LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0 5.0V参考二极管
2003年9月
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
5.0V参考二极管
概述
该LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0集成电路是
高精度5.0V并联稳压二极管。这些单片IC
基准电压源作为一个低温度系数
5.0V稳压用0.6Ω的动态阻抗。第三终端
在LM136-5.0允许参考电压和温度
TURE系数可以很容易地修整。
该LM136-5.0系列是作为精密5.0V低有用
数字电压表,电源或运算基准电压源
功放电路。在5.0V上,便于获得一
从低电压电源稳定的参考。另外,由于
该LM136-5.0操作为并联稳压器,它可以用来
无论是作为正的或负的参考电压。
该LM136-5.0的额定工作在-55℃ + 125℃
而LM236-5.0的额定过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。该LM336-5.0的额定工作过
0°C至+ 70°C温度范围。见连接图
克可用的软件包。对于需要应用
2.5V见LM136-2.5 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
可调4V至6V
低温COEF网络cient
600 μA宽工作电流10 mA的
0.6Ω的动态阻抗
±
1 %的初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
三铅晶体管封装
连接图
TO-92
塑料包装
SO封装
00571604
底部视图
订单号LM336Z - 5.0或LM336BZ - 5.0
见NS包装数Z03A
TO-46
金属罐包装
00571607
订单号LM336M - 5.0或LM336BM - 5.0
见NS包装数M08A
00571605
底部视图
订单编号LM136H - 5.0 ,
LM136H - 5.0 / 883 , LM236H - 5.0 ,
LM136AH - 5.0 , LM136AH - 5.0 / 883 ,
或LM236AH - 5.0
见NS包装数H03H
2003美国国家半导体公司
DS005716
www.national.com
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型应用
5.0V参考
修剪4V至6V参考
与温度系数
独立的击穿电压
00571601
以最小的5.0V参考
温度COEF网络cient
*不影响温度系数
00571603
00571615
调整到5.00V
*任何硅信号二极管
www.national.com
2
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
绝对最大额定值
(注1 )
LM336-5.0
焊接信息
TO- 92封装( 10秒)
TO-46封装( 10秒)
SO封装
气相( 60秒)
红外(15秒)。
0 ° C至+ 70°C
260C
300C
215C
220C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
工作温度范围(注2 )
LM136-5.0
LM236-5.0
-55 ° C至+ 150°C
-25 ° C至+ 85°C
15mA
10mA
-60℃到+ 150°C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
产品可靠性“ (附录D )为溶胶其他方法
dering表面贴装器件。
电气特性
(注3)
LM136A-5.0/LM236A-5.0
参数
反向击穿电压
条件
T
A
= 25 ° C,I
R
= 1毫安
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
LM136A - 5.0 / LM236A - 5.0 , LM336B - 5.0
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
温度稳定性
(注4 )
T
A
=25C,
600 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C,I
R
= 1毫安, F = 100赫兹
V
R
调整后的5.00V
I
R
= 1毫安(图
2)
0C≤T
A
≤70C
(LM336-5.0)
25C≤T
A
≤+85C
(LM236-5.0)
55C≤T
A
≤+125C
(LM136-5.0)
反向击穿变化
与当前
调整范围
反向动态阻抗
长期稳定性
电路
图1
I
R
= 1毫安
T
A
=25C
±
0.1C ,我
R
= 1毫安, T = 1000小时
600 μA≤I
R
≤10
mA
7
20
6
18
36
17
6
24
4
12
mV
mV
mV
mV
V
2.5
PPM
0.6
1.2
0.6
2
4.9
4.95
5.00
5.00
6
5.1
5.05
12
4.8
4.90
5.00
5.00
6
5.2
5.1
20
V
V
mV
LM136-5.0/LM236-5.0
民
典型值
最大
LM336B-5.0
LM336-5.0
民
典型值
最大
单位
±
1
0.8
20
1.6
±
1
0.8
20
注1 :
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 :
对于高温下操作,T
j
max是:
LM136
150C
LM236
LM336
125C
100C
热阻
θ
ja
(结到环境)
TO-92
180C / W( 0.4"线索)
170℃ / W ( 0.125"
导致)
TO-46
SO-8
440 ° C / W 165 ° C / W
θ
ja
(结点到外壳)
不适用
80C/W
不适用
注3 :
除非另有规定, LM136-5.0从-55C≤T指定
A
≤+125C,
从-25C≤T的LM236-5.0
A
≤+85C
并从LM336-5.0
0C≤T
A
≤+70C.
注4 :
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限,保证(但不是100 % %的生产测试)在
所指示的温度和电源电压的范围内。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在最大充电
V
REF
从25℃至T
A
(分钟)或T
A
(最大值)。
3
www.national.com
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型性能特性
反向电压变化
齐纳电压噪声
00571617
00571618
动态阻抗
响应时间
00571619
00571620
反向特性
温度漂移
00571621
00571622
www.national.com
4
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型性能特性
正向特性
(续)
00571623
应用提示
该LM136-5.0系列电压基准更容易
使用比普通的齐纳二极管。它们的低阻抗和
宽工作电流范围可简化偏置在几乎任何
电路。此外,无论是击穿电压或温度
TURE系数可以调节,以优化电路perfor-
曼斯。
图1
显示了一个10K的电位为LM136-5.0
调节的反向击穿电压。通过加入
R1的击穿电压可以在不影响─调整
荷兰国际集团的器件的温度系数。调整
范围通常是足够的,以调整为初始设备
容忍和缓冲电路的误差。
如果最低温度系数是理想的,四个二极管
可以串联附加了调整电位为
所示
图2中。
当该装置被调节到5.00V的
温度系数最小化。几乎所有的硅显
纳尔二极管可以被用于此目的,如1N914 ,
1N4148或1N457 。对于适当的温度补偿
二极管应该在相同的热环境如
该LM136-5.0 。它通常足以装入二极管
邻近于所述印刷电路板的LM136-5.0 。该abso-
网络琵琶阻力不是关键的,任何数值
从2K到20K将工作。由于广泛的调整
范围,固定电阻器应串联连接的
锅使锅内的设置不太重要。
00571610
图2.温度系数调整
(调整范围=
±
0.5V典型)
00571609
图1. LM136-5.0与锅的调整
击穿电压(调整范围=
±
1.0V典型)
5
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LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0 5.0V参考二极管
2003年9月
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
5.0V参考二极管
概述
该LM136-5.0 / LM236-5.0 / LM336-5.0集成电路是
高精度5.0V并联稳压二极管。这些单片IC
基准电压源作为一个低温度系数
5.0V稳压用0.6Ω的动态阻抗。第三终端
在LM136-5.0允许参考电压和温度
TURE系数可以很容易地修整。
该LM136-5.0系列是作为精密5.0V低有用
数字电压表,电源或运算基准电压源
功放电路。在5.0V上,便于获得一
从低电压电源稳定的参考。另外,由于
该LM136-5.0操作为并联稳压器,它可以用来
无论是作为正的或负的参考电压。
该LM136-5.0的额定工作在-55℃ + 125℃
而LM236-5.0的额定过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。该LM336-5.0的额定工作过
0°C至+ 70°C温度范围。见连接图
克可用的软件包。对于需要应用
2.5V见LM136-2.5 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
可调4V至6V
低温COEF网络cient
600 μA宽工作电流10 mA的
0.6Ω的动态阻抗
±
1 %的初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
三铅晶体管封装
连接图
TO-92
塑料包装
SO封装
00571604
底部视图
订单号LM336Z - 5.0或LM336BZ - 5.0
见NS包装数Z03A
TO-46
金属罐包装
00571607
订单号LM336M - 5.0或LM336BM - 5.0
见NS包装数M08A
00571605
底部视图
订单编号LM136H - 5.0 ,
LM136H - 5.0 / 883 , LM236H - 5.0 ,
LM136AH - 5.0 , LM136AH - 5.0 / 883 ,
或LM236AH - 5.0
见NS包装数H03H
2003美国国家半导体公司
DS005716
www.national.com
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型应用
5.0V参考
修剪4V至6V参考
与温度系数
独立的击穿电压
00571601
以最小的5.0V参考
温度COEF网络cient
*不影响温度系数
00571603
00571615
调整到5.00V
*任何硅信号二极管
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2
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
绝对最大额定值
(注1 )
LM336-5.0
焊接信息
TO- 92封装( 10秒)
TO-46封装( 10秒)
SO封装
气相( 60秒)
红外(15秒)。
0 ° C至+ 70°C
260C
300C
215C
220C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
工作温度范围(注2 )
LM136-5.0
LM236-5.0
-55 ° C至+ 150°C
-25 ° C至+ 85°C
15mA
10mA
-60℃到+ 150°C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
产品可靠性“ (附录D )为溶胶其他方法
dering表面贴装器件。
电气特性
(注3)
LM136A-5.0/LM236A-5.0
参数
反向击穿电压
条件
T
A
= 25 ° C,I
R
= 1毫安
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
LM136A - 5.0 / LM236A - 5.0 , LM336B - 5.0
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
温度稳定性
(注4 )
T
A
=25C,
600 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C,I
R
= 1毫安, F = 100赫兹
V
R
调整后的5.00V
I
R
= 1毫安(图
2)
0C≤T
A
≤70C
(LM336-5.0)
25C≤T
A
≤+85C
(LM236-5.0)
55C≤T
A
≤+125C
(LM136-5.0)
反向击穿变化
与当前
调整范围
反向动态阻抗
长期稳定性
电路
图1
I
R
= 1毫安
T
A
=25C
±
0.1C ,我
R
= 1毫安, T = 1000小时
600 μA≤I
R
≤10
mA
7
20
6
18
36
17
6
24
4
12
mV
mV
mV
mV
V
2.5
PPM
0.6
1.2
0.6
2
4.9
4.95
5.00
5.00
6
5.1
5.05
12
4.8
4.90
5.00
5.00
6
5.2
5.1
20
V
V
mV
LM136-5.0/LM236-5.0
民
典型值
最大
LM336B-5.0
LM336-5.0
民
典型值
最大
单位
±
1
0.8
20
1.6
±
1
0.8
20
注1 :
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 :
对于高温下操作,T
j
max是:
LM136
150C
LM236
LM336
125C
100C
热阻
θ
ja
(结到环境)
TO-92
180C / W( 0.4"线索)
170℃ / W ( 0.125"
导致)
TO-46
SO-8
440 ° C / W 165 ° C / W
θ
ja
(结点到外壳)
不适用
80C/W
不适用
注3 :
除非另有规定, LM136-5.0从-55C≤T指定
A
≤+125C,
从-25C≤T的LM236-5.0
A
≤+85C
并从LM336-5.0
0C≤T
A
≤+70C.
注4 :
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限,保证(但不是100 % %的生产测试)在
所指示的温度和电源电压的范围内。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在最大充电
V
REF
从25℃至T
A
(分钟)或T
A
(最大值)。
3
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LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型性能特性
反向电压变化
齐纳电压噪声
00571617
00571618
动态阻抗
响应时间
00571619
00571620
反向特性
温度漂移
00571621
00571622
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4
LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0
典型性能特性
正向特性
(续)
00571623
应用提示
该LM136-5.0系列电压基准更容易
使用比普通的齐纳二极管。它们的低阻抗和
宽工作电流范围可简化偏置在几乎任何
电路。此外,无论是击穿电压或温度
TURE系数可以调节,以优化电路perfor-
曼斯。
图1
显示了一个10K的电位为LM136-5.0
调节的反向击穿电压。通过加入
R1的击穿电压可以在不影响─调整
荷兰国际集团的器件的温度系数。调整
范围通常是足够的,以调整为初始设备
容忍和缓冲电路的误差。
如果最低温度系数是理想的,四个二极管
可以串联附加了调整电位为
所示
图2中。
当该装置被调节到5.00V的
温度系数最小化。几乎所有的硅显
纳尔二极管可以被用于此目的,如1N914 ,
1N4148或1N457 。对于适当的温度补偿
二极管应该在相同的热环境如
该LM136-5.0 。它通常足以装入二极管
邻近于所述印刷电路板的LM136-5.0 。该abso-
网络琵琶阻力不是关键的,任何数值
从2K到20K将工作。由于广泛的调整
范围,固定电阻器应串联连接的
锅使锅内的设置不太重要。
00571610
图2.温度系数调整
(调整范围=
±
0.5V典型)
00571609
图1. LM136-5.0与锅的调整
击穿电压(调整范围=
±
1.0V典型)
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LM336-5.0/LM336B-5.0
可编程并联稳压器
特点
低温COEF网络cient
可调4V至6V
为10mA宽工作范围电流400mA的
三铅晶体管封装( TO- 92 )
0.6欧姆阻抗动态
±1.0%
初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速打开
描述
该LM336-5.0 / LM336B -5.0集成电路是
高精度5.0V并联稳压器。该单片IC电压
参考作为一个低温度系数5.0V
齐纳0.6欧姆的动态阻抗。在第三终端
该LM336-5.0 / LM336B - 5.0允许参考电压
和温度系数可以很容易地修整。
该LM336-5.0 / LM336B -5.0作为一家精密5.0V有用
低基准电压,这使得它方便地获得
从低电压电源稳定的参考。另外,由于
LM336-5.0 / LM336B - 5.0用作分流稳压器,它们
可以用作正的或负的参考电压。
TO-92
1
1.调2 + 3 -
内部框图
2
+
R7
R1
Q9
R5
Q8
C2
R4
Q2
Q1
Q4
Q3
Q5
Q10
Q6 Q12
Q11
Q15
R11
Q13
R2
Q14
Q18
R3
Q7
C1
Q16
R10
R8
R×2
R6
R9
Q17
R12
R×1
1
ADJ
3
_
R× 1 ,R × 2 :外部
电阻器
修订版1.0.2
2002仙童半导体公司