LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0 5.0V参考二极管
1999年6月
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
5.0V参考二极管
概述
该LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0集成电路是
高精度5.0V并联稳压二极管。这些单片IC
基准电压源作为一个低温度系数
5.0V稳压用0.6Ω的动态阻抗。第三终端
在LM136-5.0允许参考电压和温度
TURE系数可以很容易地修整。
该LM136-5.0系列是作为精密5.0V低电压有用
数字电压表，电源或运算的参考年龄
功放电路。在5.0V上，便于获得一
从低电压电源稳定的参考。另外，由于
该LM136-5.0操作为并联稳压器，它可以用来
无论是作为正的或负的参考电压。
该LM136-5.0的额定工作在-55℃ + 125℃
而LM236-5.0的额定过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。该LM336-5.0的额定工作过
0°C至+ 70°C温度范围。见连接图
克可用的软件包。对于需要应用
2.5V见LM136-2.5 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
可调4V至6V
低温COEF网络cient
600 μA宽工作电流10 mA的
0.6Ω的动态阻抗
±
1 ％的初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
三铅晶体管封装
连接图
TO-92
塑料包装
DS005716-4
底部视图
订单号LM236AZ - 5.0 ， LM336Z - 5.0或LM336BZ - 5.0
见NS包装数Z03A
TO-46
金属罐包装
DS005716-5
底部视图
订单编号LM136H - 5.0 ，
LM136H - 5.0 / 883 ， LM236H - 5.0 ，
LM136AH - 5.0 ， LM136AH - 5.0 / 883 ，
或LM236AH - 5.0
见NS包装数H03H
1999美国国家半导体公司
DS005716
www.national.com
连接图
（续）
SO封装
DS005716-7
订单号LM336M - 5.0或LM336BM - 5.0
见NS包装数M08A
典型应用
5.0V参考
以最小的5.0V参考
温度COEF网络cient
修剪4V至6V参考
与温度系数
独立的击穿电压
DS005716-1
DS005716-3
*不影响温度系数
DS005716-15
调整到5.00V
*任何硅信号二极管
www.national.com
2
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
工作温度范围（注2 ）
LM136-5.0
LM236-5.0
15mA
10mA
-60℃到+ 150°C
-55 ° C至+ 150°C
-25 ° C至+ 85°C
LM336-5.0
0 ° C至+ 70°C
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
260C
TO-46封装（ 10秒）
300C
SO封装
气相（ 60秒）
215C
红外（15秒）。
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
产品可靠性“ （附录D）对可焊等方法
ING表面贴装器件。
电气特性
（注3）
LM136A-5.0/LM236A-5.0
参数
反向击穿电压
条件
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
温度稳定性
（注4 ）
LM136A - 5.0 / LM236A - 5.0 ， LM336B - 5.0
T
A
= 25C,
600 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安， F = 100赫兹
V
R
调整后的5.00V
I
R
= 1毫安（图
2)
0C≤T
A
≤70C
(LM336-5.0)
25C≤T
A
≤+85C
(LM236-5.0)
55C≤T
A
≤+125C
(LM136-5.0)
反向击穿变化
与当前
调整范围
反向动态阻抗
长期稳定性
电路
图1
I
R
= 1毫安
T
A
= 25C
±
0.1C ，我
R
= 1毫安， T = 1000小时
600 μA≤I
R
≤10
mA
7
20
6
18
36
17
6
24
4
12
mV
mV
mV
mV
V
2.5
PPM
4.9
4.95
5.00
5.00
6
0.6
5.1
5.05
12
1.2
4.8
4.90
5.00
5.00
6
0.6
5.2
5.1
20
2
V
V
mV
LM136-5.0/LM236-5.0
民
典型值
最大
LM336B-5.0
LM336-5.0
民
典型值
最大
单位
±
1
0.8
20
1.6
±
1
0.8
20
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
max是：
LM136
150C
LM236
LM336
125C
100C
热阻
θ
ja
（结到环境）
TO-92
180C / W（ 0.4"线索）
170℃ / W （ 0.125"
导致）
TO-46
440C/W
SO-8
165C/W
θ
ja
（结点到外壳）
不适用
80C/W
不适用
注3 ：
除非另有规定， LM136-5.0从-55C≤T指定
A
≤+125C,
从-25C≤T的LM236-5.0
A
≤+85C
并从LM336-5.0
0C≤T
A
≤+70C.
注4 ：
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限，保证（但不是100 ％ ％的生产测试）在
所指示的温度和电源电压的范围内。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在最大充电
V
REF
从25℃至T
A
（分钟）或T
A
（最大值）。
3
www.national.com
典型性能特性
反向电压变化
齐纳电压噪声
动态阻抗
DS005716-17
DS005716-18
DS005716-19
响应时间
反向特性
DS005716-20
DS005716-21
温度漂移
正向特性
DS005716-22
DS005716-23
应用提示
该LM136-5.0系列电压基准更容易
使用比普通的齐纳二极管。它们的低阻抗和
宽工作电流范围可简化偏置在几乎任何
电路。此外，无论是击穿电压或温度
TURE系数可以调节，以优化电路perfor-
曼斯。
如果最低温度系数是理想的，四个二极管
可以串联附加了调整电位为
所示
图2中。
当该装置被调节到5.00V的
温度系数最小化。几乎所有的硅显
纳尔二极管可以被用于此目的，如1N914 ，
1N4148或1N457 。对于适当的温度补偿
二极管应该在相同的热环境如
该LM136-5.0 。它通常足以装入二极管
邻近于所述印刷电路板的LM136-5.0 。该abso-
网络琵琶阻力不是关键的，任何数值
从2K到20K将工作。由于广泛的调整
范围，固定电阻器应串联连接的
锅使锅内的设置不太重要。
图1
显示了一个10K的电位为LM136-5.0
调节的反向击穿电压。通过加入
R1的击穿电压可以在不影响─调整
荷兰国际集团的器件的温度系数。调整
范围通常是足够的，以调整为初始设备
容忍和缓冲电路的误差。
www.national.com
4
LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0 5.0V参考二极管
2003年9月
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
5.0V参考二极管
概述
该LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0集成电路是
高精度5.0V并联稳压二极管。这些单片IC
基准电压源作为一个低温度系数
5.0V稳压用0.6Ω的动态阻抗。第三终端
在LM136-5.0允许参考电压和温度
TURE系数可以很容易地修整。
该LM136-5.0系列是作为精密5.0V低有用
数字电压表，电源或运算基准电压源
功放电路。在5.0V上，便于获得一
从低电压电源稳定的参考。另外，由于
该LM136-5.0操作为并联稳压器，它可以用来
无论是作为正的或负的参考电压。
该LM136-5.0的额定工作在-55℃ + 125℃
而LM236-5.0的额定过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。该LM336-5.0的额定工作过
0°C至+ 70°C温度范围。见连接图
克可用的软件包。对于需要应用
2.5V见LM136-2.5 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
可调4V至6V
低温COEF网络cient
600 μA宽工作电流10 mA的
0.6Ω的动态阻抗
±
1 ％的初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
三铅晶体管封装
连接图
TO-92
塑料包装
SO封装
00571604
底部视图
订单号LM336Z - 5.0或LM336BZ - 5.0
见NS包装数Z03A
TO-46
金属罐包装
00571607
订单号LM336M - 5.0或LM336BM - 5.0
见NS包装数M08A
00571605
底部视图
订单编号LM136H - 5.0 ，
LM136H - 5.0 / 883 ， LM236H - 5.0 ，
LM136AH - 5.0 ， LM136AH - 5.0 / 883 ，
或LM236AH - 5.0
见NS包装数H03H
2003美国国家半导体公司
DS005716
www.national.com
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型应用
5.0V参考
修剪4V至6V参考
与温度系数
独立的击穿电压
00571601
以最小的5.0V参考
温度COEF网络cient
*不影响温度系数
00571603
00571615
调整到5.00V
*任何硅信号二极管
www.national.com
2
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
绝对最大额定值
（注1 ）
LM336-5.0
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
TO-46封装（ 10秒）
SO封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
0 ° C至+ 70°C
260C
300C
215C
220C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
工作温度范围（注2 ）
LM136-5.0
LM236-5.0
-55 ° C至+ 150°C
-25 ° C至+ 85°C
15mA
10mA
-60℃到+ 150°C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
产品可靠性“ （附录D ）为溶胶其他方法
dering表面贴装器件。
电气特性
（注3）
LM136A-5.0/LM236A-5.0
参数
反向击穿电压
条件
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
LM136A - 5.0 / LM236A - 5.0 ， LM336B - 5.0
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
温度稳定性
（注4 ）
T
A
=25C,
600 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安， F = 100赫兹
V
R
调整后的5.00V
I
R
= 1毫安（图
2)
0C≤T
A
≤70C
(LM336-5.0)
25C≤T
A
≤+85C
(LM236-5.0)
55C≤T
A
≤+125C
(LM136-5.0)
反向击穿变化
与当前
调整范围
反向动态阻抗
长期稳定性
电路
图1
I
R
= 1毫安
T
A
=25C
±
0.1C ，我
R
= 1毫安， T = 1000小时
600 μA≤I
R
≤10
mA
7
20
6
18
36
17
6
24
4
12
mV
mV
mV
mV
V
2.5
PPM
0.6
1.2
0.6
2
4.9
4.95
5.00
5.00
6
5.1
5.05
12
4.8
4.90
5.00
5.00
6
5.2
5.1
20
V
V
mV
LM136-5.0/LM236-5.0
民
典型值
最大
LM336B-5.0
LM336-5.0
民
典型值
最大
单位
±
1
0.8
20
1.6
±
1
0.8
20
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
max是：
LM136
150C
LM236
LM336
125C
100C
热阻
θ
ja
（结到环境）
TO-92
180C / W（ 0.4"线索）
170℃ / W （ 0.125"
导致）
TO-46
SO-8
440 ° C / W 165 ° C / W
θ
ja
（结点到外壳）
不适用
80C/W
不适用
注3 ：
除非另有规定， LM136-5.0从-55C≤T指定
A
≤+125C,
从-25C≤T的LM236-5.0
A
≤+85C
并从LM336-5.0
0C≤T
A
≤+70C.
注4 ：
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限，保证（但不是100 ％ ％的生产测试）在
所指示的温度和电源电压的范围内。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在最大充电
V
REF
从25℃至T
A
（分钟）或T
A
（最大值）。
3
www.national.com
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型性能特性
反向电压变化
齐纳电压噪声
00571617
00571618
动态阻抗
响应时间
00571619
00571620
反向特性
温度漂移
00571621
00571622
www.national.com
4
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型性能特性
正向特性
（续）
00571623
应用提示
该LM136-5.0系列电压基准更容易
使用比普通的齐纳二极管。它们的低阻抗和
宽工作电流范围可简化偏置在几乎任何
电路。此外，无论是击穿电压或温度
TURE系数可以调节，以优化电路perfor-
曼斯。
图1
显示了一个10K的电位为LM136-5.0
调节的反向击穿电压。通过加入
R1的击穿电压可以在不影响─调整
荷兰国际集团的器件的温度系数。调整
范围通常是足够的，以调整为初始设备
容忍和缓冲电路的误差。
如果最低温度系数是理想的，四个二极管
可以串联附加了调整电位为
所示
图2中。
当该装置被调节到5.00V的
温度系数最小化。几乎所有的硅显
纳尔二极管可以被用于此目的，如1N914 ，
1N4148或1N457 。对于适当的温度补偿
二极管应该在相同的热环境如
该LM136-5.0 。它通常足以装入二极管
邻近于所述印刷电路板的LM136-5.0 。该abso-
网络琵琶阻力不是关键的，任何数值
从2K到20K将工作。由于广泛的调整
范围，固定电阻器应串联连接的
锅使锅内的设置不太重要。
00571610
图2.温度系数调整
（调整范围=
±
0.5V典型）
00571609
图1. LM136-5.0与锅的调整
击穿电压（调整范围=
±
1.0V典型）
5
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LM136-5.0 ， LM236-5.0 ， LM336-5.0
www.ti.com
SNVS750D - 1999年6月 - 修订2013年3月
LM136-5.0 ， LM236-5.0 ， LM336-5.0 5.0V参考二极管
检查样品：
LM136-5.0 ， LM236-5.0 ， LM336-5.0
1
特点
可调4V至6V
低温COEF网络cient
600宽工作电流
μA
10 mA的
0.6Ω的动态阻抗
± 1％的初始容差可用
指定的温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
三铅晶体管封装
描述
该LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0综合
电路是精密5.0V并联稳压二极管。
这些单片IC参考电压作为一个
低温度系数5.0V稳压用0.6Ω
动态阻抗。在LM136-第三终端
5.0允许参考电压和温度
系数可以很容易地修整。
该LM136-5.0系列是作为精密5.0V有用
数字电压表的低电压基准，电源
耗材或运算放大器电路。在5.0V使
方便地获得从低稳定的参考
电源电压。另外，由于LM136-5.0
作为一个分流调节器，它可以用作
无论是正或负的参考电压。
该LM136-5.0的额定工作
55°C
to
+ 125°C ，而LM236-5.0的额定过
25°C
to
+ 85 °C温度范围。该LM336-5.0的额定
工作在0° C至+ 70 °C温度范围。
见
连接图
可用的软件包。
对于需要2.5V见LM136-2.5应用。
2
连接图
图1. TO- 92塑料包装
（底视图）
图2.对金属罐包装
（底视图）
图3. SOIC封装
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM136-5.0 ， LM236-5.0 ， LM336-5.0
SNVS750D - 1999年6月 - 修订2013年3月
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典型应用
图4. 5.0V参考
调整到5.00V
*任何硅信号二极管
用最小图5. 5.0V参考
温度COEF网络cient
*不影响温度系数
图6.修剪4V至6V参考
与温度系数
独立的击穿电压
2
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版权所有 1999年至2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
LM136-5.0 LM236-5.0 LM336-5.0
LM136-5.0 ， LM236-5.0 ， LM336-5.0
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SNVS750D - 1999年6月 - 修订2013年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
反向电流
正向电流
储存温度
工作温度范围
LM136-5.0
LM236-5.0
LM336-5.0
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
打包（ 10秒）
SOIC封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
(1)
(2)
(2)
(1)
15
10
60
+150
55
+150
25
+85
0至+70
260
300
215
220
mA
mA
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气规格不适用时，
经营超出其规定的工作条件下的设备。
对于高温下操作，T
j
最多见
热特性
热特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
LM136
LM236
LM336
热阻
θ
ja
（结到环境）
θ
ja
（结点到外壳）
TO-92
180℃ / W （ 0.4“引线）
170℃ / W （ 0.125“引线）
不适用
80°C/W
不适用
150°C
125°C
100°C
TO
440°C/W
SOIC-8
165°C/W
电气特性
LM136A-5.0/LM236A-5.0
参数
反向击穿
电压
条件
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
LM136A - 5.0 / LM236A - 5.0 ， LM336B - 5.0
反向击穿
变化
与当前
反向动态
阻抗
(2)
LM336B-5.0
LM336-5.0
民
典型值
最大
单位
LM136-5.0/LM236-5.0
民
典型值
最大
4.9
4.95
5.00
5.00
6
5.1
5.05
12
4.8
4.90
5.00
5.00
6
5.2
5.1
20
V
V
mV
T
A
=25°C,
600
（一）I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安， F = 100赫兹
0.6
1.2
0.6
2
Ω
温度稳定性V
R
调整后的5.00V
I
R
= 1毫安（图
15)
0°C≤T
A
≤70°C
(LM336-5.0)
(1)
(2)
4
12
mV
除非另有规定， LM136-5.0从指定
55°C≤T
A
≤+125°C,
从LM236-5.0
25°C≤T
A
≤+85°C
和LM336-
5.0从0° C≤T
A
≤+70°C.
通过设计特定的温度稳定性为LM336和LM236系列。设计的限制规定（但不是百分之100％
生产测试）在指定的温度和电源电压范围。这些限制不是用来计算即将离任的质量
的水平。稳定性定义为在V中的最大充电
REF
从25℃至T
A
（分钟）或T
A
（最大值）。
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电气特性（续）
(1)
LM136A-5.0/LM236A-5.0
参数
条件
25°C≤T
A
≤+85°C
(LM236-5.0)
55°C≤T
A
≤+125°C
(LM136-5.0)
反向击穿
变化
与当前
调整范围
反向动态
阻抗
长期稳定性
电路
图14
I
R
= 1毫安
T
A
= 25 ° C± 0.1 ° C，I
R
= 1毫安， T = 1000小时
±1
0.8
20
1.6
600
（一）I
R
≤10
mA
LM136-5.0/LM236-5.0
民
典型值
7
20
6
最大
18
36
17
民
LM336B-5.0
LM336-5.0
典型值
最大
mV
mV
6
24
mV
单位
±1
0.8
20
2.5
V
Ω
PPM
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典型性能特性
反向电压变化
齐纳电压噪声
图7 。
动态阻抗
网络连接gure 8 。
响应时间
图9 。
反向特性
网络连接gure 10 。
温度漂移
图11 。
图12 。
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