LM4888双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D增强
2005年6月
LM4888
双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D
增强
概述
该LM4888是一款双通道桥接的音频功率扩增
费里，当连接到5V电源，将提供2.1W
为4Ω负载（注1）或2.4W至3Ω负载（注2 ）少
超过1.0 ％的THD + N 。
用户可选择“全国3D增强”模式，亲
志愿组织增强立体成像。
该LM4888SQ也有两个独立的HP （耳机）
使能输入，每个都具有不同的逻辑电平阈值。
无论是惠普的使能输入激活的单端流浆
电话模式和关断BTL输出模式。惠普
检测输入是一个普通的立体声耳机插孔的使用。
剩下的输入， HP逻辑，接受标准逻辑电平
阈值。
的Boomer音频功率放大器是专为
提供高品质的输出功率表面贴装
包而需要很少的外部元件。要SIM-
化了的音频系统的设计， LM4888SQ结合双
桥式扬声器放大器和立体声耳机放大器
在一个芯片上。
该LM4888SQ具有低功耗关断模式
掉电模式和热关断保护。它还利用
电路，以降低在设备开启“杂音” 。
注1 ：
已被正确地安装到一个电路板上的LM4888SQ
将提供2.1W到4Ω 。请参见应用信息部分作进一步
关于LM4888SQ信息。
注2 ：
已被正确地安装到一个电路板上的LM4888SQ
与强制空气冷却将提供2.4W至3Ω 。
关键的特定连接的阳离子
j
P
O
在1％ THD + N ，V
DD
= 5V
R
L
= 3
R
L
= 4
R
L
= 8
j
单端模式THD + N
2.4W （典型值）
2.1W （典型值）
1.3W （典型值）
0.01 ％ （典型值）
0.04μA （典型值）
2.7V至5.5V
85分贝（典型值）
在75mW功率为32Ω （ 5V ， 1kHz时）
j
关断电流
j
电源电压范围
j
PSRR在217Hz
特点
n
n
n
n
n
n
n
全国3D增强
可选的耳机能模式
立体声耳机放大器模式
改进后的“咔嗒”声抑制电路
热关断保护电路
PCB板面积节省SQ包
微功耗关断模式
应用
n
n
n
n
手机
多媒体显示器
便携式和台式计算机
便携式音频系统
连接图
LM4888SQ
LM4888SQ顶标
201116C6
顶视图
U =晶圆厂码
Z =装配车间代码
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
20111602
顶视图
订单号LM4888SQ
见NS包装数SQA24A
布玛
是美国国家半导体公司的注册商标。
2005美国国家半导体公司
DS201116
www.national.com
LM4888
绝对最大额定值
（注3）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功率耗散（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
ESD易感性（注6 ）
结温
焊锡信息
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2000V
200V
150C
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
热阻
θ
JC
（典型值） - SQA24B
θ
JA
（典型值） - SQA24B
3C/W
42C/W
215C
220C
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
40C
≤
T
A
≤
85C
2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V
电气特性（ 5V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有说明。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
V
DD
I
DD
I
SD
V
IH
V
IL
V
IHSD
电源电压
静态电源电流
关断电流
耳机检测输入高
电压
耳机检测低输入
电压
关机，微型耳机，
3D控制
高输入电压
关机，微型耳机，
3D控制
低输入电压
启动时间
1μF旁路电容（ C6 ）
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A （注10 ） ， BTL模式
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A （注10 ） ， SE模式
GND应用到关断引脚
6
3.0
0.04
3.7
2.6
1.2
极限
（注9 ）
2.7
5.5
10
6
2
4
0.8
1.4
V（分钟）
V（最大值）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
V（分钟）
V（最大值）
V（分钟）
单位
（限量）
V
ILSD
1
0.4
V（最大值）
T
WU
140
ms
桥路模式操作电气特性（ 5V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
V
OS
输出失调电压
V
IN
= 0V
THD + N = 1 ％ ， F = 1kHz时（注12 ）
LM4888SQ ，R
L
= 3
LM4888SQ ，R
L
= 4
P
O
输出功率（注11 ）
LM4888SQ ，R
L
= 8
THD + N = 10 ％ ， F = 1kHz时（注12 ）
LM4888SQ ，R
L
= 3
LM4888SQ ，R
L
= 4
LM4888SQ ，R
L
= 8
3.0
2.5
1.7
W
W
W
2.4
2.1
1.3
1.0
W
W
W（分钟）
5
极限
（注9 ）
25
毫伏（最大）
单位
（限量）
3
www.national.com
LM4888
桥路模式操作电气特性（ 5V ）
符号
参数
条件
（注3 ，第7 ，
13 ）（续）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4888
典型
（注8）
1kHz时，A
VD
= 2
THD + N
总谐波失真+噪声
LM4888SQ ，R
L
= 4, P
O
= 1W
LM4888SQ ，R
L
= 8, P
O
= .4W
输入未结束， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入未结束， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入接地， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入接地， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
X
TALK
V
NO
声道分离
输出噪声电压
F = 1kHz时，C
6
= 1.0μF ， 3D控制=低
1kHz时， A计权
0.10
0.06
85
%
%
dB
极限
（注9 ）
单位
（限量）
80
dB
PSRR
电源抑制比
65
dB
70
dB
82
21
dB
V
单端操作电气特性（ 5V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
P
O
THD + N
输出功率
总谐波失真+噪声
THD + N = 0.5％中，f = 1千赫，R
L
= 32
P
O
= 20毫瓦，为1kHz ，R
L
= 32
输入未结束， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 32
输入未结束， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 32
输入接地， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 32
输入接地， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 32
X
TALK
V
NO
声道分离
输出噪声电压
F = 1kHz时，C
6
= 1.0μF ， 3D控制=低
1kHz时， A计权
90
0.015
70
极限
（注9 ）
75
毫瓦（分钟）
%
dB
单位
（限量）
72
dB
PSRR
电源抑制比
65
dB
70
dB
80
11
dB
V
www.national.com
4
LM4888
电气特性（ 3V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 3V ，除非另有说明。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
I
DD
I
SD
V
IH
V
IL
V
IHSD
静态电源电流
关断电流
耳机高输入电压
耳机的低输入电压
关机，微型耳机，
3D控制
高输入电压
关机，微型耳机，
3D控制
低输入电压
启动时间
1μF旁路电容（ C6 ）
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A （注10 ） ， BTL模式
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A （注10 ） ， SE模式
GND应用到关断引脚
4.5
2.5
0.01
2.2
1.5
1
1.4
极限
（注9 ）
mA
mA
A
V
V
V（分钟）
单位
（限量）
V
ILSD
0.8
.4
V（最大值）
T
WU
140
ms
桥路模式操作电气特性（ 3V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 3V ，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
V
OS
输出失调电压
V
IN
= 0V
THD + N = 1 ％ ， F = 1kHz时（注12 ）
LM4888SQ ，R
L
= 3
LM4888SQ ，R
L
= 4
P
O
输出功率（注11 ）
LM4888SQ ，R
L
= 8
THD + N = 10 ％ ， F = 1kHz时（注12 ）
LM4888SQ ，R
L
= 3
LM4888SQ ，R
L
= 4
LM4888SQ ，R
L
= 8
1kHz
THD + N
总谐波失真+噪声
LM4888SQ ，R
L
= 4, P
O
= 280MW
LM4888SQ ，R
L
= 8, P
O
= 200mW的
输入未结束， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入未结束， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入接地， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入接地， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
X
TALK
V
NO
声道分离
输出噪声电压
F = 1kHz时，C
6
= 1.0μF ， 3D控制=低
1kHz时， A计权
0.1
0.05
90
%
%
dB
1.0
.85
.53
W
W
W
.82
.70
.43
W
W
W
5
极限
（注9 ）
mV
单位
（限量）
80
dB
PSRR
电源抑制比
65
dB
73
dB
85
21
dB
V
5
www.national.com
LM4888双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D增强
2006年3月
LM4888
双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D
增强
概述
该LM4888是一款双通道桥接的音频功率扩增
费里，当连接到5V电源，将提供2.1W
为4Ω负载（注1）或2.4W至3Ω负载（注2 ）少
超过1.0 ％的THD + N 。
用户可选择“全国3D增强”模式，亲
志愿组织增强立体成像。
该LM4888SQ也有两个独立的HP （耳机）
使能输入，每个都具有不同的逻辑电平阈值。
无论是惠普的使能输入激活的单端流浆
电话模式和关断BTL输出模式。惠普
检测输入是一个普通的立体声耳机插孔的使用。
剩下的输入， HP逻辑，接受标准逻辑电平
阈值。
的Boomer音频功率放大器是专为
提供高品质的输出功率表面贴装
包而需要很少的外部元件。要SIM-
化了的音频系统的设计， LM4888SQ结合双
桥式扬声器放大器和立体声耳机放大器
在一个芯片上。
该LM4888SQ具有低功耗关断模式
掉电模式和热关断保护。它还利用
电路，以降低在设备开启“杂音” 。
注1 ：
已被正确地安装到一个电路板上的LM4888SQ
将提供2.1W到4Ω 。请参见应用信息部分作进一步
关于LM4888SQ信息。
注2 ：
已被正确地安装到一个电路板上的LM4888SQ
与强制空气冷却将提供2.4W至3Ω 。
关键的特定连接的阳离子
j
P
O
在1％ THD + N ，V
DD
= 5V
R
L
= 3
R
L
= 4
R
L
= 8
j
单端模式THD + N
2.4W （典型值）
2.1W （典型值）
1.3W （典型值）
0.01 ％ （典型值）
0.04μA （典型值）
2.7V至5.5V
85分贝（典型值）
在75mW功率为32Ω （ 5V ， 1kHz时）
j
关断电流
j
电源电压范围
j
PSRR在217Hz
特点
n
n
n
n
n
n
n
全国3D增强
可选的耳机能模式
立体声耳机放大器模式
改进后的“咔嗒”声抑制电路
热关断保护电路
PCB板面积节省SQ包
微功耗关断模式
应用
n
n
n
n
手机
多媒体显示器
便携式和台式计算机
便携式音频系统
连接图
LM4888SQ
LM4888SQ顶标
201116C6
顶视图
U =晶圆厂码
Z =装配车间代码
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
20111628
顶视图
订单号LM4888SQ
见NS包装数SQA24A
布玛
是美国国家半导体公司的注册商标。
2006美国国家半导体公司
DS201116
www.national.com
LM4888
绝对最大额定值
（注3）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功率耗散（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
ESD易感性（注6 ）
结温
焊锡信息
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2000V
200V
150C
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
热阻
θ
JC
（典型值） - SQA24B
θ
JA
（典型值） - SQA24B
3C/W
42C/W
215C
220C
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
40C
≤
T
A
≤
85C
2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V
电气特性（ 5V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有说明。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
V
DD
I
DD
I
SD
V
IH
V
IL
V
IHSD
电源电压
静态电源电流
关断电流
耳机检测输入高
电压
耳机检测低输入
电压
关机，微型耳机，
3D控制
高输入电压
关机，微型耳机，
3D控制
低输入电压
启动时间
1μF旁路电容（ C6 ）
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A （注10 ） ， BTL模式
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A （注10 ） ， SE模式
GND应用到关断引脚
6
3.0
0.04
3.7
2.6
1.2
极限
（注9 ）
2.7
5.5
10
6
2
4
0.8
1.4
V（分钟）
V（最大值）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
V（分钟）
V（最大值）
V（分钟）
单位
（限量）
V
ILSD
1
0.4
V（最大值）
T
WU
140
ms
桥路模式操作电气特性（ 5V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
V
OS
输出失调电压
V
IN
= 0V
THD + N = 1 ％ ， F = 1kHz时（注12 ）
LM4888SQ ，R
L
= 3
LM4888SQ ，R
L
= 4
P
O
输出功率（注11 ）
LM4888SQ ，R
L
= 8
THD + N = 10 ％ ， F = 1kHz时（注12 ）
LM4888SQ ，R
L
= 3
LM4888SQ ，R
L
= 4
LM4888SQ ，R
L
= 8
1kHz时，A
VD
= 2
THD + N
总谐波失真+噪声
LM4888SQ ，R
L
= 4, P
O
= 1W
LM4888SQ ，R
L
= 8, P
O
= .4W
0.10
0.06
%
%
3.0
2.5
1.7
W
W
W
2.4
2.1
1.3
1.0
W
W
W（分钟）
5
极限
（注9 ）
25
毫伏（最大）
单位
（限量）
3
www.national.com
LM4888
桥路模式操作电气特性（ 5V ）
符号
参数
条件
（注3 ，第7 ，
13 ）（续）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4888
典型
（注8）
输入未结束， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入未结束， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入接地， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入接地， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
X
TALK
V
NO
声道分离
输出噪声电压
F = 1kHz时，C
6
= 1.0μF ， 3D控制=低
1kHz时， A计权
85
极限
（注9 ）
dB
单位
（限量）
80
dB
PSRR
电源抑制比
65
dB
70
dB
82
21
dB
V
单端操作电气特性（ 5V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
P
O
THD + N
输出功率
总谐波失真+噪声
THD + N = 0.5％中，f = 1千赫，R
L
= 32
P
O
= 20毫瓦，为1kHz ，R
L
= 32
输入未结束， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 32
输入未结束， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 32
输入接地， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 32
输入接地， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 32
X
TALK
V
NO
声道分离
输出噪声电压
F = 1kHz时，C
6
= 1.0μF ， 3D控制=低
1kHz时， A计权
90
0.015
70
极限
（注9 ）
75
毫瓦（分钟）
%
dB
单位
（限量）
72
dB
PSRR
电源抑制比
65
dB
70
dB
80
11
dB
V
www.national.com
4
LM4888
电气特性（ 3V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 3V ，除非另有说明。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
I
DD
I
SD
V
IH
V
IL
V
IHSD
静态电源电流
关断电流
耳机高输入电压
耳机的低输入电压
关机，微型耳机，
3D控制
高输入电压
关机，微型耳机，
3D控制
低输入电压
启动时间
1μF旁路电容（ C6 ）
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A （注10 ） ， BTL模式
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A （注10 ） ， SE模式
GND应用到关断引脚
4.5
2.5
0.01
2.2
1.5
1
1.4
极限
（注9 ）
mA
mA
A
V
V
V（分钟）
单位
（限量）
V
ILSD
0.8
.4
V（最大值）
T
WU
140
ms
桥路模式操作电气特性（ 3V ）
（注3 ， 7 ， 13 ）
以下规格适用于V
DD
= 3V ，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
符号
参数
条件
LM4888
典型
（注8）
V
OS
输出失调电压
V
IN
= 0V
THD + N = 1 ％ ， F = 1kHz时（注12 ）
LM4888SQ ，R
L
= 3
LM4888SQ ，R
L
= 4
P
O
输出功率（注11 ）
LM4888SQ ，R
L
= 8
THD + N = 10 ％ ， F = 1kHz时（注12 ）
LM4888SQ ，R
L
= 3
LM4888SQ ，R
L
= 4
LM4888SQ ，R
L
= 8
1kHz
THD + N
总谐波失真+噪声
LM4888SQ ，R
L
= 4, P
O
= 280MW
LM4888SQ ，R
L
= 8, P
O
= 200mW的
输入未结束， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入未结束， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入接地， 217Hz的
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
输入接地， 1kHz时
V
纹波
= 200mV的
p-p
C
6
= 1μF ，R
L
= 8
X
TALK
V
NO
声道分离
输出噪声电压
F = 1kHz时，C
6
= 1.0μF ， 3D控制=低
1kHz时， A计权
0.1
0.05
90
%
%
dB
1.0
.85
.53
W
W
W
.82
.70
.43
W
W
W
5
极限
（注9 ）
mV
单位
（限量）
80
dB
PSRR
电源抑制比
65
dB
73
dB
85
21
dB
V
5
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