星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
LM3Z2V0T1G系列
200 mW的SOD- 323表面贴装
SOD- 323
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
标记图
XX M
订购信息
设备*
LM3ZxxxT1G
LM3ZxxxT3G
包
SOD-323
SOD-323
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
X X =具体设备守则
M =日期代码
1
阴极
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面安装封装该
具有200毫瓦的功率耗散。他们的目的是提供电压调节功能
保护和在情况特别有吸引力的地方的空间是十分宝贵的。他们
非常适合用于诸如蜂窝电话，手持式便携设备，并
高密度的印刷电路板。
2
阳极
规格特点：
标准齐纳击穿电压范围 - 2.0 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸： 0.067" X 0.049" （1.7毫米× 1.25毫米）
包装重量： 4.507毫克/单位
3级（ >16 KV ）每人体模型ESD额定值
无铅封装。
.
低矮的车身高度： 0.035" （0.9 MM）
机械特性：
案例：
无空隙，传输模塑料
表面处理：
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
UL94 V-0
安装位置：
任何
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ） @ TA = 25°C
减免上述25℃
从热阻
结到环境
结存储
温度范围
1， FR- 4最小焊盘
符号
P
D
最大
200
1.5
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
, T
英镑
635
-65到+ 150
1/6
ＧＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
LM3Z2V0T1G系列
200 mW的SOD- 323表面贴装
LM3Z2V0T1G系列
电气特性
(T
A
= 25℃，除非另有说明，否则
V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA，对于所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
F
I
I
R
V
F
I
ZT
V
齐纳稳压器
2/6
ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
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ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
LM3Z2V0T1G系列
200 mW的SOD- 323表面贴装
LM3Z2V0T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
V
Z
（伏）
民
1.91
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
2.0
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.25
15
16.2
18
20
22
24.2
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.09
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
@ I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
100
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
@ I
ZK
W
600
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
800
700
100
160
160
160
160
160
160
80
80
400
400
400
500
500
120
300
300
300
500
500
500
500
500
500
500
500
500
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
漏电流
I
R
@ V
R
mA
150
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
7.0
8.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.2
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
QV
Z
（毫伏/ K）的
@ I
ZT
民
–3.5
–3.5
–3.5
–3.5
–3.5
–3.5
–3.5
–3.5
–3.5
–2.7
–2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
0
0
0
0
0
0
–2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
pF
450
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
设备
LM3Z2V0T1G
LM3Z2V4T1G
LM3Z2V7T1G
LM3Z3V0T1G
LM3Z3V3T1G
LM3Z3V6T1G
LM3Z3V9T1G
LM3Z4V3T1G
LM3Z4V7T1G
LM3Z5V1T1G
LM3Z5V6T1G
LM3Z6V2T1G
LM3Z6V8T1G
LM3Z7V5T1G
LM3Z8V2T1G
LM3Z9V1T1G
LM3Z10VT1G
LM3Z11VT1G
LM3Z12VT1G
LM3Z13VT1G
LM3Z15VT1G
LM3Z16VT1G
LM3Z18VT1G
LM3Z20VT1G
LM3Z22VT1G
LM3Z24VT1G
LM3Z27VT1G
LM3Z30VT1G
LM3Z33VT1G
LM3Z36VT1G
LM3Z39VT1G
LM3Z43VT1G
LM3Z47VT1G
LM3Z51VT1G
LM3Z56VT1G
LM3Z62VT1G
LM3Z68VT1G
LM3Z75VT1G
设备
记号
WY
00
01
02
05
06
07
08
09
0A
0C
0E
0F
0G
0H
0K
0L
0M
0N
0P
0T
0U
0W
0Z
10
11
12
14
18
19
20
21
1A
1C
1D
1E
1F
1G
2.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
3/6
ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
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ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
LM3Z2V0T1G系列
200 mW的SOD- 323表面贴装
典型特征
1000
ZT ，动态阻抗（
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150°C
75°C
1.0
3.0
10
V
Z
，额定齐纳电压
80
1.0
0.4
0.5
25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
1000
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
0 V BIAS
1 V BIAS
IR ，漏电流（
A)
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
图2.典型正向电压
100
+150°C
10
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
+25°C
–55°C
0
10
20
30
40
50
60
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
70
0.0001
1.0
4.0
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
70
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
4/6
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LM3Z2V0T1G系列
200 mW的SOD- 323表面贴装
LM3Z2V0T1G系列
典型特征
100
T
A
= 25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
IZ ，齐纳电流（毫安）
10
100
T
A
= 25°C
10
1.0
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图6.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至75 V ）
100
功耗（ ％ ）
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
图7.稳态功率降额
5/6
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