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LM3421 LM3421Q1 LM3421Q0 LM3423 LM3423Q1 LM3423Q0 N通道控制器,用于
恒流LED驱动器
LM3421
LM3421Q1 LM3421Q0
LM3423
LM3423Q1 LM3423Q0
2010年1月21日
N通道控制器,恒流LED驱动器
概述
该LM3421 / 23是通用高压N沟道MOSFET
控制器LED驱动器。他们可以很容易地配置在
降压,升压,降压 - 升压型和SEPIC拓扑结构。这flexibili-
一节,以及75V的输入电压额定值,使得
LM3421 / 23非常适合一个大家庭AP-的照明LED灯
并发症。
可调式高边电流检测电压允许紧
LED电流的调节效率最高POS-
sible 。该LM3421 / 23采用预测关断时间( PRO )控制,
这是峰值电流模式控制和一个组合
预测关断定时器。这种控制方法简化了设计
环路补偿的同时提供了固有的输入电压
前馈补偿。
的LM3421 / 23器件包括一个高压启动稳压
荡器,工作在4.5V至75V的宽输入范围。该
内部PWM控制器是专为可调开关
高达2.0 MHz的频率从而使紧凑的解决方案
系统蒸发散。其他功能还包括"zero current"关机,
模拟调光, PWM调光,过电压保护,非
DER-欠压锁定,逐周期电流限制及热
关机。
该LM3423还包括一个LED输出状态标志,故障
标记,可编程故障定时器和一个逻辑输入选择
调光输出驱动器的极性。
该LM3421Q1 / 23Q1是AEC - Q100 1级合格
LM3421Q0 / 23Q0已通过AEC -Q100 0级合格。
特点
LM3421Q1 / LM3423Q1的汽车级产品
这是AEC - Q100 1级合格( -40 ° C至+ 125°C
工作结温) ,同样LM3421Q0 /
LM3423Q0是AEC -Q100 0级合格( -40 ° C至
+ 150 ° C的工作结温)
V
IN
范围为4.5V至75V
高边电流可调感
2,
1A的峰值MOSFET栅极驱动器
输入欠压,输出过电压保护
PWM和模拟调光
逐周期电流限制
可编程开关频率
"Zero current"关机和热关断
LED输出状态标志( LM3423 / 23Q1 / 23Q0只)
故障状态标志和定时器( LM3423 / 23Q1 / 23Q0只)
应用
LED驱动器 - 降压,升压,降压 - 升压型和SEPIC
室内和室外区域SSL
汽车
通用照明
恒流稳压器
典型升压应用电路
300673b6
提高评估板
9系列的LED在1A
300673k9
2010美国国家半导体公司
300673
www.national.com
LM3421 LM3421Q1 LM3421Q0 LM3423 LM3423Q1 LM3423Q0
连接图
顶视图
顶视图
30067304
16引脚TSSOP EP
NS包装数MXA16A
300673a1
20引脚TSSOP EP
NS包装数MXA20A
订购信息
订单号
规格。
套餐类型
NSC
制图
MXA16A
MXA16A
MXA20A
MXA20A
MXA16A
MXA16A
MXA20A
MXA20A
MXA16A
MXA16A
MXA20A
MXA20A
供货方式
特点
LM3421MH
LM3421MHX
LM3423MH
LM3423MHX
LM3421Q1MH
LM3421Q1MHX
LM3423Q1MH
LM3423Q1MHX
LM3421Q0MH
LM3421Q0MHX
LM3423Q0MH
LM3423Q0MHX
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
TSSOP- 16 EP
TSSOP- 16 EP
TSSOP- 20 EP
TSSOP- 20 EP
TSSOP- 16 EP
TSSOP- 16 EP
TSSOP- 20 EP
TSSOP- 20 EP
TSSOP- 16 EP
TSSOP- 16 EP
TSSOP- 20 EP
TSSOP- 20 EP
92单位,铁
2500单位,磁带和卷轴
73单位,铁
2500单位,磁带和卷轴
92单位,铁
2500单位,磁带和卷轴
73单位,铁
2500单位,磁带和卷轴
92单位,铁
2500单位,磁带和卷轴
73单位,铁
2500单位,磁带和卷轴
AEC -Q100 0级合格。
汽车生产等级
流动*
AEC - Q100 1级合格。
汽车生产等级
流动*
*汽车级( Q)产品采用增强的制造过程和支持过程的汽车市场,包括缺陷检测方法。
可靠性鉴定符合了AEC -Q100标准规定的要求和温度等级。汽车级产品认定
以字母Q.欲了解更多信息,请访问http://www.national.com/automotive 。
www.national.com
2
LM3421 LM3421Q1 LM3421Q0 LM3423 LM3423Q1 LM3423Q0
引脚说明
LM3423
1
2
3
LM3421
1
2
3
名字
V
IN
EN
COMP
描述
输入电压
启用
赔偿金
功能
绕道100 nF的电容到AGND尽可能靠近
装置可能在电路板布局。
连接到AGND零电流关断或应用>
2.4V至启用设备。
连接一个电容到AGND设定补偿。
连接一个电阻到AGND设定信号电流。
对于模拟调光,连接一个电流控制
源或电位AGND在尽可能详细
模拟调光
部分。
外部RC网络设置预测“关闭时间”,并
因此开关频率。
连接到PGND通过DAP铜垫
提供接地回路CSH , COMP , RCT ,并TIMR 。
连接到从V的电阻分压器
O
编程输出
过压锁定( OVLO ) 。关断阈值
1.24V和滞后的开启是由23 μA提供
电流源。
连接的PWM信号进行调光,在为详细
PWM调光
段和/或从一个电阻分压器
V
IN
编程输入欠压锁定(UVLO ) 。
导通阈值是1.24V和滞后的关断是
23 μA电流源提供。
连接到上拉电阻器从VIN和N沟道
氧化物半导体场效应晶体管漏极开路输出为高电平时,故障状态
由定时器锁存。
连接一个电容到AGND设置时间延迟
前一个检测到的故障状态被锁存。
连接到上拉电阻器从VIN和N沟道
氧化物半导体场效应晶体管漏极开路输出拉低当LED
目前没有监管。
连接到AGND ,如果调了一系列P沟道
MOSFET或带系列调光的时候平仓离场N-
沟道MOSFET。
连接到调光MOSFET的栅极。
连接到AGND通过DAP铜垫
提供接地回路闸阀和DDRV 。
连接到主开关MOSFET的栅极。
绕道2.2 μF , 3.3 μF陶瓷电容到PGND 。
连接到主N沟道MOSFET的漏极
开关的R
DS -ON
检测或安装一个检测电阻器
在相同的器件的源极。
连接所有外部电阻分压器偏低
(V
IN
UVLO , OVP)实行“零电流”
关机。
通过串联电阻连接到积极的一面
LED电流检测电阻。
通过串联电阻连接到负侧
LED电流检测电阻。
星形接地,连接AGND和PGND 。热
考虑请参阅(注
2).
4
4
CSH
电流检测高
5
6
5
6
RCT
AGND
电容电阻时机
模拟地
7
7
OVP
过电压保护
8
8
NDIM
调光输入/
欠压保护
9
-
FLT
故障标志
10
-
TIMR
故障定时器
11
-
LRDY
LED就绪标志
12
13
14
15
16
17
-
9
10
11
12
13
DPOL
DDRV
保护地
V
CC
IS
昏暗的极性
朦胧栅极驱动输出
电源地
主栅极驱动输出
内部稳压器输出
主开关电流检测
18
14
RPD
电阻下拉
19
20
DAP ( 21 )
15
16
DAP ( 17 )
HSP
HSN
DAP
LED电流检测阳性
LED电流检测阴性
在IC底部的散热垫
3
www.national.com
LM3421 LM3421Q1 LM3421Q0 LM3423 LM3423Q1 LM3423Q0
绝对最大额定值
(注
1)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, EN , RPD , NDIM
OVP , HSP , HSN , LRDY ,
FLT , DPOL
RCT
IS
-0.3V至76.0V
-1 mA连续
-0.3V至76.0V
-100 μA连续
-0.3V至76.0V
-1 mA至5毫安连续
-0.3V至76.0V
-2V为100纳秒
-1mA连续
-0.3V至8.0V
-0.3V至7.0V
-100μA至+ 100μA连续
-0.3V至6.0V
-200 μA至200 μA
连续
-0.3V到V
CC
-2.5V为100纳秒
V
CC
+ 2.5V为100纳秒
-1 mA至1毫安连续
-0.3V至0.3V
-2.5V至2.5V为100纳秒
最大结
温度
储存温度
范围
最大的铅
温度(焊接和
回流焊) (注
3)
连续功率
耗散
ESD敏感性
(注
4)
人体模型
充电器型号
内部限制
-65 ° C至+ 150°C
260°C
内部限制
2千伏
500V CSH管脚
750V所有其他引脚
(注
1)
V
CC
TIMR
COMP , CSH
工作条件
工作结
温度范围
LM3421 , LM3421Q1 ,
LM3423 , LM3423Q1
LM3421Q0 , LM3423Q0
输入电压V
IN
GATE , DDRV
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 150°C
4.5V至75V
保护地
(注
1)
规格标准型面为T
J
= 25℃,那些
黑体字
适用于整个
工作温度
范围
( T
J
= -40 ° C至+ 150°C的LM3421Q0 / LM3423Q0 ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C的所有其他人) 。规格之间的差异
两个工作范围将在被识别
温度范围
列Q0对于T
J
= -40 ° C至+ 150°C ,并作为Q1对于T
J
= 40°C
至+ 125°C 。如果没有温度范围被指示则规范保持为Q1和Q0 。最小和最大限值
通过测试,设计或统计数据得以保证。典型值代表最可能的参数指标在T
J
= +25°C,
并提供仅供参考。除非另有说明,以下情况适用: V
IN
= +14V.
符号
参数
条件
温度
范围
(注
5)
6.30
20
Q1
Q0
I
SD
V
CC
供应
V
CCUV
V
CCHYS
EN
ST
V
CC
UVLO阈值
V
CC
UVLO迟滞
EN启动阈值
EN增加
EN下降
EN
STHYS
R
EN
EN启动迟滞
EN下拉电阻
EN \u003c 1V
Q1
Q0
CSH门槛值
CSH高故障
CSH增加
1.6
1.0
V
在LRDY CSH CSH低增长状况
销( LM3423 )
0.45
Q1
Q0
0.80
V
CC
增加
V
CC
减少
EN阈值
1.75
1.63
0.1
0.82
1.30
1.80
M
2.40
2.75
V
3.70
4.17
4.08
0.1
4.50
V
关断电流
EN = 0V
典型值
(注
6)
6.90
25
2
0.1
3
3.5
1.0
A
mA
最大
(注
5)
7.35
单位
电气特性
启动稳压器
V
CCREG
I
CCLIM
I
Q
V
CC
V
CC
电流限制
静态电流
I
CC
= 0毫安
V
CC
= 0V
EN = 3.0V ,静态
V
www.national.com
4
LM3421 LM3421Q1 LM3421Q0 LM3423 LM3423Q1 LM3423Q0
符号
OV阈值从
OVP
CB
OVP
HYS
参数
条件
温度
范围
(注
5)
1.185
典型值
(注
6)
1.240
23
最大
(注
5)
1.285
25
26
单位
OVP OVLO门槛
OVP滞后来源
当前
DPOL逻辑阈值
DPOL上拉电阻
故障阈值
FAULT引脚源电流
OVP增加
OVP活跃(高)
Q1
Q0
DPOL增加
V
A
20
DPOL门槛值
DPOL
THRES
H
2.0
2.3
500
2.6
1200
1.285
1.290
13.0
13.5
1.260
0.6
35
36
V
k
R
DPOL
V
FLTTH
I
FLT
故障定时器
Q1
Q0
Q1
Q0
误差放大器器
V
REF
CSH参考电压
误差放大器输入偏置
当前
COMP吸入/源出电流
线性输入范围
(注
7)
0.5
跨导带宽-6dB卸载响应
(注
7)
关闭计时器
最小关断时间
R
RCT
V
RCT
f
RCT复位下拉
阻力
V
IN
/ 25参考电压
连续导通
开关频率
COMP到PWM偏移
电流限制( IS )
I
LIM
电流限制阈值
I
LIM
延迟输出
前沿消隐时间
高压侧跨导放大器
输入偏置电流
输入失调电流
输入失调电压
跨导带宽I
CSH
= 100 A
(注
7)
栅极驱动器( GATE )
R
SRC ( GATE )
R
SNK ( GATE )
GATE采购阻力
GATE下沉阻力
GATE =高
GATE =低
2.0
1.3
6.0
4.5
20
-1.5
-7
250
11.5
119
0
0
500
1.5
7
A
毫安/ V
A
mV
千赫
Q1
Q0
115
215
245
35
210
275
75
90
325
ns
mV
V
IN
= 14V
2.2 nF的>
T
> 470 pF的
RCT = 1V至
1 k
Q1
Q0
Q1
Q0
Q1
Q0
540
35
36
565
25/(C
T
R
T
)
75
90
120
125
585
590
ns
mV
Hz
Q1
Q0
相对于AGND
1.210
-0.6
22
1.235
0
30
100
±125
1.0
V
1.185
10.0
1.240
11.5
V
A
A
μA / V
mV
兆赫
PWM比较器
700
800
900
mV
5
www.national.com
LM3421 , LM3423 N通道控制器,恒流LED驱动器
2009年1月26日
LM3421 , LM3423
N通道控制器,恒流LED驱动器
概述
该LM3421 / LM3423器件是通用高压LED
驱动控制器。有能力在一个被构造
降压,升压,降压 - 升压(反激式) ,或SEPIC拓扑结构,并
的75V输入工作电压额定值,这些控制器
非常适合在一个非常多元化的,大家族的照明LED
应用程序。
可调式高边电流检测用一个典型的检测电压
100mV的年龄使得LED电流的调节紧张
以最高的效率成为可能。 LED输出电流稳压
ulation是基于峰值电流模式控制与预测
断时间控制。这种控制方法简化了的设计
环路补偿,同时提供固有的输入电压
前馈补偿。
该LM3421 / LM3423包括一个高压启动稳压器
该工作在4.5V至75V的宽输入范围。该
内部PWM控制器是专为可调开关
达的2.0MHz的频率,从而使紧凑的解决
系统蒸发散。其他功能还包括: “零”电流停机,
精密基准源,适用于逻辑兼容DIM输入
快速PWM调光,逐周期电流限制及热
关机。
该LM3423还包括一个LED输出状态标志,故障
标记,可编程故障定时器和一个逻辑输入选择
调光输出驱动器的极性。
特点
V
IN
范围为4.5V至75V
2%的内部基准电压( 1.235V )
电流检测电压从20mV可调
高边电流检测
2
MOSFET栅极驱动器
调光MOSFET栅极驱动器
输入欠压保护
过电压保护
低关断电流,I
Q
& LT ; 1μA
快速( 50kHz的) PWM调光
逐周期电流限制
可编程开关频率
LED输出状态标志( LM3423只)
故障定时器引脚( LM3423只)
TSSOP EP 16引脚封装( LM3421 )
TSSOP EP 20引脚封装( LM3423 )
应用
LED驱动器
恒流降压 - 升压型稳压器
恒流升压稳压器
恒流反激式稳压器
恒流SEPIC稳压器
热电冷却器(珀尔帖)驱动程序
典型应用电路
30067331
升压LED驱动器
2009美国国家半导体公司
300673
www.national.com
LM3421 , LM3423
连接图
顶视图
顶视图
30067304
16引脚TSSOP EP
NS包装数MXA16A
30067366
20引脚TSSOP EP
NS包装数MXA20A
订购信息
订单号
LM3421MH
LM3421MHX
LM3423MH
LM3423MHX
规格。
NOPB
NOPB
NOPB
NOPB
套餐类型
TSSOP- 16 EP
TSSOP- 16 EP
TSSOP- 20 EP
TSSOP- 20 EP
NSC封装
制图
MXA16A
MXA16A
MXA20A
MXA20A
92单位,铁
2500单位,磁带和卷轴
73单位,铁
2500单位,磁带和卷轴
供货方式
引脚说明
LM3423
1
2
3
4
LM3421
1
2
3
4
名字
V
IN
EN
COMP
CSH
功能
电源输入( 4.5V - 75V ) 。旁路与100nF的电容到AGND尽可能靠近器件
尽可能在电路板布局。
启用:拉至地面零电流关断。直接绑到V
IN
为自动启动在
4.1V.
补偿: PWM控制器误差放大器补偿引脚。该引脚连接至
一个串联电阻电容网络AGND 。
电流检测高:高侧检测放大器的输出和输入的主要调控
环路误差放大器。
电阻电容时机:外部RC网络设置预测“截止时间” ,因此,
开关频率。 RC网络应尽可能靠近器件尽可能在
电路板布局。
模拟接地:正确的地方连接补偿和定时电容的回报。
该管脚应通过所述电路板被连接到PGND引脚通过对EP铜
电路板的焊盘。
过压保护检测输入端:带有滞后1.24V阈值是用户
由OVP过电压锁定在对选择可编程( OVLO )电阻分压器
网络。
不DIM输入:双功能引脚。主要用作脉冲宽度调制(PWM)输入端。
当与从V的电阻分压器驱动
IN
这个引脚也可以作为一个用户可编程的
V
IN
欠压锁定( UVLO)由1.24V阈值和可编程迟滞
在UVLO电阻分压器网络。在PWM功能和欠压保护功能不能被执行
同时。
故障标志:这是一个N沟道MOSFET的漏极开路输出。 FLT引脚转换到
高(开放)的状态,一旦故障定时器超时和锁控制器关闭。
5
5
RCT
6
6
AGND
7
7
OVP
8
8
NDIM
9
-
FLT
www.national.com
2
LM3421 , LM3423
LM3423
10
LM3421
-
名字
TIMR
功能
故障定时器:定时器故障是由一个外部电容器,内部的充电电流
源,内部放电N沟道MOSFET和一个比较器,它锁存该故障
阈值电压( 1.24V )被超过时的状态。
LED就绪状态标志:这是一个N沟道MOSFET的漏极开路输出,拉低
只要LED电流不在规定。
暗淡的极性:选择在DIM驱动器输出的极性。绑到V
CC
或离开开低
侧调光,配合以地面为高压侧调光。
外部调光MOSFET栅极驱动栅极驱动器输出响应NDIM输入。
电源接地: GATE和DDRV栅极驱动接地电流返回引脚。该引脚应
经由电路板连接到通过对EP铜电路板的焊盘AGND引脚。
主开关MOSFET栅极驱动输出。
内部稳压器旁路: 6.9V低压差线性稳压器的输出。绕过了2.2μF-
3.3μF的陶瓷电容型到PGND 。
主开关电流检测输入:此引脚用于电流模式控制和逐周期
电流限制。此引脚可连接到主N沟道MOSFET开关的漏极对
R
DS ( ON)
感测或拴安装在同一个装置的源中的一个检测电阻器。
电阻下拉:这是用于漏极开路N沟道MOSFET上拉下来
所有的外部电阻分压器低压侧(V
IN
UVLO , OVP ) 。该引脚允许系统“零
目前“停机。
高压侧检测阳性: LED电流检测正输入。一个外部电阻设定
参考电流流入该引脚的编程高端检测电压。虽然
电流进入该管脚可被设置为值从10μA至1mA时, 100μA的范围内的值
值得推荐。该管脚为虚拟接地,其电位由电压上的HSN的设置
引脚。
高压侧检测阴性:该引脚设置参考电压输入HSP 。外部
相同的值,关于HSP引脚使用的电阻应该从这个引脚连接
电流检测电阻的负面影响。
EP :星形接地,连接AGND和PGND 。对于散热方面的考虑,请参考
电气特性表(注4 ) 。
11
12
13
14
15
16
-
-
9
10
11
12
LRDY
DPOL
DDRV
保护地
V
CC
17
13
IS
18
14
RPD
19
15
HSP
20
16
HSN
EP ( 21 )
EP ( 17 )
EP
3
www.national.com
LM3421 , LM3423
绝对最大额定值
(注1,2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, EN , RPD , NDIM
-0.3V至76.0V
-1mA连续
OVP , HSP , HSN , LRDY , FLT ,
-0.3V至76.0V
DPOL
-100μA连续
RCT
-0.3V至76.0V
-1mA到+ 5毫安连续
IS
-0.3V至76.0V
-2V为100ns的
-1mA连续
V
CC
-0.3V至8.0V
TIMR
-0.3V至7.0V
-100μA至+ 100μA
连续
COMP , CSH
-0.3V至6.0V
-200μA至+ 200μA
连续
GATE , DDRV
-0.3V到V
CC
-2.5V为100ns的
V
CC
+ 2.5V为100ns的
-1mA到+ 1毫安连续
保护地
最大结
温度(内部
有限)
存储温度范围
最大的铅温度
(焊接) (注5 )
连续功率耗散
(注4 )
ESD敏感性
(注6 )
人体模型
机器型号
充电器型号
-0.3V至0.3V
-2.5V至2.5V为100ns的
165°C
-65 ° C至+ 150°C
300°C
内部限制
2kV
200V
500V
(注1,2 )
-40 ° C至+ 150°C
4.5V至75V
工作条件
工作结
温度范围(注7 )
输入电压V
IN
电气特性
(注2 )
规格标准型面为T
J
= 25℃,那些
黑体字
适用于整个
工作温度
范围
( T
J
= -40 ° C至+ 125°C ) 。最小和最大极限值通过测试,设计或统计数据得以保证。典型
值代表最可能的参数指标在T
J
= + 25 ° C,并提供仅供参考。除非另有
声明如下条件适用: V
IN
= +14V.
符号
V
CCREG
I
CCLIM
I
Q
I
SD
V
CC
供应
V
CCUV
V
CCHYS
EN
ST
EN
STHYS
R
EN
V
CC
UVLO阈值
V
CC
UVLO迟滞
EN启动阈值
EN启动迟滞
EN下拉电阻
CSH高故障
EN \u003c 1V
CSH增加
0.45
EN增加
EN下降
0.80
V
CC
增加
V
CC
减少
EN阈值
1.75
1.63
0.1
0.82
1.6
1.0
V
1.30
M
2.40
V
3.70
4.17
4.08
0.1
4.50
V
参数
V
CC
V
CC
电流限制
静态电流
关断电流
条件
I
CC
= 0毫安
V
CC
= 0V
EN = 3.0V ,静态
EN = 0V
(注7 )
典型值
(注8)
最大
(注7 )
6.30
20
6.90
25
2
0.1
3
1.0
7.35
单位
V
mA
A
启动稳压器
CSH门槛值
在LRDY CSH CSH低增长状况
销( LM3423只)
OV阈值从
OVP
CB
OVP
HYS
OVP OVLO门槛
OVP滞后来源
当前
OVP增加
OVP活跃(高)
1.185
20
1.240
23
1.285
25
V
A
DPOL门槛值
DPOL
THRESH
DPOL逻辑阈值
DPOL增加
2.0
2.3
2.6
V
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4
LM3421 , LM3423
符号
R
DPOL
V
FLTTH
I
FLT
V
REF
故障定时器
参数
DPOL上拉电阻
故障阈值
FAULT引脚源电流
CSH参考电压
误差放大器输入偏置
当前
COMP吸入/源出电流
线性输入范围
(注9 )
条件
(注7 )
典型值
(注8)
最大
(注7 )
500
1.185
10
1.240
11.5
1.235
0
30
100
±125
0.5
1.0
1200
1.285
13
1.260
0.6
35
单位
K
V
A
V
A
μA / V
mV
兆赫
误差放大器器
相对于AGND
1.210
-0.6
22
跨导带宽-6dB卸载响应
(注9 )
关闭计时器
最小关断时间
R
RCT
V
RCT
f
RCT复位下拉
阻力
V
IN
/ 25参考电压
连续导通
开关频率
COMP到PWM偏移
电流限制( IS )
I
LIM
电流限制阈值
I
LIM
延迟输出
前沿消隐时间
高压侧跨导放大器
输入偏置电流
输入失调电流
输入失调电压
跨导带宽I
CSH
= 100A
(注9 )
栅极驱动器( GATE )
R
SRC ( GATE )
R
SNK ( GATE )
NDIM
VTH
NDIM
HYS
R
SRC ( DDRV )
R
SNK ( DDRV )
R
RPD
R
FLT
R
LRDY
T
SD
T
HYS
GATE采购阻力
GATE下沉阻力
NDIM / UVLO门限
NDIM滞环电流
DDRV采购电阻
DDRV下沉阻力
RPD下拉电阻
FLT下拉电阻
LRDY下拉电阻
热关断阈值
热关断迟滞
DDRV =高
DDRV =低
GATE =高
GATE =低
V
IN
= 14V
2.2nF >
T
> 470pF的
RCT = 1V至1kΩ的
35
36
540
565
25/(C
T
R
T
)
75
120
585
ns
mV
Hz
PWM比较器
700
215
115
800
245
35
210
11.5
20
-1.5
-7
250
119
0
0
500
1.5
7
900
275
75
325
mV
mV
ns
A
毫安/ V
A
mV
千赫
2.0
1.3
1.185
20
1.240
23
13.5
3.5
145
145
135
165
25
6.0
4.5
1.285
25
30.0
10.0
300
300
300
DIM驱动程序( DIM , DDRV )
V
A
下拉N沟道MOSFET
热关断
°C
热阻
5
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