LM431可调式精密齐纳并联稳压器
2002年3月
LM431
可调式精密齐纳并联稳压器
概述
该LM431是一个具有三端可调分流稳压器
在整个温度保证温度稳定性
操作范围。它现在可以在一个芯片尺寸封装
年龄（ 4焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的微型SMD封装
时代的技术。输出电压可以设定在任意水平
大于2.5V （V
REF
）高达36V仅仅通过选择两个
外部电阻器，其作用为电压除以网络。应有
在急转弯式的特点该设备是一个excel-
更换借给许多齐纳二极管的应用。
特点
n
平均温度系数为50ppm /°C的
n
在整个操作温度补偿
温度范围
n
可编程输出电压
n
快速导通响应
n
低输出噪声
n
LM431的micro SMD封装
n
见AN- 1112微型SMD考虑
连接图
TO- 92 ：塑料包装
SOT- 23 ： 3引脚小外形
DS010055-28
DS010055-1
顶视图
4焊球micro SMD
顶视图
SO - 8 ： 8引脚表面贴装
DS010055-54
DS010055-2
顶视图
顶视图
（ BUMP面朝下）
注意：
*
NC =无内部连接。必须从实现电气隔离
其余的电路中的microSMD封装。
2002美国国家半导体公司
DS010055
www.national.com
LM431
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
阴极电压
连续阴极电流
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
235C
260C （铅温度。 ）
37V
-10 mA至150毫安
参考电压
参考输入电流
内部功率耗散（注3,4）
TO- 92封装
SO- 8封装
SOT- 23封装
micro SMD封装
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
0.30W
工作条件
阴极电压
阴极电流
民
V
REF
1.0毫安
最大
37V
百毫安
LM431
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431A
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431B
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431C
（图1）
V
开发
参考输入电压偏差过
温度（注5 ）
变化的参考电压的比值
在变化阴极电压
I
REF
∝
I
REF
参考输入电流
参考输入电流偏差过
温度
I
Z（ MIN ）
I
Z（ OFF ）
r
Z
最小阴极电流进行调节
FF-态电流
动态输出阻抗（注6 ）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图1）
I
Z
= 10毫安
V
Z
从V
REF
至10V
V
Z
从10V到36V
1.4
1.0
2.0
2.7
2.0
4.0
A
mV / V的
8.0
17
mV
2.485
2.500
2.510
V
2.470
2.495
2.520
V
民
2.440
典型值
2.495
最大
2.550
单位
V
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图2）
V
Z
= V
REF
（图1）
V
Z
= 36V, V
REF
= 0V
（图3）
V
Z
= V
REF
， LM431A ，
频率= 0 Hz的
（图1）
V
Z
= V
REF
， LM431B ， LM431C
频率= 0 Hz的
（图1）
0.4
0.4
0.3
1.2
1.0
1.0
0.75
0.50
A
mA
A
注2 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注3 ：
T
j max的情况
= 150C.
注4 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ C ，采用SO-8在6.5毫瓦/ C ，采用SOT -23为2.2毫瓦/ C
并采用micro SMD封装在为3mW / C 。
注5 ：
参考输入电压，V的偏差
开发
被定义为参考输入电压在整个温度范围内的最大变化。
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LM431可调式精密齐纳并联稳压器
2002年3月
LM431
可调式精密齐纳并联稳压器
概述
该LM431是一个具有三端可调分流稳压器
在整个温度保证温度稳定性
操作范围。它现在可以在一个芯片尺寸封装
年龄（ 4焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的微型SMD封装
时代的技术。输出电压可以设定在任意水平
大于2.5V （V
REF
）高达36V仅仅通过选择两个
外部电阻器，其作用为电压除以网络。应有
在急转弯式的特点该设备是一个excel-
更换借给许多齐纳二极管的应用。
特点
n
平均温度系数为50ppm /°C的
n
在整个操作温度补偿
温度范围
n
可编程输出电压
n
快速导通响应
n
低输出噪声
n
LM431的micro SMD封装
n
见AN- 1112微型SMD考虑
连接图
TO- 92 ：塑料包装
SOT- 23 ： 3引脚小外形
DS010055-28
DS010055-1
顶视图
4焊球micro SMD
顶视图
SO - 8 ： 8引脚表面贴装
DS010055-54
DS010055-2
顶视图
顶视图
（ BUMP面朝下）
注意：
*
NC =无内部连接。必须从实现电气隔离
其余的电路中的microSMD封装。
2002美国国家半导体公司
DS010055
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LM431
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
阴极电压
连续阴极电流
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
235C
260C （铅温度。 ）
37V
-10 mA至150毫安
参考电压
参考输入电流
内部功率耗散（注3,4）
TO- 92封装
SO- 8封装
SOT- 23封装
micro SMD封装
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
0.30W
工作条件
阴极电压
阴极电流
民
V
REF
1.0毫安
最大
37V
百毫安
LM431
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431A
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431B
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431C
（图1）
V
开发
参考输入电压偏差过
温度（注5 ）
变化的参考电压的比值
在变化阴极电压
I
REF
∝
I
REF
参考输入电流
参考输入电流偏差过
温度
I
Z（ MIN ）
I
Z（ OFF ）
r
Z
最小阴极电流进行调节
FF-态电流
动态输出阻抗（注6 ）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图1）
I
Z
= 10毫安
V
Z
从V
REF
至10V
V
Z
从10V到36V
1.4
1.0
2.0
2.7
2.0
4.0
A
mV / V的
8.0
17
mV
2.485
2.500
2.510
V
2.470
2.495
2.520
V
民
2.440
典型值
2.495
最大
2.550
单位
V
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图2）
V
Z
= V
REF
（图1）
V
Z
= 36V, V
REF
= 0V
（图3）
V
Z
= V
REF
， LM431A ，
频率= 0 Hz的
（图1）
V
Z
= V
REF
， LM431B ， LM431C
频率= 0 Hz的
（图1）
0.4
0.4
0.3
1.2
1.0
1.0
0.75
0.50
A
mA
A
注2 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注3 ：
T
j max的情况
= 150C.
注4 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ C ，采用SO-8在6.5毫瓦/ C ，采用SOT -23为2.2毫瓦/ C
并采用micro SMD封装在为3mW / C 。
注5 ：
参考输入电压，V的偏差
开发
被定义为参考输入电压在整个温度范围内的最大变化。
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