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LM4050QML精密微功耗并联型电压基准
2012年5月23日
LM4050QML
精密微功耗并联型电压基准
概述
该LM4050QML精密基准电压源是可
一个10引脚的陶瓷SOIC封装。该LM4050QML的DE-
符号省去了外部稳定电容
同时确保稳定性与容性负载，从而使
LM4050QML使用方便。该LM4050-2.5QML有60
μA
最小和最大15 mA的工作电流。该
LM4050-5.0QML有74
μA
最小和最大15 mA
工作电流。
该LM4050QML采用熔断器和齐纳-ZAP反向突破性
晶圆排序时降低电压调整，以确保黄金
份具有优于± 0.1％ ，在25℃的精度。
带隙基准电压温度漂移曲率校正和
低动态阻抗，保证稳定的反向击穿
电压精度在很宽的范围内操作的温度
及其良好的电流。
该LM4050QML工作在温度范围
-55 ° C至+ 125°C 。
关键的特定连接的阳离子
LM4050-2.5QML
■
输出电压容差我
R
= 100μA
■
低温COEF网络cient
■
低输出噪声
■
宽工作电流范围
LM4050-5.0QML
±0.1% @ 25°C
15 PPM /°C的
50 μV
RMS
（典型值）
60 μA
到15毫安
±0.1% @ 25°C
23 PPM /°C的
100 μV
RMS
（典型值）
74 μA
到15毫安
■
输出电压容差我
R
= 100μA
■
低温COEF网络cient
■
低输出噪声
■
宽工作电流范围
应用
■
■
■
■
■
控制系统
数据采集系统
仪器仪表
过程控制
能源管理
特点
■
■
■
■
■
低剂量率合格
100拉德（SI ）
SEFI免疫
SET免疫与60μF
负载
C
负载
0μF
为100μF
的2.500V ， 5.000V的固定反向击穿电压
订购信息
NS型号
LM4050WG2.5RLQV
低剂量率合格
LM4050WG2.5-MPR
飞行前的原型
LM4050WG5.0RLQV
低剂量率合格
LM4050WG5.0-MPR
飞行前的原型
5962R0923562VZA
100拉德（SI ）
SMD零件编号
5962R0923561VZA
100拉德（SI ）
NS包装数
WG10A
WG10A
WG10A
WG10A
包装说明
10LD陶瓷SOIC
10LD陶瓷SOIC
10LD陶瓷SOIC
10LD陶瓷SOIC
2012德州仪器
301041 SNVS627E
www.ti.com
LM4050QML
接线图
10L陶瓷SOIC
30104101
顶视图
见NS包装数WG10A
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
GND / NC
GND / NC
GND / NC
GND / NC
GND
GND / NC
GND / NC
GND / NC
GND / NC
VREF
功能
地面或无连接
地面或无连接
地面或无连接
地面或无连接
地
地面或无连接
地面或无连接
地面或无连接
地面或无连接
参考电压
www.ti.com
2
LM4050QML
绝对最大额定值
（注
1)
反向电流
正向电流
功率耗散（T
A
= 25℃） （注
2)
10LD陶瓷SOIC封装
焊接温度
（焊接， 10秒）
陶瓷SOIC
储存温度
包装重量（典型）
陶瓷SOIC
ESD容差（注
3)
20毫安
10毫安
467毫瓦
工作额定值
温度范围
反向电流
LM4050-2.5QML
LM4050-5.0QML
（注
2)
-55°C
≤
T
A
≤
+125°C
60 μA
到15毫安
74 μA
到15毫安
封装热阻
260°C
-65 ° C至+ 150°C
241mg
2级（ 2000V ）
包
θ
JA
θ
JA
(500LF/Min
（静止空气中）
空气流动）
147 ° C / W
θ
JC
10L陶瓷SOIC
在2层， 214 ° C / W套餐
1盎司PCB
20.87 ° C / W
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
设置时间
设置时间
设置时间
温度（C ）
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
3
www.ti.com
LM4050QML
LM4050-2.5QML电气特性
最初的反向击穿电压公差为± 0.1 ％@ 100μA 。
符号
参数
反向击穿电压
条件
I
R
= 100 μA
I
R
= 60A
I
R
= 100μA
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
I
R
= 15毫安
I
R
= 60A
V
R
反向击穿电压
公差
I
R
= 100μA
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
I
R
= 15毫安
I
R
= 60A
I
R
= 100μA
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
I
R
= 15毫安
I
RMIN
最小工作电流
I
R
= 60A
平均反向击穿
电压温度
系数
@ 25°C
≤
T
A
≤
125°C
ΔV
R
/ΔT
平均反向击穿
电压温度
系数
@ 55°C
≤
T
A
≤
25°C
Z
R
V
N
C
负载
V
HYST
反向动态阻抗
输出噪声电压
负载电容
热滞
I
R
= 100μA
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
I
R
= 15毫安
I
R
= 60A
I
R
= 100μA
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
I
R
= 15毫安
I
R
= 1毫安， F = 120赫兹，
I
AC
= 0.1 I
R
0.1赫兹
≤
f
≤
10赫兹
10赫兹
≤
f
≤
10KHz
稳定的温度
ΔT
= -55 ° C至125°C
（注
6)
（注
5)
（注
8)
（注
8)
笔记
SMD ： 5962R0923561
典型
（注
4)
2.500
±2.5
±2.5
±3.75
±10
±13
±5
±5
±6.25
±12.5
±14
±4.5
±4.5
±5.75
±13
±17.5
40.5
±3
±3
±3
±4
±6
±3
±3
±3.5
±10
±15
0.3
9
50
60
1
0
100
60
65
±15
±16
±18
±20
±22
±18
±19
±22
±32
±45
Ω
μVpp
μVRMS
F
PPM
3
PPM /°C的
2
μA
μA
1
2, 3
mV
3
mV
2
mV
1
民
最大
单位
V
SUB -
群体
www.ti.com
4
LM4050QML
邮政辐射@ 25°C
符号
参数
（注
7)
SUB -
群体
最初的反向击穿电压公差为± 0.1 ％@ 100μA 。
条件
I
R
= 60μA
V
R
反向击穿电压
公差
I
R
= 100μA
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
I
R
= 15毫安
最大
+0.42%
+0.67%
+1.5%
1
30拉德
50拉德
100拉德
邮政辐射温度系数
符号
参数
（注
8)
条件
60μA
≤
I
R
≤
15mA
标准结构
30拉德
+41
50拉德
+83
100拉德
+144
单位
PPM /°C的
平均反向击穿
电压温度系数
ΔV
R
/ΔT
漂@ 25°C
≤
T
A
≤
125°C
平均反向击穿
电压温度系数
漂移@ -55°C
≤
T
A
≤
25°C
60μA
≤
I
R
≤
15mA
+46
+87
+166
PPM /°C的
操作寿命试验三角洲参数
该表是从最初的测量结果看出漂移后1000小时工作寿命老化。各单位将保持在该
电特性限制发布1000小时工作寿命老化。在B组，分5组需要QMLV产品的增量。
符号
参数
条件
I
R
= 60A
V
R
反向Breakdonwn
电压容差
I
R
= 100A
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
I
R
= 15毫安
I
RMIN
最小工作
当前
记
民
-0.873
-0.873
-0.998
-3.93
-5
-0.623
最大
0.873
0.873
0.998
3.93
5
0.623
A
1
mV
1
单位
温度
5
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LUG3333/H0-PF
LM5101A
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LM4050CEM3-3.0-T
LD1117AV50
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LM1818N
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