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LM3280可调的降压型DC -DC转换器和LDO的3射频电源管理
2007年1月
LM3280
可调降压型DC -DC转换器和LDO的3射频
电源管理
概述
该LM3280是一款多功能电源管理单元,
对于低功耗的手持式应用,如CEL-优化
细胞性手机。
该LM3280包含三个低压差LDO电压
调节器和一个降压PWM DC-DC转换器具有一个
内部旁路FET 。降压转换器的输出电压的步骤
年龄可以通过一个模拟输入来设置(Ⅴ
CON
)优化
在RF功率放大器的效率在不同的功率电平。该LDO OP-
erates 2.85V和最大负载的标称输出电压
为20mA用于通过所需的基准电压的电流能力
线性RF功率放大器。该LM3280附加功能
一个单独的使能引脚为每个输出。
该LM3280是采用16引脚无铅的micro SMD
封装。
特点
2MHz(典型值)的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作( 2.7V至5.5V )
可调输出电压( 0.8V至3.6V ) DC-DC
高效率同步降压转换器
最大300mA的负载能力( PWM模式)
500mA最大负载能力(旁路模式)
PWM ,强制和自动旁路模式
3低压差和快速瞬态响应LDO的
16引脚micro SMD封装
电流过载保护
热过载保护
应用
手机
手持式无线电
电池供电的RF器件
典型用途
20181901
图1 LM3280的典型应用
2007美国国家半导体公司
201819
www.national.com
LM3280
连接图
20181902
16焊球薄型micro SMD封装,大的凸起
见NS包装数TLA16QQA
订购信息
订单号
LM3280TL
LM3280TLX
LM3280TL-275
LM3280TLX-275
LM3280TL-280
LM3280TLX-280
LM3280TL-290
LM3280TLX-290
LDO3
选项
2.85V
(默认)
2.85V
(默认)
2.75V*
2.75V*
2.80V*
2.80V*
2.90V*
2.90V*
标记(注)
XYTT V001
XYTT V001
XYTT V002
XYTT V002
XYTT V003
XYTT V003
XYTT V004
XYTT V004
供货方式
250个单位,磁带和卷轴
3000单位,磁带和卷轴
250个单位,磁带和卷轴
3000单位,磁带和卷轴
250个单位,磁带和卷轴
3000单位,磁带和卷轴
250个单位,磁带和卷轴
3000单位,磁带和卷轴
注意:
包装标志“ XY ”表示的日期代码。 “ TT ”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。
*:
其他3个选项除了默认可应要求提供,请联系您当地的销售代表。
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2
LM3280
引脚说明
针#
A1
B1
C1
D1
A2
B2
C2
D2
A3
B3
C3
D3
A4
B4
C4
名字
LDO1
LDO2
LDO3
EN
LDO3
SVIN
FB
EN
LDO2
V
CON
SGND
EN
巴克
EN
LDO1
BYP
BYPOUT
PVIN
SW
LDO1输出。
LDO2输出。
LDO3输出。
LDO3使能输入。设置此数字输入高电平使LDO3 。 ( EN
巴克
脚也必须设置为高)。对于
转LDO3关闭,设置为低。
模拟信号和LDO电源输入。
降压转换器反馈的模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
LDO2使能输入。设置此数字输入高电平使LDO2 。 ( EN
巴克
脚也必须设置为高)。对于
转LDO2关闭,设置为低。
降压转换器的电压控制模拟输入。该引脚控制V
OUT
在PWM模式。设置: V
OUT
= 3 x
V
CON 。
不要离开浮动。
模拟信号和LDO地面。
降压转换器的使能输入。设置此数字输入输入电压>2.7V正常运行后高。关机,
设置为低。
LDO1使能输入。设置此数字输入高电平使LDO1 。 ( EN
巴克
脚也必须设置为高)。对于
转LDO1关闭,设置为低。
强制旁路输入。用这个数字来输入命令旁路模式运行。设置BYP低( <0.4V )
以进行正常操作。
旁路FET的漏极。连接到所述输出电容器。不要离开浮动。
降压转换器电源电压输入到内部PFET开关和旁路FET 。
降压转换器开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关峰值电流
在PWM降压转换器的限制。
降压转换器电源地。
描述
D4
保护地
3
www.national.com
LM3280
绝对最大额定值
(注1,2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
SVIN , PVIN至SGND
PGND到SGND
登记护士, FB , BYP ,V
CON
-0.2V至+ 6.0V
-0.2V至+ 0.2V
( SGND -0.2V )
以( SVIN + 0.2V )
W / 6.0V最大
( PGND -0.2V )
以( PVIN + 0.2V )
W / 6.0V最大
-0.2V至+ 0.2V
内部限制
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度
(焊接, 10秒)
ESD额定值(注4 )
人体模型
机器型号
+260°C
2K V
200 V
(注1,2 )
2.7V至5.5V
0毫安300mA的电流
0毫安500mA的电流
0毫安至20mA
-30℃ + 125℃
-30℃ + 85℃
工作额定值
SW , BYPOUT
PVIN到SVIN
连续功率耗散
“ (注
3)
结温(T
J- MAX
)
存储温度范围
输入电压范围
推荐负载电流
PWM模式:
旁路模式:
LDO :
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
“ (注
5)
热性能
结至环境热阻
JA
) , TLA16套餐(注6 )
48 ° C / W
通用电气特性
(注2,7)中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。范围
in
粗体
则适用于整个工作环境温度范围( -30℃
T
A
= T
J
+ 85℃) 。除非另有说明,否则
规范适用于与LM3280 : V
IN
= ( SVIN = PVIN = ) 3.6V , EN
巴克
= 3.6V , EN
LDO1
EN
LDO2
EN
LDO3
= BYP = 0V
FB = 2V ,V
CON
= 0.267V.
参数
关断电源电流
条件
EN
巴克
= 0V,
FB = SW = V
CON
= 0V,
BYPOUT = 0V
EN
巴克
= 3.6V,
BYPOUT = 0V
EN
巴克
= 3.6V,
BYPOUT = 0V
EN
LDO1
= 3.6V
EN
巴克
= BYP = 3.6V
EN
巴克
= BYP = 3.6V ,
EN
LDO1
= 3.6V
分钟。
典型值。
0.1
最大
3
单位
A
符号
I
Q
无负载电源电流
720
920
800
1300
A
A
720
920
1.2
800
1300
A
A
V
V
IH
V
IL
I
PDWN
公顷thsd
逻辑高输入阈值电压FB = 0V
ENX , BYP
逻辑低输入阈值电压
ENX , BYP
FB = 0V
0.4
5
150
25
10
V
A
°C
°C
逻辑输入下拉电流的ENX , ENX , BYP = 3.6V
BYP
热关断温度
滞后温度
(注7 )
(注7 )
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4
LM3280
(注2,7)中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度范围( -30℃
T
A
= T
J
+ 85℃) 。除非另有说明,否则
规范适用于与LM3280 : V
IN
= ( SVIN = PVIN = ) 3.6V , EN
巴克
= 3.6V , EN
LDO1
EN
LDO2
EN
LDO3
= BYP = 0V
FB = 2V ,V
CON
= 0.267V.
符号
V
FB_ MIN
V
FB_ MAX
OVP
V
BYPASS
V
BYPASS +
R
DSON ( P)
R
DSON ( N)
R
DSON ( BYP )
I
LIM- PWM
I
LIM- BYP
F
OSC
收益
I
CON
参数
条件
分钟。
0.75
3.528
典型值。
0.800
3.600
330
160
350
250
450
320
310
85
700
800
1.8
0.267V
V
CON
1.20V,
V
IN
= 4.2V
V
CON
= 1.2V
820
1000
2
3
10
最大
0.85
3.672
400
320
540
450
450
120
940
1200
2.2
单位
V
V
mV
mV
mV
m
m
m
mA
mA
兆赫
V/V
nA
反馈电压的最小设定V
CON
= 0.267V
反馈电压的最大值设置V
CON
= 1.20V, V
IN
= 4.2V
过压保护门限
自动旁路检测阴性
门槛
自动旁路检测阳性
门槛
引脚对引脚电阻用于PFET
引脚对引脚电阻对于N -FET
引脚对引脚电阻的旁路FET
开关电流限制
旁路FET电流限制
内部振荡器频率
V
CON
到V
OUT
收益
V
CON
输入漏电流
(注9 )
(注10 )
(注10 )
I
SW
= 500毫安, FB = 0V
I
SW
= - 200毫安
I
BYPOUT
= 500毫安
FB = 0V (注12 )
(注13 )
BUCK电气特性
巴克系统特点
符号
T
响应
参数
时间V
OUT
从上升
0.8V至3.4V的PWM模式
(注2)下列规格表中的条目由设计保证,如果
在典型的应用电路的元件值被使用。
这些参数不是由生产测试保证。
条件
V
IN
= 4.2V ,C
OUT
= 4.7F,
R
负载
= 15
L = 2.2 μH (我
SAT
> 0.94A )
25
s
典型值
最大
单位
T
启动
时间V
OUT
上升到3.4V V
IN
= 4.2V ,C
OUT
= 4.7F,
在PWM模式
R
负载
= 15
(注14 )
L = 2.2μH (我
SAT
= 0.94A)
EN =低到高
V
CON
输入电容
V
IN
= 3.6V, V
CON
= 1V,
测试频率。 = 100kHz的
36
s
C
CON
T
ON_BYP
15
pF
旁路FET导通时间, V
IN
= 3.6V, V
CON
= 0.267V,
旁路模式
C
OUT
= 4.7μF ,R
负载
= 15
BYP =低到高
自动旁路检测延迟
时间
(注10 )
10
15
30
s
T
BYP
20
s
5
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