LM3475迟滞PFET降压控制器
2004年10月
LM3475
迟滞PFET降压控制器
概述
该LM3475是一个滞后的P- FET降压控制器设计
支持广泛的在一个高效率的应用
非常小的SOT23-5封装。滞回控制方案
有几个优点，包括简单的系统设计
无需外部补偿，具有广泛稳定运行
组件的范围和极快的瞬态重
sponse 。滞环控制也提供了高效率的OP-
关合作，即使在轻负载。在PFET架构允许
低组件数以及100 ％的占空比和超
低压差操作。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
易于使用的控制方法
0.8V至V
IN
可调输出范围
高效率（ 90 ％典型值）
±
0.9% (
±
温度过高）反馈电压1.5 ％
100％占空比能力
最大工作频率高达2MHz
内部软启动
使能引脚
SOT23-5封装
应用
n
n
n
n
n
n
n
TFT显示器
自动电脑
车辆安全性
导航系统
笔记本待机电源
电池供电的便携式应用
分布式电源系统
典型应用电路
20070101
2004美国国家半导体公司
DS200701
www.national.com
LM3475
接线图
顶视图
20070102
5引脚塑封SOT23-5
NS包装数MF05A
包装标志和订购信息
订单号
LM3475MF
LM3475MFX
套餐类型
SOT23-5
SOT23-5
包装标志
S65B
S65B
提供如下：
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
引脚说明
引脚名称
FB
GND
EN
VIN
PGATE
引脚数
1
2
3
4
5
描述
反馈输入。连接到所述输出端之间的电阻分压器
和GND 。
地面上。
启用。拉高于1.5V （典型值）的正常运行该引脚。
当EN为低电平时，器件进入关断模式。
电源输入。
栅极驱动输出的外部PFET 。
www.national.com
2
LM3475
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
PGATE
FB
EN
储存温度
功率耗散（注2 ）
ESD Susceptibilty
人体模型（注3 ）
-0.3V至16V
-0.3V至16V
-0.3V至5V
-0.3V至16V
-65_C到150_C
440mW
2.5kV
焊接温度
气相（ 60秒）
红外线的（15秒）。
215C
220C
工作额定值
（注1 ）
电源电压
工作结
温度
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
规格标准型面为T
J
= 25 ℃，并在
粗体字体
适用于整个
工作温度
范围
(T
J
= -40°C至+ 125°C ） 。除非另有规定，V
IN
= EN = 5.0V 。数据表的最小/最大规格限制瓜尔
由设计，测试或统计分析及担。
符号
I
Q
参数
静态电流
条件
EN = V
IN
（ PGATE
开）
EN = 0V
V
FB
%V
FB
/V
IN
V
HYST
I
FB
VTH
EN
I
EN
反馈电压
反馈电压
线路调整
比较
迟滞
FB偏置电流
启用阈值
电压
迟滞
使泄漏
当前
EN = 10V
来源
I
来源
= 100毫安
SINK
I
SINK
= 100毫安
来源
V
PGATE
= 3.5V
C
PGATE
= 1nF的
SINK
V
PGATE
= 3.5V
C
PGATE
= 1nF的
2.7V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
10V
（ EN上升）
PGATE开放
测量在FB
针
0.487
增加
1.2
2.7V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
10V
2.7V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
10V
-40 ° C至+ 125°C
民
170
4
0.788
典型值
260
7
0.8
0.01
21
21
50
1.5
365
.025
2.8
1.8
1
28
32
600
1.8
最大
320
10
0.812
V
%/V
mV
nA
V
mV
A
单位
A
R
PGATE
驱动电阻
0.475
A
1.0
I
PGATE
驱动器输出电流
T
SS
T
ONMIN
V
UVD
软启动时间
最小导通时间
欠压
发现
4
180
0.56
0.613
ms
ns
V
3
www.national.com
LM3475
电气特性
（续）
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是针对该设备旨在条件
是功能性的，但设备参数规格可能无法得到保证。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
注2 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J- MAX
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式：
P
D- MAX
= (T
J- MAX
- T
A
)/θ
JA
。 0.44W的最大功耗是对采用T确定
A
= 25C,
θ
JA
= 225℃ / W和T
J- MAX
= 125C.
注3 ：
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
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4
LM3475
典型性能特性
除非另有说明，所有的曲线取在V
IN
= 5V,
V
OUT
= 2.5V ， L = 10 μH ，C
OUT
= 100 μF ， ESR = 100mΩ的，和T
A
= 25C.
静态电流与输入电压
反馈电压与温度
20070122
20070123
滞后电压与输入电压
滞后电压与温度
20070124
20070125
EF网络效率与负载电流
效率与输入电压
I
OUT
= 2A
20070126
20070127
5
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LM3475迟滞PFET降压控制器
2004年10月
LM3475
迟滞PFET降压控制器
概述
该LM3475是一个滞后的P- FET降压控制器设计
支持广泛的在一个高效率的应用
非常小的SOT23-5封装。滞回控制方案
有几个优点，包括简单的系统设计
无需外部补偿，具有广泛稳定运行
组件的范围和极快的瞬态重
sponse 。滞环控制也提供了高效率的OP-
关合作，即使在轻负载。在PFET架构允许
低组件数以及100 ％的占空比和超
低压差操作。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
易于使用的控制方法
0.8V至V
IN
可调输出范围
高效率（ 90 ％典型值）
±
0.9% (
±
温度过高）反馈电压1.5 ％
100％占空比能力
最大工作频率高达2MHz
内部软启动
使能引脚
SOT23-5封装
应用
n
n
n
n
n
n
n
TFT显示器
自动电脑
车辆安全性
导航系统
笔记本待机电源
电池供电的便携式应用
分布式电源系统
典型应用电路
20070101
2004美国国家半导体公司
DS200701
www.national.com
LM3475
接线图
顶视图
20070102
5引脚塑封SOT23-5
NS包装数MF05A
包装标志和订购信息
订单号
LM3475MF
LM3475MFX
套餐类型
SOT23-5
SOT23-5
包装标志
S65B
S65B
提供如下：
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
引脚说明
引脚名称
FB
GND
EN
VIN
PGATE
引脚数
1
2
3
4
5
描述
反馈输入。连接到所述输出端之间的电阻分压器
和GND 。
地面上。
启用。拉高于1.5V （典型值）的正常运行该引脚。
当EN为低电平时，器件进入关断模式。
电源输入。
栅极驱动输出的外部PFET 。
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2
LM3475
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
PGATE
FB
EN
储存温度
功率耗散（注2 ）
ESD Susceptibilty
人体模型（注3 ）
-0.3V至16V
-0.3V至16V
-0.3V至5V
-0.3V至16V
-65_C到150_C
440mW
2.5kV
焊接温度
气相（ 60秒）
红外线的（15秒）。
215C
220C
工作额定值
（注1 ）
电源电压
工作结
温度
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
规格标准型面为T
J
= 25 ℃，并在
粗体字体
适用于整个
工作温度
范围
(T
J
= -40°C至+ 125°C ） 。除非另有规定，V
IN
= EN = 5.0V 。数据表的最小/最大规格限制瓜尔
由设计，测试或统计分析及担。
符号
I
Q
参数
静态电流
条件
EN = V
IN
（ PGATE
开）
EN = 0V
V
FB
%V
FB
/V
IN
V
HYST
I
FB
VTH
EN
I
EN
反馈电压
反馈电压
线路调整
比较
迟滞
FB偏置电流
启用阈值
电压
迟滞
使泄漏
当前
EN = 10V
来源
I
来源
= 100毫安
SINK
I
SINK
= 100毫安
来源
V
PGATE
= 3.5V
C
PGATE
= 1nF的
SINK
V
PGATE
= 3.5V
C
PGATE
= 1nF的
2.7V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
10V
（ EN上升）
PGATE开放
测量在FB
针
0.487
增加
1.2
2.7V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
10V
2.7V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
10V
-40 ° C至+ 125°C
民
170
4
0.788
典型值
260
7
0.8
0.01
21
21
50
1.5
365
.025
2.8
1.8
1
28
32
600
1.8
最大
320
10
0.812
V
%/V
mV
nA
V
mV
A
单位
A
R
PGATE
驱动电阻
0.475
A
1.0
I
PGATE
驱动器输出电流
T
SS
T
ONMIN
V
UVD
软启动时间
最小导通时间
欠压
发现
4
180
0.56
0.613
ms
ns
V
3
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LM3475
电气特性
（续）
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是针对该设备旨在条件
是功能性的，但设备参数规格可能无法得到保证。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
注2 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J- MAX
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式：
P
D- MAX
= (T
J- MAX
- T
A
)/θ
JA
。 0.44W的最大功耗是对采用T确定
A
= 25C,
θ
JA
= 225℃ / W和T
J- MAX
= 125C.
注3 ：
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
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4
LM3475
典型性能特性
除非另有说明，所有的曲线取在V
IN
= 5V,
V
OUT
= 2.5V ， L = 10 μH ，C
OUT
= 100 μF ， ESR = 100mΩ的，和T
A
= 25C.
静态电流与输入电压
反馈电压与温度
20070122
20070123
滞后电压与输入电压
滞后电压与温度
20070124
20070125
EF网络效率与负载电流
效率与输入电压
I
OUT
= 2A
20070126
20070127
5
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