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LM3557升压转换器,用于白光LED应用
2004年11月
LM3557
升压转换器,用于白光LED应用
概述
该LM3557是用于白光LED驱动器的完整解决方案
应用程序。以最少的外部元件数量,没有DC
漏电流路径接地,逐周期电流限制
保护,并输出过电压保护电路,该
LM3557提供卓越的性能与成本
标准的DC / DC升压组件实现。
的LM3557的开关频率为1.25MHz的固定频率
这允许使用小的外部元件。另外,
该LM3557具有宽输入电压范围内采取研华
踏歌多单元格中输入的应用程序。随着小型外部的COM
ponents ,高固定频率工作,而较宽的输入
电压范围内, LM3557是最优化的选择
LED照明应用。
1.25MHz的恒定开关频率
输出过电压保护
输入欠压保护
逐周期电流限制
真关断:无直流电流路径到地
停机期间
n
薄型封装:
& LT ;
1mm高-8引脚LLP
n
无需外部补偿
n
n
n
n
n
应用
n
白光LED展示照明
n
手机
n
掌上电脑
特点
n
V
IN
范围: 2.7V - 7.5V
n
小的外部元件
典型应用电路
20131601
图1.背光源配置
2004美国国家半导体公司
DS201316
www.national.com
LM3557
接线图
顶视图
20131602
8引脚超薄无铅引线框架封装
见NS包装数SDA08A
订购信息
订单号
LM3557SD-2
LM3557SDX-2
记号
L147B
L147B
供货方式
K为单位,磁带和卷轴
4.5K单位,磁带和卷轴
引脚说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
DAP
名字
Sw1
V
IN
NC
En
OVP
Fb
Sw2
GND
DAP
输入电压连接
无连接
设备启用连接
过电压保护器输入连接
反馈电压连接
漏了内部场效应晶体管( FET )开关的连接(图
2:
N2)
接地连接
管芯附着焊盘( DAP) ,必须焊接到印刷电路板上的接地平面用于增强热
耗散
描述
沥干内部功率场效应晶体管( FET )开关(图中连接
2:
N1)
www.national.com
2
LM3557
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
EN引脚
FB引脚
SW2引脚
OVP引脚
SW1引脚
连续功率耗散
最高结温
(T
J- MAX
)
存储温度范围
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 30V
-0.3V至+ 40V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
ESD额定值(注2 )
人体模型
机器型号
2千伏
150V
工作条件
(注1,6 )
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
电源电压,V
IN
EN引脚
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
2.7V至7.5V
0V至V
IN
+0.4V
热性能
(注4,7)
结到环境的热
电阻( θ
JA
) ,无铅引线框架封装
55C/W
在标准字体限为T
J
= 25℃。在限额
大胆的类型 -
适用于整个工作结温范围( -40℃
T
J
+ 125 ℃)。除非另有规定: V
IN
= 3.6V.
符号
V
IN
I
Q
参数
输入电压
静态电流
V
EN
= 0V (关机)
V
EN
= 1.8V; V
OVP
= 27V
(非交换)
设备上
设备关闭
V
IN
= 3V
I
Sw1
= 175毫安
0.9
0.4
0.55
0.8
0.8
800
0.5
阈值
断阈值
阈值
断阈值
22
21.5
26
25.5
2.2
2.3
4
V
EN
= 1.8V
V
IN
= 3V
0.9
0.459
0.8
1.25
0.51
0.03
V
IN
= 3V
V
Sw1
= 3.6V ,不转换
V
Sw2
= 3.6V ,不转换
V
OVP
= 3.6V ,不转换
I
Sw2
= 50毫安
85
90
0.002
0.001
2
8
0.5
10
2
1
10
3
1.6
0.561
2
28.5
28
条件
2.7
0.01
0.55
典型值
最大
7.5
2
0.8
单位
V
A
mA
电气特性
(注6,8)
En
I
CL
R
DS ( ON)
TC
(R
DS ( ON)
)
OVP
UVP
I
OVP
I
EN
F
S
V
Fb-Sw2
I
Fb
D
最大
I
LSw1
I
LSw2
I
LOVP
R
Sw2
TC (R
Sw2
)
设备启用阈值
电源开关电流限制
(注10 )
电源开关导通电阻
R
DS ( ON)
温度
系数
过电压保护(注
5)
欠压保护(注
5)
过电压保护器引脚
偏置电流(注3 )
使能引脚偏置电流(注
3)
开关频率
反馈引脚电压(注9 )
反馈引脚偏置电流
(注3)
最大占空比
SW1引脚漏电流(注
3)
SW2引脚漏电流(注
3)
OVP引脚漏电流(注
3)
SW2引脚开关电阻
R
Sw2
温度COEF网络cient
0.3
1.1
1.02
1000
V
A
m
%/C
V
V
A
A
兆赫
V
A
%
A
A
nA
%/C
注1 :
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气性能规格不适用时,
操作该装置的其额定工作条件外。
注2 :
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
3
www.national.com
LM3557
注3 :
目前FL OWS到脚。
注4 :
最大允许功耗是最高结温,T的函数
J
( MAX ) ,结到环境的热阻,
θ
JA
,
和环境温度,T
A
。见热阻热性能。在任何环境温度下的最大允许功耗为
利用计算:P
D
(MAX)= (T
J
(最大值) - T的
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高。
注5 :
所述上阈值表示该LM3557不再切换或调节LED电流,而关闭阈值表示正常运行。
注6 :
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注7 :
结点至环境热阻( θ
JA
)取自热建模的结果,列于JEDEC的条件和指引下进行
标准JESD51-7 。测试板是一个4层FR- 4电路板测量102毫米×76毫米× 1.6毫米有2× 1阵列的散热孔的。电路板上的接地平面
为50毫米×50毫米。铜层的厚度是36微米/ 18微米/ 18微米/ 36微米(1.5盎司/ 1盎司/ 1盎司/ 1.5盎司) 。环境温度模拟是22C,静止的空气中。动力
功耗是1W 。
在应用中,高最大功耗存在,必须特别注意支付给散热问题。有关这些主题的更多信息,请
请参阅
应用笔记1187 :无铅引线框架封装( LLP )
布局指南
该数据表的部分。
注8 :
最小和最大限制是由设计,测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证,但代表了最常见的情况。
注9 :
反馈引脚电压相对于以指拨SW2引脚上的电压。
注10 :
电源开关电流限制在开环配置下进行测试。对于闭环应用的电流限制,请参见电流限制与温度
性能曲线图。
框图
20131603
图2.框图
手术
该LM3557是一款电流模式控制constant-
高频升压转换器的优化促进
白光LED驱动/电流偏置。
的LM3557的操作可以通过将最好地理解
以下设备的功能说明。对于以下
设备的功能的说明中,在框图中
科幻gure
2
用作的一个功能示意图
下面的电路块构成的LM3557 。当
反馈电压低于或高于升高时,内部
www.national.com
4
参考电压时,误差放大器输出一个信号,该信号
翻译成内部的正确的量储存的能量
所需要把反馈电压返回到电感器
当电感储存能量,然后调节变压器
ferred到负载。上述翻译是一个反面
版本的误差放大器的输出信号,以适当的
接通持续时间的N1的功率场效应晶体管(FET)的。
这个转换允许电感的能量存储到在 -
折痕,或减少,至足够的电平,当反
ferred给负载带来的反馈电压回
调节。
LM3557
手术
(续)
过电压保护
当输出电压超过过电压保护
化( OVP )阈值时, LM3557的内部功率FET会
被强制关断,直到输出电压低于
过电压保护阈值减去500 mV的hyster-
ESIS内部过压保护电路。
欠压保护
当输入电压低于欠压保护
化( UVP )阈值时, LM3557的内部功率FET会
被强制关断,直到输入电压高于
指定欠压保护阈值加上
100 mV的迟滞内部UVP电路。
真关断
当LM3557被置于关断模式下运行
不存在直流电流路径接地。内部FET
(图
2:
N 2)在开关Sw2销关闭,留下白色LED
串开路。
热关断
当内部半导体结温
达到150℃左右时, LM3557的内部电源
场效应管(图
2:
N 1) ,将强制关闭。
在电感器电流的增加对应的增加
储能电感内的量。相反,
在电感器电流的减小对应于减少
存储的能量的量。电感的储能
释放或传送,以在负载时的N1的功率FET
是关闭的。转移的电感能量的补充
输出电容,并保持白光LED电流调节
在一个基于的选择所指定的大小
R2的电阻。当N1的功率FET导通时,在
电感中存储的能量开始增加,而
通过的串联串的输出电容器放电
白色发光二极管, R2的阻值和N 2的FET开关,以
地面上。因此,每一个开关周期包括一些
的能量的量被存储在电感器中,然后
释放时,或者传输到负载,以保持电压在
在第510毫伏以上的指拨SW2引脚的反馈引脚
电压。
产品特点:
逐周期电流限制
电流通过内部功率FET (图
2:
N1 )是
监控,以防止峰值电感电流而损坏
的部分。如果在一个周期(周期= 1 /开关频率)的
峰值电感电流超过电流限制评级
LM3557 ,内部功率FET将被强制关闭
对于该周期的剩余时间。
典型性能特性
LWT67C 。效率:
η
= P
OUT
/P
IN
= [(V
OUT
I
Q
(开关)与温度
(电路
图1:
L = DO1608C - 223 , D = SS16和LED =
– V
Fb
) * I
OUT
]/[V
IN
* I
IN
]. T
A
= 25 ℃,除非另有说明) 。
开关频率与温度
20131604
20131605
5
www.national.com
LM3557升压转换器,用于白光LED应用
2004年11月
LM3557
升压转换器,用于白光LED应用
概述
该LM3557是用于白光LED驱动器的完整解决方案
应用程序。以最少的外部元件数量,没有DC
漏电流路径接地,逐周期电流限制
保护,并输出过电压保护电路,该
LM3557提供卓越的性能与成本
标准的DC / DC升压组件实现。
的LM3557的开关频率为1.25MHz的固定频率
这允许使用小的外部元件。另外,
该LM3557具有宽输入电压范围内采取研华
踏歌多单元格中输入的应用程序。随着小型外部的COM
ponents ,高固定频率工作,而较宽的输入
电压范围内, LM3557是最优化的选择
LED照明应用。
1.25MHz的恒定开关频率
输出过电压保护
输入欠压保护
逐周期电流限制
真关断:无直流电流路径到地
停机期间
n
薄型封装:
& LT ;
1mm高-8引脚LLP
n
无需外部补偿
n
n
n
n
n
应用
n
白光LED展示照明
n
手机
n
掌上电脑
特点
n
V
IN
范围: 2.7V - 7.5V
n
小的外部元件
典型应用电路
20131601
图1.背光源配置
2004美国国家半导体公司
DS201316
www.national.com
LM3557
接线图
顶视图
20131602
8引脚超薄无铅引线框架封装
见NS包装数SDA08A
订购信息
订单号
LM3557SD-2
LM3557SDX-2
记号
L147B
L147B
供货方式
K为单位,磁带和卷轴
4.5K单位,磁带和卷轴
引脚说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
DAP
名字
Sw1
V
IN
NC
En
OVP
Fb
Sw2
GND
DAP
输入电压连接
无连接
设备启用连接
过电压保护器输入连接
反馈电压连接
漏了内部场效应晶体管( FET )开关的连接(图
2:
N2)
接地连接
管芯附着焊盘( DAP) ,必须焊接到印刷电路板上的接地平面用于增强热
耗散
描述
沥干内部功率场效应晶体管( FET )开关(图中连接
2:
N1)
www.national.com
2
LM3557
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
EN引脚
FB引脚
SW2引脚
OVP引脚
SW1引脚
连续功率耗散
最高结温
(T
J- MAX
)
存储温度范围
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 30V
-0.3V至+ 40V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
ESD额定值(注2 )
人体模型
机器型号
2千伏
150V
工作条件
(注1,6 )
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
电源电压,V
IN
EN引脚
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
2.7V至7.5V
0V至V
IN
+0.4V
热性能
(注4,7)
结到环境的热
电阻( θ
JA
) ,无铅引线框架封装
55C/W
在标准字体限为T
J
= 25℃。在限额
大胆的类型 -
适用于整个工作结温范围( -40℃
T
J
+ 125 ℃)。除非另有规定: V
IN
= 3.6V.
符号
V
IN
I
Q
参数
输入电压
静态电流
V
EN
= 0V (关机)
V
EN
= 1.8V; V
OVP
= 27V
(非交换)
设备上
设备关闭
V
IN
= 3V
I
Sw1
= 175毫安
0.9
0.4
0.55
0.8
0.8
800
0.5
阈值
断阈值
阈值
断阈值
22
21.5
26
25.5
2.2
2.3
4
V
EN
= 1.8V
V
IN
= 3V
0.9
0.459
0.8
1.25
0.51
0.03
V
IN
= 3V
V
Sw1
= 3.6V ,不转换
V
Sw2
= 3.6V ,不转换
V
OVP
= 3.6V ,不转换
I
Sw2
= 50毫安
85
90
0.002
0.001
2
8
0.5
10
2
1
10
3
1.6
0.561
2
28.5
28
条件
2.7
0.01
0.55
典型值
最大
7.5
2
0.8
单位
V
A
mA
电气特性
(注6,8)
En
I
CL
R
DS ( ON)
TC
(R
DS ( ON)
)
OVP
UVP
I
OVP
I
EN
F
S
V
Fb-Sw2
I
Fb
D
最大
I
LSw1
I
LSw2
I
LOVP
R
Sw2
TC (R
Sw2
)
设备启用阈值
电源开关电流限制
(注10 )
电源开关导通电阻
R
DS ( ON)
温度
系数
过电压保护(注
5)
欠压保护(注
5)
过电压保护器引脚
偏置电流(注3 )
使能引脚偏置电流(注
3)
开关频率
反馈引脚电压(注9 )
反馈引脚偏置电流
(注3)
最大占空比
SW1引脚漏电流(注
3)
SW2引脚漏电流(注
3)
OVP引脚漏电流(注
3)
SW2引脚开关电阻
R
Sw2
温度COEF网络cient
0.3
1.1
1.02
1000
V
A
m
%/C
V
V
A
A
兆赫
V
A
%
A
A
nA
%/C
注1 :
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气性能规格不适用时,
操作该装置的其额定工作条件外。
注2 :
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
3
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LM3557
注3 :
目前FL OWS到脚。
注4 :
最大允许功耗是最高结温,T的函数
J
( MAX ) ,结到环境的热阻,
θ
JA
,
和环境温度,T
A
。见热阻热性能。在任何环境温度下的最大允许功耗为
利用计算:P
D
(MAX)= (T
J
(最大值) - T的
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高。
注5 :
所述上阈值表示该LM3557不再切换或调节LED电流,而关闭阈值表示正常运行。
注6 :
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注7 :
结点至环境热阻( θ
JA
)取自热建模的结果,列于JEDEC的条件和指引下进行
标准JESD51-7 。测试板是一个4层FR- 4电路板测量102毫米×76毫米× 1.6毫米有2× 1阵列的散热孔的。电路板上的接地平面
为50毫米×50毫米。铜层的厚度是36微米/ 18微米/ 18微米/ 36微米(1.5盎司/ 1盎司/ 1盎司/ 1.5盎司) 。环境温度模拟是22C,静止的空气中。动力
功耗是1W 。
在应用中,高最大功耗存在,必须特别注意支付给散热问题。有关这些主题的更多信息,请
请参阅
应用笔记1187 :无铅引线框架封装( LLP )
布局指南
该数据表的部分。
注8 :
最小和最大限制是由设计,测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证,但代表了最常见的情况。
注9 :
反馈引脚电压相对于以指拨SW2引脚上的电压。
注10 :
电源开关电流限制在开环配置下进行测试。对于闭环应用的电流限制,请参见电流限制与温度
性能曲线图。
框图
20131603
图2.框图
手术
该LM3557是一款电流模式控制constant-
高频升压转换器的优化促进
白光LED驱动/电流偏置。
的LM3557的操作可以通过将最好地理解
以下设备的功能说明。对于以下
设备的功能的说明中,在框图中
科幻gure
2
用作的一个功能示意图
下面的电路块构成的LM3557 。当
反馈电压低于或高于升高时,内部
www.national.com
4
参考电压时,误差放大器输出一个信号,该信号
翻译成内部的正确的量储存的能量
所需要把反馈电压返回到电感器
当电感储存能量,然后调节变压器
ferred到负载。上述翻译是一个反面
版本的误差放大器的输出信号,以适当的
接通持续时间的N1的功率场效应晶体管(FET)的。
这个转换允许电感的能量存储到在 -
折痕,或减少,至足够的电平,当反
ferred给负载带来的反馈电压回
调节。
LM3557
手术
(续)
过电压保护
当输出电压超过过电压保护
化( OVP )阈值时, LM3557的内部功率FET会
被强制关断,直到输出电压低于
过电压保护阈值减去500 mV的hyster-
ESIS内部过压保护电路。
欠压保护
当输入电压低于欠压保护
化( UVP )阈值时, LM3557的内部功率FET会
被强制关断,直到输入电压高于
指定欠压保护阈值加上
100 mV的迟滞内部UVP电路。
真关断
当LM3557被置于关断模式下运行
不存在直流电流路径接地。内部FET
(图
2:
N 2)在开关Sw2销关闭,留下白色LED
串开路。
热关断
当内部半导体结温
达到150℃左右时, LM3557的内部电源
场效应管(图
2:
N 1) ,将强制关闭。
在电感器电流的增加对应的增加
储能电感内的量。相反,
在电感器电流的减小对应于减少
存储的能量的量。电感的储能
释放或传送,以在负载时的N1的功率FET
是关闭的。转移的电感能量的补充
输出电容,并保持白光LED电流调节
在一个基于的选择所指定的大小
R2的电阻。当N1的功率FET导通时,在
电感中存储的能量开始增加,而
通过的串联串的输出电容器放电
白色发光二极管, R2的阻值和N 2的FET开关,以
地面上。因此,每一个开关周期包括一些
的能量的量被存储在电感器中,然后
释放时,或者传输到负载,以保持电压在
在第510毫伏以上的指拨SW2引脚的反馈引脚
电压。
产品特点:
逐周期电流限制
电流通过内部功率FET (图
2:
N1 )是
监控,以防止峰值电感电流而损坏
的部分。如果在一个周期(周期= 1 /开关频率)的
峰值电感电流超过电流限制评级
LM3557 ,内部功率FET将被强制关闭
对于该周期的剩余时间。
典型性能特性
LWT67C 。效率:
η
= P
OUT
/P
IN
= [(V
OUT
I
Q
(开关)与温度
(电路
图1:
L = DO1608C - 223 , D = SS16和LED =
– V
Fb
) * I
OUT
]/[V
IN
* I
IN
]. T
A
= 25 ℃,除非另有说明) 。
开关频率与温度
20131604
20131605
5
www.national.com
LM3557升压转换器,用于白光LED应用
2004年11月
LM3557
升压转换器,用于白光LED应用
概述
该LM3557是用于白光LED驱动器的完整解决方案
应用程序。以最少的外部元件数量,没有DC
漏电流路径接地,逐周期电流限制
保护,并输出过电压保护电路,该
LM3557提供卓越的性能与成本
标准的DC / DC升压组件实现。
的LM3557的开关频率为1.25MHz的固定频率
这允许使用小的外部元件。另外,
该LM3557具有宽输入电压范围内采取研华
踏歌多单元格中输入的应用程序。随着小型外部的COM
ponents ,高固定频率工作,而较宽的输入
电压范围内, LM3557是最优化的选择
LED照明应用。
1.25MHz的恒定开关频率
输出过电压保护
输入欠压保护
逐周期电流限制
真关断:无直流电流路径到地
停机期间
n
薄型封装:
& LT ;
1mm高-8引脚LLP
n
无需外部补偿
n
n
n
n
n
应用
n
白光LED展示照明
n
手机
n
掌上电脑
特点
n
V
IN
范围: 2.7V - 7.5V
n
小的外部元件
典型应用电路
20131601
图1.背光源配置
2004美国国家半导体公司
DS201316
www.national.com
LM3557
接线图
顶视图
20131602
8引脚超薄无铅引线框架封装
见NS包装数SDA08A
订购信息
订单号
LM3557SD-2
LM3557SDX-2
记号
L147B
L147B
供货方式
K为单位,磁带和卷轴
4.5K单位,磁带和卷轴
引脚说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
DAP
名字
Sw1
V
IN
NC
En
OVP
Fb
Sw2
GND
DAP
输入电压连接
无连接
设备启用连接
过电压保护器输入连接
反馈电压连接
漏了内部场效应晶体管( FET )开关的连接(图
2:
N2)
接地连接
管芯附着焊盘( DAP) ,必须焊接到印刷电路板上的接地平面用于增强热
耗散
描述
沥干内部功率场效应晶体管( FET )开关(图中连接
2:
N1)
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2
LM3557
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
EN引脚
FB引脚
SW2引脚
OVP引脚
SW1引脚
连续功率耗散
最高结温
(T
J- MAX
)
存储温度范围
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 8V
-0.3V至+ 30V
-0.3V至+ 40V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
ESD额定值(注2 )
人体模型
机器型号
2千伏
150V
工作条件
(注1,6 )
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
电源电压,V
IN
EN引脚
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
2.7V至7.5V
0V至V
IN
+0.4V
热性能
(注4,7)
结到环境的热
电阻( θ
JA
) ,无铅引线框架封装
55C/W
在标准字体限为T
J
= 25℃。在限额
大胆的类型 -
适用于整个工作结温范围( -40℃
T
J
+ 125 ℃)。除非另有规定: V
IN
= 3.6V.
符号
V
IN
I
Q
参数
输入电压
静态电流
V
EN
= 0V (关机)
V
EN
= 1.8V; V
OVP
= 27V
(非交换)
设备上
设备关闭
V
IN
= 3V
I
Sw1
= 175毫安
0.9
0.4
0.55
0.8
0.8
800
0.5
阈值
断阈值
阈值
断阈值
22
21.5
26
25.5
2.2
2.3
4
V
EN
= 1.8V
V
IN
= 3V
0.9
0.459
0.8
1.25
0.51
0.03
V
IN
= 3V
V
Sw1
= 3.6V ,不转换
V
Sw2
= 3.6V ,不转换
V
OVP
= 3.6V ,不转换
I
Sw2
= 50毫安
85
90
0.002
0.001
2
8
0.5
10
2
1
10
3
1.6
0.561
2
28.5
28
条件
2.7
0.01
0.55
典型值
最大
7.5
2
0.8
单位
V
A
mA
电气特性
(注6,8)
En
I
CL
R
DS ( ON)
TC
(R
DS ( ON)
)
OVP
UVP
I
OVP
I
EN
F
S
V
Fb-Sw2
I
Fb
D
最大
I
LSw1
I
LSw2
I
LOVP
R
Sw2
TC (R
Sw2
)
设备启用阈值
电源开关电流限制
(注10 )
电源开关导通电阻
R
DS ( ON)
温度
系数
过电压保护(注
5)
欠压保护(注
5)
过电压保护器引脚
偏置电流(注3 )
使能引脚偏置电流(注
3)
开关频率
反馈引脚电压(注9 )
反馈引脚偏置电流
(注3)
最大占空比
SW1引脚漏电流(注
3)
SW2引脚漏电流(注
3)
OVP引脚漏电流(注
3)
SW2引脚开关电阻
R
Sw2
温度COEF网络cient
0.3
1.1
1.02
1000
V
A
m
%/C
V
V
A
A
兆赫
V
A
%
A
A
nA
%/C
注1 :
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气性能规格不适用时,
操作该装置的其额定工作条件外。
注2 :
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
3
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LM3557
注3 :
目前FL OWS到脚。
注4 :
最大允许功耗是最高结温,T的函数
J
( MAX ) ,结到环境的热阻,
θ
JA
,
和环境温度,T
A
。见热阻热性能。在任何环境温度下的最大允许功耗为
利用计算:P
D
(MAX)= (T
J
(最大值) - T的
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高。
注5 :
所述上阈值表示该LM3557不再切换或调节LED电流,而关闭阈值表示正常运行。
注6 :
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注7 :
结点至环境热阻( θ
JA
)取自热建模的结果,列于JEDEC的条件和指引下进行
标准JESD51-7 。测试板是一个4层FR- 4电路板测量102毫米×76毫米× 1.6毫米有2× 1阵列的散热孔的。电路板上的接地平面
为50毫米×50毫米。铜层的厚度是36微米/ 18微米/ 18微米/ 36微米(1.5盎司/ 1盎司/ 1盎司/ 1.5盎司) 。环境温度模拟是22C,静止的空气中。动力
功耗是1W 。
在应用中,高最大功耗存在,必须特别注意支付给散热问题。有关这些主题的更多信息,请
请参阅
应用笔记1187 :无铅引线框架封装( LLP )
布局指南
该数据表的部分。
注8 :
最小和最大限制是由设计,测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证,但代表了最常见的情况。
注9 :
反馈引脚电压相对于以指拨SW2引脚上的电压。
注10 :
电源开关电流限制在开环配置下进行测试。对于闭环应用的电流限制,请参见电流限制与温度
性能曲线图。
框图
20131603
图2.框图
手术
该LM3557是一款电流模式控制constant-
高频升压转换器的优化促进
白光LED驱动/电流偏置。
的LM3557的操作可以通过将最好地理解
以下设备的功能说明。对于以下
设备的功能的说明中,在框图中
科幻gure
2
用作的一个功能示意图
下面的电路块构成的LM3557 。当
反馈电压低于或高于升高时,内部
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4
参考电压时,误差放大器输出一个信号,该信号
翻译成内部的正确的量储存的能量
所需要把反馈电压返回到电感器
当电感储存能量,然后调节变压器
ferred到负载。上述翻译是一个反面
版本的误差放大器的输出信号,以适当的
接通持续时间的N1的功率场效应晶体管(FET)的。
这个转换允许电感的能量存储到在 -
折痕,或减少,至足够的电平,当反
ferred给负载带来的反馈电压回
调节。
LM3557
手术
(续)
过电压保护
当输出电压超过过电压保护
化( OVP )阈值时, LM3557的内部功率FET会
被强制关断,直到输出电压低于
过电压保护阈值减去500 mV的hyster-
ESIS内部过压保护电路。
欠压保护
当输入电压低于欠压保护
化( UVP )阈值时, LM3557的内部功率FET会
被强制关断,直到输入电压高于
指定欠压保护阈值加上
100 mV的迟滞内部UVP电路。
真关断
当LM3557被置于关断模式下运行
不存在直流电流路径接地。内部FET
(图
2:
N 2)在开关Sw2销关闭,留下白色LED
串开路。
热关断
当内部半导体结温
达到150℃左右时, LM3557的内部电源
场效应管(图
2:
N 1) ,将强制关闭。
在电感器电流的增加对应的增加
储能电感内的量。相反,
在电感器电流的减小对应于减少
存储的能量的量。电感的储能
释放或传送,以在负载时的N1的功率FET
是关闭的。转移的电感能量的补充
输出电容,并保持白光LED电流调节
在一个基于的选择所指定的大小
R2的电阻。当N1的功率FET导通时,在
电感中存储的能量开始增加,而
通过的串联串的输出电容器放电
白色发光二极管, R2的阻值和N 2的FET开关,以
地面上。因此,每一个开关周期包括一些
的能量的量被存储在电感器中,然后
释放时,或者传输到负载,以保持电压在
在第510毫伏以上的指拨SW2引脚的反馈引脚
电压。
产品特点:
逐周期电流限制
电流通过内部功率FET (图
2:
N1 )是
监控,以防止峰值电感电流而损坏
的部分。如果在一个周期(周期= 1 /开关频率)的
峰值电感电流超过电流限制评级
LM3557 ,内部功率FET将被强制关闭
对于该周期的剩余时间。
典型性能特性
LWT67C 。效率:
η
= P
OUT
/P
IN
= [(V
OUT
I
Q
(开关)与温度
(电路
图1:
L = DO1608C - 223 , D = SS16和LED =
– V
Fb
) * I
OUT
]/[V
IN
* I
IN
]. T
A
= 25 ℃,除非另有说明) 。
开关频率与温度
20131604
20131605
5
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