LM3429 N沟道控制器，用于恒流LED驱动器
2009年8月3日
LM3429
N沟道控制器，用于恒流LED驱动器
概述
该LM3429是一款多功能高电压N沟道MOSFET
控制器LED驱动器。它可以很容易地配置在降压，
升压，降压 - 升压型和SEPIC拓扑结构。这种灵活性，
随着75V的输入电压额定值，使LM3429
非常适合在一个非常多元化的，大家族的照明LED
应用程序。
可调式高边电流检测电压允许紧
LED电流的调节效率最高POS-
sible 。该LM3429采用预测关断时间（ PRO ）控制，
这是峰值电流模式控制和一个组合
预测关断定时器。这种控制方法简化了设计
环路补偿的同时提供了固有的输入电压
前馈补偿。
的LM3429包括一个高压启动稳压器，它
工作在4.5V至75V的宽输入范围。内部
PWM控制器是专为可调开关频率
高达2.0兆赫的连锁商店，从而使紧凑的解决方案。
其他功能还包括模拟调光， PWM调光，
过电压保护，欠压锁定，逐赛扬
第一百电流限制和热关断。
该LM3429采用的是低调，热效率高的TSSOP
EP 14引脚封装。
特点
■
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■
V
IN
范围为4.5V至75V
可调电流检测电压
高边电流检测
2,
1A的峰值MOSFET栅极驱动器
输入欠压保护
过电压保护
PWM调光
模拟调光
逐周期电流限制
可编程开关频率
热关断
TSSOP EP 14引脚封装
应用
■
■
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■
■
■
LED驱动器
恒流降压 - 升压（或反激式）稳压器
恒流升压稳压器
恒流降压稳压器
恒流SEPIC稳压器
热电冷却器（珀尔帖）驱动程序
典型应用电路
30094422
升压LED驱动器
2009美国国家半导体公司
300944
www.national.com
LM3429
接线图
顶视图
30094404
14引脚TSSOP EP
NS包装数MXA14A
订购信息
订单号
LM3429MH
LM3429MHX
规格。
NOPB
NOPB
套餐类型
TSSOP -14 EP
TSSOP -14 EP
NSC封装
制图
MXA14A
MXA14A
94单位，铁
2500单位，磁带和卷轴
供货方式
引脚说明
针
1
2
3
名字
V
IN
COMP
CSH
描述
输入电压
赔偿金
电流检测高
应用信息
绕道100 nF的电容到AGND尽可能靠近器件尽可能在
电路板布局。
一个电容连接到AGND 。
连接一个电阻到AGND设定信号电流。对于模拟调光，
连接受控电流源或电位器AGND在详细
该
模拟调光
部分。
连接在开关节点和电容电阻到AGND设置
开关频率。
连接通过DAP铜电路板焊盘到PGND提供适当的
接地回路CSH ， COMP和RCT 。
连接到从V的电阻分压器
O
编程输出过压锁定
（ OVLO ） 。关断阈值是1.24V和滞后的开启是由提供
20 μA电流源。
连接的PWM信号进行调光，在为详细
PWM调光
部分
和/或从V的电阻分压器
IN
编程输入欠压锁定
（ UVLO ） 。导通阈值是由所提供1.24V和滞后的关断
20 μA电流源。
平仓离场。
连接通过DAP铜电路板的焊盘连接到AGND ，提供适当的
接地回路的大门。
连接到外部NFET的栅极。
绕过了2.2 μF -3.3 μF的陶瓷电容到PGND 。
连接到主n沟道MOSFET开关，用于R的漏极
DS -ON
传感
或到一个感测电阻器安装在同一个器件的源中。
4
5
RCT
AGND
电容电阻时机
模拟地
6
OVP
过电压保护
7
NDIM
不DIM输入
8
9
10
11
12
13
14
DAP
(15)
NC
保护地
门
V
CC
IS
HSP
HSN
DAP
无连接
电源地
栅极驱动输出
内部稳压器输出
主开关电流检测
高压侧通过串联电阻来的LED电流检测阳性侧LED电流检测连接
积极
电阻器。
高压侧通过串联电阻来的LED电流检测负侧LED电流检测连接
负
电阻器。
在IC底部的散热垫
星形接地，连接AGND和PGND 。对于散热方面的考虑，请
请参阅电气特性表（注4 ） 。
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2
LM3429
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
， NDIM
OVP ， HSP ， HSN
RCT
IS
-0.3V至76.0V
-1 mA连续
-0.3V至76.0V
-100 μA连续
-0.3V至3.0V
-1 mA至5毫安连续
-0.3V至76.0V
-2V为100纳秒
-1 mA连续
-0.3V至8.0V
-0.3V至6.0V
-200 μA至200 μA
连续
-0.3V到V
CC
-2.5V为100纳秒
V
CC
+ 2.5V为100纳秒
-1 mA至1毫安连续
保护地
结温
存储温度范围
最大的铅温度
（回流和焊接） （注5 ）
连续功率耗散
（注4 ）
ESD敏感性
（注6 ）
人体模型
-0.3V至0.3V
-2.5V至2.5V为100纳秒
150°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
内部限制
2千伏
（注1,2 ）
-40 ° C至+ 125°C
4.5V至75V
工作条件
工作结
温度范围
输入电压V
IN
V
CC
COMP ， CSH
门
电气特性
（注2 ）
规格标准型面为T
J
= 25℃，那些
黑体字
适用于整个
工作温度
范围
( T
J
= -40 ° C至+ 125°C ） 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计数据得以保证。典型
值代表最可能的参数指标在T
J
= + 25 ° C，并提供仅供参考。除非另有
声明如下条件适用： V
IN
= +14V.
符号
V
CC- REG
I
CC- LIM
I
Q
V
CC- UVLO
V
CC- HYS
V
TH- OVP
I
HYS- OVP
参数
V
CC
规
V
CC
电流限制
静态电流
V
CC
UVLO阈值
V
CC
UVLO迟滞
OVP OVLO门槛
OVP滞后来源
当前
CSH参考电压
误差放大器输入偏置
当前
COMP吸入/源
当前
跨
线性输入范围
跨
带宽
关机定时器（ RCT ）
t
OFF- MIN
R
RCT
V
RCT
最小关断时间
RCT复位下拉
阻力
V
IN
/ 25参考电压
V
IN
= 14V
540
RCT = 1V至1千欧
35
36
565
75
120
585
ns
mV
（注9 ）
-6dB空载响应
（注9 ）
0.5
OVP增加
OVP活跃（高）
1.180
10
条件
I
CC
= 0毫安
V
CC
= 0V
STATIC
V
CC
增加
V
CC
减少
过电压保护（ OVP ）
1.240
20
1.280
30
V
A
3.70
民
（注7 ）
典型值
（注8）
最大
（注7 ）
6.30
20
6.90
27
1.6
4.17
4.08
0.1
3.0
4.50
V
7.35
单位
V
mA
启动稳压器（V
CC
)
误差放大器器
V
CSH
相对于AGND
1.210
-0.6
10
1.235
0
26
100
±125
1.0
1.260
0.6
A
40
μA / V
mV
兆赫
V
3
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LM3429
符号
PWM比较器
参数
COMP到PWM偏移
条件
民
（注7 ）
典型值
（注8）
最大
（注7 ）
700
215
75
800
245
35
250
900
275
75
450
单位
mV
mV
ns
电流限制（ IS ）
V
LIM
t
ON- MIN
电流限制阈值
V
LIM
延迟输出
前沿消隐
时间
输入偏置电流
跨
输入失调电流
输入失调电压
跨
带宽
栅极驱动器（ GATE ）
R
SRC （ GATE ）
R
SNK （ GATE ）
V
TH- NDIM
I
HYS- NDIM
T
SD
T
HYS
GATE采购抵抗GATE =高
GATE下沉阻力
NDIM / UVLO门限
NDIM滞环电流
热关断
门槛
热关断
迟滞
结到环境（注
4)
结到裸露焊盘
（ DAP）的
（注3,9）
（注3,9）
GATE =低
1.180
10
2.0
1.3
1.240
20
6.0
4.5
1.280
30
I
CSH
= 100 μA （注9 ）
20
-1.5
-7
250
高压侧跨导放大器
10
119
0
0
500
1.5
7
A
毫安/ V
A
mV
千赫
欠压锁定和DIM输入（ NDIM ）
V
A
热关断
165
°C
25
热阻
θ
JA
θ
JC
14L TSSOP EP
14L TSSOP EP
40
5.5
° C / W
° C / W
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制，包括不可操作性的设备可靠性和退化
和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值或其他条件以外的那些指示的功能操作
该工作额定值是不是暗示。推荐工作额定值表明条件下该设备的功能和设备不应该
操作超出这样的条件。
注2 ：
所有电压都是相对于该电位AGND引脚，除非另有规定。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 165 ° C（典型值），在脱离
T
J
= 140 ° C（典型值） 。
注4 ：
结到环境的热阻非常电路板布局有关。在表中列出的数字给出了一个参考布局，其特征在于所述
14L TSSOP EP封装有其DAP垫填充了9孔。在应用中，高最大功耗存在，即驾驶大型氧化物半导体场效应晶体管
从一个高输入电压开关频率高，必须特别注意电路板的设计过程中支付给散热问题。在高功率耗散
应用中，最大环境温度可能要降级。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作
结温（T
J- MAX -OP
= 125 ℃） ，该装置的应用程序中的最大功耗（P
D- MAX
），以及结点到环境的热阻
该包中的应用程序（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
× P
D- MAX
） 。在大多数应用中有一点需要充分
这种先进的封装功率耗散能力。在这种情况下，没有通孔将需要和热阻将104℃ / W的
为14L TSSOP EP 。有可能通过计数的耐热性的充分之间保守地插和没有通过计数具有热阻
直线得到的任何数目的通孔的耐热性在这两个极限之间。
注5 ：
是指国家的包装网站，了解更多详细信息和安装技术。 http://www.national.com/analog/packaging/
注6 ：
人体模型，适用的性病。 JESD22 - A114 -C 。
注7 ：
所有的限制保证在室温下（标准字体） ，并在极端温度（粗体） 。所有房间的温度极限是100％
生产测试。所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC）方法。所有参数均采用
计算平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注8 ：
典型值是在25℃和代表最常见的情况。
注9 ：
这些电参数由设计保证的，并且不通过试验验证。
注10 ：
测量是采用标准降压 - 升压评估板从1985年提出。
注11 ：
测量用的标准升压评估板从AN- 1986进行。
www.national.com
4
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