LM3280可调的降压型DC -DC转换器和LDO的3射频电源管理
2007年1月
LM3280
可调降压型DC -DC转换器和LDO的3射频
电源管理
概述
该LM3280是一款多功能电源管理单元,
对于低功耗的手持式应用,如CEL-优化
细胞性手机。
该LM3280包含三个低压差LDO电压
调节器和一个降压PWM DC-DC转换器具有一个
内部旁路FET 。降压转换器的输出电压的步骤
年龄可以通过一个模拟输入来设置(Ⅴ
CON
)优化
在RF功率放大器的效率在不同的功率电平。该LDO OP-
erates 2.85V和最大负载的标称输出电压
为20mA用于通过所需的基准电压的电流能力
线性RF功率放大器。该LM3280附加功能
一个单独的使能引脚为每个输出。
该LM3280是采用16引脚无铅的micro SMD
封装。
特点
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■
2MHz(典型值)的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作( 2.7V至5.5V )
可调输出电压( 0.8V至3.6V ) DC-DC
高效率同步降压转换器
最大300mA的负载能力( PWM模式)
500mA最大负载能力(旁路模式)
PWM ,强制和自动旁路模式
3低压差和快速瞬态响应LDO的
16引脚micro SMD封装
电流过载保护
热过载保护
应用
■
手机
■
手持式无线电
■
电池供电的RF器件
典型用途
20181901
图1 LM3280的典型应用
2007美国国家半导体公司
201819
www.national.com
LM3280
连接图
20181902
16焊球薄型micro SMD封装,大的凸起
见NS包装数TLA16QQA
订购信息
订单号
LM3280TL
LM3280TLX
LM3280TL-275
LM3280TLX-275
LM3280TL-280
LM3280TLX-280
LM3280TL-290
LM3280TLX-290
LDO3
选项
2.85V
(默认)
2.85V
(默认)
2.75V*
2.75V*
2.80V*
2.80V*
2.90V*
2.90V*
包
标记(注)
XYTT V001
XYTT V001
XYTT V002
XYTT V002
XYTT V003
XYTT V003
XYTT V004
XYTT V004
供货方式
250个单位,磁带和卷轴
3000单位,磁带和卷轴
250个单位,磁带和卷轴
3000单位,磁带和卷轴
250个单位,磁带和卷轴
3000单位,磁带和卷轴
250个单位,磁带和卷轴
3000单位,磁带和卷轴
注意:
包装标志“ XY ”表示的日期代码。 “ TT ”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。
*:
其他3个选项除了默认可应要求提供,请联系您当地的销售代表。
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2
LM3280
引脚说明
针#
A1
B1
C1
D1
A2
B2
C2
D2
A3
B3
C3
D3
A4
B4
C4
名字
LDO1
LDO2
LDO3
EN
LDO3
SVIN
FB
EN
LDO2
V
CON
SGND
EN
巴克
EN
LDO1
BYP
BYPOUT
PVIN
SW
LDO1输出。
LDO2输出。
LDO3输出。
LDO3使能输入。设置此数字输入高电平使LDO3 。 ( EN
巴克
脚也必须设置为高)。对于
转LDO3关闭,设置为低。
模拟信号和LDO电源输入。
降压转换器反馈的模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
LDO2使能输入。设置此数字输入高电平使LDO2 。 ( EN
巴克
脚也必须设置为高)。对于
转LDO2关闭,设置为低。
降压转换器的电压控制模拟输入。该引脚控制V
OUT
在PWM模式。设置: V
OUT
= 3 x
V
CON 。
不要离开浮动。
模拟信号和LDO地面。
降压转换器的使能输入。设置此数字输入输入电压>2.7V正常运行后高。关机,
设置为低。
LDO1使能输入。设置此数字输入高电平使LDO1 。 ( EN
巴克
脚也必须设置为高)。对于
转LDO1关闭,设置为低。
强制旁路输入。用这个数字来输入命令旁路模式运行。设置BYP低( <0.4V )
以进行正常操作。
旁路FET的漏极。连接到所述输出电容器。不要离开浮动。
降压转换器电源电压输入到内部PFET开关和旁路FET 。
降压转换器开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关峰值电流
在PWM降压转换器的限制。
降压转换器电源地。
描述
D4
保护地
3
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LM3280
绝对最大额定值
(注1,2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
SVIN , PVIN至SGND
PGND到SGND
登记护士, FB , BYP ,V
CON
-0.2V至+ 6.0V
-0.2V至+ 0.2V
( SGND -0.2V )
以( SVIN + 0.2V )
W / 6.0V最大
( PGND -0.2V )
以( PVIN + 0.2V )
W / 6.0V最大
-0.2V至+ 0.2V
内部限制
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度
(焊接, 10秒)
ESD额定值(注4 )
人体模型
机器型号
+260°C
2K V
200 V
(注1,2 )
2.7V至5.5V
0毫安300mA的电流
0毫安500mA的电流
0毫安至20mA
-30℃ + 125℃
-30℃ + 85℃
工作额定值
SW , BYPOUT
PVIN到SVIN
连续功率耗散
“ (注
3)
结温(T
J- MAX
)
存储温度范围
输入电压范围
推荐负载电流
PWM模式:
旁路模式:
LDO :
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
“ (注
5)
热性能
结至环境热阻
(θ
JA
) , TLA16套餐(注6 )
48 ° C / W
通用电气特性
(注2,7)中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。范围
in
粗体
则适用于整个工作环境温度范围( -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃) 。除非另有说明,否则
规范适用于与LM3280 : V
IN
= ( SVIN = PVIN = ) 3.6V , EN
巴克
= 3.6V , EN
LDO1
EN
LDO2
EN
LDO3
= BYP = 0V
FB = 2V ,V
CON
= 0.267V.
参数
关断电源电流
条件
EN
巴克
= 0V,
FB = SW = V
CON
= 0V,
BYPOUT = 0V
EN
巴克
= 3.6V,
BYPOUT = 0V
EN
巴克
= 3.6V,
BYPOUT = 0V
EN
LDO1
= 3.6V
EN
巴克
= BYP = 3.6V
EN
巴克
= BYP = 3.6V ,
EN
LDO1
= 3.6V
分钟。
典型值。
0.1
最大
3
单位
A
符号
I
Q
无负载电源电流
720
920
800
1300
A
A
720
920
1.2
800
1300
A
A
V
V
IH
V
IL
I
PDWN
公顷thsd
逻辑高输入阈值电压FB = 0V
ENX , BYP
逻辑低输入阈值电压
ENX , BYP
FB = 0V
0.4
5
150
25
10
V
A
°C
°C
逻辑输入下拉电流的ENX , ENX , BYP = 3.6V
BYP
热关断温度
滞后温度
(注7 )
(注7 )
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4
LM3280
(注2,7)中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度范围( -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃) 。除非另有说明,否则
规范适用于与LM3280 : V
IN
= ( SVIN = PVIN = ) 3.6V , EN
巴克
= 3.6V , EN
LDO1
EN
LDO2
EN
LDO3
= BYP = 0V
FB = 2V ,V
CON
= 0.267V.
符号
V
FB_ MIN
V
FB_ MAX
OVP
V
BYPASS
V
BYPASS +
R
DSON ( P)
R
DSON ( N)
R
DSON ( BYP )
I
LIM- PWM
I
LIM- BYP
F
OSC
收益
I
CON
参数
条件
分钟。
0.75
3.528
典型值。
0.800
3.600
330
160
350
250
450
320
310
85
700
800
1.8
0.267V
≤
V
CON
≤
1.20V,
V
IN
= 4.2V
V
CON
= 1.2V
820
1000
2
3
10
最大
0.85
3.672
400
320
540
450
450
120
940
1200
2.2
单位
V
V
mV
mV
mV
m
m
m
mA
mA
兆赫
V/V
nA
反馈电压的最小设定V
CON
= 0.267V
反馈电压的最大值设置V
CON
= 1.20V, V
IN
= 4.2V
过压保护门限
自动旁路检测阴性
门槛
自动旁路检测阳性
门槛
引脚对引脚电阻用于PFET
引脚对引脚电阻对于N -FET
引脚对引脚电阻的旁路FET
开关电流限制
旁路FET电流限制
内部振荡器频率
V
CON
到V
OUT
收益
V
CON
输入漏电流
(注9 )
(注10 )
(注10 )
I
SW
= 500毫安, FB = 0V
I
SW
= - 200毫安
I
BYPOUT
= 500毫安
FB = 0V (注12 )
(注13 )
BUCK电气特性
巴克系统特点
符号
T
响应
参数
时间V
OUT
从上升
0.8V至3.4V的PWM模式
(注2)下列规格表中的条目由设计保证,如果
在典型的应用电路的元件值被使用。
这些参数不是由生产测试保证。
条件
V
IN
= 4.2V ,C
OUT
= 4.7F,
R
负载
= 15
L = 2.2 μH (我
SAT
> 0.94A )
25
s
民
典型值
最大
单位
T
启动
时间V
OUT
上升到3.4V V
IN
= 4.2V ,C
OUT
= 4.7F,
在PWM模式
R
负载
= 15
(注14 )
L = 2.2μH (我
SAT
= 0.94A)
EN =低到高
V
CON
输入电容
V
IN
= 3.6V, V
CON
= 1V,
测试频率。 = 100kHz的
36
s
C
CON
T
ON_BYP
15
pF
旁路FET导通时间, V
IN
= 3.6V, V
CON
= 0.267V,
旁路模式
C
OUT
= 4.7μF ,R
负载
= 15
BYP =低到高
自动旁路检测延迟
时间
(注10 )
10
15
30
s
T
BYP
20
s
5
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