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LM339四电压比较器
四路电压比较器
这些比较器被设计用于在电平检测,低液位传感和存储器使用
应用在消费汽车和工业电子应用。
特点
l
l
l
l
l
l
l
管脚配置
14 DIP
LM339CD
单电源或双电源
低输入偏置电流 - 25nA (典型值)
低输入失调电压 - + 1.0mV (典型值)
低输入偏移电流 - + 5.0nA (典型值)
输入共模电压范围为GND
输出兼容TTL , MOS管,
14 SOP
LM339CS
和CMOS
低输出饱和电压 - 130mV (典型值)
@ 4.0毫安
绝对最大额定值
电源电压
输入差分电压范围
输入共模电压范围
输出短路到地
功耗@ 25
o
C
减免上述25
o
C
工作环境温度范围
存储温度范围
符号
V
CC
V
IDR
V
ICR
I
SC
P
D
T
A
T
S
等级
+36或+18
36
-0.3至+36
连续
1.0
8.0
0到70
-65到150
单位
V
V
V
mA
W
毫瓦/
o
C
o
o
C
C
注: 1。最大。输出电流可以高达20毫安,独立Ⅴ的大小的
CC
,输出短路电路
V
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
2.如果引线被驱动比接地或负更负时才会发生的输入电流的这种大小
电源电压。这是由于在输入的PNP集电极基极结becooming正向偏置时,作为一个输入
钳位二极管。还有一个横向PNP寄生晶体管作用可引起的输出电压的
比较去到V
CC
的时间期间的输入信号被驱动的电压电平(或地面如果超速大)
消极的。这不会破坏设备时,仅限于最高评级,正常输出状态会恢复
当输入变为>地面或负电源。
3.输出开关点,V
O
=
1.4伏,R
S
= 100
随着V
CC
从5.0伏到30伏,并且在整个输入
共模范围( 0V至V
CC
= –1.5V).
4.由于PNP晶体管输入,偏置电流将流出的输入端。此电流基本上是恒定的,
独立的输出状态的,因此,无负荷的变化会存在在输入线。
5.响应时间指定了一个100mV的步骤和超速5.0mV 。对于较大的信号, 300ns的典型。
输入电压6.正偏移可能超过电源电平。只要输入之一保持在
共模范围,比较器将提供适当的输出状态。
5-3
LM339四电压比较器
电气特性
V
CC
= 5.0VDC , 0
o
<牛逼
A
& LT ; 25
o
℃(除非另有说明)
符号
输入失调电压( 3 )
V
IO
o
T
A
= 25 C
T
A
= 0
o
C至70
o
C
输入偏置电流( 3,4 )
I
IB
o
T
A
= 25 C
T
A
= 0
o
C至70
o
C
输入失调电流( 3 )
I
IO
o
T
A
= 25 C
T
A
= 0
o
C至70
o
C
输入共模电压范围( 6 )
V
ICR
o
T
A
= 25 C
T
A
= 0
o
C至70
o
C
电源电流
I
CC
o
R
L
= , T
A
= 25 C
R
L
= , V
CC
= 30V直流
电压增益
A
VOL
R
L
> 15K ,V
CC
± 15 VDC
大信号响应时间
---
V1 = TTL逻辑摆幅。
VREF = 1.4伏
VRL = 5.0伏, RL = 5.1K
响应时间( 6)
t
TLH
VRL = 5.0伏, RL = 5.1K
输出灌电流
I
SINK
V1 ( - ) > 1.0伏, V1 ( + ) = 0伏
VO < 1.5伏
饱和电压
V
SAT
V1 ( - ) > 1.0伏, V1 ( + ) = 0伏
I
SINK
< 4.0毫安,T
A
= 25
o
C
0
o
<牛逼
A
< 70
o
C
输出漏电流
I
OL
V1 ( - ) = 0伏, V1 ( + ) > 1.0伏
VO = 5.0伏,T
A
= 25
o
C
V1 ( - ) = 0伏, V1 ( + ) > 1.0伏
VO = 30伏, 0
o
<牛逼
A
< 70
o
C
输入差分电压(6)
V
ID
所有的输入电压> GND或V电源
0
o
<牛逼
A
< 70
o
C
8
8
---
---
---
---
---
---
0
0
---
---
---
---
典型值
+2.0
---
25
---
+50
---
---
---
0.8
---
200
300
最大
+5.0
+9.0
单位
mV
nA
250
400
nA
+50
+150
V
V
CC
-1.5
V
CC
-2.0
mA
2.0
---
---
---
V / MV
ns
---
6.0
13
16
---
---
s
mA
mV
---
---
---
---
---
130
---
0.1
---
---
400
700
nA
---
1000
V
CC
V
5-4
LM339四电压比较器
电路原理图
(图中所示为1比较)
归一化输入
失调电压
输入偏置电流( NA)
失调电压(伏特)
输入偏置电流
环境温度(
o
C)
电源电压( VDC )
输出电流(mA )
输出饱和电压(MV )
5-5
LM339四电压比较器
应用信息
这些双比较器具有高增益,宽频带特性。这使器件振荡倾向,如果
输出被电容耦合到经由寄生电容的输入端。这种振荡输出过程中表现出来
转换(V
OL
到V
OH
) 。为了减轻这种情况,输入电阻<10 kΩ的应该被使用。
也建议加入正反馈( < 10毫伏) 。这是很好的设计实践对地所有未使用的引脚。
差分输入电压可能比电源电压大而不损坏比较器的输入端。电压更
负大于0.3 V ,不应使用。
过零检测器
(单电源)
过零检测器
(分离电源)
方波振荡器
驱动逻辑
反相比较器迟滞
非反相比较器迟滞
LM339四电压比较器
四路电压比较器
这些比较器被设计用于在电平检测,低液位传感和存储器使用
应用在消费汽车和工业电子应用。
特点
l
l
l
l
l
l
l
管脚配置
14 DIP
LM339CD
单电源或双电源
低输入偏置电流 - 25nA (典型值)
低输入失调电压 - + 1.0mV (典型值)
低输入偏移电流 - + 5.0nA (典型值)
输入共模电压范围为GND
输出兼容TTL , MOS管,
14 SOP
LM339CS
和CMOS
低输出饱和电压 - 130mV (典型值)
@ 4.0毫安
绝对最大额定值
电源电压
输入差分电压范围
输入共模电压范围
输出短路到地
功耗@ 25
o
C
减免上述25
o
C
工作环境温度范围
存储温度范围
符号
V
CC
V
IDR
V
ICR
I
SC
P
D
T
A
T
S
等级
+36或+18
36
-0.3至+36
连续
1.0
8.0
0到70
-65到150
单位
V
V
V
mA
W
毫瓦/
o
C
o
o
C
C
注: 1。最大。输出电流可以高达20毫安,独立Ⅴ的大小的
CC
,输出短路电路
V
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
2.如果引线被驱动比接地或负更负时才会发生的输入电流的这种大小
电源电压。这是由于在输入的PNP集电极基极结becooming正向偏置时,作为一个输入
钳位二极管。还有一个横向PNP寄生晶体管作用可引起的输出电压的
比较去到V
CC
的时间期间的输入信号被驱动的电压电平(或地面如果超速大)
消极的。这不会破坏设备时,仅限于最高评级,正常输出状态会恢复
当输入变为>地面或负电源。
3.输出开关点,V
O
=
1.4伏,R
S
= 100
随着V
CC
从5.0伏到30伏,并且在整个输入
共模范围( 0V至V
CC
= –1.5V).
4.由于PNP晶体管输入,偏置电流将流出的输入端。此电流基本上是恒定的,
独立的输出状态的,因此,无负荷的变化会存在在输入线。
5.响应时间指定了一个100mV的步骤和超速5.0mV 。对于较大的信号, 300ns的典型。
输入电压6.正偏移可能超过电源电平。只要输入之一保持在
共模范围,比较器将提供适当的输出状态。
5-3
LM339四电压比较器
电气特性
V
CC
= 5.0VDC , 0
o
<牛逼
A
& LT ; 25
o
℃(除非另有说明)
符号
输入失调电压( 3 )
V
IO
o
T
A
= 25 C
T
A
= 0
o
C至70
o
C
输入偏置电流( 3,4 )
I
IB
o
T
A
= 25 C
T
A
= 0
o
C至70
o
C
输入失调电流( 3 )
I
IO
o
T
A
= 25 C
T
A
= 0
o
C至70
o
C
输入共模电压范围( 6 )
V
ICR
o
T
A
= 25 C
T
A
= 0
o
C至70
o
C
电源电流
I
CC
o
R
L
= , T
A
= 25 C
R
L
= , V
CC
= 30V直流
电压增益
A
VOL
R
L
> 15K ,V
CC
± 15 VDC
大信号响应时间
---
V1 = TTL逻辑摆幅。
VREF = 1.4伏
VRL = 5.0伏, RL = 5.1K
响应时间( 6)
t
TLH
VRL = 5.0伏, RL = 5.1K
输出灌电流
I
SINK
V1 ( - ) > 1.0伏, V1 ( + ) = 0伏
VO < 1.5伏
饱和电压
V
SAT
V1 ( - ) > 1.0伏, V1 ( + ) = 0伏
I
SINK
< 4.0毫安,T
A
= 25
o
C
0
o
<牛逼
A
< 70
o
C
输出漏电流
I
OL
V1 ( - ) = 0伏, V1 ( + ) > 1.0伏
VO = 5.0伏,T
A
= 25
o
C
V1 ( - ) = 0伏, V1 ( + ) > 1.0伏
VO = 30伏, 0
o
<牛逼
A
< 70
o
C
输入差分电压(6)
V
ID
所有的输入电压> GND或V电源
0
o
<牛逼
A
< 70
o
C
8
8
---
---
---
---
---
---
0
0
---
---
---
---
典型值
+2.0
---
25
---
+50
---
---
---
0.8
---
200
300
最大
+5.0
+9.0
单位
mV
nA
250
400
nA
+50
+150
V
V
CC
-1.5
V
CC
-2.0
mA
2.0
---
---
---
V / MV
ns
---
6.0
13
16
---
---
s
mA
mV
---
---
---
---
---
130
---
0.1
---
---
400
700
nA
---
1000
V
CC
V
5-4
LM339四电压比较器
电路原理图
(图中所示为1比较)
归一化输入
失调电压
输入偏置电流( NA)
失调电压(伏特)
输入偏置电流
环境温度(
o
C)
电源电压( VDC )
输出电流(mA )
输出饱和电压(MV )
5-5
LM339四电压比较器
应用信息
这些双比较器具有高增益,宽频带特性。这使器件振荡倾向,如果
输出被电容耦合到经由寄生电容的输入端。这种振荡输出过程中表现出来
转换(V
OL
到V
OH
) 。为了减轻这种情况,输入电阻<10 kΩ的应该被使用。
也建议加入正反馈( < 10毫伏) 。这是很好的设计实践对地所有未使用的引脚。
差分输入电压可能比电源电压大而不损坏比较器的输入端。电压更
负大于0.3 V ,不应使用。
过零检测器
(单电源)
过零检测器
(分离电源)
方波振荡器
驱动逻辑
反相比较器迟滞
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