LM3673为2MHz ， 350毫安降压型DC -DC转换器
2006年11月
LM3673
2MHz的为350mA降压型DC -DC转换器
概述
的LM3673降压型DC - DC转换器被用于优化
从单节锂离子电池供电的低电压电路
输入电压轨为2.7V至5.5V 。它提供高达
350毫安负载电流，在整个输入电压范围内。
有几种不同的固定的电压输出选项可用
能，以及一个可调节输出电压的版本范围
从1.1V到3.3V 。
该器件提供了钼卓越的功能和性能
胆汁手机和类似的便携式系统。该LM3673用途
PWM和PFM之间的智能自动切换为
更好的效率。在PWM模式下，器件工作在
固定频率为2MHz （典型值） 。滞回PFM模式EX-
通过减小静态电流到16的倾向的电池寿命
μA （典型值），在轻负载和待机操作。内部同步
异步的整改提供了PWM在高效率
模式的操作。在关断模式下，器件关断，
减少电池电量消耗至0.01 μA （典型值） 。
该LM3673可在一个很小的5焊球的microSMD封装
在铅（ PB ） ，无铅（不含Pb ）版本。高开关
2 MHz（典型值） ：频率允许使用三个小型的
表面贴装元件，电感器和两个陶瓷钙
pacitors 。
特点
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16 μA典型静态电流
350毫安最大负载能力
2 MHz的PWM固定开关频率（典型值）
自动PFM / PWM模式切换
可提供固定和可调电压输出
5焊球的microSMD封装
内部同步整流的高效率
内部软启动
0.01 μA典型关断电流
从单节锂离子电池工作
只有三个微小的表面贴装的外部元件
要求（一个电感，两个陶瓷电容）
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电流过载和热关断保护
应用
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手机
掌上电脑
MP3播放器
W- LAN
便携式仪器
数码相机
便携式硬盘驱动器
典型应用电路
20183301
图1.典型应用电路
2006美国国家半导体公司
201833
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LM3673
20183331
图2.典型应用电路ADJ版
连接图以及包装标志信息
20183344
图3： 5焊球的microSMD封装NS包装数TLA05CBA
引脚说明（ 5焊球的microSMD ）
针＃
A1
A3
C1
C3
名字
V
IN
GND
EN
FB
描述
电源输入。连接到输入滤波电容（图
1).
接地引脚。
使能引脚。该器件处于关断模式时，电压此引脚为<0.4V并启用
当>1.0V 。不要离开这个引脚悬空。
反馈的模拟输入。直接连接至输出滤波电容的固定电压
版本。对于可调版本的外部电阻分压器需要（图
2).
该
内部电阻分压器是可调版本禁用。
开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
B2
SW
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2
LM3673
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
脚：电压GND
FB ， SW ， EN引脚：
连续功率耗散
（注3）
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值（注4 ）
-0.2V至6.0V
（ GND - 0.2V ）至
(V
IN
+ 0.2V)
内部限制
+125°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
人体模型
机器型号
2千伏
200V
（注1,2 ）
工作额定值
输入电压范围（注10 ）
2.7V至5.5V
推荐负载电流
0mA至350毫安
结温（T
J
）范围
-30℃ + 125℃
环境温度（T
A
）范围（注-30 ° C至+ 85°C
5)
热性能
结到环境的热
电阻（ θ
JA
） （的microSMD ）
4层电路板（注6 ）
85°C/W
电气特性
符号
V
IN
V
FB
输入电压
参数
（注2 ， 8 ， 9 ）中的标准字体限制为T
J
= 25℃。在限额
粗体
TYPE
适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
≤
+ 85°C ） 。除非另有说明，规范适用于
与V的LM3673TL
IN
= EN = 3.6V
条件
（注10 ）
PWM模式（注11 ）
2.7V
≤
V
IN
≤
5.5V
I
O
= 20毫安
150毫安
≤
I
O
≤
350毫安
V
IN
= 3.6V
EN = 0V
无负载，设备没有开关（ FB
强迫高于编程
输出电压）
V
IN
= V
GS
= 3.6V
V
IN
= V
GS
= 3.6V
开环（注7 ）
590
1.0
0.4
0.01
PWM模式（注11 ）
1.6
2
1
2.6
民
2.7
-2.5
0.025
0.0015
0.5
0.01
16
1
35
典型值
最大
5.5
+2.5
单位
V
%
%/V
％ / mA的
V
A
A
反馈电压（固定/ ADJ ） TL
线路调整
负载调整率
V
REF
I
SHDN
I
Q
内部参考电压
关断电源电流
直流偏置电流中V
IN
R
DSON （ P）
R
DSON （ N）
I
LIM
V
IH
V
IL
I
EN
F
OSC
引脚对引脚电阻用于PFET
引脚对引脚电阻用于NFET
开关峰值电流限制
逻辑高输入
逻辑低电平输入
使能（ EN ）输入电流
内部振荡器频率
350
150
750
450
250
855
m
m
mA
V
V
A
兆赫
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150 ° C（典型值），并在脱离
T
J
= 130 ° C（典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。 MIL - STD-883标准3015.7
注5 ：
在实际应用中需要高功耗和/或包装性差是目前最大的环境温度可能要降级。
最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX
） ，该装置的最大功率耗散
应用程序（P
D- MAX
）和结点到环境的封装的热阻（ θ
JA
）中的应用，给出由下式：T已
A- MAX
= T
J- MAX
(θ
JA
X P
D- MAX
） 。是指额定功耗表P
D- MAX
值在不同的环境温度。
注6 ：
结到环境的热阻是高度应用和电路板布局有关。在实际应用中需要高功耗的存在，特别照顾
必须考虑到电路板设计的散热问题。 85 ° C / W的μSMD指定的值是一个4层， 4" X 3" ， 2/1/1/2盎司CU板按
JEDEC标准被使用。
注7 ：
参见数据表的曲线闭环数据及其变化的问候与电源电压和温度。电气特性表反映
开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期电流限制被激活） 。闭环电流限制峰值电感
电流通过增加输出电流，直到输出电压降低10％所测定的应用电路。
注8 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注9 ：
在电气特性表中的参数是在V测试
IN
= 3.6V ，除非另有规定。为在输入电压范围内性能
请参阅数据表曲线。
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4
LM3673
V
IN
= 2.7V至4.5V为1.1V
≤
V
OUT
＆ LT ; 1.5V
V
IN
= 2.7V至5.5V 1.5V
≤
V
OUT
＆ LT ; 1.8V
V
IN
= (V
OUT
+ V
降
），以5.5V为1.8V
≤
V
OUT
≤
3.3V
其中，V
降
= I
负载
*( R
DSON ， PFET
+ R
感应器
)
注10 ：
推荐用于指定输出电压应用的理想性能的输入电压范围，给出如下：
注11 ：
测试条件：对V
OUT
小于2.5V ，V
IN
= 3.6V ;对于V
OUT
大于或等于2.5V ，V
IN
= V
OUT
+ 1V.
额定功耗表
θ
JA
85 ℃/ W（ 4层板）5-
凹凸的microSMD
T
A
≤
25°C
额定功率
1179mW
T
A
= 60°C
额定功率
765mW
T
A
= 85°C
额定功率
470mW
5
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