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LM35精密摄氏温度传感器
1999年7月
LM35
精密摄氏温度传感器
概述
该LM35系列精密集成电路温度
传感器,它的输出电压成线性比例的
摄氏度( ℃)的温度。该LM35因此具有
优势在校准的线性温度传感器
开尔文,以减去一个大CON-用户不需要
从它的输出,以获得方便摄氏恒定电压
缩放。该LM35不需要任何外部校准
或修整以提供典型精度
±
1
4
C上的房间
±
3
4
c在一个完整的-55 + 150°C温度
TURE范围。低成本是有保证的修整和校准
在晶片级。该LM35的输出阻抗低,线性
输出,并精确校准固有使接口到
读出或控制电路特别容易。它可用于
用单电源,或用加号和减号用品。
因为它吸引了来自其供应只有60 μA ,它具有非常低
自热,小于0.1C的静止空气中。该LM35的额定
工作在-55至+ 150°C的温度范围内,而
LM35C额定为-40至+ 110C范围( -10与im-
已探明的精度) 。该LM35系列可打包
密封的TO- 46晶体管封装,而LM35C ,
LM35CA和LM35D也可在塑料TO- 92
晶体管封装。该LM35D还提供8引脚
表面贴装型小外形封装和塑料TO- 220
封装。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
直接在摄氏度校准(摄氏)
线性+ 10.0毫伏/ C的比例因子
0.5C精度guaranteeable (在+ 25℃)
额定满-55至+ 150°C范围内
适合于远程应用
低的成本,由于晶圆级微调
从4到30伏进行操作
小于60 μA的电流消耗
低自供暖, 0.08 ℃,在静止空气中
只有非线性
±
1
4
C典型
低阻抗输出, 0.1
1 mA负载
典型应用
DS005516-4
DS005516-3
图1.基本摄氏温度传感器
( + 2 ° C至+ 150 ° C)
选择[R色
1
= V
S
/50 A
V
OUT
= 1500毫伏,在+ 150°C
= 250 mV的在+ 25℃
= -550 mV的在-55°C
图2.全音域摄氏温度传感器
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS005516
www.national.com
连接图
TO-46
金属罐包装*
SO-8
小外形模压封装
DS005516-1
DS005516-21
*案例连接到负端子( GND )
北卡罗来纳州=无连接
订单号LM35H , LM35AH , LM35CH , LM35CAH或
LM35DH
见NS包装数H03H
TO-92
塑料包装
顶视图
订单号LM35DM
见NS包装数M08A
TO-220
塑料包装*
DS005516-2
订单号LM35CZ ,
LM35CAZ或LM35DZ
见NS包装数Z03A
DS005516-24
*选项卡被连接到负端子(GND ) 。
注意:
该LM35DT引出线比停产LM35DP不同。
订单号LM35DT
见NS包装数TA03F
www.national.com
2
绝对最大额定值
(注10 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
输出电压
输出电流
储存温度;
TO- 46封装,
TO- 92封装,
SO - 8封装,
的TO-220封装,
铅温度:
TO- 46封装,
(焊接, 10秒)
+ 35V至-0.2V
+ 6V至-1.0V
10毫安
60C
60C
65C
65C
to
to
to
to
+180C
+150C
+150C
+150C
TO-92和TO-220封装,
(焊接, 10秒)
260C
SO封装(注12 )
气相(60秒)
215C
红外(15秒)
220C
ESD易感性(注11 )
2500V
指定工作温度范围:T已
给T
最大
(注2 )
LM35 , LM35A
-55 ° C至+ 150°C
LM35C , LM35CA
-40°C至+ 110C
LM35D
0 ° C至+ 100°C
300C
电气特性
(注1,6 )
LM35A
参数
条件
典型
准确性
(注7 )
T
A
= +25C
T
A
= 10C
T
A
= T
最大
T
A
= T
非线性
(注8)
传感器增益
(平均坡度)
负载调整率
(注3 ) 0≤I
L
≤1
mA
线路调整
(注3)
静态电流
(注9 )
T
A
= +25C
T
≤T
A
≤T
最大
T
A
= +25C
4V≤V
S
≤30V
V
S
= + 5V , + 25°C
V
S
= +5V
V
S
= + 30V , + 25°C
V
S
= +30V
变化
静态电流
(注3)
温度
对COEF网络cient
静态电流
最低气温
额定精度
长期稳定性
中的电路
+1.5
+2.0
+1.5
+2.0
C
C
+0.39
+0.5
+0.39
+0.5
μA /°C的
4V≤V
S
≤30V,
+25C
4V≤V
S
≤30V
T
≤T
A
≤T
最大
+10.0
+9.9,
+10.1
+10.0
+9.9,
+10.1
毫伏/°C的
毫伏/毫安
T
≤T
A
≤T
最大
经过测试
极限
(注4 )
设计
极限
(注5 )
典型
LM35CA
经过测试
极限
(注4 )
设计
极限
(注5 )
C
单位
( MAX 。 )
±
0.2
±
0.3
±
0.4
±
0.4
±
0.18
±
0.5
±
1.0
±
1.0
±
0.35
±
0.2
±
0.3
±
0.4
±
0.4
±
0.15
±
0.5
±
1.0
±
1.0
±
1.5
±
0.3
C
C
C
C
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
105
56.2
105.5
0.2
0.5
±
1.0
±
3.0
±
0.05
±
0.1
67
131
68
133
1.0
2.0
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
91
56.2
91.5
0.2
0.5
±
1.0
±
3.0
±
0.05
±
0.1
67
114
68
116
1.0
2.0
毫伏/毫安
mV / V的
mV / V的
A
A
A
A
A
A
图1中,
I
L
= 0
T
J
= T
最大
千小时
±
0.08
±
0.08
3
www.national.com
电气特性
(注1,6 )
LM35
参数
条件
典型
精度,
LM35 , LM35C
(注7 )
精度, LM35D
(注7 )
非线性
(注8)
传感器增益
(平均坡度)
负载调整率
(注3 ) 0≤I
L
≤1
mA
线路调整
(注3)
静态电流
(注9 )
T
A
= +25C
T
≤T
A
≤T
最大
T
A
= +25C
4V≤V
S
≤30V
V
S
= + 5V , + 25°C
V
S
= +5V
V
S
= + 30V , + 25°C
V
S
= +30V
变化
静态电流
(注3)
温度
对COEF网络cient
静态电流
最低气温
额定精度
长期稳定性
中的电路
+1.5
+2.0
+1.5
+2.0
C
C
+0.39
+0.7
+0.39
+0.7
μA /°C的
4V≤V
S
≤30V,
+25C
4V≤V
S
≤30V
T
≤T
A
≤T
最大
+10.0
+9.8,
+10.2
+10.0
+9.8,
+10.2
毫伏/°C的
毫伏/毫安
T
A
= +25C
T
A
= 10C
T
A
= T
最大
T
A
= T
T
A
= +25C
T
A
= T
最大
T
A
= T
T
≤T
A
≤T
最大
经过测试
极限
(注4 )
设计
极限
(注5 )
典型
LM35C , LM35D
经过测试
极限
(注4 )
设计
极限
(注5 )
C
单位
( MAX 。 )
±
0.4
±
0.5
±
0.8
±
0.8
±
1.0
±
1.5
±
1.5
±
0.3
±
0.5
±
0.4
±
0.5
±
0.8
±
0.8
±
0.6
±
0.9
±
0.9
±
0.2
±
1.0
±
1.5
±
1.5
±
2.0
±
1.5
±
2.0
±
2.0
±
0.5
C
C
C
C
C
C
C
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
105
56.2
105.5
0.2
0.5
±
2.0
±
5.0
±
0.1
±
0.2
80
158
82
161
2.0
3.0
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
91
56.2
91.5
0.2
0.5
±
2.0
±
5.0
±
0.1
±
0.2
80
138
82
141
2.0
3.0
毫伏/毫安
mV / V的
mV / V的
A
A
A
A
A
A
图1中,
I
L
= 0
T
J
= T
最大
千小时
±
0.08
±
0.08
注1 :
除非另有说明,这些规范适用于: -55C≤T
J
≤+150C
为LM35和LM35A ; -40≤T
J
≤+110C
为LM35C和LM35CA ;和
0≤T
J
≤+100C
为LM35D 。 V
S
= + 5V直流,我
负载
= 50微安,在所述电路
图2中。
这些规范也适用于+ 2℃至T
最大
中的电路
图1 。
规格
粗体
适用于整个额定温度范围内。
注2 :
在TO- 46封装的热阻为40℃ / W ,结到环境,以及24C / W结到外壳。在TO- 92封装的热阻
180C / W结到环境。小外形模压封装的热阻为220℃ / W结到环境。在TO- 220封装的热阻
为90℃ / W结到环境。有关更多的热阻信息,请参阅在应用程序部分表。
注3 :
规的测量是在结温恒定,使用脉冲试验在低占空比。热效应引起的变化的输出可以的COM
通过将热电阻乘以内部耗散puted 。
注4 :
测试的限制,并保证100 %生产测试。
注5 :
设计极限,保证(但不是100 %生产测试)在指定的温度和电源电压范围。这些限制不用于CAL-
culate出厂质量水平。
注6 :
规格
粗体
适用于整个额定温度范围内。
注7 :
精度定义为输出电压和10mv的/ C倍的设备的情况下,温度之间的误差,在电压的规定的条件下,电流,
和温度(以℃表示) 。
注8 :
非线性被定义为输出电压与温度曲线的最佳拟合直线的偏差,在器件的额定温度
范围内。
注9 :
静态电流中的电路定义
图1 。
注10 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时,直流和交流电气规格不适用
该装置超过其额定工作条件。见注1 。
注11 :
人体模型, 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注12 :
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”或标题为“表面贴装”在当前国家Semicon-发现
导体线性数据手册焊接面的其他方法安装设备。
www.national.com
4
典型性能特性
热阻
结到空气
热时间常数
热响应
在静止空气中
DS005516-26
DS005516-25
DS005516-27
在热响应
搅拌油浴
最低供应
电压与温度的关系
静态电流
与温度的关系
(在电路
图1
.)
DS005516-28
DS005516-29
DS005516-30
静态电流
与温度的关系
(在电路
图2
.)
准确度与温度的关系
(保证)
准确度与温度的关系
(保证)
DS005516-32
DS005516-31
DS005516-33
5
www.national.com
LM35精密摄氏温度传感器
2000年11月
LM35
精密摄氏温度传感器
概述
该LM35系列精密集成电路温度
传感器,它的输出电压成线性比例的
摄氏度( ℃)的温度。该LM35因此具有
优势在校准的线性温度传感器
开尔文,以减去了大量的用户不需要
从它的输出恒定电压,以获得方便厘
级缩放。该LM35不需要任何外部
校准或微调,以提供典型精度
±
1
4
C
在室温下和
±
3
4
c在一个完整的-55 + 150°C
温度范围。低成本是有保证的修剪和
校准在晶片级。该LM35的低输出阻抗
ANCE ,线性输出,并精确校准固有化妆
接口到读出或控制电路特别简单。它
可以与单电源,或用加和使用
零下用品。因为它仅消耗60 μA ,从它的供应,它有
非常低的自加热,小于0.1C的静止空气中。该LM35是
额定为-55工作在至+ 150°C的温度范围内,
而LM35C额定为-40至+ 110C范围( -10
具有改善的准确度) 。该LM35系列提供封装
年龄在密封的TO- 46封装的晶体管,而
LM35C , LM35CA和LM35D也是可用
塑料的TO- 92晶体管封装。该LM35D也可用
能够在8引脚表面贴装型小外形封装和
塑料TO-220封装。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
直接在摄氏度校准(摄氏)
线性+ 10.0毫伏/ C的比例因子
0.5C精度guaranteeable (在+ 25℃)
额定满-55至+ 150°C范围内
适合于远程应用
低的成本,由于晶圆级微调
从4到30伏进行操作
小于60 μA的电流消耗
低自供暖, 0.08 ℃,在静止空气中
只有非线性
±
1
4
C典型
低阻抗输出, 0.1
1 mA负载
典型应用
DS005516-4
DS005516-3
图1.基本摄氏温度传感器
( + 2 ° C至+ 150 ° C)
选择[R色
1
= V
S
/50 A
V
OUT
= + 1500 mV的在+ 150°C
= 250 mV的在+ 25℃
= -550 mV的在-55°C
图2.全音域摄氏温度传感器
2000美国国家半导体公司
DS005516
www.national.com
LM35
连接图
TO-46
金属罐包装*
SO-8
小外形模压封装
DS005516-1
DS005516-21
*案例连接到负端子( GND )
北卡罗来纳州=无连接
订单号LM35H , LM35AH , LM35CH , LM35CAH或
LM35DH
见NS包装数H03H
TO-92
塑料包装
顶视图
订单号LM35DM
见NS包装数M08A
TO-220
塑料包装*
DS005516-2
订单号LM35CZ ,
LM35CAZ或LM35DZ
见NS包装数Z03A
DS005516-24
*选项卡被连接到负端子(GND ) 。
注意:
该LM35DT引出线比停产LM35DP不同。
订单号LM35DT
见NS包装数TA03F
www.national.com
2
LM35
绝对最大额定值
(注10 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
输出电压
输出电流
储存温度;
TO- 46封装,
TO- 92封装,
SO - 8封装,
的TO-220封装,
铅温度:
TO- 46封装,
(焊接, 10秒)
+ 35V至-0.2V
+ 6V至-1.0V
10毫安
60C
60C
65C
65C
to
to
to
to
+180C
+150C
+150C
+150C
TO-92和TO-220封装,
(焊接, 10秒)
260C
SO封装(注12 )
气相(60秒)
215C
红外(15秒)
220C
ESD易感性(注11 )
2500V
指定工作温度范围:T已
给T
最大
(注2 )
LM35 , LM35A
-55 ° C至+ 150°C
LM35C , LM35CA
-40°C至+ 110C
LM35D
0 ° C至+ 100°C
300C
电气特性
(注1,6 )
LM35A
参数
条件
典型
准确性
(注7 )
T
A
=+25C
T
A
=10C
T
A
=T
最大
T
A
=T
非线性
(注8)
传感器增益
(平均坡度)
负载调整率
(注3 ) 0≤I
L
≤1
mA
线路调整
(注3)
静态电流
(注9 )
T
A
=+25C
T
≤T
A
≤T
最大
T
A
=+25C
4V≤V
S
≤30V
V
S
= + 5V , + 25°C
V
S
=+5V
V
S
= + 30V , + 25°C
V
S
=+30V
变化
静态电流
(注3)
温度
对COEF网络cient
静态电流
最低气温
额定精度
长期稳定性
中的电路
+1.5
+2.0
+1.5
+2.0
C
C
+0.39
+0.5
+0.39
+0.5
μA /°C的
4V≤V
S
≤30V,
+25C
4V≤V
S
≤30V
T
≤T
A
≤T
最大
+10.0
+9.9,
+10.1
+10.0
+9.9,
+10.1
毫伏/°C的
毫伏/毫安
T
≤T
A
≤T
最大
经过测试
极限
(注4 )
设计
极限
(注5 )
典型
LM35CA
经过测试
极限
(注4 )
设计
极限
(注5 )
C
单位
( MAX 。 )
±
0.2
±
0.3
±
0.4
±
0.4
±
0.18
±
0.5
±
1.0
±
1.0
±
0.35
±
0.2
±
0.3
±
0.4
±
0.4
±
0.15
±
0.5
±
1.0
±
1.0
±
1.5
±
0.3
C
C
C
C
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
105
56.2
105.5
0.2
0.5
±
1.0
±
3.0
±
0.05
±
0.1
67
131
68
133
1.0
2.0
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
91
56.2
91.5
0.2
0.5
±
1.0
±
3.0
±
0.05
±
0.1
67
114
68
116
1.0
2.0
毫伏/毫安
mV / V的
mV / V的
A
A
A
A
A
A
图1中,
I
L
=0
T
J
=T
最大
千小时
±
0.08
±
0.08
3
www.national.com
LM35
电气特性
(注1,6 )
LM35
参数
条件
典型
精度,
LM35 , LM35C
(注7 )
精度, LM35D
(注7 )
非线性
(注8)
传感器增益
(平均坡度)
负载调整率
(注3 ) 0≤I
L
≤1
mA
线路调整
(注3)
静态电流
(注9 )
T
A
=+25C
T
≤T
A
≤T
最大
T
A
=+25C
4V≤V
S
≤30V
V
S
= + 5V , + 25°C
V
S
=+5V
V
S
= + 30V , + 25°C
V
S
=+30V
变化
静态电流
(注3)
温度
对COEF网络cient
静态电流
最低气温
额定精度
长期稳定性
中的电路
+1.5
+2.0
+1.5
+2.0
C
C
+0.39
+0.7
+0.39
+0.7
μA /°C的
4V≤V
S
≤30V,
+25C
4V≤V
S
≤30V
T
≤T
A
≤T
最大
+10.0
+9.8,
+10.2
+10.0
+9.8,
+10.2
毫伏/°C的
毫伏/毫安
T
A
=+25C
T
A
=10C
T
A
=T
最大
T
A
=T
T
A
=+25C
T
A
=T
最大
T
A
=T
T
≤T
A
≤T
最大
经过测试
极限
(注4 )
设计
极限
(注5 )
典型
LM35C , LM35D
经过测试
极限
(注4 )
设计
极限
(注5 )
C
单位
( MAX 。 )
±
0.4
±
0.5
±
0.8
±
0.8
±
1.0
±
1.5
±
1.5
±
0.3
±
0.5
±
0.4
±
0.5
±
0.8
±
0.8
±
0.6
±
0.9
±
0.9
±
0.2
±
1.0
±
1.5
±
1.5
±
2.0
±
1.5
±
2.0
±
2.0
±
0.5
C
C
C
C
C
C
C
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
105
56.2
105.5
0.2
0.5
±
2.0
±
5.0
±
0.1
±
0.2
80
158
82
161
2.0
3.0
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
91
56.2
91.5
0.2
0.5
±
2.0
±
5.0
±
0.1
±
0.2
80
138
82
141
2.0
3.0
毫伏/毫安
mV / V的
mV / V的
A
A
A
A
A
A
图1中,
I
L
=0
T
J
=T
最大
千小时
±
0.08
±
0.08
注1 :
除非另有说明,这些规范适用于: -55C≤T
J
≤+150C
为LM35和LM35A ; -40≤T
J
≤+110C
为LM35C和LM35CA ;和
0≤T
J
≤+100C
为LM35D 。 V
S
= + 5V直流,我
负载
= 50微安,在所述电路
图2中。
这些规范也适用于+ 2℃至T
最大
中的电路
图1 。
规格
粗体
适用于整个额定温度范围内。
注2 :
在TO- 46封装的热阻为40℃ / W ,结到环境,以及24C / W结到外壳。在TO- 92封装的热阻
180C / W结到环境。小外形模压封装的热阻为220℃ / W结到环境。在TO- 220封装的热阻
为90℃ / W结到环境。有关更多的热阻信息,请参阅在应用程序部分表。
注3 :
规的测量是在结温恒定,使用脉冲试验在低占空比。热效应引起的变化的输出可以是
通过将热电阻乘以内部耗散计算。
注4 :
测试的限制,并保证100 %生产测试。
注5 :
设计极限,保证(但不是100 %生产测试)在指定的温度和电源电压范围。这些限制不用于
计算出厂质量水平。
注6 :
规格
粗体
适用于整个额定温度范围内。
注7 :
精度定义为输出电压和10mv的/ C倍的设备的情况下,温度之间的误差,在电压的规定的条件下,电流,
和温度(以℃表示) 。
注8 :
非线性被定义为输出电压与温度曲线的最佳拟合直线的偏差,在器件的额定温度
范围内。
注9 :
静态电流中的电路定义
图1 。
注10 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时,直流和交流电气规格不适用
该装置超过其额定工作条件。见注1 。
注11 :
人体模型, 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注12 :
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”或标题为“表面贴装”在当前国家发现
安森美半导体的线性数据手册焊接面的其他方法安装设备。
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4
LM35
典型性能特性
热阻
结到空气
热时间常数
热响应
在静止空气中
DS005516-26
DS005516-25
DS005516-27
在热响应
搅拌油浴
最低供应
电压与温度的关系
静态电流
与温度的关系
(在电路
图1
.)
DS005516-28
DS005516-29
DS005516-30
静态电流
与温度的关系
(在电路
图2
.)
准确度与温度的关系
(保证)
准确度与温度的关系
(保证)
DS005516-32
DS005516-31
DS005516-33
5
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产品
样品&
技术
文件
工具&
软件
支持&
社区
LM35
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SNIS159C - 1999年8月 - 修订2013年7月
LM35精密摄氏温度传感器
1
特点
直接在摄氏度校准(摄氏)
线性+ 10毫伏/°C的比例因子
0.5 ℃,有保证的精度(在+ 25 ° C)
额定满
55°C
至+ 150 °C范围内
适合于远程应用
低的成本,由于晶圆级微调
操作从4到30伏
小于60 μA的电流消耗
低自供暖, 0.08 ℃,在静止空气中
非线性只有± ° C典型
低阻抗输出,为0.1W 1 mA负载
描述
该LM35系列精密集成电路
温度传感器的输出电压线性地
正比于摄氏温度。因此,
LM35拥有线性温度的优点
传感器校准°开尔文,当用户不
减去从一个大的恒定电压所需
输出获得方便摄氏度缩放。该
LM35不需要任何外部校准或
修剪以提供± ° C典型值精度
室温和± ℃下在全
55°C
to
+ 150 °C温度范围。低成本是有保证的
修整和校准在晶片级。低
输出阻抗,线性输出,并精确固有
该LM35的校准使接口来读出或
控制电路特别容易。该装置用于
用单电源,或用加号和减号
耗材。由于LM35功耗仅为60
μA
供给,它具有非常低的自加热的小于0.1 ℃的
在静止空气中。该LM35的额定工作在
55°C
至+ 150 ° C的温度范围内,而LM35C是
额定为
40°C
至+ 110 ° C温度范围内( -10 °,
提高精度) 。该LM35系列提供
包装在密封于:晶体管封装,而
在LM35C , LM35CA和LM35D也可
在塑料的TO- 92晶体管封装。该LM35D
也是在8引线可表面贴装小型
外形封装和塑料TO-220封装。
2
+V
S
( 4到20V )
+V
S
LM35
产量
0毫伏+ 10.0毫伏/°C的
LM35
V
OUT
R1
图1.基本摄氏温度传感器
( + 2 ° C至+ 150 ° C)
tV
S
选择[R色
1
= –V
S
/ 50 A
V
OUT
= 1500毫伏,在150 ℃下
V
OUT
= 250毫伏,在25 ℃下
V
OUT
= -550 mV的在-55°C
图2.全音域摄氏温度
传感器
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1999年至2013年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM35
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
连接图
金属罐包装
TO ( NDV )
小外形模压封装
SOIC-8 (D)的
顶视图
+V
S
V
OUT
t
GND
V
OUT
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
+V
S
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
情况下被连接到负端子(GND )
北卡罗来纳州=无连接
塑料包装
TO- 92 ( LP )
底部视图
塑料包装
的TO-220 (NEB)
+V
S
V
OUT
GND
LM
35DT
+V
S
GND
V
OUT
标签连接到负端子
(GND)。
注意:
该LM35DT引出线比不同
停产LM35DP
2
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绝对最大额定值
(1) (2)
电源电压
输出电压
输出电流
静电放电( ESD )敏感性
储存温度
(3)
最大
35
6
10
2500
单位
V
V
mA
V
–0.2
–1
打包
TO- 92封装
的TO-220封装
SOIC -8封装
–60
–60
–65
–65
180
150
150
150
300
260
220
215
°C
焊接温度
TO封装(焊接, 10秒)
TO-92和TO-220封装(焊接, 10秒)
SOIC封装
红外(15秒)
气相(60秒)
–55
–40
0
°C
规定的操作温度LM35 , LM35A
范围:T已
给T
最大值(4)
LM35C , LM35CA
LM35D
(1)
(2)
(3)
(4)
150
110
100
°C
如果是用于军事/航空专用设备,请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。直流和交流电气规格不
经营超过其额定工作条件下的设备时适用。看
注: 1 。
人体模型, 100pF的放电通过一个1.5千瓦的电阻。
在TO- 46封装的热阻为400 ℃/ W,结到环境,以及24 ° C / W结到外壳。在TO-的热阻
92包为180 ° C / W结到环境。小外形模压封装的热阻为220℃ / W结到环境。
在TO- 220封装的热阻为90℃ / W结到环境。有关更多的热阻信息,请参阅下表
应用
部分。
电气特性
(1) (2)
LM35A
参数
测试条件
T
A
= 25°C
准确性
(5)
T
A
= –10°C
T
A
= T
最大
T
A
= T
非线性
(6)
传感器增益
(平均坡度)
负载调整率
(7)
0
I
L
1毫安
线路调整
(7)
T
T
A
T
最大
T
T
A
T
最大
T
A
= 25°C
T
T
A
T
最大
T
A
= 25°C
4 V
V
S
30 V
典型值
±0.2
±0.3
±0.4
±0.4
±0.18
+10
±0.4
±0.5
±0.01
±0.02
±0.05
±0.1
+9.9,
+10.1
±1
±3
±1
±1
±0.35
经过测试
极限
(3)
±0.5
设计
极限
(4)
典型值
±0.2
±0.3
±0.4
±0.4
±0.15
+10
±0.4
±0.5
±0.01
±0.02
±0.05
±0.1
±1
±3
±1
±1.5
±0.3
+9.9,
+10.1
°C
毫伏/°C的
毫伏/毫安
mV / V的
LM35CA
经过测试
极限
(3)
±0.5
±1
°C
设计
极限
(4)
单位
( MAX 。 )
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
除非另有说明,这些规范适用于:
55°C ≤
T
J
150℃下的LM35和LM35A ;
40°C ≤
T
J
110℃下的LM35C
和LM35CA ;和0℃下
T
J
100℃下的LM35D 。 V
S
= 5 VDC和我
负载
= 50
μA,
中的电路
图2中。
这些规范还
从应用+ 2°C至T
最大
中的电路
图1 。
规格粗体字适用于整个额定温度范围内。
规格粗体字适用于整个额定温度范围内。
测试的限制得到保障,100%生产测试。
是保证设计限制(但不是100 %生产测试)在指定的温度和电源电压范围。这些限制是
不用于计算呼出的质量水平。
该装置的精度定义为输出电压和10毫伏之间的误差/℃的时间的情况下,在指定的
电压,电流和温度(单位: ℃)的条件。
非线性被定义为输出电压与温度曲线的最佳拟合直线的偏差,超过额定
温度范围内的装置。
规的测量是在结温恒定,使用脉冲试验在低占空比。由于加热而改变输出
效果可以通过将热电阻乘以内部耗散来计算。
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LM35
SNIS159C - 1999年8月 - 修订2013年7月
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电气特性
(1)(2)
(续)
LM35A
参数
测试条件
V
S
= 5 V ,25°C
静态电流
(8)
V
S
= 5 V
V
S
= 30 V ,25°C
V
S
= 30 V
改变静态的
当前
(7)
温度
对COEF网络cient
静态电流
最低温度在电路
图1中,
I
L
= 0
为准确率
长期稳定性
(8)
T
J
= T
最大
, 1000小时
4 V
V
S
30 V ,25°C
4 V
V
S
30 V
典型值
56
105
56.2
105.5
0.2
0.5
+0.39
1
2
+0.5
68
133
经过测试
极限
(3)
67
131
设计
极限
(4)
典型值
56
91
56.2
91.5
0.2
0.5
+0.39
1
2
+0.5
μA /°C的
+1.5
±0.08
+2
+1.5
±0.08
+2
°C
°C
68
116
A
LM35CA
经过测试
极限
(3)
67
114
A
设计
极限
(4)
单位
( MAX 。 )
静态电流中的电路定义
图1 。
电气特性
(1) (2)
LM35
参数
测试条件
T
A
= 25°C
精度, LM35 ,
LM35C
(5)
T
A
= –10°C
T
A
= T
最大
T
A
= T
T
A
= 25°C
精度, LM35D
(5)
非线性
(6)
传感器增益
(平均坡度)
负载调整率
(7)
0
I
L
1毫安
线路调整
(7)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
T
A
= T
最大
T
A
= T
T
T
A
T
最大
T
T
A
T
最大
T
A
= 25°C
T
T
A
T
最大
T
A
= 25°C
4 V
V
S
30 V
±0.3
+10
±0.4
±0.5
±0.01
±0.02
±0.1
±0.2
+9.8,
+10.2
±2
±5
±0.5
典型值
±0.4
±0.5
±0.8
±0.8
±1.5
±1.5
经过测试
极限
(3)
±1
设计
极限
(4)
LM35C , LM35D
典型值
±0.4
±0.5
±0.8
±0.8
±0.6
±0.9
±0.9
±0.2
+10
±0.4
±0.5
±0.01
±0.02
±0.1
±0.2
±2
±5
±1.5
±2
±2
±0.5
+9.8,
+10.2
°C
毫伏/°C的
毫伏/毫安
mV / V的
°C
经过测试
极限
(3)
±1
±1.5
±1.5
±2
°C
设计
极限
(4)
单位
( MAX 。 )
除非另有说明,这些规范适用于:
55°C ≤
T
J
150℃下的LM35和LM35A ;
40°C ≤
T
J
110℃下的LM35C
和LM35CA ;和0℃下
T
J
100℃下的LM35D 。 V
S
= 5 VDC和我
负载
= 50
μA,
中的电路
图2中。
这些规范还
从应用+ 2°C至T
最大
中的电路
图1 。
规格粗体字适用于整个额定温度范围内。
规格粗体字适用于整个额定温度范围内。
测试的限制得到保障,100%生产测试。
是保证设计限制(但不是100 %生产测试)在指定的温度和电源电压范围。这些限制是
不用于计算呼出的质量水平。
该装置的精度定义为输出电压和10毫伏之间的误差/℃的时间的情况下,在指定的
电压,电流和温度(单位: ℃)的条件。
非线性被定义为输出电压与温度曲线的最佳拟合直线的偏差,超过额定
温度范围内的装置。
规的测量是在结温恒定,使用脉冲试验在低占空比。由于加热而改变输出
效果可以通过将热电阻乘以内部耗散来计算。
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电气特性
(1)(2)
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参数
测试条件
V
S
= 5 V ,25°C
静态电流
(8)
V
S
= 5 V
V
S
= 30 V ,25°C
V
S
= 30 V
改变静态的
当前
(9)
温度
对COEF网络cient
静态电流
最低温度在电路
图1中,
I
L
= 0
为准确率
长期稳定性
(8)
(9)
T
J
= T
最大
, 1000小时
4 V
V
S
30 V ,25°C
4 V
V
S
30 V
典型值
56
105
56.2
105.5
0.2
0.5
+0.39
2
3
+0.7
82
161
经过测试
极限
(3)
80
158
设计
极限
(4)
LM35C , LM35D
典型值
56
91
56.2
91.5
0.2
0.5
+0.39
2
3
+0.7
μA /°C的
+1.5
±0.08
+2
+1.5
±0.08
+2
°C
°C
82
141
A
经过测试
极限
(3)
80
138
A
设计
极限
(4)
单位
( MAX 。 )
静态电流中的电路定义
图1 。
规的测量是在结温恒定,使用脉冲试验在低占空比。由于加热而改变输出
效果可以通过将热电阻乘以内部耗散来计算。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LM35DH
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
LM35DH
Texas Instruments
20+
425
TO-46-3
全新原装正品/质量有保证
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联系人:李
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TI
2021+
8306
NA
主营TI,ST,欢迎来电洽谈
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
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LM35DH
NS
25+23+
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金封 TO46-3
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