LM3263
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SNVS837 - 2013年6月
LM3263高电流降压型DC - DC转换器， MIPI射频前端
控制接口为射频功率放大器
检查样品：
LM3263
1
特点
MIPI
RFFE数字控制接口
高效率PFM和PWM模式与
内部无缝切换
采用单节锂离子电池： 2.7V至5.5V
动态可调节输出电压： 0.4V
至3.6V （典型值）的PFM和PWM模式
在PWM模式2.5A最大负载电流
2.7 MHz（典型值）开关频率
ACB （减小电感器的要求和尺寸）
内部补偿
电流和热过载保护
16焊球DSBGA包装
非常小的解决方案尺寸：约。 9.8毫米
2
描述
该LM3263是一个DC-DC变换器的优化
供电的多模式多频带RF功率放大器
（ PAS）从单节锂离子电池。该LM3263
降低输入电压为2.7V至5.5V到步骤
0.4V的动态可调输出电压3.6V 。
输出电压通过外部设置的
在RFFE数字控制接口，并设置为
确保在所有功率水平运行效率
RF PA 。
该LM3263工作在调制频率PWM
模式产生了一个较小的和可预测量的
输出电压纹波。 PWM模式使最
满足功率要求和严格的频谱
合规性，用过滤的最小量和
多余的空间。当在PFM模式下操作时，所述
LM3263实现最低的电流消耗
整个PA的输出功率电平设置，因此
最大限度地提高系统效率。
的LM3263具有独特的
工作电流
协助和
类似物
绕行
（ ACB ）功能，以减少电感器
无输出调节为任何损失大小
整个电池的电压和RF输出功率范围内，
直至辍学。 ACB提供了一种并行的电流路径，
在需要的时候，以限制最大电感电流
为1.45A （典型值） ，同时还开着2.5A的负载。该
模拟旁路功能也使操作
最小压差电压。
该LM3263可在一个小2毫米× 2毫米
芯片尺寸16焊球DSBGA封装。
23
应用
智能手机
RF PC卡
平板电脑，电子书阅读器
手持对讲机
电池供电的RF器件
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
MIPI是移动行业处理器接口联盟的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM3263
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典型应用电路
VBATT
2.7V至5.5V
0.1 F
10 F
PVIN
PACB
SVDD
FB
1.8V
RFFE
主
VIO
SCLK
SDATA
ACB
1.5 H
输出电压
0.4V至3.6V
LM3263
SW
10 F
3.3 nF的
2G
V
CC
_PA
PA
4.7 F
GPO1
BGND
SGND
保护地
3× 1.0 μF
3G/4G
V
CC
_PA
PA （多个）
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
连接图
PVIN
SW
保护地
ACB
A
A
ACB
保护地
SW
PVIN
PVIN
SW
BGND
PACB
B
B
PACB
BGND
SW
PVIN
VIO
SDATA
FB
ACB
C
C
ACB
FB
SDATA
VIO
SCLK
GPO1
SGND
SVDD
D
D
SVDD
SGND
GPO1
SCLK
1
2
3
4
4
3
2
1
顶视图
底部视图
2
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LM3263
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SNVS837 - 2013年6月
引脚说明
针＃
A1
B1
C1
D1
A2
B2
C2
D2
A3
B3
C3
D3
A4
C4
B4
D4
名字
PVIN
描述
电源电压输入到内部PFET开关。
VIO充当RFFE接口的参考电压。 VIO还用作复位和使能
输入到LM3263 。通常连接到电压调节器通过射频或基带控制
IC 。
数字控制接口RFFE总线时钟输入。通常连接到RFFE主射频或
基带IC 。 SCLK必须保持低电平时， VIO不适用。
开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
数字控制接口RFFE总线数据输入/输出。通常连接到RFFE主上
RF或基带集成电路。 SDATA必须保持为低电平时， VIO不适用。
通用输出。也可用于重新配置USID 。
电源地到内部NFET开关。
ACB ，模拟旁路地和数字地。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
信号模拟地（低电流） 。
ACB及模拟旁路输出。连接在输出滤波电容的输出。
ACB电源输入。
模拟电源电压。
VIO
SCLK
SW
SDATA
GPO1
保护地
BGND
FB
SGND
ACB
PACB
SVDD
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3
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(1) (2)
绝对最大额定值
FB ， SW ， GPO1 ， ACB ， VIO ， SDATA ， SCLK
连续功率耗散
(3)
VBATT引脚与GND （ PVIN ， SVDD ， PACB到PGND ， SGND ， BGND ）
0.2V
至+ 6.0V
（ GND - 0.2V ）至（ VIN + 0.2V ） W / 6.0V最大
内部限制
+150°C
65°C
至+ 150°C
+260°C
1kV
250V
最大工作结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接10秒）
ESD额定值
(4) (5)
人体模型
带电器件模型
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150 ° C（典型值）和
脱离在T
J
= 125°C （典型值） 。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）
德州仪器建议所有集成电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的ESD
处理过程可能会导致损坏。
(1)
工作额定值
输入电压范围VIO
推荐电流负载
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
(1)
(2)
输入电压范围PVIN ， SVDD ， PACB
2.7V至5.5V
1.65V到1.95V
0至2.5A
30°C
至+ 125°C
(2)
30°C
至+ 90℃的
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
不得不降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
=
125 ℃）时，器件中的应用的最大功率耗散（P
D- MAX
），以及结点到环境的热阻
部件/封装中的应用（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
× P
D- MAX
） 。在较高功率水平的责任
循环使用，假定丢弃（即，最大功率12.5 ％的使用率假定）为GSM / GPRS模式。
热性能
结点至环境热阻（ θ
JA
） ， YFQ16套餐
(1)
(1)
50°C/W
结至环境热阻高度应用和电路板布局有关。在应用中，高的最大功率
散热存在，必须特别注意电路板设计支付给散热问题。结至环境热阻（ θ
JA
)
取自热建模的结果，列于JEDEC标准JESD51-7条件和指引下进行的，并
是板相关的。
4
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(1) (2) (3)
电气特性
在标准字体限为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度
范围（-30 ℃下
≤
T
J
= T
A
≤
+ 90 ℃）。除非另有说明，规范适用于典型应用图与
VBATT = 3.8V （ = PVIN = SVDD = PACB ） ， VIO = 1.8V 。
符号
V
FB ， MIN
V
FB ， MAX
I
SHDN
I
L- PWR
I
Q- PFM
I
Q
PWM
参数
反馈电压的最大
环境
关断电源电流
低功耗模式下电源电流
PFM模式下电源电流为SVDD
PWM模式下电源电流
正稳态峰值电流
极限
积极主动协助电流峰值
电流限制
NFET限流
平均内部振荡器频率
VIO电压平均输入电流
RFFE I / O电压复位电压
VIO复位电流
SDATA ， SCLK输入电流
输入高电平阈SDATA ，
SCLK
输入低电平阈SDATA ，
SCLK
输入高电平阈GPO1
输入低电平阈GPO1
输出高电平门槛SDATA
输出低电平阈值SDATA
输出高电平门槛GPO
输出低电平阈值的GPO
输出电压LSB
I
SDATA
= 2毫安
条件
VSET [7：0 ] =单元F0h ，V
BATT
= 3.9V,
SMPS_CFG [5] = 0B
SW = 0V ， VIO = 0V
(4)
VSET [7：0 ] = 00h开始
无开关
(5)
， SMPS_CFG [5] = 1b中
无开关
(5)
， SMPS_CFG [5] = 0B
民
0.350
3.492
典型值
0.4
3.6
0.02
0.225
360
1240
1.9
最大
0.450
3.708
4
425
1400
2.1
1.65
单位
V
反馈电压在最低设置VSET [ 7 ： 0 ] = 1BH ， SMPS_CFG [ 5 ] = 1B
A
I
LIM ， PFET瞬态
积极的瞬间峰值电流限制
I
LIM ， PFET稳态
状态
VSET [7：0 ] = 64h的
(6)
1.35
1.4
1.45
1.7
1.50
A
2.0
I
LIM ， P- ACB
I
LIM ， NFET
F
OSC
I
VIO -IN
V
IORST
I
INVIO
I
IN
V
IH
V
IL
V
IH- GPO
V
IL - GPO
V
OH
V
OL
V
OH- GPO
V
OL- GPO
V
SET- LSB
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
VSET [7：0 ] = A7H
(6)
VSET [7：0 ] = A7H
一个26 MHz的平均时
VIO切换低
VIO = 0.45V
VIO = 1.95V
1.0
1.0
0.4 * VIO
0.3 * VIO
1.35
2.43
2.7
2.97
1.25
0.45
1.0
1.0
0.7 * VIO
0.6 * VIO
兆赫
mA
V
A
V
0.67
VIO * 0.8
VIO - 0.15
-0.4
15
VIO + 0.01
VIO * 0.2
VIO + 0.1
0.3
mV
V
I
SDATA
= -2mA
I
OUT
= ±200 A
VSET [7：0 ] = A7H到A8H
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析说明。
在电气特性表中的参数开环的条件下，在PVIN = SVDD = PACB = 3.8V测试。
关断电流包括PFET的漏电流。
I
q
此处指定的是当这部分不被切换。
电流限制是内置的，固定的，不可调的。
版权所有 2013年，德州仪器
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LM3263
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LM3263高电流降压型DC - DC转换器， MIPI射频前端
控制接口为射频功率放大器
检查样品：
LM3263
1
特点
MIPI
RFFE数字控制接口
高效率PFM和PWM模式与
内部无缝切换
采用单节锂离子电池： 2.7V至5.5V
动态可调节输出电压： 0.4V
至3.6V （典型值）的PFM和PWM模式
在PWM模式2.5A最大负载电流
2.7 MHz（典型值）开关频率
ACB （减小电感器的要求和尺寸）
内部补偿
电流和热过载保护
16焊球DSBGA包装
非常小的解决方案尺寸：约。 9.1毫米
2
描述
该LM3263是一个DC-DC变换器的优化
供电的多模式多频带RF功率放大器
（ PAS）从单节锂离子电池。该LM3263
降低输入电压为2.7V至5.5V到步骤
0.4V的动态可调输出电压3.6V 。
输出电压通过外部设置的
在RFFE数字控制接口，并设置为
确保在所有功率水平运行效率
RF PA 。
该LM3263工作在调制频率PWM
模式产生了一个较小的和可预测量的
输出电压纹波。 PWM模式使最
满足功率要求和严格的频谱
合规性，用过滤的最小量和
多余的空间。当在PFM模式下操作时，所述
LM3263实现最低的电流消耗
整个PA的输出功率电平设置，因此
最大限度地提高系统效率。
的LM3263具有独特的
工作电流
协助和
类似物
绕行
（ ACB ）功能，以减少电感器
无输出调节为任何损失大小
整个电池的电压和RF输出功率范围内，
直至辍学。 ACB提供了一种并行的电流路径，
在需要的时候，以限制最大电感电流
为1.45A （典型值） ，同时还开着2.5A的负载。该
模拟旁路功能也使操作
最小压差电压。
该LM3263可在一个小2毫米× 2毫米
芯片尺寸16焊球DSBGA封装。
23
应用
智能手机
RF PC卡
平板电脑，电子书阅读器
手持对讲机
电池供电的RF器件
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
MIPI是移动行业处理器接口联盟的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM3263
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典型应用电路
VBATT
2.7V至5.5V
0.1 F
10 F
PVIN
PACB
SVDD
FB
1.8V
RFFE
主
VIO
SCLK
SDATA
ACB
1.5 H
输出电压
0.4V至3.6V
LM3263
SW
10 F
3.3 nF的
2G
V
CC
_PA
PA
4.7 F
GPO1
BGND
SGND
保护地
3× 1.0 μF
3G/4G
V
CC
_PA
PA （多个）
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
连接图
PVIN
SW
保护地
ACB
A
A
ACB
保护地
SW
PVIN
PVIN
SW
BGND
PACB
B
B
PACB
BGND
SW
PVIN
VIO
SDATA
FB
ACB
C
C
ACB
FB
SDATA
VIO
SCLK
GPO1
SGND
SVDD
D
D
SVDD
SGND
GPO1
SCLK
1
2
3
4
4
3
2
1
顶视图
底部视图
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引脚说明
针＃
A1
B1
C1
D1
A2
B2
C2
D2
A3
B3
C3
D3
A4
C4
B4
D4
名字
PVIN
描述
电源电压输入到内部PFET开关。
VIO充当RFFE接口的参考电压。 VIO还用作复位和使能
输入到LM3263 。通常连接到电压调节器通过射频或基带控制
IC 。
数字控制接口RFFE总线时钟输入。通常连接到RFFE主射频或
基带IC 。 SCLK必须保持低电平时， VIO不适用。
开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
数字控制接口RFFE总线数据输入/输出。通常连接到RFFE主上
RF或基带集成电路。 SDATA必须保持为低电平时， VIO不适用。
通用输出。也可用于重新配置USID 。
电源地到内部NFET开关。
ACB ，模拟旁路地和数字地。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
信号模拟地（低电流） 。
ACB及模拟旁路输出。连接在输出滤波电容的输出。
ACB电源输入。
模拟电源电压。
VIO
SCLK
SW
SDATA
GPO1
保护地
BGND
FB
SGND
ACB
PACB
SVDD
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(1) (2)
绝对最大额定值
FB ， SW ， GPO1 ， ACB ， VIO ， SDATA ， SCLK
连续功率耗散
(3)
VBATT引脚与GND （ PVIN ， SVDD ， PACB到PGND ， SGND ， BGND ）
0.2V
至+ 6.0V
（ GND - 0.2V ）至（ VIN + 0.2V ） W / 6.0V最大
内部限制
+150°C
65°C
至+ 150°C
+260°C
1kV
250V
最大工作结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接10秒）
ESD额定值
(4) (5)
人体模型
带电器件模型
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150 ° C（典型值）和
脱离在T
J
= 125°C （典型值） 。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）
德州仪器建议所有集成电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的ESD
处理过程可能会导致损坏。
(1)
工作额定值
输入电压范围VIO
推荐电流负载
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
(1)
(2)
输入电压范围PVIN ， SVDD ， PACB
2.7V至5.5V
1.65V到1.95V
0至2.5A
30°C
至+ 125°C
(2)
30°C
至+ 90℃的
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
不得不降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
=
125 ℃）时，器件中的应用的最大功率耗散（P
D- MAX
），以及结点到环境的热阻
部件/封装中的应用（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
× P
D- MAX
） 。在较高功率水平的责任
循环使用，假定丢弃（即，最大功率12.5 ％的使用率假定）为GSM / GPRS模式。
热性能
结点至环境热阻（ θ
JA
） ， YFQ16套餐
(1)
(1)
50°C/W
结至环境热阻高度应用和电路板布局有关。在应用中，高的最大功率
散热存在，必须特别注意电路板设计支付给散热问题。结至环境热阻（ θ
JA
)
取自热建模的结果，列于JEDEC标准JESD51-7条件和指引下进行的，并
是板相关的。
4
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(1) (2) (3)
电气特性
在标准字体限为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度
范围（-30 ℃下
≤
T
J
= T
A
≤
+ 90 ℃）。除非另有说明，规范适用于典型应用图与
VBATT = 3.8V （ = PVIN = SVDD = PACB ） ， VIO = 1.8V 。
符号
V
FB ， MIN
V
FB ， MAX
I
SHDN
I
L- PWR
I
Q- PFM
I
Q PWM
I
LIM ， PFET稳态
状态
参数
反馈电压的最大
环境
关断电源电流
低功耗模式下电源电流
PFM模式下电源电流为SVDD
PWM模式下电源电流
正稳态峰值电流
极限
积极主动协助电流峰值
电流限制
NFET限流
平均内部振荡器频率
VIO电压平均输入电流
RFFE I / O电压复位电压
VIO复位电流
SDATA ， SCLK输入电流
输入高电平阈SDATA ，
SCLK
输入低电平阈SDATA ，
SCLK
输入高电平阈GPO1
输入低电平阈GPO1
输出高电平门槛SDATA
输出低电平阈值SDATA
输出高电平门槛GPO
输出低电平阈值的GPO
输出电压LSB
I
SDATA
= 2毫安
条件
VSET [7：0 ] =单元F0h ，V
BATT
= 3.9V,
SMPS_CFG [5] = 0B
SW = 0V ， VIO = 0V
(4)
VSET [7：0 ] = 00h开始
无开关
(5)
， SMPS_CFG [5] = 1b中
无开关
(5)
， SMPS_CFG [5] = 0B
民
0.350
3.492
典型值
0.4
3.6
0.02
0.225
360
1240
1.9
最大
0.450
3.708
4
425
1400
2.1
1.65
单位
V
反馈电压在最低设置VSET [ 7 ： 0 ] = 1BH ， SMPS_CFG [ 5 ] = 1B
A
I
LIM ， PFET瞬态
积极的瞬间峰值电流限制
VSET [7：0 ] = 64h的
(6)
1.35
1.4
VSET [7：0 ] = A7H
(6)
VSET [7：0 ] = A7H
一个26 MHz的平均时
VIO切换低
VIO = 0.45V
VIO = 1.95V
1.0
1.0
0.4 * VIO
0.3 * VIO
1.35
2.43
1.45
1.7
1.50
2.7
A
2.0
I
LIM ， P- ACB
I
LIM ， NFET
F
OSC
I
VIO -IN
V
IORST
I
INVIO
I
IN
V
IH
V
IL
V
IH- GPO
V
IL - GPO
V
OH
V
OL
V
OH- GPO
V
OL- GPO
V
SET- LSB
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
2.97
1.25
0.45
1.0
1.0
0.7 * VIO
0.6 * VIO
兆赫
mA
V
A
V
0.67
VIO * 0.8
VIO - 0.15
-0.4
15
VIO + 0.01
VIO * 0.2
VIO + 0.1
0.3
mV
V
I
SDATA
= -2mA
I
OUT
= ±200 A
VSET [7：0 ] = A7H到A8H
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析说明。
在电气特性表中的参数开环的条件下，在PVIN = SVDD = PACB = 3.8V测试。
关断电流包括PFET的漏电流。
I
q
此处指定的是当这部分不被切换。
电流限制是内置的，固定的，不可调的。
版权所有 2013年，德州仪器
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