LM3668 1A ，高效率双模式单电感器降压 - 升压型DC / DC转换器
2008年9月10日
LM3668
1A ，高效率双模式单电感器降压 - 升压
DC / DC转换器
概述
该LM3668是一个同步降压 - 升压型DC-DC转换器
用于从锂离子电池供电的低电压电路优化BAT-
2.5V和5.5V之间的电池，并将输入电压轨。它具有
能力，支持高达1A的输出电流在输出
电压范围。该LM3668调节输出电压的过
整个输入电压范围内，通过自动切换
根据所输入的降压或升压模式电压之间
年龄。
该LM3668具有2个N沟道MOSFET和两个P沟道
布置在一个拓扑，提供连续的MOSFET
通过降压和升压工作模式操作。
有一个模式管脚，它允许用户之间进行选择
智能自动PFM- PWM模式操作和
强制PWM工作模式。在PWM模式中，固定频率
2.2MHz的（典型值）时。 PWM模式下加载驱动高达1A 。滞回
teretic PFM模式下，通过减少延长了电池的寿命
为45μA ，在轻负载时的静态电流（典型值）的
系统待机。内部同步整流提供
高效率。在关断模式（使能引脚拉低）的
设备关闭，减少电池消耗0.01μA
（ TYP。 ） 。
该LM3668是采用12引脚的LLP封装。高
开关的2.2MHz的频率（典型值）允许使用纤巧
表面贴装组件，包括一个2.2μH电感器，
10μF输入电容器和22μF的输出电容器。
特点
■
45μA典型静态电流
■
对于2.8V / 3.3V和3.0 / 3.4V版本：
- 最大1A的负载电流V
IN
= 2.8V至5.5V
- 800毫安最大负载电流为V
IN
= 2.7V
- 600毫安最大负载电流为V
IN
= 2.5V
4.5 / 5V
- 最大1A的负载电流V
IN
= 3.9V至5.5V
- 800毫安最大负载电流为V
IN
= 3.4V至3.8V
- 700毫安最大负载电流为V
IN
= 3.0V至3.3V
- 600毫安最大负载电流为V
IN
= 2.7V至2.9V
2.2MHz的PWM固定开关频率（典型值）。
自动PFM- PWM模式或强制PWM模式
宽输入电压范围： 2.5V至5.5V
内部同步整流的高效率
内部软启动： 600μs V后的最大启动时间
IN
安定
0.01μA典型关断电流
电流过载和热关断保护
频率同步引脚：为1.6MHz至2.7MHz
■
■
■
■
■
■
■
■
■
应用
■
■
■
■
■
■
手机周边
MP3播放器
预调节的线性稳压器
掌上电脑
便携式硬盘驱动器
WiMAX调制解调器
典型应用
20191401
典型应用电路
20191476
效率在3.3V输出
2008美国国家半导体公司
201914
www.national.com
LM3668
连接图以及包装标志信息
20191402
20191403
顶视图
底部视图
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
VOUT
SW2
保护地
SW1
PV
IN
EN
VDD
NC *
SGND
MODE / SYNC
连接到输出电容器。
开关节点连接到内部PFET开关P2与NFET同步整流器（N 2） 。
电源地。
开关节点连接到内部PFET开关（P1）和NFET同步整流器（N1） 。
供给到所述电源开关，连接到输入电容器。
使能输入。设置此数字输入高电平正常工作。对于关机，设置为低。
信号电源输入。如果电路板的布局是不是最优的可选1μF的陶瓷电容建议
尽可能靠近该引脚越好。
无连接。该引脚连接到GND在PCB布局。
模拟和控制地面。
模式=低，自动模式。模式= HI ，强制PWM模式SYNC =外部时钟
从为1.6MHz至2.7MHz的同步（ SYNC时功能时，设备被强制在PWM
模式）。
电压选择引脚; （例如： 2.8V / 3.3V选项）逻辑输入为低电平（或GND） = 2.8V和逻辑高= 3.3V
（或V
IN
）来设置输出电压。
反馈模拟输入。连接在输出滤波器的输出。
芯片附着垫， DAP连接到SGND PCB上布局，提升散热性能。它应该
不能被用作一个主接地连接。
描述
11
12
DAP
VSEL
FB
DAP
订购信息
订单号
LM3668SD - 2833
LM3668SDX - 2833
LM3668SD - 3034
LM3668SDX - 3034
LM3668SD - 4550
LM3668SDX - 4550
包
LLP-12
LLP-12
LLP-12
NSC封装
记号
S017B
S018B
S019B
供货方式
1000单位，磁带和卷轴
4500单位，磁带和卷轴
1000单位，磁带和卷轴
4500单位，磁带和卷轴
1000单位，磁带和卷轴
4500单位，磁带和卷轴
注意：作为一个例子，若V
OUT
选项为3.0V / 3.4V ，当V
SEL
=低，设定V
OUT
为3V ;当V
SEL
=高，集V
OUT
= 3.4V 。该配置适用于所有电压
选项。
3
www.national.com
LM3668
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
PV
IN，
V
DD
脚， SW1 ， SW2 & V
OUT
:
电压SGND PGND &
FB ， EN ， MODE ， SYNC引脚：
-0.2V至+ 6.0V
（ PGND &
SGND - 0.2V ）至
（PV
IN
+ 0.2)
-0.2V至0.2V
内部限制
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
工作额定值
输入电压范围
推荐负载电流
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
“ （注
3)
2.5V至5.5V
0mA至1A
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
PGND到SGND
连续功率耗散
“ （注
3)
最高结温
(T
J- MAX
)
热性能
结点至环境热阻（ θ
JA
),
无铅引线框架封装（注5 ）
34°C/W
+125°C
（注6,7）在标准字体限为T
J
= + 25℃。在限额
粗体
TYPE
适用于整个工作环境温度范围（ -40°C
≤
= T
A
≤
+ 85°C ） 。除非另有说明，规范适用于
该LM3668 。 V
IN
= 3.6V = EN ，V
OUT
= 3.3V 。对于V
OUT
= 4.5/5.0V, V
IN
= 4V.
符号
V
FB
I
LIM
I
SHDN
I
Q_PFM
参数
反馈电压
开关峰值电流限制
关断电源电流
DC偏置电流的PFM
（注7 ）
开环（注2 ）
EN = 0V
无负载，设备无法切换
（ FB强迫高于
编程输出电压）
PWM模式下，无需切换
开关P1和P2
开关N1和N2
PWM模式
V
IN
= 3.6V
1.9
1.6
1.1
0.4
0.3
1
条件
民
-3
1.6
1.85
0.01
45
600
130
100
2.2
典型值
最大
3
2.05
1
60
750
180
150
2.5
2.7
单位
%
A
A
A
A
m
m
兆赫
兆赫
V
V
A
电气特性
I
Q_PWM
R
DSON （ P）
R
DSON （ N）
F
OSC
F
SYNC
V
IH
V
IL
I
EN ， MODE ， SYNC
直流偏置电流在PWM
引脚对引脚电阻用于PFET
引脚对引脚电阻用于NFET
内部振荡器频率
同步频率范围
逻辑高电平的输入EN ， MODE /
SYNC引脚
逻辑低电平的输入EN ，模式/
SYNC引脚
EN ，模式/ SYNC引脚输入
当前
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置的有保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件下，
请参阅电气特性表。
注2 ：
电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期电流限制被激活） 。
闭环电流限制是通过增加输出电流，直到输出电压降低了10 ％，在应用电路中测得的峰值电感电流。
注3 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
× P
D- MAX
).
注4 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200pF的电容放电
直接向每个引脚。 MIL - STD-883标准3015.7
注5 ：
结点至环境热阻（ θ
JA
）取自热建模的结果，列于所述的条件和指引下进行
JEDEC标准JESD51-7 。测试板是一个4层FR- 4电路板测量101.6毫米X 76.2毫米X 1.6毫米。铜层的厚度是2盎司/ 1盎司/ 1盎司/
2盎司电路板的中间层为60mm ×60 。室温下，在仿真是22 ℃，静止空气。
结至环境热阻高度应用和电路板布局有关。在应用中，高最大功耗存在，特别
但必须支付给电路板设计的散热问题。
注6 ：
所有的电压是相对于SGND 。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注8 ：
C
IN
和C
OUT
：在设置电气特性采用低ESR的表面贴装陶瓷电容器（MLCC ） 。
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4
LM3668 1A ，高效率双模式单电感器降压 - 升压型DC / DC转换器
2008年3月21日
LM3668
1A ，高效率双模式单电感器降压 - 升压
DC / DC转换器
概述
该LM3668是一个同步降压 - 升压型DC-DC转换器
用于从锂离子电池供电的低电压电路优化BAT-
2.5V和5.5V之间的电池，并将输入电压轨。它具有
能力，支持高达1A的输出电流在输出
电压范围。该LM3668调节输出电压的过
整个输入电压范围内，通过自动切换
根据所输入的降压或升压模式电压之间
年龄。
该LM3668具有2个N沟道MOSFET和两个P沟道
布置在一个拓扑，提供连续的MOSFET
通过降压和升压工作模式操作。
有一个模式管脚，它允许用户之间进行选择
智能自动PFM- PWM模式操作和
强制PWM工作模式。在PWM模式中，固定频率
2.2MHz的（典型值）时。 PWM模式下加载驱动高达1A 。滞回
teretic PFM模式下，通过减少延长了电池的寿命
为45μA ，在轻负载时的静态电流（典型值）的
系统待机。内部同步整流提供
高效率。在关断模式（使能引脚拉低）的
设备关闭，减少电池消耗0.01μA
（ TYP。 ） 。
该LM3668是采用12引脚的LLP封装。高
开关的2.2MHz的频率（典型值）允许使用纤巧
表面贴装组件，包括一个2.2μH电感器，
10μF输入电容器和22μF的输出电容器。
特点
■
45μA典型静态电流
■
对于2.8V / 3.3V和3.0 / 3.4V版本：
- 最大1A的负载电流V
IN
= 2.8V至5.5V
- 800毫安最大负载电流为V
IN
= 2.7V
- 600毫安最大负载电流为V
IN
= 2.5V
4.5 / 5V
- 最大1A的负载电流V
IN
= 3.9V至5.5V
- 800毫安最大负载电流为V
IN
= 3.4V至3.8V
- 700毫安最大负载电流为V
IN
= 3.0V至3.3V
- 600毫安最大负载电流为V
IN
= 2.7V至2.9V
2.2MHz的PWM固定开关频率（典型值）。
自动PFM- PWM模式或强制PWM模式
宽输入电压范围： 2.5V至5.5V
内部同步整流的高效率
内部软启动： 600μs V后的最大启动时间
IN
安定
0.01μA典型关断电流
电流过载和热关断保护
频率同步引脚：为1.6MHz至2.7MHz
■
■
■
■
■
■
■
■
■
应用
■
■
■
■
■
■
手机周边
MP3播放器
预调节的线性稳压器
掌上电脑
便携式硬盘驱动器
WiMAX调制解调器
典型应用
20191401
典型应用电路
20191476
效率在3.3V输出
2008美国国家半导体公司
201914
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LM3668
连接图以及包装标志信息
20191402
20191403
顶视图
底部视图
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
VOUT
SW2
保护地
SW1
PV
IN
EN
VDD
NC *
SGND
MODE / SYNC
连接到输出电容器。
开关节点连接到内部PFET开关P2与NFET同步整流器（N 2） 。
电源地。
开关节点连接到内部PFET开关（P1）和NFET同步整流器（N1） 。
供给到所述电源开关，连接到输入电容器。
使能输入。设置此数字输入高电平正常工作。对于关机，设置为低。
信号电源输入。如果电路板的布局是不是最优的可选1μF的陶瓷电容建议
尽可能靠近该引脚越好。
无连接。该引脚连接到GND在PCB布局。
模拟和控制地面。
模式=低，自动模式。模式= HI ，强制PWM模式SYNC =外部时钟
从为1.6MHz至2.7MHz的同步（ SYNC时功能时，设备被强制在PWM
模式）。
电压选择引脚; （例如： 2.8V / 3.3V选项）逻辑输入低电平= 2.8V逻辑高= 3.3V来设置输出
电压。
反馈模拟输入。连接在输出滤波器的输出。
芯片附着垫， DAP连接到SGND PCB上布局，提升散热性能。它应该
不能被用作一个主接地连接。
描述
11
12
DAP
VSEL
FB
DAP
订购信息
订单号
LM3668SD - 3.3
1
LM3668SDX - 3.3
1
LM3668SD-3034
2
LM3668SDX-3034
2
LM3668SD - 4550
LM3668SDX - 4550
包
LLP-12
LLP-12
LLP-12
NSC封装
记号
S016B
S018B
S019B
供货方式
1000单位，磁带和卷轴
4500单位，磁带和卷轴
1000单位，磁带和卷轴
4500单位，磁带和卷轴
1000单位，磁带和卷轴
4500单位，磁带和卷轴
注1 ： LM3668SD / X - 3.3V很快就会被新的选项LM3668SD / X - 2833取代。
注2 ：作为一个例子，若V
OUT
选项为3.0V / 3.4V ，当V
SEL
=低，设定V
OUT
为3V ;当V
SEL
=高，集V
OUT
= 3.4V.
3
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LM3668
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
PV
IN，
V
DD
脚， SW1 ， SW2 & V
OUT
:
电压SGND PGND &
FB ， EN ， MODE ， SYNC引脚：
-0.2V至+ 6.0V
（ PGND &
SGND - 0.2V ）至
（PV
IN
+ 0.2)
-0.2V至0.2V
内部限制
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
工作额定值
输入电压范围
推荐负载电流
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
“ （注
3)
2.5V至5.5V
0mA至1A
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
PGND到SGND
连续功率耗散
“ （注
3)
最高结温
(T
J- MAX
)
热性能
+125°C
结点至环境热阻（ θ
JA
),
无铅引线框架封装（注5 ）
34°C/W
（注6,7）在标准字体限为T
J
= + 25℃。在限额
粗体
TYPE
适用于整个工作环境温度范围（ -40°C
≤
= T
A
≤
+ 85°C ） 。除非另有说明，规范适用于
该LM3668 。 V
IN
= 3.6V = EN ，V
OUT
= 3.3V 。对于V
OUT
= 4.5/5.0V, V
IN
= 4V.
符号
V
FB
I
LIM
I
SHDN
I
Q_PFM
参数
反馈电压
开关峰值电流限制
关断电源电流
DC偏置电流的PFM
（注7 ）
开环（注2 ）
EN = 0V
无负载，设备无法切换
（ FB强迫高于
编程输出电压）
PWM模式下，无需切换
开关P1和P2
开关N1和N2
PWM模式
V
IN
= 3.6V
1.9
1.6
1.1
0.4
0.3
1
条件
民
-3
1.6
1.85
0.01
45
600
130
100
2.2
典型值
最大
3
2.05
1
60
750
180
150
2.5
2.7
单位
%
A
A
A
A
m
m
兆赫
兆赫
V
V
A
电气特性
I
Q_PWM
R
DSON （ P）
R
DSON （ N）
F
OSC
F
SYNC
V
IH
V
IL
I
EN ， MODE ， SYNC
直流偏置电流在PWM
引脚对引脚电阻用于PFET
引脚对引脚电阻用于NFET
内部振荡器频率
同步频率范围
逻辑高电平的输入EN ， MODE /
SYNC引脚
逻辑低电平的输入EN ，模式/
SYNC引脚
EN ，模式/ SYNC引脚输入
当前
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置的有保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件下，
请参阅电气特性表。
注2 ：
电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期电流限制被激活） 。
闭环电流限制是通过增加输出电流，直到输出电压降低了10 ％，在应用电路中测得的峰值电感电流。
注3 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
× P
D- MAX
).
注4 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200pF的电容放电
直接向每个引脚。 MIL - STD-883标准3015.7
注5 ：
结点至环境热阻（ θ
JA
）取自热建模的结果，列于所述的条件和指引下进行
JEDEC标准JESD51-7 。测试板是一个4层FR- 4电路板测量101.6毫米X 76.2毫米X 1.6毫米。铜层的厚度是2盎司/ 1盎司/ 1盎司/
2盎司电路板的中间层为60mm ×60 。室温下，在仿真是22 ℃，静止空气。
结至环境热阻高度应用和电路板布局有关。在应用中，高最大功耗存在，特别
但必须支付给电路板设计的散热问题。
注6 ：
所有的电压是相对于SGND 。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注8 ：
C
IN
和C
OUT
：在设置电气特性采用低ESR的表面贴装陶瓷电容器（MLCC ） 。
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