LM431可调式精密齐纳并联稳压器
2002年3月
LM431
可调式精密齐纳并联稳压器
概述
该LM431是一个具有三端可调分流稳压器
在整个温度保证温度稳定性
操作范围。它现在可以在一个芯片尺寸封装
年龄（ 4焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的微型SMD封装
时代的技术。输出电压可以设定在任意水平
大于2.5V （V
REF
）高达36V仅仅通过选择两个
外部电阻器，其作用为电压除以网络。应有
在急转弯式的特点该设备是一个excel-
更换借给许多齐纳二极管的应用。
特点
n
平均温度系数为50ppm /°C的
n
在整个操作温度补偿
温度范围
n
可编程输出电压
n
快速导通响应
n
低输出噪声
n
LM431的micro SMD封装
n
见AN- 1112微型SMD考虑
连接图
TO- 92 ：塑料包装
SOT- 23 ： 3引脚小外形
DS010055-28
DS010055-1
顶视图
4焊球micro SMD
顶视图
SO - 8 ： 8引脚表面贴装
DS010055-54
DS010055-2
顶视图
顶视图
（ BUMP面朝下）
注意：
*
NC =无内部连接。必须从实现电气隔离
其余的电路中的microSMD封装。
2002美国国家半导体公司
DS010055
www.national.com
LM431
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
阴极电压
连续阴极电流
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
235C
260C （铅温度。 ）
37V
-10 mA至150毫安
参考电压
参考输入电流
内部功率耗散（注3,4）
TO- 92封装
SO- 8封装
SOT- 23封装
micro SMD封装
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
0.30W
工作条件
阴极电压
阴极电流
民
V
REF
1.0毫安
最大
37V
百毫安
LM431
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431A
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431B
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431C
（图1）
V
开发
参考输入电压偏差过
温度（注5 ）
变化的参考电压的比值
在变化阴极电压
I
REF
∝
I
REF
参考输入电流
参考输入电流偏差过
温度
I
Z（ MIN ）
I
Z（ OFF ）
r
Z
最小阴极电流进行调节
FF-态电流
动态输出阻抗（注6 ）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图1）
I
Z
= 10毫安
V
Z
从V
REF
至10V
V
Z
从10V到36V
1.4
1.0
2.0
2.7
2.0
4.0
A
mV / V的
8.0
17
mV
2.485
2.500
2.510
V
2.470
2.495
2.520
V
民
2.440
典型值
2.495
最大
2.550
单位
V
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图2）
V
Z
= V
REF
（图1）
V
Z
= 36V, V
REF
= 0V
（图3）
V
Z
= V
REF
， LM431A ，
频率= 0 Hz的
（图1）
V
Z
= V
REF
， LM431B ， LM431C
频率= 0 Hz的
（图1）
0.4
0.4
0.3
1.2
1.0
1.0
0.75
0.50
A
mA
A
注2 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注3 ：
T
j max的情况
= 150C.
注4 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ C ，采用SO-8在6.5毫瓦/ C ，采用SOT -23为2.2毫瓦/ C
并采用micro SMD封装在为3mW / C 。
注5 ：
参考输入电压，V的偏差
开发
被定义为参考输入电压在整个温度范围内的最大变化。
www.national.com
4
LM431可调式精密齐纳并联稳压器
2002年3月
LM431
可调式精密齐纳并联稳压器
概述
该LM431是一个具有三端可调分流稳压器
在整个温度保证温度稳定性
操作范围。它现在可以在一个芯片尺寸封装
年龄（ 4焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的微型SMD封装
时代的技术。输出电压可以设定在任意水平
大于2.5V （V
REF
）高达36V仅仅通过选择两个
外部电阻器，其作用为电压除以网络。应有
在急转弯式的特点该设备是一个excel-
更换借给许多齐纳二极管的应用。
特点
n
平均温度系数为50ppm /°C的
n
在整个操作温度补偿
温度范围
n
可编程输出电压
n
快速导通响应
n
低输出噪声
n
LM431的micro SMD封装
n
见AN- 1112微型SMD考虑
连接图
TO- 92 ：塑料包装
SOT- 23 ： 3引脚小外形
DS010055-28
DS010055-1
顶视图
4焊球micro SMD
顶视图
SO - 8 ： 8引脚表面贴装
DS010055-54
DS010055-2
顶视图
顶视图
（ BUMP面朝下）
注意：
*
NC =无内部连接。必须从实现电气隔离
其余的电路中的microSMD封装。
2002美国国家半导体公司
DS010055
www.national.com
LM431
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
阴极电压
连续阴极电流
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
235C
260C （铅温度。 ）
37V
-10 mA至150毫安
参考电压
参考输入电流
内部功率耗散（注3,4）
TO- 92封装
SO- 8封装
SOT- 23封装
micro SMD封装
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
0.30W
工作条件
阴极电压
阴极电流
民
V
REF
1.0毫安
最大
37V
百毫安
LM431
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431A
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431B
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431C
（图1）
V
开发
参考输入电压偏差过
温度（注5 ）
变化的参考电压的比值
在变化阴极电压
I
REF
∝
I
REF
参考输入电流
参考输入电流偏差过
温度
I
Z（ MIN ）
I
Z（ OFF ）
r
Z
最小阴极电流进行调节
FF-态电流
动态输出阻抗（注6 ）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图1）
I
Z
= 10毫安
V
Z
从V
REF
至10V
V
Z
从10V到36V
1.4
1.0
2.0
2.7
2.0
4.0
A
mV / V的
8.0
17
mV
2.485
2.500
2.510
V
2.470
2.495
2.520
V
民
2.440
典型值
2.495
最大
2.550
单位
V
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图2）
V
Z
= V
REF
（图1）
V
Z
= 36V, V
REF
= 0V
（图3）
V
Z
= V
REF
， LM431A ，
频率= 0 Hz的
（图1）
V
Z
= V
REF
， LM431B ， LM431C
频率= 0 Hz的
（图1）
0.4
0.4
0.3
1.2
1.0
1.0
0.75
0.50
A
mA
A
注2 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注3 ：
T
j max的情况
= 150C.
注4 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ C ，采用SO-8在6.5毫瓦/ C ，采用SOT -23为2.2毫瓦/ C
并采用micro SMD封装在为3mW / C 。
注5 ：
参考输入电压，V的偏差
开发
被定义为参考输入电压在整个温度范围内的最大变化。
www.national.com
4
www.fairchildsemi.com
LM431A/LM431B/LM431C
可编程并联稳压器
特点
可编程输出电压至36伏的
低动态输出阻抗0.20典型
下沉1.0 100mA的电流能力
等效全范围温度系数
为50ppm / ° C典型
在整个额定工作温度温度补偿
工作温度范围
低输出噪声电压
快速的开启响应
描述
该LM431A / LM431B / LM431C三端子输出
可调式稳压器在工作的热稳定性
温度范围。输出电压可设定任意的值
V之间
REF
（约2.5伏）和36伏
两个外部电阻器。这些设备有一个典型的动态
0.2Ω有源输出电路的输出阻抗提供了一个
尖锐的导通特性，使得这些设备优良
在许多应用中替代齐纳二极管。
TO-92
1
参考文献1. 2. 3.阳极阴极
8-DIP
8-SOP
1
1
1.Cathode 2.3.4.5.7.NC
6.Anode 8.Ref
1.Cathode 2.3.6.7.Anode
4.5.NC 8.Ref
内部框图
参考
阴极
2.5 Vref的
阳极
阴极（ K）
引用（ R）
阳极（ A）
REV 。 1.0.6
2002仙童半导体公司
LM431A/LM431B/LM431C
电气特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
参数
参考
输入电压
偏差
参考
输入电压
OVER-
温度
比
改变
参考
输入电压
以更改
在阴极
电压
参考
输入电流
偏差
参考
输入电流
在整个
温度
范围
最低
阴极电流
租
规
关 - 舞台
阴极
当前
动态
阻抗
符号
V
REF
条件
V
KA
= V
REF
, I
KA
=10mA
LM431A
LM431B
LM431C
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。
2.450 2.500 2.550 2.470 2.495 2.520 2.482 2.495 2.508
单位
V
V
REF
/
T
V
KA
=V
REF
, I
KA
=10mA
T
民
≤T
A
≤T
最大
V
KA
=10V-
V
REF
-
4.5
17
-
4.5
17
-
4.5
17
mV
-
-1.0
-2.7
-
-1.0
-2.7
-
-1.0
-2.7
mV / V的
V
REF
/
V
KA
I
KA
=10mA
V
KA
=36V-
10V
-
-0.5
-2.0
-
-0.5
-2.0
-
-0.5
-2.0
I
REF
I
KA
=10mA,
R
1
=10k,R
2
=∞
-
1.5
4
-
1.5
4
-
1.5
4
A
I
KA
=10mA,
R
1
=10k,R
2
=∞
I
REF
/
T
T
A
=全系列
-
0.4
1.2
-
0.4
1.2
-
0.4
1.2
A
I
KA （MIN）
V
KA
=V
REF
-
0.45
1.0
-
0.45
1.0
-
0.45
1.0
mA
I
KA （OFF）的
V
KA
=36V,
V
REF
=0
V
KA
=V
REF
,
I
KA
= 1至100mA
f
≥1.0kHz
-
0.05
1.0
-
0.05
1.0
-
0.05
1.0
A
Z
KA
-
0.15
0.5
-
0.15
0.5
-
0.15
0.5
Note1
LM431
X
C：牛逼
民
= -25
°
C，T
最大
= +85
°
C
LM431
X
我：T已
民
= -40
°
C，T
最大
= +85
°
C
3
LM431可调式精密齐纳并联稳压器
2005年3月
LM431
可调式精密齐纳并联稳压器
概述
该LM431是一个具有三端可调分流稳压器
在整个温度保证温度稳定性
操作范围。它现在可以在一个芯片尺寸封装
年龄（ 4焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的微型SMD封装
时代的技术。输出电压可以设定在任意水平
大于2.5V （V
REF
）高达36V仅仅通过选择两个
外部电阻器，其作用为电压除以网络。应有
在急转弯式的特点该设备是一个excel-
更换借给许多齐纳二极管的应用。
特点
n
平均温度系数为50ppm /°C的
n
在整个操作温度补偿
温度范围
n
可编程输出电压
n
快速导通响应
n
低输出噪声
n
LM431的micro SMD封装
n
见AN- 1112微型SMD考虑
连接图
TO- 92 ：塑料包装
SOT- 23 ： 3引脚小外形
01005528
01005501
顶视图
4焊球micro SMD
顶视图
SO - 8 ： 8引脚表面贴装
01005554
01005502
顶视图
顶视图
（ BUMP面朝下）
注意：
* NC =无内部连接。必须从电路中的microSMD封装的其余部分隔离。
2005美国国家半导体公司
DS010055
www.national.com
LM431
订购信息
包
典型精度订单编号/包
记号
0.5%
TO-92
LM431CCZ/
LM431CCZ
LM431CIZ/
LM431CIZ
SO-8
LM431CCM/
431CCM
LM431CCMX/
431CCM
LM431CIM/
431CIM
LM431CIMX/
431CIM
SOT-23
LM431CCM3/
N1B
1%
LM431BCZ/
LM431BCZ
LM431BIZ/
LM431BIZ
LM431BCM/
431BCM
2%
LM431ACZ/
LM431ACZ
LM431AIZ/
LM431AIZ
LM431ACM/
LM431ACM
0 ° C至+ 70°C
轨道
-40 ° C至+ 85°C
轨道
0 ° C至+ 70°C
磁带&卷轴
M08A
轨道
-40 ° C至+ 85°C
带&Reel
轨道
0 ° C至+ 70°C
磁带&卷轴
MF03A
轨道
-40 ° C至+ 85°C
带&Reel
250个单位和磁带
REEL
3K单位和磁带
REEL
Z03A
温度
范围
传输介质
NSC
制图
LM431BCMX / LM431ACMX /
431BCM
LM431ACM
LM431BIM/
431BIM
LM431BIMX/
431BIM
LM431AIM/
LM431AIM
LM431AIMX/
LM431AIM
LM431BCM3 / LM431ACM3 /
N1D
N1F
LM431CCM3X / LM431BCM3X / LM431ACM3X /
N1B
N1D
N1F
LM431CIM3
N1A
LM431CIM3X
N1A
微型SMD
–
–
LM431BIM3
N1C
LM431AIM3
N1E
LM431BIM3X LM431AIM3X
N1C
N1E
LM431AIBP
LM431AIBPX
（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C
BPA04AFB
注1 ：
微型SMD封装标识仅1位数的制造日期代码
微型SMD顶视图标记示例
01005556
www.national.com
2
LM431
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
阴极电压
连续阴极电流
235C
260C （铅温度。 ）
37V
-10 mA至150
mA
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
参考电压
参考输入电流
内部功率耗散（注3 ，
4)
TO- 92封装
SO- 8封装
SOT- 23封装
micro SMD封装
工作条件
民
阴极电压
阴极电流
V
REF
1.0毫安
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
0.30W
最大
37V
百毫安
LM431
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431A
（图1中
)
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431B
（图1中
)
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431C
（图1中
)
V
开发
参考输入电压偏差过
温度（注5 ）
变化的参考电压的比值
在变化阴极电压
I
REF
∝
I
REF
参考输入电流
参考输入电流偏差过
温度
I
Z（ MIN ）
I
Z（ OFF ）
r
Z
最小阴极电流进行调节
FF-态电流
动态输出阻抗（注6 ）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图1中
)
I
Z
= 10毫安
（图2中
)
V
Z
从V
REF
至10V
V
Z
从10V到36V
1.4
1.0
2.0
2.7
2.0
4.0
A
mV / V的
8.0
17
mV
2.485
2.500
2.510
V
2.470
2.495
2.520
V
民
2.440
典型值
2.495
最大
2.550
单位
V
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安
（图2中
)
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图2中
)
V
Z
= V
REF
（图1中
)
V
Z
= 36V, V
REF
= 0V
（图* NO
目标网络连接*
)
V
Z
= V
REF
， LM431A ，
频率= 0 Hz的
（图1中
)
V
Z
= V
REF
， LM431B ， LM431C
频率= 0 Hz的
（图1中
)
0.4
0.4
0.3
1.2
1.0
1.0
0.75
0.50
A
mA
A
注2 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注3 ：
T
j max的情况
= 150C.
注4 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ C ，采用SO-8在6.5毫瓦/ C ，采用SOT -23为2.2毫瓦/ C
并采用micro SMD封装在为3mW / C 。
注5 ：
参考输入电压，V的偏差
开发
被定义为参考输入电压在整个温度范围内的最大变化。
www.national.com
4
www.fairchildsemi.com
LM431A/LM431B/LM431C
可编程并联稳压器
特点
可编程输出电压至36伏的
低动态输出阻抗0.20典型
下沉1.0 100mA的电流能力
等效全范围温度系数
为50ppm / ° C典型
在整个额定工作温度温度补偿
工作温度范围
低输出噪声电压
快速的开启响应
描述
该LM431A / LM431B / LM431C三端子输出
可调式稳压器在工作的热稳定性
温度范围。输出电压可设定任意的值
V之间
REF
（约2.5伏）和36伏
两个外部电阻器。这些设备有一个典型的动态
0.2Ω有源输出电路的输出阻抗提供了一个
尖锐的导通特性，使得这些设备优良
在许多应用中替代齐纳二极管。
TO-92
1
参考文献1. 2. 3.阳极阴极
8-DIP
8-SOP
1
1
1.Cathode 2.3.4.5.7.NC
6.Anode 8.Ref
1.Cathode 2.3.6.7.Anode
4.5.NC 8.Ref
内部框图
参考
阴极
2.5 Vref的
阳极
阴极（ K）
引用（ R）
阳极（ A）
REV 。 1.0.7
2003仙童半导体公司
LM431A/LM431B/LM431C
电气特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
参数
参考
输入电压
偏差
参考
输入电压
OVER-
温度
比
改变
参考
输入电压
以更改
在阴极
电压
参考
输入电流
偏差
参考
输入电流
在整个
温度
范围
最低
阴极电流
租
规
关 - 舞台
阴极
当前
动态
阻抗
符号
V
REF
条件
V
KA
= V
REF
, I
KA
=10mA
LM431A
LM431B
LM431C
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。
2.450 2.500 2.550 2.470 2.495 2.520 2.482 2.495 2.508
单位
V
V
REF
/
T
V
KA
=V
REF
, I
KA
=10mA
T
民
≤T
A
≤T
最大
-
4.5
17
-
4.5
17
-
4.5
17
mV
V
KA
=10V-
V
REF
-
-1.0
-2.7
-
-1.0
-2.7
-
-1.0
-2.7
mV / V的
V
REF
/
V
KA
I
KA
=10mA
V
KA
=36V-
10V
-
-0.5
-2.0
-
-0.5
-2.0
-
-0.5
-2.0
I
REF
I
KA
=10mA,
R
1
=10k,R
2
=∞
-
1.5
4
-
1.5
4
-
1.5
4
A
I
KA
=10mA,
R
1
=10k,R
2
=∞
I
REF
/
T
T
A
=全系列
-
0.4
1.2
-
0.4
1.2
-
0.4
1.2
A
I
KA （MIN）
V
KA
=V
REF
-
0.45
1.0
-
0.45
1.0
-
0.45
1.0
mA
I
KA （OFF）的
V
KA
=36V,
V
REF
=0
V
KA
=V
REF
,
I
KA
= 1至100mA
f
≥1.0kHz
-
0.05
1.0
-
0.05
1.0
-
0.05
1.0
A
Z
KA
-
0.15
0.5
-
0.15
0.5
-
0.15
0.5
Note1
LM431
X
C：牛逼
民
= -25
°
C，T
最大
= +85
°
C
LM431
X
我：T已
民
= -40
°
C，T
最大
= +85
°
C
3
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