4892
1瓦音频功率放大器耳机检测
概述
该LM4892的音频功率放大器主要设计
为要求苛刻的移动电话和其他por-应用
台通信设备的应用程序。它能够
提供1W的连续平均功率一个8Ω BTL
负载从一个5V小于1％的失真（ THD + N）
DC
电源。桥接扬声器模式之间切换
耳机（单端）模式被使用来实现
耳机检测引脚。
的Boomer音频功率放大器是专为设计
提供高品质的输出功率与最小量的
的外部元件。该LM4892不需要输出
耦合电容或自举电容，因此就是
非常适用于移动电话和其他低电压应用程序
的阳离子，其中最小的功率消耗是一个主再
quirement 。
该LM4892设有低功耗的停机
模式，它是通过驱动关断引脚与实现
逻辑低。此外， LM4892具有内部热敏
MAL关断保护机制。
该LM4892包含了先进的弹出&点击电路，
消除导通期间，否则会产生噪声
和关断的过渡。
该LM4892是单位增益稳定，可以通过配置
外部增益设置电阻。
关键的特定连接的阳离子
j
PSRR在217Hz时，V
DD
= 5V ， 8Ω负载
62分贝（典型值）
1.0W （典型值）
为400mW （典型值）
0.1μA （典型值）
j
功率输出在5.0V & 1 ％ THD
j
电源输出电压为3.3V & 1 ％ THD
j
关断电流
特点
n
提供节省空间的封装： LLP ，微SMD ，
MSOP ， SOIC和
n
超低电流关断模式
n
BTL输出最多可驱动容性负载到500pF的
n
改进弹出&点击电路消除噪音时
导通和关断的过渡
n
2.2 - 5.5V工作电压
n
无输出耦合电容，缓冲网络或
所需的自举电容
n
热关断保护
n
单位增益稳定
n
外部增益配置能力
n
耳机放大器模式
应用
n
手机
n
掌上电脑
n
便携式电子设备
典型用途
20012701
图1.典型的音频放大器应用电路（引脚＃的适用于M & MM包）
布玛
是美国国家半导体公司的注册商标。
2002美国国家半导体公司
DS200127
www.national.com
LM4892
连接图
8焊球micro SMD
小外形（ SO ）封装
20012735
20012723
顶视图
订单号LM4892IBP ， LM4892IBPX
见NS包装数BPA08DDB
微型小外形封装（ MSOP ）封装
顶视图
订单编号LM4892M
见NS包装数M08A
微型SMD标记
20012770
20012736
顶视图
订单号LM4892MM
见NS包装数MUA08A
SO标记
顶视图
X - 日期代码
牛逼 - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
- LM4892IBP
MSOP标记
20012772
20012771
顶视图
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
底2号线 - 型号
LLP封装
顶视图
摹 - 潮系列
92 - LM4892MM
20012789
顶视图
订单号LM4892LD
见NS包装数LDA10B
www.national.com
2
LM4892
绝对最大额定值
（注2 ）
θ
JC
（ MSOP ）
θ
JA
（ MSOP ）
θ
JA
（ LLP ）
焊接信息
见AN- 1112 “的microSMD晶圆级芯片尺寸
套餐“ 。
见AN- 1187 “无铅引线框架封装（ LLP ） ” 。
56C/W
190C/W
220℃ / W （注9 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功率耗散（注3 ）
ESD易感性（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
结温
热阻
θ
JC
（ SOP ）
θ
JA
（ SOP ）
θ
JA
（微型SMD ）
35C/W
150C/W
220C/W
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2500V
250V
150C
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
40C
≤
T
A
≤
85C
2.2V
≤
V
DD
≤
5.5V
电气特性V
DD
= 5V
以下规格适用于V
DD
（注1,2 ）
= 5V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4892
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
1
90
4
0.8
P
o
= 0.4 W
RMS
; F = 1kHz时为10Hz
≤
BW
≤
80kHz
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
0.1
62 (f =
217Hz时）， 66 （F
= 1kHz时）
W
mW
V（分钟）
V（最大值）
%
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 0V
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 5V
Vshutdown = GND （注8 ）
THD = 2 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 8Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 32Ω ，惠普感
＆ GT ;
4V
0.1
典型
（注6 ）
4
2.5
极限
（注7 ）
10
I
DD
I
SD
静态电源电流
关断电流
P
o
输出功率
V
IH
V
IL
THD + N
PSSR
惠普感高输入电压
惠普感低输入电压
总谐波失真+噪声
电源抑制比
dB
电气特性V
DD
= 3.3V
以下规格适用于V
DD
（注1,2 ）
= 3.3V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4892
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
W
mW
2.6
0.8
P
o
= 0.15 W
RMS
; F = 1kHz时为10Hz
≤
BW
≤
80kHz
3
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 0V
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 3.3V
Vshutdown = GND （注8 ）
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 8Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 32Ω ，惠普感
＆ GT ;
3V
典型
（注6 ）
3.5
2.0
0.1
0.4
35
极限
（注7 ）
I
DD
I
SD
静态电源电流
关断电流
P
o
输出功率
V
IH
V
IL
THD + N
惠普感高输入电压
惠普感低输入电压
总谐波失真+噪声
0.1
V（分钟）
V（最大值）
%
www.national.com
LM4892
电气特性V
DD
= 3.3V
（注1,2 ）
以下规格适用于V
DD
= 3.3V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
=
25℃。 （续）
LM4892
符号
PSSR
参数
电源抑制比
条件
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
典型
（注6 ）
60 （ F = 217Hz时）
62 （ F = 1kHz时）
极限
（注7 ）
单位
（限量）
dB
电气特性V
DD
= 2.6V
（注1,2 ）
以下规格适用于V
DD
= 2.6V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4892
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 0V
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 2.6V
Vshutdown = GND （注8 ）
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 8Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
P
o
输出功率
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 4Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，R
L
=
32Ω ，惠普感
＆ GT ;
2.5V
V
IH
V
IL
THD + N
PSSR
惠普感高输入电压
惠普感低输入电压
总谐波失真+噪声
电源抑制比
P
o
= 0.1 W
RMS
; F = 1kHz时为10Hz
≤
BW
≤
80kHz
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
0.1
44 （ F = 217Hz时）
44 （ F = 1kHz时）
典型
（注6 ）
I
DD
I
SD
静态电源电流
关断电流
2.6
1.5
0.1
0.25
0.28
20
2.0
0.8
极限
（注7 ）
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
W
W
mW
V（分钟）
V（最大值）
%
dB
注1 ：
所有电压都相对于该接地引脚测量，除非另有规定。
注2 ：
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备是条件
功能，但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流的试验条件下的电气规范其
保证特定的性能限制。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证在没有极限参数
给出，然而，典型的值是设备性能的良好指示。
注3 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度T
A
。最大
允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
–T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。对于LM4892 ，看功率降额
电流，以获取更多信息。
注4 ：
人体模型， 100pF电容通过1.5kΩ电阻。
注5 ：
机器型号， 220PF - 240pF放电通过所有引脚。
注6 ：
标准被定在25℃下测得的参数标准。
注7 ：
数据表的最小/最大规格限制由设计，测试或统计分析保证。
注8 ：
对于只有微型SMD ，关断电流测量在正常的室温环境。阳光直接照射会增加我
SD
由最大2μA的。
注9 ：
裸露-DAP的LDA10B包应该是电连接到GND或电隔离的铜面积。该LM4892LD演示板
（观点在特色
应用信息
部分）具有裸露-DAP连接到GND与353mils X 86.7mils （ 8.97毫米X 2.20毫米一个PCB面积）上
铜顶层和714.7mils X铜底层368mils （ 18.15毫米X 9.35毫米） 。
外部元件描述
（图
1)
组件
1.
2.
R
i
C
i
功能说明
反相输入端的电阻，使中国在连接R的闭环增益
f
。该电阻器还形成
高通滤波器，以C
i
在f
C
= 1/(2π R
i
C
i
).
输入耦合电容，阻止在所述放大器的输入端的直流电压。还创建了一个
高通滤波器，带有R
i
在f
c
= 1/(2π R
i
C
i
） 。请参考以下部分，
选择适当的外部元件，
对于如何确定C的值的说明
i
.
反馈电阻它设置在连接R闭环增益
i
.
3.
R
f
www.national.com
4
LM4892
外部元件描述
组件
4.
5.
6.
C
S
C
B
C
OUT
（图
1)
（续）
功能说明
电源旁路电容，提供电源滤波。参阅
电源旁路
部分涉及电源旁路电容的妥善安置和选择信息。
旁路引脚电容，提供半电源滤波。请参考以下部分，
正确选择的外部
组件，
信息有关的C妥善安置和选择
B
.
此输出耦合电容器块的DC电压，同时将交流音频信号耦合到耳机
扬声器。结合有R
L
时，耳机的阻抗时，它创建在f的高通滤波器
c
= 1/(2πR
L
C
OUT
).
请参考以下部分，
外部元件的正确选择
对于如何确定的解释
的C值
OUT
.
这是上拉电阻，以激活耳机操作时，耳机插头插入到
耳机插孔。
这是限流电阻器的耳机的输入管脚。
这是下拉电阻去激活耳机的操作时，没有耳机插到
耳机插孔。
7.
8.
9.
R
PU
R
S
R
PD
典型性能特性
THD + N与频率
在V
DD
= 5V ， 8Ω
L
和PWR = 250mW的
THD + N与频率
在V
DD
= 3.3V ， 8Ω
L
和PWR = 150毫瓦
20012737
20012738
THD + N与频率
在V
DD
= 2.6V ， 8Ω
L
和PWR = 100mW的
THD + N与频率
在V
DD
= 2.6V ， 4Ω
L
和PWR = 100mW的
20012739
20012740
5
www.national.com
LM4892 1瓦音频功率放大器耳机检测
2002年10月
LM4892
1瓦音频功率放大器耳机检测
概述
该LM4892的音频功率放大器主要设计
为要求苛刻的移动电话和其他por-应用
台通信设备的应用程序。它能够
提供1W的连续平均功率一个8Ω BTL
负载从一个5V小于1％的失真（ THD + N）
DC
电源。桥接扬声器模式之间切换
耳机（单端）模式被使用来实现
耳机检测引脚。
的Boomer音频功率放大器是专为设计
提供高品质的输出功率与最小量的
的外部元件。该LM4892不需要输出
耦合电容或自举电容，因此就是
非常适用于移动电话和其他低电压应用程序
的阳离子，其中最小的功率消耗是一个主再
quirement 。
该LM4892设有低功耗的停机
模式，它是通过驱动关断引脚与实现
逻辑低。此外， LM4892具有内部热敏
MAL关断保护机制。
该LM4892包含了先进的弹出&点击电路，
消除导通期间，否则会产生噪声
和关断的过渡。
该LM4892是单位增益稳定，可以通过配置
外部增益设置电阻。
关键的特定连接的阳离子
j
PSRR在217Hz时，V
DD
= 5V ， 8Ω负载
62分贝（典型值）
1.0W （典型值）
为400mW （典型值）
0.1μA （典型值）
j
功率输出在5.0V & 1 ％ THD
j
电源输出电压为3.3V & 1 ％ THD
j
关断电流
特点
n
提供节省空间的封装： LLP ，微SMD ，
MSOP ， SOIC和
n
超低电流关断模式
n
BTL输出最多可驱动容性负载到500pF的
n
改进弹出&点击电路消除噪音时
导通和关断的过渡
n
2.2 - 5.5V工作电压
n
无输出耦合电容，缓冲网络或
所需的自举电容
n
热关断保护
n
单位增益稳定
n
外部增益配置能力
n
耳机放大器模式
应用
n
手机
n
掌上电脑
n
便携式电子设备
典型用途
20012701
图1.典型的音频放大器应用电路（引脚＃的适用于M & MM包）
布玛
是美国国家半导体公司的注册商标。
2002美国国家半导体公司
DS200127
www.national.com
LM4892
连接图
8焊球micro SMD
小外形（ SO ）封装
20012735
20012723
顶视图
订单号LM4892IBP ， LM4892IBPX
见NS包装数BPA08DDB
微型小外形封装（ MSOP ）封装
顶视图
订单编号LM4892M
见NS包装数M08A
微型SMD标记
20012770
20012736
顶视图
订单号LM4892MM
见NS包装数MUA08A
SO标记
顶视图
X - 日期代码
牛逼 - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
- LM4892IBP
MSOP标记
20012772
20012771
顶视图
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
底2号线 - 型号
LLP封装
顶视图
摹 - 潮系列
92 - LM4892MM
20012789
顶视图
订单号LM4892LD
见NS包装数LDA10B
www.national.com
2
LM4892
绝对最大额定值
（注2 ）
θ
JC
（ MSOP ）
θ
JA
（ MSOP ）
θ
JA
（ LLP ）
焊接信息
见AN- 1112 “的microSMD晶圆级芯片尺寸
套餐“ 。
见AN- 1187 “无铅引线框架封装（ LLP ） ” 。
56C/W
190C/W
220℃ / W （注9 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功率耗散（注3 ）
ESD易感性（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
结温
热阻
θ
JC
（ SOP ）
θ
JA
（ SOP ）
θ
JA
（微型SMD ）
35C/W
150C/W
220C/W
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2500V
250V
150C
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
40C
≤
T
A
≤
85C
2.2V
≤
V
DD
≤
5.5V
电气特性V
DD
= 5V
以下规格适用于V
DD
（注1,2 ）
= 5V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4892
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
1
90
4
0.8
P
o
= 0.4 W
RMS
; F = 1kHz时为10Hz
≤
BW
≤
80kHz
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
0.1
62 (f =
217Hz时）， 66 （F
= 1kHz时）
W
mW
V（分钟）
V（最大值）
%
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 0V
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 5V
Vshutdown = GND （注8 ）
THD = 2 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 8Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 32Ω ，惠普感
＆ GT ;
4V
0.1
典型
（注6 ）
4
2.5
极限
（注7 ）
10
I
DD
I
SD
静态电源电流
关断电流
P
o
输出功率
V
IH
V
IL
THD + N
PSSR
惠普感高输入电压
惠普感低输入电压
总谐波失真+噪声
电源抑制比
dB
电气特性V
DD
= 3.3V
以下规格适用于V
DD
（注1,2 ）
= 3.3V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4892
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
W
mW
2.6
0.8
P
o
= 0.15 W
RMS
; F = 1kHz时为10Hz
≤
BW
≤
80kHz
3
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 0V
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 3.3V
Vshutdown = GND （注8 ）
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 8Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 32Ω ，惠普感
＆ GT ;
3V
典型
（注6 ）
3.5
2.0
0.1
0.4
35
极限
（注7 ）
I
DD
I
SD
静态电源电流
关断电流
P
o
输出功率
V
IH
V
IL
THD + N
惠普感高输入电压
惠普感低输入电压
总谐波失真+噪声
0.1
V（分钟）
V（最大值）
%
www.national.com
LM4892
电气特性V
DD
= 3.3V
（注1,2 ）
以下规格适用于V
DD
= 3.3V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
=
25℃。 （续）
LM4892
符号
PSSR
参数
电源抑制比
条件
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
典型
（注6 ）
60 （ F = 217Hz时）
62 （ F = 1kHz时）
极限
（注7 ）
单位
（限量）
dB
电气特性V
DD
= 2.6V
（注1,2 ）
以下规格适用于V
DD
= 2.6V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4892
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 0V
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 2.6V
Vshutdown = GND （注8 ）
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 8Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
P
o
输出功率
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 4Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，R
L
=
32Ω ，惠普感
＆ GT ;
2.5V
V
IH
V
IL
THD + N
PSSR
惠普感高输入电压
惠普感低输入电压
总谐波失真+噪声
电源抑制比
P
o
= 0.1 W
RMS
; F = 1kHz时为10Hz
≤
BW
≤
80kHz
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
0.1
44 （ F = 217Hz时）
44 （ F = 1kHz时）
典型
（注6 ）
I
DD
I
SD
静态电源电流
关断电流
2.6
1.5
0.1
0.25
0.28
20
2.0
0.8
极限
（注7 ）
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
W
W
mW
V（分钟）
V（最大值）
%
dB
注1 ：
所有电压都相对于该接地引脚测量，除非另有规定。
注2 ：
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备是条件
功能，但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流的试验条件下的电气规范其
保证特定的性能限制。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证在没有极限参数
给出，然而，典型的值是设备性能的良好指示。
注3 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度T
A
。最大
允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
–T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。对于LM4892 ，看功率降额
电流，以获取更多信息。
注4 ：
人体模型， 100pF电容通过1.5kΩ电阻。
注5 ：
机器型号， 220PF - 240pF放电通过所有引脚。
注6 ：
标准被定在25℃下测得的参数标准。
注7 ：
数据表的最小/最大规格限制由设计，测试或统计分析保证。
注8 ：
对于只有微型SMD ，关断电流测量在正常的室温环境。阳光直接照射会增加我
SD
由最大2μA的。
注9 ：
裸露-DAP的LDA10B包应该是电连接到GND或电隔离的铜面积。该LM4892LD演示板
（观点在特色
应用信息
部分）具有裸露-DAP连接到GND与353mils X 86.7mils （ 8.97毫米X 2.20毫米一个PCB面积）上
铜顶层和714.7mils X铜底层368mils （ 18.15毫米X 9.35毫米） 。
外部元件描述
（图
1)
组件
1.
2.
R
i
C
i
功能说明
反相输入端的电阻，使中国在连接R的闭环增益
f
。该电阻器还形成
高通滤波器，以C
i
在f
C
= 1/(2π R
i
C
i
).
输入耦合电容，阻止在所述放大器的输入端的直流电压。还创建了一个
高通滤波器，带有R
i
在f
c
= 1/(2π R
i
C
i
） 。请参考以下部分，
选择适当的外部元件，
对于如何确定C的值的说明
i
.
反馈电阻它设置在连接R闭环增益
i
.
3.
R
f
www.national.com
4
LM4892
外部元件描述
组件
4.
5.
6.
C
S
C
B
C
OUT
（图
1)
（续）
功能说明
电源旁路电容，提供电源滤波。参阅
电源旁路
部分涉及电源旁路电容的妥善安置和选择信息。
旁路引脚电容，提供半电源滤波。请参考以下部分，
正确选择的外部
组件，
信息有关的C妥善安置和选择
B
.
此输出耦合电容器块的DC电压，同时将交流音频信号耦合到耳机
扬声器。结合有R
L
时，耳机的阻抗时，它创建在f的高通滤波器
c
= 1/(2πR
L
C
OUT
).
请参考以下部分，
外部元件的正确选择
对于如何确定的解释
的C值
OUT
.
这是上拉电阻，以激活耳机操作时，耳机插头插入到
耳机插孔。
这是限流电阻器的耳机的输入管脚。
这是下拉电阻去激活耳机的操作时，没有耳机插到
耳机插孔。
7.
8.
9.
R
PU
R
S
R
PD
典型性能特性
THD + N与频率
在V
DD
= 5V ， 8Ω
L
和PWR = 250mW的
THD + N与频率
在V
DD
= 3.3V ， 8Ω
L
和PWR = 150毫瓦
20012737
20012738
THD + N与频率
在V
DD
= 2.6V ， 8Ω
L
和PWR = 100mW的
THD + N与频率
在V
DD
= 2.6V ， 4Ω
L
和PWR = 100mW的
20012739
20012740
5
www.national.com
QQ：2881677436 复制
