LM3502升压转换器，用于白光LED应用
2006年8月
LM3502
升压转换器，用于白光LED应用
概述
的LM3502是一种白色LED驱动器用于照明应用。
对于双显示器或大单白光LED背光串
应用， LM3502提供了一个完整的解决方案。该
LM3502包含两个内置的白光LED电流旁路
FET（场效应Transitor ）开关，非常适合用于信号
曳双显示应用。白光LED电流可
被用PWM信号直接从一个microcontrol-调整
LER没有一个RC滤波器网络的需要。
无需外部补偿，逐周期电流限制，
过电压保护，欠电压保护功能，
LM3502性能优于其它应用
专用标准产品升压型白光LED驱动器。
特点
n
驱动多达4个，6个， 8个或10个白光LED为双屏幕显示
背光
n
＆ GT ;
80 ％ EF网络效率
n
输出电压选项： 16V ， 25V ， 35V ， 44V和
n
输入欠压保护
n
内部软启动消除浪涌电流
n
1MHz的恒定开关频率
n
宽输入电压： 2.5V至5.5V
n
小的外部元件
n
薄型封装：
＆ LT ;
1mm高
-10凹凸的microSMD
-16引脚LLP
应用
n
便携式设备的双显示器背光
n
手机和PDA
典型用途
20131701
图1.黑光配置上采用10个白光LED
2006美国国家半导体公司
DS201317
www.national.com
LM3502
连接图
10焊球薄的microSMD
包装（ TLP10 ）
16引脚超薄无铅引线框架
包装（ SQA16A ）
20131703
顶视图
20131702
顶视图
引脚说明/功能
凹凸＃
A1
B1
C1
D1
D2
D3
C3
B3
A3
A2
针＃
9
7
6
4
图2和3
图15和16
14
13
12
10
1
5
8
11
DAP
名字
CNTRL
Fb
V
OUT2
V
OUT1
Sw
保护地
AGND
V
IN
En2
En1
NC
NC
NC
NC
DAP
关断控制连接
反馈电压连接
NMOS和PMOS场效应晶体管（ FET）的漏极连接交换机
（图
2:
N2和P1 ）
过电压保护（ OVP）和的PMOS FET开关源连接
（图
2:
P1)
排水功率NMOS开关连接（图
2:
N1)
电源的接地连接
模拟地连接
供应或输入电压连接
NMOS FET开关控制连接
PMOS FET开关控制连接
无连接
无连接
无连接
无连接
管芯附着焊盘（ DAP） ，必须焊接到印刷电路板上的接地平面
增强的热耗散。
如可能的话，在V之间
OUT1
引脚和地平面。还
连接的肖特基二极管尽可能接近的
V
OUT1
引脚，以尽量减少走线电阻和EMI辐射。
SW（凹凸D2 ） ：
沥干内部电源连接
NMOS FET开关。 （图
2:
N1 ）最小化的金属走线
长度和最大化的金属走线宽度连接到该
引脚，以减少EMI辐射和跟踪性。
保护地线（凹凸D3 ） ：
电源接地引脚。直接连接到
接地平面。
AGND （凹凸C3 ） ：
模拟接地引脚。将模拟
直接接地引脚到引脚PGND 。
V
IN
（凹凸B3 ） ：
供应或输入电压连接端子。该
C
IN
电容应尽量靠近器件成为可能，
在V之间
IN
引脚和地平面。
EN2 （凹凸A3 ） ：
使能引脚为内部NMOS FET
开关（图
2:
N2 ）设备运行过程中。当V
En2
is
2
描述
CNTRL （凹凸A1 ） ：
关断控制引脚。当V
CNTRL
is
≥
1.4V时， LM3502处于启用状态还是开启。当V
CNTRL
is
≤
0.3V,
该LM3502将进入关断模式运行。该
LM3502具有内部上拉下拉电阻上的CNTRL针，
因而该设备通常处于关断状态或关断模式
的操作。
FB （凹凸B1 ） ：
输出电压反馈连接。该
使用白色LED串的网络电流设置/编程
从这个引脚电阻到地。
V
OUT2
（凹凸C1 ） ：
内部PMOS的漏极连接
和NMOS FET开关。 （图
2:
P 1和N 2） 。这是消遣
ommended以V连接100nF的
OUT2
为LM3502-35V
如果和LM3502-44版本V
OUT2
不被使用。
V
OUT1
（凹凸D1 ） ：
内部PMOS的源极连接
FET开关（图
2:
P1）和过压保护传感节点。该
输出电容器必须连接尽可能靠近设备
www.national.com
LM3502
绝对最大额定值
（注6,1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
针
SW引脚
FB引脚
CNTRL引脚
V
OUT1
针
V
OUT2
针
En1
En2
连续功率耗散
最高结温
(T
J- MAX ）
存储温度范围
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 48V
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 48V
-0.3V到V
OUT1
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 5.5V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
ESD额定值（注2 ）
人体模型：
机器型号：
2千伏
200V
工作条件
（注1,6 ）
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
输入电压V
IN
针
CNTRL ， EN1 ， EN2和销
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
2.5V至5.5V
0V至5.5V
热性能
（注4 ）
结点至环境热阻（ θ
JA
)
micro SMD封装
LEADLESS引线框架封装
65C/W
49C/W
在标准字体限为T
J
= 25C.
在限额
粗体
适用于整个工作结温范围（ -40℃
≤
T
J
≤
+ 125°C ） 。除非另有
指定，V
IN
= 2.5V.
符号
V
IN
I
Q
参数
输入电压
非交换
开关
关闭
我低
Q
关闭
反馈电压
NMOS功率开关
电流限制
16,
25,
35,
44,
Fb
Fb
Fb
Fb
=
=
=
=
0V
0V
0V
0V
Fb
＆ GT ;
0.25V
FB = 0V ， SW为浮动
CNTRL = 0V
CNTRL = 1.5V ， EN1 = EN2 = 0V
0.18
250
400
450
450
条件
民
2.5
0.5
1.9
0.1
6
0.25
400
600
750
750
64
0.8
I
Sw
= 500毫安
0.55
1.1
1
典型值
最大
5.5
1
3
3
15
0.3
650
800
1050
1050
500
1.2
单位
V
mA
mA
A
A
V
初步电气特性
（注6,7）
V
Fb
I
CL
mA
I
Fb
F
S
R
DS （ ON）
反馈引脚偏置
电流（注8 ）
开关频率
NMOS功率开关
抗性
（图
2:
N1)
FB = 0.25V
nA
兆赫
R
PDS （ON）的
PMOS导通电阻我
PMOS
= 20 mA时， EN1 = 0V ， EN2 = 1.5V
V的
OUT1
/V
OUT2
开关
（图
2:
N1)
NMOS导通电阻我
NMOS
= 20 mA时， EN1 = 1.5V ， EN2 = 0V
V的
OUT2
/ FB开关
（图
2:
N2)
最大占空比
CNTRL引脚输入偏置
电流（注3）
SW引脚漏
电流（注3）
FB = 0V
CNTRL = 2.5V
CNTRL = 0V
SW = 42V ， CNTRL = 0V
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
=
=
=
=
14V,
23V,
32V,
42V,
CNTRL
CNTRL
CNTRL
CNTRL
=
=
=
=
0V
0V
0V
0V
(16)
(25)
(35)
(44)
90
5
10
R
NDS （ON）的
2.5
95
7
0.1
0.01
0.1
0.1
0.1
0.1
5
%
D
最大
I
CNTRL
I
Sw
14
A
A
5
3
3
3
3
I
VOUT1
（OFF ）V
OUT1
漏针
电流（注3）
A
www.national.com
4
LM3502
初步电气特性
（注6,7）在标准字体限为T
J
= 25C.
在限额
粗体
适用于整个工作结温范围（ -40℃
≤
T
J
≤
+ 125°C ） 。除非另有
指定，V
IN
= 2.5V 。 （续）
符号
参数
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
=
=
=
=
14V,
23V,
32V,
42V,
条件
CNTRL
CNTRL
CNTRL
CNTRL
=
=
=
=
1.5V
1.5V
1.5V
1.5V
(16)
(25)
(35)
(44)
民
典型值
40
50
50
85
0.1
2.4
2.3
15.5
15
24
23
34
33
42
41
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
12
7
0.1
7
0.1
最大
80
100
100
140
3
2.5
16.5
16.0
25.5
24.5
35.0
34.0
43.5
42.0
0.3
V
0.3
V
0.3
16
14
14
单位
I
VOUT1
（ON）的V
OUT1
PIN偏置
电流（注3）
A
I
VOUT2
UVP
OVP
V
OUT2
漏针
电流（注3）
欠压
保护
过电压
保护（注5 ）
FB = 0V ， CNTRL = 0V ，V
OUT2
= 42V
阈值
断阈值
On
关闭
On
关闭
On
关闭
On
关闭
门槛
门槛
门槛
门槛
门槛
门槛
门槛
门槛
(16)
(16)
(25)
(25)
(35)
(35)
(44)
(44)
A
V
2.2
14.5
14.0
22.5
21.5
32.0
31.0
40.5
39.0
1.4
V
V
En1
PMOS FET开关
启用阈值
（图
2:
P1)
NMOS FET开关
启用阈值
（图
2:
N2)
设备启用
门槛
关断延迟时间
EN1引脚输入偏置
当前
EN2引脚输入偏置
当前
断阈值（显示照明）
阈值（显示照明）
断阈值（显示照明）
阈值（显示照明）
断阈值
OnThreshold
EN1 = 2.5V
EN1 = 0V
EN2 = 2.5V
EN2 = 0V
V
En2
1.4
V
CNTRL
T
SHDW
I
En1
I
En2
1.4
8
V
ms
A
A
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气性能规格不适用时，
操作该装置的其额定工作条件外。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
注3 ：
目前FL OWS到脚。
注4 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
JA
,
和环境温度，T
A
。见热阻热性能。在任何环境温度下的最大允许功耗为
利用计算：P
D
（MAX）= （T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高。欲了解更多信息
关于这个话题，请参考应用笔记1187 ：对的microSMD芯片级封装无铅引线框架封装（ LLP ）和应用笔记1112 （ AN1112 ） 。
注5 ：
所述上阈值表示该LM3502不再切换或调节LED电流，而关闭阈值表示正常运行。
注6 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注8 ：
目前FL OWS出脚。
5
www.national.com
LM3502升压转换器，用于白光LED应用
2005年9月
LM3502
升压转换器，用于白光LED应用
概述
的LM3502是一种白色LED驱动器用于照明应用。
对于双显示器或大单白光LED背光串
应用， LM3502提供了一个完整的解决方案。该
LM3502包含两个内部whitle LED电流旁路
FET（场效应Transitor ）开关，非常适合用于信号
troling双显示应用。而在LED电流可
被用PWM信号直接从一个microcontrol-调整
LER没有一个RC滤波器网络的需要。
无需外部补偿，逐周期电流限制，
过电压保护，欠电压保护功能，
LM3502性能优于其它应用
专用标准产品升压型白光LED驱动器。
特点
n
驱动多达4个，6个， 8个或10个白光LED为双屏幕显示
背光
n
＆ GT ;
80 ％ EF网络效率
n
输出电压选项： 16V ， 25V ， 35V ， 44V和
n
输入欠压保护
n
内部软启动消除浪涌电流
n
1MHz的恒定开关频率
n
宽输入电压： 2.5V至5.5V
n
小的外部元件
n
薄型封装：
＆ LT ;
1mm高
-10凹凸的microSMD
-16引脚LLP
应用
n
便携式设备的双显示器背光
n
手机和PDA
典型用途
20131701
图1.黑光配置上采用10个白光LED
2005美国国家半导体公司
DS201317
www.national.com
LM3502
连接图
10焊球薄的microSMD
包装（ TLP10 ）
16引脚超薄无铅引线框架
包装（ SQA16A ）
20131703
顶视图
20131702
顶视图
引脚说明/功能
凹凸＃
A1
B1
C1
D1
D2
D3
C3
B3
A3
A2
针＃
9
7
6
4
图2和3
图15和16
14
13
12
10
1
5
8
11
DAP
名字
CNTRL
Fb
V
OUT2
V
OUT1
Sw
保护地
AGND
V
IN
En2
En1
NC
NC
NC
NC
DAP
关断控制连接
反馈电压连接
NMOS和PMOS场效应晶体管（ FET）的漏极连接交换机
（图
2:
N2和P1 ）
过电压保护（ OVP）和的PMOS FET开关源连接
（图
2:
P1)
排水功率NMOS开关连接（图
2:
N1)
电源的接地连接
模拟地连接
供应或输入电压连接
NMOS FET开关控制连接
PMOS FET开关控制连接
无连接
无连接
无连接
无连接
管芯附着焊盘（ DAP） ，必须焊接到印刷电路板上的接地平面
增强的热耗散。
如可能的话，在V之间
OUT1
引脚和地平面。还
连接的肖特基二极管尽可能接近的
V
OUT1
引脚，以尽量减少走线电阻和EMI辐射。
SW（凹凸D2 ） ：
沥干内部电源连接
NMOS FET开关。 （图
2:
N1 ）最小化的金属走线
长度和最大化的金属走线宽度连接到该
引脚，以减少EMI辐射和跟踪性。
保护地线（凹凸D3 ） ：
电源接地引脚。直接连接到
接地平面。
AGND （凹凸C3 ） ：
模拟接地引脚。将模拟
直接接地引脚到引脚PGND 。
V
IN
（凹凸B3 ） ：
供应或输入电压连接端子。该
C
IN
电容应尽量靠近器件成为可能，
在V之间
IN
引脚和地平面。
EN2 （凹凸A3 ） ：
使能引脚为内部NMOS FET
开关（图
2:
N2 ）设备运行过程中。当V
En2
is
2
描述
CNTRL （凹凸A1 ） ：
关断控制引脚。当V
CNTRL
is
≥
1.4V时， LM3502处于启用状态还是开启。当V
CNTRL
is
≤
0.3V,
该LM3502将进入关断模式运行。该
LM3502具有内部上拉下拉电阻上的CNTRL针，
因而该设备通常处于关断状态或关断模式
的操作。
FB （凹凸B1 ） ：
输出电压反馈连接。该
使用白色LED串的网络电流设置/编程
从这个引脚电阻到地。
V
OUT2
（凹凸C1 ） ：
内部PMOS的漏极连接
和NMOS FET开关。 （图
2:
P 1和N 2） 。这是消遣
ommended以V连接100nF的
OUT2
为LM3502-35V
如果和LM3502-44版本V
OUT2
不被使用。
V
OUT1
（凹凸D1 ） ：
内部PMOS的源极连接
FET开关（图
2:
P1）和过压保护传感节点。该
输出电容器必须连接尽可能靠近设备
www.national.com
LM3502
绝对最大额定值
（注6,1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
针
SW引脚
FB引脚
CNTRL引脚
V
OUT1
针
V
OUT2
针
En1
En2
连续功率耗散
最高结温
(T
J- MAX ）
存储温度范围
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 48V
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 48V
-0.3V到V
OUT1
-0.3V至+ 5.5V
-0.3V至+ 5.5V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
ESD额定值（注2 ）
人体模型：
机器型号：
2千伏
200V
工作条件
（注1,6 ）
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
输入电压V
IN
针
CNTRL ， EN1 ， EN2和销
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
2.5V至5.5V
0V至5.5V
热性能
（注4 ）
结点至环境热阻（ θ
JA
)
micro SMD封装
LEADLESS引线框架封装
65C/W
49C/W
在标准字体限为T
J
= 25C.
在限额
粗体
适用于整个工作结温范围（ -40℃
≤
T
J
≤
+ 125°C ） 。除非另有
指定，V
IN
= 2.5V.
符号
V
IN
I
Q
参数
输入电压
非交换
开关
关闭
我低
Q
关闭
反馈电压
NMOS功率开关
电流限制
16,
25,
35,
44,
Fb
Fb
Fb
Fb
=
=
=
=
0V
0V
0V
0V
Fb
＆ GT ;
0.25V
FB = 0V ， SW为浮动
CNTRL = 0V
CNTRL = 1.5V ， EN1 = EN2 = 0V
0.18
250
400
450
450
条件
民
2.5
0.5
1.9
0.1
6
0.25
400
600
750
750
64
0.8
I
Sw
= 500毫安
0.55
1.1
1
典型值
最大
5.5
1
3
3
15
0.3
650
800
1050
1050
500
1.2
单位
V
mA
mA
A
A
V
初步电气特性
（注6,7）
V
Fb
I
CL
mA
I
Fb
F
S
R
DS （ ON）
反馈引脚偏置
电流（注8 ）
开关频率
NMOS功率开关
抗性
（图
2:
N1)
FB = 0.25V
nA
兆赫
R
PDS （ON）的
PMOS导通电阻我
PMOS
= 20 mA时， EN1 = 0V ， EN2 = 1.5V
V的
OUT1
/V
OUT2
开关
（图
2:
N1)
NMOS导通电阻我
NMOS
= 20 mA时， EN1 = 1.5V ， EN2 = 0V
V的
OUT2
/ FB开关
（图
2:
N2)
最大占空比
CNTRL引脚输入偏置
电流（注3）
SW引脚漏
电流（注3）
FB = 0V
CNTRL = 2.5V
CNTRL = 0V
SW = 42V ， CNTRL = 0V
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
=
=
=
=
14V,
23V,
32V,
42V,
CNTRL
CNTRL
CNTRL
CNTRL
=
=
=
=
0V
0V
0V
0V
(16)
(25)
(35)
(44)
90
5
10
R
NDS （ON）的
2.5
95
7
0.1
0.01
0.1
0.1
0.1
0.1
5
%
D
最大
I
CNTRL
I
Sw
14
A
A
5
3
3
3
3
I
VOUT1
（OFF ）V
OUT1
漏针
电流（注3）
A
www.national.com
4
LM3502
初步电气特性
（注6,7）在标准字体限为T
J
= 25C.
在限额
粗体
适用于整个工作结温范围（ -40℃
≤
T
J
≤
+ 125°C ） 。除非另有
指定，V
IN
= 2.5V 。 （续）
符号
参数
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
V
OUT1
=
=
=
=
14V,
23V,
32V,
42V,
条件
CNTRL
CNTRL
CNTRL
CNTRL
=
=
=
=
1.5V
1.5V
1.5V
1.5V
(16)
(25)
(35)
(44)
民
典型值
40
50
50
85
0.1
2.4
2.3
15.5
15
24
23
34
33
42
41
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
12
7
0.1
7
0.1
最大
80
100
100
140
3
2.5
16.5
16.0
25.5
24.5
35.0
34.0
43.5
42.0
0.3
V
0.3
V
0.3
16
14
14
单位
I
VOUT1
（ON）的V
OUT1
PIN偏置
电流（注3）
A
I
VOUT2
UVP
OVP
V
OUT2
漏针
电流（注3）
欠压
保护
过电压
保护（注5 ）
FB = 0V ， CNTRL = 0V ，V
OUT2
= 42V
阈值
断阈值
On
关闭
On
关闭
On
关闭
On
关闭
门槛
门槛
门槛
门槛
门槛
门槛
门槛
门槛
(16)
(16)
(25)
(25)
(35)
(35)
(44)
(44)
A
V
2.2
14.5
14.0
22.5
21.5
32.0
31.0
40.5
39.0
1.4
V
V
En1
PMOS FET开关
启用阈值
（图
2:
P1)
NMOS FET开关
启用阈值
（图
2:
N2)
设备启用
门槛
关断延迟时间
EN1引脚输入偏置
当前
EN2引脚输入偏置
当前
断阈值（显示照明）
阈值（显示照明）
断阈值（显示照明）
阈值（显示照明）
断阈值
OnThreshold
EN1 = 2.5V
EN1 = 0V
EN2 = 2.5V
EN2 = 0V
V
En2
1.4
V
CNTRL
T
SHDW
I
En1
I
En2
1.4
8
V
ms
A
A
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气性能规格不适用时，
操作该装置的其额定工作条件外。
注2 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
注3 ：
目前FL OWS到脚。
注4 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
JA
,
和环境温度，T
A
。见热阻热性能。在任何环境温度下的最大允许功耗为
利用计算：P
D
（MAX）= （T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高。欲了解更多信息
关于这个话题，请参考应用笔记1187 ：对的microSMD芯片级封装无铅引线框架封装（ LLP ）和应用笔记1112 （ AN1112 ） 。
注5 ：
所述上阈值表示该LM3502不再切换或调节LED电流，而关闭阈值表示正常运行。
注6 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注8 ：
目前FL OWS出脚。
5
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