LM4819 , LM4819MBD
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SNAS133D - 2001年2月 - 修订2013年3月
LM4819
350mW的音频功率放大器关断模式
检查样品:
LM4819 , LM4819MBD
1
特点
WSON ,SOIC和VSSOP表面贴装
包装
开启/关闭点击抑
单位增益稳定
最少的外部元件
描述
该LM4819是一个单声道桥接功率放大器
能够提供的为350mW
RMS
输出功率为
16Ω负载或300mW的
RMS
输出功率为8Ω
负载10 %的THD + N从一个5V电源。
该LM4819的Boomer音频功率放大器
专门设计的,以提供高品质的输出
与表面功率,减少PCB面积贴装
包装的外部最小量
组件。由于LM4819不需要
输出耦合电容,自举电容或者
缓冲器网络,它最适合于低功耗
便携式应用。
在单位增益稳定的闭环响应
LM4819可以使用外部增益设置进行配置
电阻器。该器件可在WSON , VSSOP ,
和SOIC封装形式,以适应不同的应用。
2
关键的特定连接的阳离子
THD + N 1kHz时, 350mW的连续平均
输出功率为16Ω : 10 % (最大值)
THD + N 1kHz时, 300mW的连续平均
输出功率为8Ω : 10 % (最大值)
关断电流: 0.7μA (典型值)
应用
通用音频
便携式电子设备
信息家电( IA )
典型用途
图1.典型的音频放大器应用电路
连接图
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2001至2013年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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顶视图
顶视图
图2:小外形封装( SOIC )封装
见包装数D0008A
图3.微型小外形封装( VSSOP )套餐
见包装数DGK0008A
顶视图
图4. WSON封装
见包装数NGL0008B
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
2
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
电源电压
储存温度
输入电压
功耗(P
D
)
(4)
ESD敏感性
(5)
6.0V
65°C
至+ 150°C
0.3V
到V
DD
+0.3V
内部限制
3.5kV
250V
150°C
小外形封装
气相(60秒)
红外(15秒)
θ
JC
( VSSOP )
θ
JA
( VSSOP )
θ
JC
( SOIC )
θ
JA
( SOIC )
θ
JA
( WSON )
θ
JA
( WSON )
215°C
220°C
56°C/W
210°C/W
35°C/W
170°C/W
117°C/W
(7)
150°C/W
(8)
ESD敏感性
(6)
结温(T
J
)
焊接信息
热阻
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
所有电压都相对于该接地引脚测量,除非另有规定。
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
表示为条件
该设备是功能,但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流电气
特定的测试条件下,确保特定的性能限制下的规格。这假定该设备是内
工作额定值。规格不保证针对未给定的限制参数。然而,典型值是一个很好的迹象
对设备的性能。
如果是用于军事/航空专用设备,请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度
T
A
。最大允许功耗为:P
DMAX
= (T
JMAX
–T
A
)/θ
JA
。对于LM4819 ,T
JMAX
= 150 ℃,典型的结点到
环境的热阻( θ
JA
)板安装时为210 ℃/为VSSOP包和W的SOIC封装170 ° C / W 。
人体模型, 100pF电容通过1.5 kΩ电阻。
机器型号, 220PF - 240pF电容通过全部引脚放电。
给定
θ
JA
为一个LM4819封装在一个NGL0008B与裸露-DAP焊接到印刷电路板的铜垫与
面积相当于该裸露-DAP本身。该NGL0008B包的裸露-DAP应电连接到
GND或电气隔离的覆铜面积。
给定
θ
JA
是的LM4819封装在NGL0008B与暴露-DAP焊接不向任何印刷电路板的铜。
工作额定值
(1) (2)
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
(1)
(2)
40°C ≤
T
A
≤
85°C
2.0V
≤
V
CC
≤
5.5V
所有电压都相对于该接地引脚测量,除非另有规定。
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
表示为条件
该设备是功能,但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流电气
特定的测试条件下,确保特定的性能限制下的规格。这假定该设备是内
工作额定值。规格不保证针对未给定的限制参数。然而,典型值是一个很好的迹象
对设备的性能。
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电气特性V
DD
= 5V
(1) (2)
以下规格适用于V
DD
= 5V ,R
L
= 16Ω ,除非另有说明。限制适用对于T
A
= 25°C.
参数
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
P
O
THD + N
(1)
(2)
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
V
IN
= 0V
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时,R
L
= 8
P
O
= 270MW
RMS
, A
VD
= 2, f
IN
= 1kHz时
5
350
300
1
测试条件
V
IN
= 0V时,我
o
= 0A
V
PIN1
= V
DD (6)
LM4819
典型
1.5
1.0
(3)
极限
(4) (5)
单位
(限量)
毫安(最大)
μA(最大值)
V(分钟)
V(最大值)
毫伏(最大)
mW
mW
%
3.0
5.0
4.0
1.0
50
(3)
(4)
(5)
(6)
所有电压都相对于该接地引脚测量,除非另有规定。
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
表示为条件
该设备是功能,但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流电气
特定的测试条件下,确保特定的性能限制下的规格。这假定该设备是内
工作额定值。规格不保证针对未给定的限制参数。然而,典型值是一个很好的迹象
对设备的性能。
典型的规格是在25°C和指定的参数标准。
测试的限制规定,以TI的AOQL (平均出厂质量水平) 。
数据表中的最小/最大规格限制是由设计,测试或统计分析指定。
关断引脚(引脚1 )应该是驱动尽可能接近到V
DD
在关断模式下电流最小。
电气特性V
DD
= 3V
(1) (2)
以下规格适用于V
DD
= 3V和R
L
= 16Ω负载,除非另有说明。限制适用至T
A
= 25°C.
参数
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
P
O
THD + N
(1)
(2)
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
V
IN
= 0V
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时,R
L
= 8
P
O
= 80mW的
RMS
, A
VD
= 2, f
IN
= 1kHz时
5
110
90
1
测试条件
V
IN
= 0V时,我
o
= 0A
V
PIN1
= V
DD
(6)
LM4819
典型
1.0
0.7
(3)
极限
(4) (5)
单位
(限量)
毫安(最大)
μA(最大值)
V(分钟)
V(最大值)
mV
mW
mW
%
3.0
5.0
2.4
0.6
50
(3)
(4)
(5)
(6)
所有电压都相对于该接地引脚测量,除非另有规定。
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
表示为条件
该设备是功能,但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流电气
特定的测试条件下,确保特定的性能限制下的规格。这假定该设备是内
工作额定值。规格不保证针对未给定的限制参数。然而,典型值是一个很好的迹象
对设备的性能。
典型的规格是在25°C和指定的参数标准。
测试的限制规定,以TI的AOQL (平均出厂质量水平) 。
数据表中的最小/最大规格限制是由设计,测试或统计分析指定。
关断引脚(引脚1 )应该是驱动尽可能接近到V
DD
在关断模式下电流最小。
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外部元件描述
(见
图1)
组件
1.
2.
R
i
C
i
功能说明
结合有R
f
这反相输入电阻设定的闭环增益。
i
还形成了一个高通滤波器,以C
i
在f
c
=
1/(2πR
i
C
i
).
该输入耦合电容模块在直流放大器的端子电压。结合有R
i
,它创建了一个高通
与R滤光器
i
在f
c
= 1/(2πR
i
C
i
) 。请参考以下部分,
外部元件的正确选择
对于如何解释
确定C的值
i
.
结合有R
i
这是反馈电阻,用于设置闭环增益:甲
v
= 2(R
F
/R
i
).
这是在电源旁路电容器中过滤施加至电源端子的电压。参阅
应用信息
部分对C的妥善安置和选择
s
.
这是旁路引脚电容是滤波的旁路引脚上的电压。请参考以下部分,
正确选择
外部元件,
信息有关的C妥善安置和选择
B
.
3.
4.
5.
R
f
C
S
C
B
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