LM4879 1.1瓦音频功率放大器
2004年10月
LM4879
1.1瓦音频功率放大器
概述
该LM4879的音频功率放大器主要设计
为要求苛刻的移动电话和其他por-应用
台通信设备的应用程序。它能够
提供1.1瓦特连续平均功率为一个8Ω
桥式连接负载从一个5V的小于1％的失真（ THD + N）
DC
电源。
的Boomer音频功率放大器是专为
提供高品质的输出功率与最小量的
的外部元件。该LM4879不需要输出
耦合电容或自举电容，因此就是
非常适合用于低功耗便携式应用
最小的空间和功耗的主要要求一
求。
该LM4879具有低功耗关断模式全球
关断模式，其通过驱动关断引脚来实现
与逻辑低电平。此外， LM4879具有内部
热关断保护机制。
该LM4879包含高级弹出&点击电路，
消除了将在否则会出现噪音
导通和关断的过渡。
该LM4879是单位增益稳定，可以通过配置
外部增益设置电阻。
关键的特定连接的阳离子
j
PSRR ： 5V ， 3V
@
217Hz
j
输出功率为5V & 1 ％ THD + N
j
电源输出电压为3V & 1 ％ THD + N
j
关断电流
62分贝（典型值）
1.1W （典型值）
为350mW （典型值）
0.1μA （典型值）
特点
n
无输出耦合电容，缓冲网络或
所需的自举电容
n
单位增益稳定
n
超低电流关断模式
n
80毫秒（典型值） ， 110毫秒（最大值）与1.0μF ：在快速转弯
电容
n
BTL输出最多可驱动容性负载到100pF的
n
高级弹出&点击电路中消除噪音
导通和关断的过渡
n
2.2V - 5.0V操作
n
可在节省空间的μSMD ， LLP和MSOP
套餐
应用
n
手机
n
掌上电脑
n
便携式电子设备
典型用途
20024301
图1.典型的音频放大器应用电路
布玛
是美国国家半导体公司的注册商标。
2004美国国家半导体公司
DS200243
www.national.com
LM4879
连接图
8焊球micro SMD
8焊球micro SMD标
20024383
20024382
顶视图
订单号LM4879IBP ， LM4879IBPX
见NS包装数BPA08DDB
微型小外形封装（ MSOP ）封装
顶视图
X - 日期代码
牛逼 - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
N- LM4879IBP
MSOP标记
20024385
20024384
顶视图
摹 - 潮系列
79-LM4879MM
顶视图
NC =无连接
订单号LM4879MM
见NS包装数MUB10A
9焊球micro SMD
9焊球micro SMD标
20024387
顶视图
X - 日期代码
牛逼 - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
79 - LM4879IBL
20024386
顶视图
订单号LM4879IBL ， LM4879IBLX
见NS包装数BLA09AAB
www.national.com
2
LM4879
连接图
（续）
9焊球micro SMD标
9焊球micro SMD
200243B3
顶视图
X - 日期代码
牛逼 - 模具可追溯性
摹 - 潮系列
B3 - LM4879ITL
20024386
顶视图
订单号LM4879ITL ， LM4879ITLX
见NS包装数TLA09AAA
无铅引线框架封装（ LLP ）
LLP标记
200243B6
20024302
顶视图
订单编号LM4879SD
见NS包装数SDC08A
顶视图
N - NS标志
ü - 晶圆厂码
- 装配厂代码
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
L4879SD - LM4879SD
3
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LM4879
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（注9 ）
储存温度
输入电压
功率耗散（注3 ）
ESD易感性（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
结温
热阻
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2000V
200V
150C
θ
JA
(BPA08DDB)
θ
JA
(SDC08A)
θ
JA
(TLA09AAA)
θ
JA
(BLA09AAB)
θ
JC
(MUB10A)
θ
JA
(MUB10A)
220℃ / W（注10 ）
64C / W（注12 ）
180C / W（注10 ）
180C / W（注10 ）
56C/W
190C/W
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
40C
≤
T
A
≤
85C
2.2V
≤
V
DD
≤
5.5V
（注1,2 ）
以下规格申请，除非另有说明在图1所示的电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4879
符号
I
DD
I
SD
V
OS
P
o
THD + N
参数
静态电源电流
关断电流
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
P
o
= 0.4Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mVsine P-P ，C
B
=
1.0F
输入端接至10Ω
地
条件
V
IN
= 0V ， 8Ω BTL
V
关闭
= GND
典型
（注6 ）
5
0.1
5
1.1
0.1
68 （ F = 1kHz时）
62 (f =
217Hz)
极限
（注7,8）
10
2.0
40
0.9
单位
（限量）
毫安（最大）
μA（最大值）
毫伏（最大）
W（分钟）
%
电气特性V
DD
= 5V
PSRR
电源抑制比
55
分贝（分钟）
V
SDIH
V
SDIL
T
WU
关闭高输入电压
关闭低输入电压
唤醒时间
C
B
= 1.0F
A加权;整个测量8Ω
BTL
输入端接至10Ω
地
80
1.4
0.4
110
V（分钟）
V（最大值）
毫秒（最大值）
N
OUT
输出噪声
26
V
RMS
（注1,2 ）
以下规格申请，除非另有说明在图1所示的电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4879
符号
I
DD
I
SD
V
OS
P
o
THD + N
参数
静态电源电流
关断电流
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
P
o
= 0.15Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mVsine P-P ，C
B
=
1.0F
输入端接至10Ω
地
条件
V
IN
= 0V ， 8Ω BTL
V
关闭
= GND
典型
（注6 ）
4.5
0.1
5
350
0.1
68 （ F = 1kHz时）
62 (f =
217Hz)
极限
（注7,8）
9
2.0
40
320
单位
（限量）
毫安（最大）
μA（最大值）
毫伏（最大）
mW
%
电气特性V
DD
= 3.0V
PSRR
电源抑制比
55
分贝（分钟）
V
SDIH
V
SDIL
T
WU
关闭高输入电压
关闭低输入电压
唤醒时间
C
B
= 1.0F
80
1.4
0.4
110
V（分钟）
V（最大值）
毫秒（最大值）
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4
LM4879
电气特性V
DD
= 3.0V
（注1,2 ）
以下规格申请，除非另有说明在图1所示的电路。限制适用对于T
A
=
25℃。 （续）
LM4879
符号
参数
条件
A加权;整个测量8Ω
BTL
输入端接至10Ω
地
典型
（注6 ）
极限
（注7,8）
单位
（限量）
N
OUT
输出噪声
26
V
RMS
（注1,2 ）
以下规格申请，除非另有说明在图1所示的电路。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4879
符号
I
DD
I
SD
V
OS
P
o
THD + N
参数
静态电源电流
关断电流
输出失调电压
THD + N = 1％ （最大） ; F = 1kHz时
输出功率
总谐波失真+噪声
R
L
= 8
R
L
= 4
P
o
= 0.1Wrms ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mVsine P-P ，C
B
=
1.0F
输入端接至10Ω
地
250
350
0.1
55 （ F = 1kHz时）
55 (f =
217Hz)
mW
%
条件
V
IN
= 0V ， 8Ω BTL
V
关闭
= GND
典型
（注6 ）
3.5
0.1
5
极限
（注7,8）
单位
（限量）
mA
A
mV
电气特性V
DD
= 2.6V
PSRR
电源抑制比
dB
注1 ：
所有电压都相对于该接地引脚测量，除非另有规定。
注2 ：
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备是条件
功能，但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流的试验条件下的电气规范其
保证特定的性能限制。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证在没有极限参数
给出，然而，典型的值是设备性能的良好指示。
注3 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度T
A
。最大
允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
–T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。对于LM4879 ，看功率降额
曲线的附加信息。
注4 ：
人体模型， 100pF电容通过1.5kΩ电阻。
注5 ：
机器型号， 220PF - 240pF放电通过所有引脚。
注6 ：
标准被定在25℃下测得的参数标准。
注7 ：
限制是保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注8 ：
对于只有微型SMD ，关断电流测量在正常的室温环境。阳光直接照射会增加我
SD
由最大2μA的。
注9 ：
如果产品处于关断模式，和V
DD
超过6V （到最大8V的V
DD
），那么大部分过量的电流将流过ESD保护电路。
如果源阻抗的电流限制到一最大值10毫安的，则该部分在受到保护。如果部件被启用时， V
DD
高于6V ，电路性能会
被削减或者部分可能会永久损坏。
注10 ：
所有凸块具有相同的耐热性，并有助于相等时用来降低热阻。
注11 ：
最大耗散功率（P
DMAX
）在设备中发生在显著低于满输出功率的输出功率电平。 P
DMAX
可用下式计算
在应用程序部分中显示公式1 。它也可从功率耗散图获得。
注12 ：
该声明
θ
JA
当LLP封装的DAP焊接到4英寸达到
2
铜散热片平原。
5
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QQ：2881677436 复制
