LM3503双显示屏恒流LED驱动器，提供模拟亮度控制
2006年8月
LM3503
双显示屏恒流LED驱动器，提供模拟
亮度控制
概述
的LM3503是一种白色LED驱动器用于照明应用。
对于双显示器背光应用， LM3503亲
国际志愿组织一个完整的解决方案。该LM3503包含两个内部
白光LED电流旁路FET （场效应晶体管）
开关。白光LED的电流可以与DC调节
从数字电压 - 模拟转换器或RC滤波PWM
（脉冲宽度调制）在CNTRL引脚的信号。
无需外部补偿，逐周期电流限制，
输出过电压保护，输入欠压保护
化和动态白光LED电流控制功能，
LM3503性能优于其他升压
白光LED驱动器。
特点
n
驱动多达4个，6个， 8个或10个白光LED为双屏幕显示
背光
n
＆ GT ;
80 ％的峰值效率
n
输出电压保护选项： 16V ， 25V ， 35V & 44V
n
输入欠压保护
n
内部软启动消除浪涌电流
n
1MHz的恒定开关频率
n
模拟亮度控制
n
宽输入电压范围： 2.5V至5.5V
n
薄型封装：
＆ LT ;
1mm高
- 10凹凸的microSMD
- 16引脚LLP
应用
n
便携式设备的双显示器背光
n
手机和PDA
典型用途
20128662
2006美国国家半导体公司
DS201286
www.national.com
LM3503
连接图
10焊球薄的microSMD封装（ TLP10 ）
16引脚超薄无铅引线框架封装（ SQA16A ）
20128603
顶视图
20128602
顶视图
www.national.com
2
LM3503
引脚说明/功能
凹凸＃
A1
B1
C1
D1
D2
D3
C3
B3
A3
A2
针＃
9
7
6
4
图2和3
图15和16
14
13
12
10
1
5
8
11
DAP
名字
CNTRL
Fb
V
OUT2
V
OUT1
Sw
保护地
AGND
V
IN
En2
En1
NC
NC
NC
NC
DAP
反馈电压连接
NMOS和PMOS场效应晶体管（ FET）的漏极连接交换机
（图
1:
N2和P1 ） 。 100nF的连接在V
OUT2
如果节点V
OUT2
不使用
过电压保护（ OVP）和的PMOS FET开关源连接
（图
1:
P1)
排水功率NMOS开关连接（图
1:
N1)
电源的接地连接
模拟地连接
输入电压连接
NMOS FET开关控制连接
PMOS FET开关控制连接
无连接
无连接
无连接
无连接
管芯附着焊盘（ DAP） ，被焊接到印刷电路板的接地平面
增强的热耗散。
V
IN
（凹凸B3 ） ：
输入电压连接端子。了C
IN
钙
pacitor应尽可能靠近器件成为可能， BE-
补间的V
IN
引脚和地平面。
EN2 （凹凸A3 ） ：
使能引脚为内部NMOS FET
开关（图
1:
N2 ）设备运行过程中。当V
En2
is
≥
1.4V ，内部NMOS FET开关关闭， SUB
显示已打开。 EN2引脚具有内部上拉下来
电路，从而内部的NMOS FET开关通常处于
在操作与SUB显示状态关闭。当
V
En2
is
≤
0.3V ，内部NMOS FET开关导通和
在SUB显示被关闭。如果两个V
En1
和V
En2
是
≤
0.3V的LM3503将关闭。如果V
OUT2
不使用时， EN2
必须浮动或接地和EN1用于使能
装置。
EN1 （凹凸A2 ） ：
使能引脚，内部PMOS FET
开关（图
1:
P1 ）设备运行过程中。当V
En1
is
≤
0.3V ，内部PMOS FET开关导通和主
显示被关闭。当V
En1
is
≥
1.4V ，内部PMOS
FET开关关闭，主要的显示器是打开的。如果
双方V
En1
和V
En2
是
≤
0.3V的LM3503将关闭。
该EN1引脚有一个内部下拉电路，从而
内部PMOS FET开关通常是在有关国家
操作与主显示器关闭。如果V
OUT2
不
使用时， EN2必须接地和EN1使用，以使
装置。
描述
白光LED电流控制连接
CNTRL （凹凸A1 ） ：
白光LED电流控制引脚。使用此
引脚来控制反馈电压与外部DC
电压。
FB （凹凸B1 ） ：输出
电压反馈连接。
V
OUT2
（凹凸C1 ） ：漏
内部PMOS的连接
和NMOS FET开关（图
1:
P 1和N 2） 。这是中建议
谁料想在V连接100nF的
OUT2
如果V
OUT2
不用于
LM3503-35V & LM3503-44V版本。
V
OUT1
（凹凸D1 ） ：
内部PMOS FET开关的源极连接（图
1:
P1）和过压保护传感节点。输出电容必须是
连接成靠近器件成为可能，之间的
V
OUT1
引脚和地平面。还连接肖特基
二极管尽可能接近至V
OUT1
针，以减少跟踪
电阻和EMI辐射。
SW（凹凸D2 ） ：
沥干内部功率NMOS FET开关的连接
（图
1:
N1 ） 。尽量减少金属走线长度和马克西 -
迈兹的金属走线宽度连接到这个引脚，以减少
EMI辐射和痕迹性。
保护地线（凹凸D3 ） ：
电源接地引脚。直接连接到
接地平面。
AGND （凹凸C3 ） ：模拟
接地引脚。将模拟
直接接地引脚到引脚PGND 。
3
www.national.com
LM3503
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
针
SW引脚
FB引脚
CNTRL引脚
V
OUT1
针
V
OUT2
针
En1
En2
连续功率耗散
最高结温
(T
J- MAX
)
存储温度范围
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 48V
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 48V
-0.3V到V
OUT1
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 5.5V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
ESD额定值（注2 ）
人体模型：
机器型号：
2千伏
200V
工作条件
（注1,6 ）
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
电源电压，V
IN
针
EN1和EN2引脚
CNTRL引脚
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
2.5V至5.5V
0V至5.5V
0V至3.5V
热性能
（注4 ）
结点至环境热阻（ θ
JA
)
micro SMD封装
LEADLESS引线框架封装
65C/W
49C/W
电气特性
（注6,7）在标准字体限为T
J
= + 25℃。在限额
大胆的类型 -
脸
适用于整个工作结温范围（ -40℃
≤
T
J
≤
+ 125°C ） 。除非另有规定，V
IN
= 2.5V.
符号
V
IN
I
Q
参数
输入电压
非交换
开关
关闭
反馈电压
NMOS功率开关
电流限制
CNTRL = 1.6V
FB = 0V ， SW为浮动
EN1 = EN2 = 0V
CNTRL = 3.5V
16中，Fb = 0V
25中，Fb = 0V
35中，Fb = 0V
44 ， FB = 0V
FB = 0.25V ， CNTRL = 1.6V
0.8
I
Sw
= 500毫安， （注8）
0.55
1.1
0.5
250
400
450
450
条件
民
2.5
0.5
1.9
0.1
0.55
400
600
750
750
64
1
典型值
最大
5.5
1
3
3
0.6
650
800
1050
1050
500
1.2
单位
V
mA
mA
A
V
V
Fb
I
CL
mA
I
Fb
F
S
R
DS （ ON）
反馈引脚输出
偏置电流
开关频率
NMOS功率开关
抗性
（图
1:
N1)
nA
兆赫
R
PDS （ON）的
PMOS导通电阻我
PMOS
= 20 mA时， EN1 = 0V ， EN2 = 1.5V
V的
OUT1
/V
OUT2
开关（图
1:
P1)
NMOS导通电阻我
NMOS
= 20 mA时， EN1 = 1.5V ， EN2 = 0V
V的
OUT2
/ FB开关
（图
1:
N2)
最大占空比
SW引脚漏
电流（注3）
V
OUT1
漏针
电流（注3）
FB = 0V
SW = 42V ， EN1 = EN2 = 0V
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
=
=
=
=
=
=
=
=
14V,
23V,
32V,
42V,
14V,
23V,
32V,
42V,
En1
En1
En1
En1
En1
En1
En1
En1
=
=
=
=
=
=
=
=
En2
En2
En2
En2
En1
En2
En2
En2
=
=
=
=
=
=
=
=
0V
0V
0V
0V
(16)
(25)
(35)
(44)
(16)
(25)
(35)
(44)
90
5
10
R
NDS （ON）的
2.5
95
0.01
0.1
0.1
0.1
0.1
40
50
50
85
5
%
D
最大
I
Sw
I
VOUT1(OFF)
5
3
3
3
3
80
100
100
140
A
A
I
VOUT1(ON)
V
OUT1
PIN偏置
电流（注3）
1.5V
1.5V
1.5V
1.5V
A
5
www.national.com
LM3503双显示屏恒流LED驱动器，提供模拟亮度控制
2005年7月
LM3503
双显示屏恒流LED驱动器，提供模拟
亮度控制
概述
的LM3503是一种白色LED驱动器用于照明应用。
对于双显示器背光应用， LM3503亲
国际志愿组织一个完整的解决方案。该LM3503包含两个内部
白光LED电流旁路FET （场效应晶体管）
开关。白光LED的电流可以与DC调节
从数字电压 - 模拟转换器或RC滤波PWM
（脉冲宽度调制）在CNTRL引脚的信号。
无需外部补偿，逐周期电流限制，
输出过电压保护，输入欠压保护
化和动态白光LED电流控制功能，
LM3503性能优于其他升压
白光LED驱动器。
n
n
n
n
n
n
n
n
＆ GT ;
80 ％的峰值效率
输出电压保护选项： 16V ， 25V ， 35V & 44V
输入欠压保护
内部软启动消除浪涌电流
1MHz的恒定开关频率
模拟亮度控制
宽输入电压范围： 2.5V至5.5V
薄型封装：
＆ LT ;
1mm高
- 10凹凸的microSMD
- 16引脚LLP
应用
n
在便携式设备的双显示屏显示屏背光
n
手机和PDA
特点
n
驱动多达4个，6个， 8个或10个白光LED为双屏幕显示
背光
典型用途
20128662
2005美国国家半导体公司
DS201286
www.national.com
LM3503
连接图
10焊球薄的microSMD封装（ TLP10 ）
16引脚超薄无铅引线框架封装（ SQA16A ）
20128603
顶视图
20128602
顶视图
www.national.com
2
LM3503
引脚说明/功能
凹凸＃
A1
B1
C1
D1
D2
D3
C3
B3
A3
A2
针＃
9
7
6
4
图2和3
图15和16
14
13
12
10
1
5
8
11
DAP
名字
CNTRL
Fb
V
OUT2
V
OUT1
Sw
保护地
AGND
V
IN
En2
En1
NC
NC
NC
NC
DAP
反馈电压连接
NMOS和PMOS场效应晶体管（ FET）的漏极连接交换机
（图
1:
N2和P1 ） 。 100nF的连接在V
OUT2
如果节点V
OUT2
不使用
过电压保护（ OVP）和的PMOS FET开关源连接
（图
1:
P1)
排水功率NMOS开关连接（图
1:
N1)
电源的接地连接
模拟地连接
输入电压连接
NMOS FET开关控制连接
PMOS FET开关控制连接
无连接
无连接
无连接
无连接
管芯附着焊盘（ DAP） ，被焊接到印刷电路板的接地平面
增强的热耗散。
V
IN
（凹凸B3 ） ：
输入电压连接端子。了C
IN
钙
pacitor应尽可能靠近器件成为可能， BE-
补间的V
IN
引脚和地平面。
EN2 （凹凸A3 ） ：
使能引脚为内部NMOS FET
开关（图
1:
N2 ）设备运行过程中。当V
En2
is
≥
1.4V ，内部NMOS FET开关关闭， SUB
显示已打开。 EN2引脚具有内部上拉下来
电路，从而内部的NMOS FET开关通常处于
在操作与SUB显示状态关闭。当
V
En2
is
≤
0.3V ，内部NMOS FET开关导通和
在SUB显示被关闭。如果两个V
En1
和V
En2
是
≤
0.3V的LM3503将关闭。如果V
OUT2
不使用时， EN2
必须浮动或接地和EN1用于使能
装置。
EN1 （凹凸A2 ） ：
使能引脚，内部PMOS FET
开关（图
1:
P1 ）设备运行过程中。当V
En1
is
≤
0.3V ，内部PMOS FET开关导通和主
显示被关闭。当V
En1
is
≥
1.4V ，内部PMOS
FET开关关闭，主要的显示器是打开的。如果
双方V
En1
和V
En2
是
≤
0.3V的LM3503将关闭。
该EN1引脚有一个内部下拉电路，从而
内部PMOS FET开关通常是在有关国家
操作与主显示器关闭。如果V
OUT2
不
使用时， EN2必须接地和EN1使用，以使
装置。
描述
白光LED电流控制连接
CNTRL （凹凸A1 ） ：
白光LED电流控制引脚。使用此
引脚来控制反馈电压与外部DC
电压。将反馈电压给定为V
Fb
= (0.156) *
(V
CNTRL
）为0V的控制电压范围
≤
V
CNTRL
≤
3.5V.
FB （凹凸B1 ） ：输出
电压反馈连接。
V
OUT2
（凹凸C1 ） ：漏
内部PMOS的连接
和NMOS FET开关（图
1:
P 1和N 2） 。这是中建议
谁料想在V连接100nF的
OUT2
如果V
OUT2
不用于
LM3503-35V & LM3503-44V版本。
V
OUT1
（凹凸D1 ） ：
内部PMOS FET开关的源极连接（图
1:
P1）和过压保护传感节点。输出电容必须是
连接成靠近器件成为可能，之间的
V
OUT1
引脚和地平面。还连接肖特基
二极管尽可能接近至V
OUT1
针，以减少跟踪
电阻和EMI辐射。
SW（凹凸D2 ） ：
沥干内部功率NMOS FET开关的连接
（图
1:
N1 ） 。尽量减少金属走线长度和马克西 -
迈兹的金属走线宽度连接到这个引脚，以减少
EMI辐射和痕迹性。
保护地线（凹凸D3 ） ：
电源接地引脚。直接连接到
接地平面。
AGND （凹凸C3 ） ：模拟
接地引脚。将模拟
直接接地引脚到引脚PGND 。
3
www.national.com
LM3503
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
针
SW引脚
FB引脚
CNTRL引脚
V
OUT1
针
V
OUT2
针
En1
En2
连续功率耗散
最高结温
(T
J- MAX
)
存储温度范围
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 48V
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 48V
-0.3V到V
OUT1
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 5.5V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
ESD额定值（注2 ）
人体模型：
机器型号：
2千伏
200V
工作条件
（注1,6 ）
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
电源电压，V
IN
针
EN1和EN2引脚
CNTRL引脚
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
2.5V至5.5V
0V至5.5V
0V至3.5V
热性能
（注4 ）
结点至环境热阻（ θ
JA
)
micro SMD封装
LEADLESS引线框架封装
65C/W
49C/W
电气特性
（注6,7）在标准字体限为T
J
= + 25℃。在限额
大胆的类型 -
脸
适用于整个工作结温范围（ -40℃
≤
T
J
≤
+ 125°C ） 。除非另有规定，V
IN
= 2.5V.
符号
V
IN
I
Q
参数
输入电压
非交换
开关
关闭
反馈电压
NMOS功率开关
电流限制
CNTRL = 1.6V
FB = 0V ， SW为浮动
EN1 = EN2 = 0V
CNTRL = 3.5V
16中，Fb = 0V
25中，Fb = 0V
35中，Fb = 0V
44 ， FB = 0V
FB = 0.25V ， CNTRL = 1.6V
0.8
I
Sw
= 500毫安， （注8）
0.55
1.1
0.5
250
400
450
450
条件
民
2.5
0.5
1.9
0.1
0.55
400
600
750
750
64
1
典型值
最大
5.5
1
3
3
0.6
650
800
1050
1050
500
1.2
单位
V
mA
mA
A
V
V
Fb
I
CL
mA
I
Fb
F
S
R
DS （ ON）
反馈引脚输出
偏置电流
开关频率
NMOS功率开关
抗性
（图
1:
N1)
nA
兆赫
R
PDS （ON）的
PMOS导通电阻我
PMOS
= 20 mA时， EN1 = 0V ， EN2 = 1.5V
V的
OUT1
/V
OUT2
开关（图
1:
P1)
NMOS导通电阻我
NMOS
= 20 mA时， EN1 = 1.5V ， EN2 = 0V
V的
OUT2
/ FB开关
（图
1:
N2)
最大占空比
CNTRL引脚偏置电流
（注3）
SW引脚漏
电流（注3）
V
OUT1
漏针
电流（注3）
FB = 0V
CNTRL = 2.5V
CNTRL = 0V
SW = 42V ， EN1 = EN2 = 0V
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
=
=
=
=
14V,
23V,
32V,
42V,
En1
En1
En1
En1
=
=
=
=
En2
En2
En2
En2
=
=
=
=
0V
0V
0V
0V
(16)
(25)
(35)
(44)
90
5
10
R
NDS （ON）的
2.5
95
8
0.1
0.01
0.1
0.1
0.1
0.1
5
%
D
最大
I
CNTRL
I
Sw
I
VOUT1(OFF)
14
A
A
5
3
3
3
3
A
5
www.national.com
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