LM129/LM329
绝对
AXI ü RATI GS
U
W W
U
W
（注1 ）
工作温度范围
LM129
（ OBSOLETE ） ...................
-55 ° C至125°C
LM329 ................................................. .... 0 ° C至70℃
存储温度范围................. - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
反向击穿电流................................. 30毫安
正向电流................................................ ..... 2毫安
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
底部视图
订购部件
数
LM129AH LM329AH
LM129BH LM329BH
LM129CH LM329CH
LM329DH
H封装
2引脚TO - 46金属
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 440 ° C / W ，
θ
JC
= 80 ° C / W
OBSOLETE包装
考虑在Z软件包备用电源
咨询LTC营销LM329AZ ， LM329CZ和LM329DZ可用性
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注2 ）
LM129A/
LM129B/LM129C
民
典型值
最大
6.7
q
q
q
q
q
q
q
电气特性
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
温度COEF网络cient
条件
符号
V
Z
V
Z
I
R
V
Z
ΔTemp
T
A
= 25 ° C， 0.6毫安
≤
I
R
≤
15mA
T
A
= 25 ° C， 0.6毫安
≤
I
R
≤
15mA
1mA
≤
I
R
≤
15mA
I
R
= 1mA时，
LM129A/LM329A
LM129A/LM329B
LM129A/LM329C
LM329D
1mA
≤
I
R
≤
15mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
1mA
≤
I
R
≤
15mA
T
A
= 25 ° C， 10Hz的
≤
f
≤
10kHz
T
A
= 45°C
±0.1°C,
I
R
= 1毫安
±0.3%
温度变化
系数
r
Z
e
n
V
Z
ΔTime
动态阻抗
RMS噪声
长期稳定性
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
2
U
底部视图
W
订购部件
数
LM329AZ
LM329BZ
LM329CZ
LM329DZ
包装
3引脚塑封TO- 92
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 160 ° C / W
LM329A/LM329B/
LM329C/LM329D
民
典型值
最大
6.6
6.9
9
12
6
15
30
50
1
7.25
20
单位
V
mV
mV
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
6.9
9
12
6
15
30
7.2
14
10
20
50
10
20
50
100
1
0.6
0.8
7
20
1
20
0.8
1
7
20
2
100
V
PPM / KHR
注2 ：
以确定结温的函数
环境温度下，看到
θ
JA
每个包。
LM129/LM329
典型PERFOR一个CE特征
反向特性
100
100
T
A
= 25°C
10
动态阻抗（ Ω ）
反向电流（mA ）
电压（V）的
1.0
T
j
= 55°C
0.1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0.01
6.45
.
6.55
6.65 6.75 6.85 6.95
反向电压（ V）
正向特性
1.2
1.0
正向电压（ V）
NOISE （NV / √Hz的）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
50
0.01
0.1
1.0
正向电流（mA ）
10
129/329 G04
T
A
= 25°C
100
10
100
1k
频率（Hz）
10k
100k
129/329 G05
噪声（ 10μV / DIV ）
SCHE ATIC DIAGRA
50
Q1
30k
2k
2.6k
2
三百二十九分之一百二十九SD
提供的信息由凌力尔特公司被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担供其使用。凌力尔特公司不作任何代表中
塔季翁，其如本文所描述的电路的互连不会对现有的专利权侵犯。
W
ü W
7.05
129/329 G01
动态阻抗
8
6
10
响应时间
产量
4
2
0
14
V
IN
6.8k
V
OUT
1.0
输入
0
100
200
300
时间（μs ）
400
129/329 G03
0.1
10
100
1k
10k
频率（Hz）
100k
129/329 G02
0
噪声电压
150
低频噪声电压
从0.01Hz至1Hz的
0
50
150
100
时间（μs ）
200
250
129/329 G06
W
1
Q2
D1
6.2V
Q3
2k
Q4
10k
30pF
Q7
1k
Q5
15pF
Q6
+
–
3
LM129/LM329
典型应用S
公共参考
15V
9V至40V
9k
R
S
I
民
≥
0.6mA
LM329
6.9V
LM329
6.9V
三百二十九分之一百二十九TA02
包装DESCRIPTIO
（参考LTC DWG ＃ 1340年5月8日）
0.209 – 0.219
(5.309 – 5.537)
0.178 – 0.195
(4.521 – 4.953)
0.500
(12.700)
民
*
0.085 – 0.105
(2.159 – 2.667)
H封装
2引脚和3引脚TO- 46金属
参考
飞机
0.025
(0.635)
最大
0.016 – 0.021**
(0.406 – 0.533)
迪亚
0.050
(1.270)
典型值
0.100
(2.540)
典型值
销1
FOR 3引脚封装ONLY
45°
0.036 – 0.046
(0.914 – 1.168)
0.028 – 0.048
(0.711 – 1.219)
H02 / 03 （ TO- 46 ） 1098
0.050
(1.270)
典型值
*导线的直径不受控制参考平面之间
和0.045"低于基准平面
0.016 – 0.024
**对于浸焊引脚抛光，铅直径
(0.406 – 0.610)
OBSOLETE包装
相关配件
产品型号
LT1460
LT1634
描述
微功耗，精密系列参考
0.05 ％精度， 10ppm的/ ° C，并联型电压基准
评论
为10ppm / ° C，输出电压： 2.5V ， 3V ， 3.3V ， 5V ， 10V
输出电压： 1.25V ， 2.5V ， 4.096V ，+ 5V
4
凌力尔特公司
1630麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-7417
(408) 432-1900
q
传真： （ 408 ） 434-0507
q
U
U
缓冲基准
使用单电源
7.5k
2
–
+
7
LT1001
6
10V
3
20k
1%
4
三百二十九分之一百二十九TA03
包装
3引脚塑料TO- 92 （类似TO- 226 ）
（参考LTC DWG ＃ 1410年5月8日）
0.060
±
0.005
(1.524± 0.127)
迪亚
0.180
±
0.005
(4.572
±
0.127)
0.180
±
0.005
(4.572
±
0.127)
0.90
(2.286)
喃
0.500
(12.70)
民
0.050不受控制
（ 1.270 ） LEAD DIMENSION
最大
5°
喃
0.050
(1.27)
BSC
0.016
±
0.003
(0.406
±
0.076)
0.015
±
0.002
(0.381
±
0.051)
0.098 +016/–0.04
(2.5 +0.4/–0.1)
2 PLCS
Z3 （TO- 92）， 0401
0.060
±
0.010
(1.524
±
0.254)
0.140
±
0.010
(3.556
±
0.127)
TO- 92磁带和卷轴
指的是磁带和卷轴部
LTC数据手册中有关其他信息
10 ° NOM
129329fa LT / CP 0901 1.5K REV A 美国印刷
www.linear.com
凌力尔特公司1985年
LM129 / LM329精密基准
2000年3月
LM129/LM329
精密基准
概述
该LM129和LM329系列是精密的多的电流
与DY-温度补偿6.9V齐纳参考
动力学阻抗的10至100小于离散二 - 因子
颂歌。建于一个单一的硅芯片， LM129用途
有源电路来缓冲的内部齐纳允许DE-
副到0.5毫安工作在15 mA范围内，几乎
在性能上没有变化。该LM129和LM329是可用
能够与0.001 ， 0.002选定的温度系数，
0.005和0.01％ /℃。这些文献也有出色的
长期稳定性和低噪音。
在LM129采用了一种新的地下齐纳击穿给
低噪声和比常规更好的长期稳定性
IC齐纳二极管。此外，齐纳和温度补偿
晶体管是由一个平面工艺制成，使他们的免疫
以困扰普通的齐纳二极管的问题。例如，有
几乎是在齐纳电压因温度无电压偏移
TURE骑自行车和设备不敏感，对压力的
导致。
在LM129可以代替常规齐纳二极管的使用
改进的性能。低动态阻抗simpli-
外商投资企业偏置和宽工作电流允许重
放置许多齐纳类型。
在LM129封装在一个2引脚TO -46封装，是
额定工作在一个-55℃ + 125℃的温度
范围内。至70℃的LM329工作在0°C可
在两个气密的TO- 46封装和TO-92环氧树脂封装
年龄。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
0.6毫安至15 mA工作电流
在任何当前0.6Ω的动态阻抗
可用0.001 ％/℃的温度系数
7μV宽带噪声
5 ％的初始容差
0.002 ％的长期稳定性
低成本
次表层齐纳
连接图
金属罐包装（ T0-46 ）
塑料封装（ TO- 92 ）
DS005714-4
DS005714-6
销2被电连接到外壳
底部视图
订单号LM129AH ， LM129AH / 883 ， LM129BH ，
LM129BH / 883 ， LM129CH ， LM329AH ， LM329BH ，
LM329CH或LM329DH
见NS包装H02A
底部视图
订单号LM329BZ ，
LM329CZ或LM329DZ
见NS包装Z03A
2000美国国家半导体公司
DS005714
www.national.com
LM129/LM329
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
（注3）
反向击穿电流
正向电流
30毫安
2毫安
工作温度范围
LM129
LM329
存储温度范围
焊接信息
TO- 92封装： 10秒。
TO- 46封装： 10秒。
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 150°C
260C
300C
电气特性
（注2 ）
LM129A ， B，C
参数
反向击穿电压
反向击穿变化
与电流（注4 ）
反向动态阻抗
（注4 ）
RMS噪声
长期稳定性
（ 1000小时）
温度COEF网络cient
LM129A ， LM329A
LM129B ， LM329B
LM129C ， LM329C
LM329D
变化的反向击穿
温度COEF网络cient
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
1毫安
≤
I
R
≤
15毫安
0.8
1
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
这些规范适用于-55°C
≤
T
A
≤
+ 125C的LM129和0°C
≤
T
A
≤
+ 70°C的LM329 ，除非另有规定。最大结
下一个LM129是150℃， LM329为100℃。对于在升高的温度下操作，在TO-46封装的器件必须基于热重降额
440C / W结sistance到环境或80°C / W结到外壳。对于TO- 92封装，降额是基于180C / W结到环境与0.4"线索
从PC板160℃ / W结到环境与0.125"引线长度到PC板。
注3 ：
请参阅RETS129H的LM129系列军用规格。
注4 ：
这些变化是在具有低占空比的脉冲基准测试。对于变化与温度的关系，计算在温度系数而言。
LM329A ， B，C ，D
单位
民
6.6
典型值
6.9
9
0.8
最大
7.25
20
2
V
mV
条件
民
T
A
= 25C,
0.6毫安
≤
I
R
≤
15毫安
T
A
= 25C,
0.6毫安
≤
I
R
≤
15毫安
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
T
A
= 25C,
10赫兹
≤
F
≤
10千赫
T
A
= 45C
±
0.1C,
I
R
= 1毫安
±
0.3%
I
R
= 1毫安
6
15
30
1毫安
≤
I
R
≤
15毫安
1毫安
≤
I
R
≤
15毫安
1
12
10
20
50
6
15
30
50
1
12
10
20
50
100
20
20
7
20
7
100
9
0.6
14
1
6.7
6.9
7.2
典型值
最大
V
PPM
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
mV
3
www.national.com
QQ：2881677436 复制
